JPH03129810A - 積層型セラミックチップコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、積層型セラミックチップコンデンサおよびそ
の製造方法に関する。

〈従来の技術〉 積層型セラミックチップコンデンサ（以下、チップコン
デンサと略称する。）は、体積が小さいこと、堅牢性お
よび信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多用さ
れている。

チップコンデンサは、誘電体層と内部電極層とを厚膜技
術によって積層一体止して形成されたチップ体を有し、
チップ体表面には、内部電極層と導通する外部電極が設
けられる。

チップコンデンサの誘電体層は、各種セラミック等の誘
電体で構成され、また、内部電極層は、誘電体材料であ
るＢ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏｓ糸材料、Ｃａ　Ｔ　ｉ　Ｏｓ糸
材料、Ｂａ　（Ｃａ）ＺｒＯｓ系材料の焼結温度が通常
１０００℃以上の高温であることから、通常、Ｐｄまた
はＰｄ合金で構成される。　そして、外部電極は、空気
中で酸化せずかつ電気伝導度が良好であることから、通
常、ＡｇまたはＡｇ合金で構成される。

このようなチップコンデンサは、通常、誘電体層用ペー
ストと内部電極層用ペーストとを積層印刷した後、焼成
し、得られた焼結体に外部電極用ペーストを印刷あるい
は転写した後、焼成することにより製造されるか、ある
いは、すべてのペーストが同時焼成される。

外部電極用ペーストには、チップ体との接着性を向上さ
せるために無機材料が添加されるが、従来、この無機材
料としては、ホウケイ酸鉛ガラスを主成分とするガラス
フリットが用いられていた。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、内部電極層がＰｄまたはＰｄ合金であり、かつ
外部電極がＡｇまたはＡｇ合金である場合、ガラスフリ
ットがＰｄとＡｇとの溶解析出反応を促進し、このとき
Ａｇの拡散速度がＰｄの拡散速度よりも速いために、内
部電極層がチップ体外部へ突出してしまう。

このため、外部電極は内部電極層によりチップ体から離
れる方向の力を受けることになり、外部電極とチップ体
との接着強度が低下したり、あるいは外部電極にクラッ
クが生じたりし、耐久性の低下、不良品の発生が問題と
なる。

また、ガラスフリットが誘電体層を構成するセラミック
と過剰に反応することにより誘電体層の体積膨張が生じ
、誘電体層にクラックが発生したり、あるいは誘電体層
内に応力が生じて電気的特性が劣化したりするという問
題も生じる。　さらに、誘電体層内に残存する応力が半
田付は時の熱衝撃により開放されるため、誘電体層にク
ラックが発生し易い。

本発明は、外部電極の接着強度が高（、良好な電気的特
性を有し、耐熱衝撃性の高い積層型セラミックチップコ
ンデンサと、その製造方法とを提供することを目的とす
る。

く課題を解決するための手段〉 このような目的は下記（１）〜（１０）の本発明によっ
て達成される。

（１）セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層
されて構成されるチップ体を有し、このチップ体の表面
に前記内部電極層と導通する外部電極を有する積層型セ
ラミックチップコンデンサにおいて、 前記内部電極が、Ｐｄを主体とする導電材を含有し、 前記外部電極が、Ａｇを主体とする導電材と、酸化亜鉛
および／または酸化カドミウムとを含むガラス相を含有
することを特徴とする積層型セラミックチップコンデン
サ。

（２）前記ガラス相の含有量が、前記Ａｇを主体とする
導電材の金属分１００重量部に対し５〜２０重量部であ
る上記（１）に記載の積層型セラミックチップコンデン
サ。

（３）前記ガラス相中において、ＺｎＯに換算したとき
の酸化亜鉛の含有量とＣｄＯに換算したときの酸化カド
ミウムの含有量との合計が、５０ｗｔ％以上である上記
（１）または（２）に記載の積層型セラミツ′クチツブ
コンデンサ。

（４）前記外部電極中において、ＺｎＯに換算したとき
の酸化亜鉛の含有量とＣｄＯに換算したときの酸化カド
ミウムの含有量との合計が、前記Ａｇを主体とする導電
材の金属分１００重量部に対し２．５〜１８重量部であ
る上記（１）ないしく３）のいずれかに記載の積層型セ
ラミックチップコンデンサ。

（５）前記セラミック誘電体層がチタン酸系複合酸化物
を含有し、　前記外部電極と前記セラミック誘電体層と
の界面に、酸化亜鉛および／または酸化カドミウムとチ
タン酸系複合酸化物との反応生成物を含有する反応層を
有する上記（１）ないしく４）のいずれかに記載の積層
型セラミックチップコンデンサ。

（６）上記（１）ないしく５）のいずれかに記載の積層
型セラミックチップコンデンサの製造方法であって、 Ｐｄを主体とする導電材原料を含有する内部電極層用ペ
ーストを焼成して内部電極層を形成する工程と、 Ａｇを主体とする導電材原料と、酸化亜鉛もしくは焼成
により酸化亜鉛となる物質および／または酸化カドミウ
ムもしくは焼成により酸化カドミウムとなる物質と、ガ
ラスとを含有する外部電極用ペーストを焼成して外部電
極を形成する工程とを有することを特徴とする積層型セ
ラミックチップコンデンサの製造方法。

（７）前記酸化亜鉛もしくは焼成により酸化亜鉛となる
物質および／または前記酸化カドミウムもしくは焼成に
より酸化カドミウムとなる物質の５０ｗｔ％以上が、ガ
ラスフリット中に含有される上記（６）に記載の積層型
セラミックチップコンデンサの製造方法。

（８）前記外部電極用ペーストにおいて、前記ガラスフ
リットの含有量が前記Ａｇを主体とする導電材原料の金
属分１００重量部に対し５〜２０重量部である上記（７
）に記載の積層型セラミックチップコンデンサの製造方
法。

（９）前記外部電極用ペーストにおいて、ＺｎＯに換算
したときの前記酸化亜鉛もしくは焼成により酸化亜鉛と
なる物質の含有量と、ＣｄＯに換算したときの前記酸化
カドミウムもしくは焼成により酸化カドミウムとなる物
質の含有量との合計が、前記Ａｇを主体とする導電材原
料の金属分１００重量部に対し２．５〜１８重量部であ
る上記（６）ないしく８）のいずれかに記載の積層型セ
ラミックチップコンデンサの製造方法。

（１０）焼成によりチップ体を形成後、前記外部電極用
ペーストを焼成する上記（６）ないしく９）のいずれか
に記載の積層型セラミックチップコンデンサの製造方法
。

く作用〉 本発明では、従来、外部電極の接着性向上のために添加
されているガラスフリットの一部に替え、あるいはガラ
スフリット中に、酸化亜鉛もしくは焼成後に酸化亜鉛と
なる物質および／または酸化カドミウムもしくは焼成後
に酸化カドミウムとなる物質を含有するペーストを焼成
して外部電極を形成する。

このため、ガラスフリットの存在により加速される外部
電極中のＡｇと内部電極層中のＰｄとの反応が抑制され
、内部電極層のチップ体外部への突出が減少する。　従
って、得られるチップコンデンサは、外部電極とチップ
体との接着強度が良好であり、また、外部電極にクラッ
クが発生することが殆どない。

そして、誘電体層とガラスとが反応することによる誘電
体層の体積膨張が減少するので、誘電体層にクラックが
発生することが殆どなく、また、応力による誘電体層の
電気特性の劣化が防止される。

また、本発明において、誘電体層がチタン酸系複合酸化
物を含有する場合、外部電極と誘電体層との界面に、酸
化亜鉛および／または酸化カドミウムとチタン酸系複合
酸化物との反応生成物を含有する反応層が形成される。

この反応層は、外部電極中のＡｇと内部電極層中のＰｄ
との反応による内部電極の体積膨張を吸収するので、半
田付は時に熱衝撃が加わっても誘電体層にクラックが発
生することがない。

く具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

第１図に、本発明のチップコンデンサの断面図を示す。

第１図において、チップコンデンサ１は、セラミック誘
電体層２と内部電極層３とが交互に積層一体止されて構
成されるチップ体１０を有し、このチップ体１０の表面
に内部電極層３と導通する外部電極４０を有する。

チップ体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体
状とされる。　また、その寸法にも特に制限はなく、用
途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（１，０
〜５．６０１１１）Ｘ（０，５〜５．０ａｍ）Ｘ　（０
，６〜１．９ｍｍ）程度である。

そして、内部電極層３は、その端面がチップ体１０の対
向する２表面に交互に露出するように積層され、外部電
極４０は、チップ体１０の前記対向する２表面に形成さ
れ、所定のコンデンサ回路を構成する。

本−発明では、外部電極４０が、Ａｇを主体とする導電
材と、酸化亜鉛および／または酸化カドミウムを含むガ
ラス相を含有する。

Ａｇを主体とする導電材としては、ＡｇまたはＡｇ合金
が好ましく、特にＡｇが好ましい、　　Ａｇ合金を用い
る場合％Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金が好ましく、
これらのうちではＡｇ−Ｐｄ合金が好ましい。　Ａｇ−
Ｐｄ合金等のＡｇ合金中のＡｇの含有量は、０．５〜２
５ｗｔ％であることが好ましい。

本発明では、外部電極に含有される導電材中の金属分１
００重量部に対して、酸化亜鉛と酸化カドミウムとの合
計含有量が２．５〜１８重量部、特に４〜１２重量部で
あることが好ましい。　なお、この場合の含有量とは、
酸化亜鉛および酸化カドミウムをそれぞれＺｎＯおよび
ＣｄＯに換算したときの値である。　これらの含有量が
上記範囲未満となると、本発明の効果が不十分となり、
上記範囲を超えると外部電極の焼結が不十分となるため
に、外部電極と素地との接着強度が低下してしまう。

なお、本発明では、酸化亜鉛および酸化カドミウムは、
ガラス相中に含有される。

ガラス相を構成するガラスとしては、ＺｎＯおよび／ま
たはＣｄＯを含有し、他にＰＰｂｏｌＢｏｏ　　ＳｉＯ
□等を含有するものが好ま、しい。　ＺｎＯおよび／ま
たはＣｄＯの含有量は、５０〜９０ｗｔ％程度であるこ
とが好ましい。

外部電極中におけるこのよう、なガラス相の含有量は、
外部電極中の導電材の金属分に対し５〜２０ｗｔ％であ
ることが好ましい。　ガラス相は、外部電極用ペースト
に含まれるガラスフリットが焼成されて形成されるもの
であり、ガラス相の含有量がこの範囲未満となるように
ガラスフリットをペーストに添加した場合、外部電極の
焼結が不十分となり、外部電極とチップ体素地との接着
強度が低下してしまう。

また、ガラス相の含有量がこの範囲を超えるようにガラ
スフリットをペーストに添加した場合、外部電極用ペー
スト中のＡｇと内部電極層用ペースト中のＰｄとが過剰
に反応し、本発明の効果が不十分となる。

ガラス相中の酸化亜鉛および酸化カドミウムの合計含有
量は、それぞれＺｎＯおよびＣｄ０に換算したとき、５
０ｗｔ％以上であることが好ましい。　ガラス相がこの
ような範囲にて酸化亜鉛および酸化カドミウムを含有す
ることにより、酸化亜鉛および酸化カドミウムの外部電
極中における含有量を最適範囲とすることができる。

なお、外部電極中の各化合物の含有量は、ＥＰＭＡ、蛍
光Ｘ線分析等により測定することができる。

なお、酸化亜鉛と酸化カドミウムはいずれか一方だけが
含有される場合でも本発明の効果は実現する。

本発明において、セラミック誘電体層２がチタン酸系複
合酸化物を含有する誘電体から構成される場合、外部電
極４０とセラミック誘電体層２との界面には、酸化亜鉛
および／または酸化カドミウムとチタン酸系複合酸化物
との反応生成物を含有する反応層４１が存在する。

このような反応生成物としては、 Ｚｎｚ　Ｔｉｓ　Ｏｓ　、ＢａＺｎ＊　Ｓｌｓ　Ｏｔ等
のＺｎあるいはＣｄを含む複合酸化物などである。

反応層４１の厚さは、外部電極用ペースト中のガラスフ
リット含有量、焼付温度、焼付時間等によっても異なる
が、通常、１〜５ｐＩＡ程度である。

本発明において、外部電極４０は、第２図に示される部
分断面図のように、被覆層４３．４４により被覆されて
いることが好ましい。

被覆層４３はＮＺ、被覆層４４はＳｎまたは半田で形成
され、半田付の際の半田濡れ性、半田耐熱性を向上させ
る作用を有する。

外部電極４０の厚さは、通常１０〜５０−であり、被覆
層を含めた合計厚さは通常１５〜１００Ｊｆｆｌ程度と
される。　また、その巾は必要に応じ選定されるが、通
常０．２ｍｍ以上、特に０．２〜０．４腸園とされる。

本発明において内部電極層３は、Ｐｄを主体とする導電
材を含有する。

Ｐｄを主体とする導電材としては、ＰｄまたはＰｄ合金
が好ましく、特にＰｄが好ましい、　　Ｐｄ合金を用い
る場合、Ｐｄ−Ａｇ合金、Ｐｄ−Ｐｔ合金、Ｐｄ−Ａｕ
合金、Ｐｄ−Ａｕ−Ｐｔ合金、が好ましく、これらのう
ちではＰｄ−Ａｇ合金が好ましい、　　Ｐｄ−Ａｇ合金
等のＰｄ合金中のＰｄの含有量は、３０〜１００ｗｔ％
であることが好ましい。

内部電極層３の厚さに特に制限はないが、通常、２〜３
Ｊｆｆｌ程度である。

セラミック誘電体層２を構成する材質に特に制限はなく
、種々の誘電体材料、例えば、酸化チタン系およびチタ
ン酸系複合酸化物あるいはこれらの混合物や、さらにジ
ルコン酸系複合酸化物が添加されたものが好ましい。

チタン酸系複合酸化物としては。

ＢａＴｉＯｓ　　５ｒＴｉＯｓ、ＣａＴｉ０５Ｍ　ｇ　
Ｔ　ｉ　Ｏｓやこれらの混合物等が挙げられ、ジルコン
酸系複合酸化物としては、 ＢａＺｒ０＊　、５ｒＺｒＯｓ　、ＣａＺｒＯｓ、Ｍｇ
Ｚｒ０ｍやこれらの混合物等が挙げられる。

セラミック誘電体層２には、焼成温度、線膨張率の調整
等のために、ホウケイ酸ガラス等のガラスが含有されて
いてもよい。

セラミック誘電体層２の積層数は目的に応じて定めれば
よいが、通常１〜１００程度である。　また、−層あた
りの厚さは、通常５〜５０−程度である。

本発明のチップコンデンサ１は、通常の印刷法やシート
法により形成されることが好ましい。

すなわち、セラミック誘電体層用ペーストおよび内部電
極層用ペーストを印刷法によりＰＥＴ等の基板上に一層
ごとに積層してグリーンチップを形成する。　次に、所
定形状に切断した後、基板から剥離する。　それから、
外部電極用ペーストをグリーンチップに印刷ないし転写
する。

なお、セラミック誘電体層用ペーストを用いてグリーン
シートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷
した後、これらを積層してグリーンチップを形成しても
よい。

次いで、焼成する。

外部電極用ペーストは、Ａｇを主体とする導電材原料と
、酸化亜鉛もしくは焼成により酸化亜鉛になる物質およ
び／または酸化カドミウムもしくは焼成により酸化カド
ミウムになる物質とガラスと、バインダおよび溶剤とを
含有する。

Ａｇを主体とする導電材原料とは、ＡｇもしくはＡｇ合
金または焼成後にＡｇもしくはＡｇ合金となるものであ
る。

Ａｇ合金としては、上記した合金が好ましく、また、焼
成後にＡｇまたはＡｇ合金となるものとしては、酸化物
、有機金属化合物、レジネート等が挙げられる。

このような導電材原料の平均粒径は、０．１〜２ＪＪＪ
１程度とすることが好ましい。

酸化亜鉛もしくは焼成により酸化亜鉛になる物質（以下
、酸化亜鉛原料と略称する。）としては、ＺｎＯｌＺｎ
％Ｚｎ　（Ｃ＊　０４）Ｚ　ｎ　ＣＯａ等であり、酸化
カドミウムもしくは焼成により酸化カドミウムになる物
質（以下、酸化カドミウム原料と略称する。）としては
、Ｃｄ０１Ｃｄ、Ｃｄ　（ｃｉ　０４）、ｃａｃｏｍ等
である。

酸化亜鉛原料および酸化カドミウム原料のペースト中に
おける含有量は、それぞれＺｎＯおよびＣｄＯ換算で上
記した外部電極中における含有量と同様になるようにす
ればよい。

これら原料の平均粒径に特に制限はないが。

酸化亜鉛原料は０．０１〜０．５−程度、酸化カドミウ
ム原料は０．０５〜１−程度であることが好ましい。

本発明では、外部電極用ペースト中にガラスフリットが
含有される。　ガラスフリットは、外部電極と誘電体素
地との接着強度を高めるために含有される。

本発明では、酸化亜鉛原料および／または酸化カドミウ
ム原料を含有するガラスフリットを用いてもよく、また
、このようなガラスフリットと酸化亜鉛原料および／ま
たは酸化カドミウム原料とを併用してもよい。　さらに
は、これらの原料を含有するペーストに、これらの原料
を含有しないガラスフリットを添加してもよい。

これらのいずれの場合でも、酸化亜鉛と酸化カドミウム
とは、外部電極のガラス相中に含有されることになる。

ガラスフリットの形状に特に制限はなく、粒状、扁平状
等のいずれであってもよい。　また、ガラスフリットの
平均粒径は０．１〜３０−程度とすればよい。

外部電極用ペースト中のガラスフリットの含有量および
ガラスフリットの組成は、外部電極中におけるガラス相
の含有量およびガラス相の組成にそれぞれ対応して決定
すればよい。

用いるバインダおよび溶剤に特に制限はな（、例えばバ
インダとしてはエチルセルロース、アクリル樹脂、ブチ
ラール樹脂等、溶剤としてはテルピネオール、ブチルカ
ルピトール、ケロシン等の通常用いられるものであって
よい、　ペースト中のバインダおよび溶剤の含有量にも
特に制限はなく、通常の含有量、例えばバインダは１〜
５ｗｔ％程度、溶剤は１０〜５０ｗｔ％程度とすればよ
い。

さらに、ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可
塑剤、誘電体、絶縁体等が含有されていてもよい、　こ
れらの総含有量は、１０ｗｔ％以下であることが好まし
い。

セラミック誘電体層用ペーストは、上記したようなセラ
ミック誘電体層の組成に応じて各種誘電体材料あるいは
焼成により誘電体となる原料粉末を選択し、バインダお
よび溶剤と混練して調製すればよい。

原料粉末としては、通常、酸化チタン系およびチタン酸
系複合酸化物等を構成する酸化物を用いればよく、対応
する酸化物誘電体の組成に応じ、Ｔｉ％Ｂａ、Ｓｒ％Ｃ
ａ、Ｚｒ等の酸化物を用いればよい。

またこれらは焼成により酸化物になる化合物、例えば炭
酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物、
等を用いてもよい。

これらの原料粉末は、通常、平均粒子径０．１〜５１ｍ
程度のものが用いられる。

また、焼結助剤ないし鉱化剤としてＳ　ｉ　Ｏｓを０．
２ｗｔ％程度以下含有するものが好ましい。

また、必要に応じ、ガラス、分散剤等の各種添加物が含
有されていてもよい。

バインダおよび溶剤は、上記した外部電極用ペーストに
用いるものと同様でよく、これらの含有量も上記と同様
でよい。

内部電極層用ペーストは、Ｐｄを主体とする導電材原料
、すなわち、ＰｄもしくはＰｄ合金ま−たけ焼成後にＰ
ｄもしくはＰｄ合金となる導電材原料を、バインダおよ
び溶剤と混練して作製される。

Ｐｄ合金としては、上記した合金が好ましく、また、焼
成後にＰｄまたはＰｄ合金となるものとしては、酸化物
、塩化物、有機金属化合物、レジネート等が挙げられる
。

バインダおよび溶剤とその含有量とは、上記した外部電
極用ペーストと同様なものでよい。

なお、ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑
剤、誘電体、絶縁体等が含有されていてもよい、　これ
らの総含有量は、３０ｗｔ％以下であることが好ましい
。

焼成温度は、６５０〜９５０℃、特に７５０〜８５０℃
とすることが好ましい、　また、焼成時間は、０．５〜
５時間、特に０．５〜２時間とすることが好ましい。　
焼成は、通常、空気中で行なう。

誘電体層用ペーストがチタン酸系複合酸化物を含有する
場合、誘電体層と外部電極との間には、焼成により上記
したような反応層が形成される。

このようにして得られたチップコンデンサは、リフロー
法、デイツプ法等により半田付され、表面実装用基板に
実装され、各種電子機器に用いられる。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

〔実施例１〕 （外部電極用ペースト） 酸化亜鉛原料を含有するガラスフリットを用いて、外部
電極用ペーストを調製した。

出発原料 導電材原料 平均粒径０．８−のＡｇｌＯＯ重量部 ガラスフリット 下記表１に示す組成の平均粒径８−の酸化亜鉛系ガラス テルピネオール　１０重量部 ラッカー　　　　３０重量部 導電材原料中の金属分に対するガラスフリット、酸化亜
鉛および酸化カドミウムの重量比を、表１に示す、　な
お、酸化亜鉛および酸化カドミウムの重量比は、それぞ
れＺｎＯおよびＣｄＯに換算したときの値である。

上記出発原料を３本ロールにて混練し、ペーストとした
。

（内部電極層用ペースト） 出発原料 導電材原料　　　：平均粒径０．６−のＰｄ５５ｗｔ％ 金レジネート　　：０．５ｗｔ％ 白金レジネート　：１．０ｗｔ％ テルピネオール　：２２．９ｗｔ％ ラッカー　　　　：２０．６ｗｔ％ これらを３本ロールにて混練し、ペーストとした。

（誘電体層用ペースト） 出発原料 Ｂａｃｏｎ　　　：　６７．９ｗｔ％ Ｔｉ０ｇ　　　　：２Ｂ、３ｗｔ％ ＺｒＯ＊　　　　：　　０．９ｗｔ％ Ｃｅ０ｚ　　　　：　　２．６ｗｔ％ ＭｎＣＯ５：　　０．２ｗｔ％ Ｓｔｏｗ　　　　：　　Ｏ，１ｗｔ％ これらをボールミルにて１６時間混合した後、空気中に
て１１００℃で３時間仮焼を行なった。

仮焼後、ボールミルで１６時間粉砕して誘電体粉末を得
た。

次に、誘電体粉末１００重量部に対して、テルピネオー
ル　：２８重量部 トルエン　　　　：１４重量部 分散剤　　　　　：０．２重量部 ラッカー　　　　：３６．５重量部 を加え、３本ロールにて混練して、ペーストとした。

上記の誘電体層用ペーストと内部電極層用ペーストとを
印刷法により基板上に積層し、切断し、基板から剥離し
てグリーンチップを得た。　誘電体層用ペーストの積層
数は、２９層とした。　グリーンチップを空気中で１３
８０℃にて２時間焼成し、チップ体を作製した。

次いで、外部電極用ペーストなバロマ製ターミネート機
によりチップ体表面に塗布し、空気中で８００℃にて０
．２時間焼成を行なって、外部電極の組成が異なる種々
のチップコンデンササンプルを得た。

サンプル各部の寸法は、下記のとおりであった。

外寸：　３．２ｍｍＸ　１　、６ｍ５ｏｘ　１　、　Ｏ
ｍ、ｍ誘電体層厚さ：２１．６ｐ 内部電極層厚さ：２．６ｐｍ 外部電極厚さ：３０− 外部電極幅：０．２５ａ＋ｍ 得られた各サンプルを３５０℃の半田槽に５秒間浸漬し
、耐熱衝撃性を調べた。　耐熱衝撃性の評価は、実体顕
微鏡にてクラックの有無を観察し、サンプル１００個あ
たりの不良品（クラック発生品）の数により行なった。

結果を表１に示す。

なお、各サンプルの誘電体層と外部電極との界面なＥＰ
ＭＡにて解析したところ、酸化亜鉛を含有するガラスフ
リットを用いたサンプルでは、厚さ２．５〜３．５μの
反応層が形成されていることが確認された。　また、こ
れらの反応層をＥＰＭＡにより組成分析したところ、Ｚ
ｎＯが含有されていることが確認された。

また、Ｘ線回折により相分析を行なったところ、Ｚｎ＊
　Ｔｉｓ　Ｏｓ　、ＢａＺｎ＊　Ｓｉｎ　Ｏｔが含有さ
れていることが確認された。

【実施例２］ 外部電極用ペーストに含有させるガラスフリットとして
、下記表２に示す組成のものを用い、実施例１と同様に
してチップコンデ・ンササンプルを作製した。　ただし
、焼成は、空気中でＳＯＯ℃、０．２時間行なった。

ガラスフリットの使用量が異なる各サンプルについて、
実施例１と同様な耐熱衝撃性試験を行なった。

また、外部電極の引っ張り強度を測定し、３　ｋｇｆ以
下のものを不良品とした。

これらの結果を表２に示す。

なお、表２に示す各サンプルでは、誘電体層と外部電極
との間に実施例１のサンプルと同様な反応層が確認され
た。

〔実施例３］ 酸化亜鉛原料および酸化カドミウム原料のいずれも含有
しないガラスフリット（組成：Ｐｂ０７９．６ｗｔ％％
　Ｂｘ　Ｏｎ　９．６５ｗｔ％、Ｓ　ｉ　Ｏｓ　１０．
　１ｗｔ％、Ａρ、Ｏ，０，６５ｗｔ％、平均粒径４μ
）と、ＺｎＯ（平均粒径０．１μ）と、ＣｄＯ（平均粒
径０．３戸）とを用い、これらの含有量を変えて種々の
外部電極用ペーストを調製した。　導電材原料等の他の
添加物は、実施例１と同様とした。

これらの外部電極用ペーストを用い、その他は実施例１
と同様な条件にてチップコンデンササンプルを作製した
。

得られた各サンプルについて、実施例２と同様にして耐
熱衝撃性試験および外部電極引っ張り強度の測定を行な
った。

結果を表３に示す。

表３に示されるように、ＺｎＯおよび／またはＣｄＯを
含有する本発明のサンプルでは、耐熱衝撃性が高く、し
かも外部電極の引っ張り強度が高い。

一方、ＺｎＯおよびＣｄＯのいずれも含まないサンプル
でも、サンプルＮｏ、　３１４のように耐熱衝撃性の高
いものもあるが、サンプルＮｏ、　３１４では引っ張り
強度が不足している。

なお、ＺｎＯおよび／またはＣｄＯを含有する外部電極
を有するサンプルでは、実施例１および２と同様な反応
層が確認された。

以上の実施例の結果から、本発明の効果が明らかである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のチップコンデンサの断面図である。 第２図は、本発明のチップコンデンサの部分断面図であ
る。 符号の説明 ｌ・・・チップコンデンサ ２・・・誘電体層 ３・・・内部電極層 ４０・・・外部電極 ４１・・・反応層 ４３．４４・・・被覆層 〈発明の効果〉 本発明によれば、外部電極の接着性が高いチップコンデ
ンサが得られ、また、外部電極および誘電体層のクラッ
クが防止される。　さらに、電気特性が良好で、耐熱衝
撃性にも優れたチップコンデンサが得られる。 出　願　人　ティーデイ−ケイ株式会社代　　理　　人
　　弁理士　　　石　　井　　隔間　　　　　弁理士　
　　増　　１）　達　　哉Ｆ　工　Ｇ。 Ｆ　工　Ｇ。 ０ ４１　４０　４３　４４

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層
   されて構成されるチップ体を有し、このチップ体の表面
   に前記内部電極層と導通する外部電極を有する積層型セ
   ラミックチップコンデンサにおいて、 前記内部電極が、Ｐｄを主体とする導電材を含有し、 前記外部電極が、Ａｇを主体とする導電材 と、酸化亜鉛および／または酸化カドミウムとを含むガ
   ラス相を含有することを特徴とする積層型セラミックチ
   ップコンデンサ。
2. （２）前記ガラス相の含有量が、前記Ａｇを主体とする
   導電材の金属分１００重量部に対し５〜２０重量部であ
   る請求項１に記載の積層型セラミックチップコンデンサ
   。
3. （３）前記ガラス相中において、ＺｎＯに換算したとき
   の酸化亜鉛の含有量とＣｄＯに換算したときの酸化カド
   ミウムの含有量との合計が、５０ｗｔ％以上である請求
   項１または２に記載の積層型セラミックチップコンデン
   サ。
4. （４）前記外部電極中において、ＺｎＯに換算したとき
   の酸化亜鉛の含有量とＣｄＯに換算したときの酸化カド
   ミウムの含有量との合計が、前記Ａｇを主体とする導電
   材の金属分１００重量部に対し２．５〜１８重量部であ
   る請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型セラミッ
   クチップコンデンサ。
5. （５）前記セラミック誘電体層がチタン酸系複合酸化物
   を含有し、 前記外部電極と前記セラミック誘電体層との界面に、酸
   化亜鉛および／または酸化カドミウムとチタン酸系複合
   酸化物との反応生成物を含有する反応層を有する請求項
   １ないし４のいずれかに記載の積層型セラミックチップ
   コンデンサ。
6. （６）請求項１ないし５のいずれかに記載の積層型セラ
   ミックチップコンデンサの製造方法であって、 Ｐｄを主体とする導電材原料を含有する内部電極層用ペ
   ーストを焼成して内部電極層を形成する工程と、 Ａｇを主体とする導電材原料と、酸化亜鉛もしくは焼成
   により酸化亜鉛となる物質および／または酸化カドミウ
   ムもしくは焼成により酸化カドミウムとなる物質と、ガ
   ラスとを含有する外部電極用ぺーストを焼成して外部電
   極を形成する工程とを有することを特徴とする積層型セ
   ラミックチップコンデンサの製造方法。
7. （７）前記酸化亜鉛もしくは焼成により酸化亜鉛となる
   物質および／または前記酸化カドミウムもしくは焼成に
   より酸化カドミウムとなる物質の５０ｗｔ％以上が、ガ
   ラスフリット中に含有される請求項６に記載の積層型セ
   ラミックチップコンデンサの製造方法。
8. （８）前記外部電極用ペーストにおいて、前記ガラスフ
   リットの含有量が前記Ａｇを主体とする導電材原料の金
   属分１００重量部に対し５〜２０重量部である請求項７
   に記載の積層型セラミックチップコンデンサの製造方法
   。
9. （９）前記外部電極用ペーストにおいて、 ＺｎＯに換算したときの前記酸化亜鉛もしくは焼成によ
   り酸化亜鉛となる物質の含有量と、ＣｄＯに換算したと
   きの前記酸化カドミウムもしくは焼成により酸化カドミ
   ウムとなる物質の含有量との合計が、前記Ａｇを主体と
   する導電材原料の金属分１００重量部に対し２．５〜１
   ８重量部である請求項６ないし８のいずれかに記載の積
   層型セラミックチップコンデンサの製造方法。
10. （１０）焼成によりチップ体を形成後、前記外部電極用
    ぺーストを焼成する請求項６ないし９のいずれかに記載
    の積層型セラミックチップコンデンサの製造方法。