JP3336198B2 - 積層セラミックバリスタ - Google Patents
積層セラミックバリスタInfo
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- JP3336198B2 JP3336198B2 JP17849796A JP17849796A JP3336198B2 JP 3336198 B2 JP3336198 B2 JP 3336198B2 JP 17849796 A JP17849796 A JP 17849796A JP 17849796 A JP17849796 A JP 17849796A JP 3336198 B2 JP3336198 B2 JP 3336198B2
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- Japan
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- internal electrode
- mol
- surge current
- internal
- multilayer ceramic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックバ
リスタに関する。
リスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層セラミックバリスタは、その
組成がＺｎＯを主成分とし少なくともＢｉ2 Ｏ3 を含む
組成の場合、各層間に挟まれた内部電極層は白金（Ｐ
ｔ）により構成されていた。
組成がＺｎＯを主成分とし少なくともＢｉ2 Ｏ3 を含む
組成の場合、各層間に挟まれた内部電極層は白金（Ｐ
ｔ）により構成されていた。
【０００３】このようなＺｎＯを主成分とし少なくとも
Ｂｉ2 Ｏ3 を含む積層セラミックバリスタは１０００℃
以上の温度で焼成される。Ｂｉ2 Ｏ3 の融点以上の温度
ではＢｉ2 Ｏ3 は金属を侵食し、化合物を形成する。こ
のため内部電極には化学的，温度的に安定なＰｔを使用
し、十分な電流容量を有する内部電極層を形成してい
た。
Ｂｉ2 Ｏ3 を含む積層セラミックバリスタは１０００℃
以上の温度で焼成される。Ｂｉ2 Ｏ3 の融点以上の温度
ではＢｉ2 Ｏ3 は金属を侵食し、化合物を形成する。こ
のため内部電極には化学的，温度的に安定なＰｔを使用
し、十分な電流容量を有する内部電極層を形成してい
た。
【０００４】しかし、Ｐｔは非常に高価であるため、積
層セラミックバリスタのサージ電流耐量向上の阻害要因
となっている。セラミックバリスタの場合、サージ電流
耐量の向上は有効対向電極面積を増加させることにより
成される。これは高価なＰｔの使用量が増加することに
なり、製品コストをアップさせていた。
層セラミックバリスタのサージ電流耐量向上の阻害要因
となっている。セラミックバリスタの場合、サージ電流
耐量の向上は有効対向電極面積を増加させることにより
成される。これは高価なＰｔの使用量が増加することに
なり、製品コストをアップさせていた。
【０００５】また、積層セラミックバリスタの場合、サ
ージ電流耐量向上には有効対向電極面積増加とともに内
部電極と外部電極の良好な接続状態が求められる。外部
電極にはＡｇ又はＡｇ／Ｐｄ合金が使用されるが、内部
電極がＰｔの場合、外部電極（Ａｇ又はＡｇ／Ｐｄ合
金）との異種金属間接合となり、強固な接続が得られな
い。このため内外部電極接続部の電流容量には限界があ
り、有効対向電極面積を増加させても内外部電極接続部
の電流容量がネックとなり、サージ電流耐量を向上でき
ない場合が発生していた。
ージ電流耐量向上には有効対向電極面積増加とともに内
部電極と外部電極の良好な接続状態が求められる。外部
電極にはＡｇ又はＡｇ／Ｐｄ合金が使用されるが、内部
電極がＰｔの場合、外部電極（Ａｇ又はＡｇ／Ｐｄ合
金）との異種金属間接合となり、強固な接続が得られな
い。このため内外部電極接続部の電流容量には限界があ
り、有効対向電極面積を増加させても内外部電極接続部
の電流容量がネックとなり、サージ電流耐量を向上でき
ない場合が発生していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、積層バ
リスタのサージ電流耐量の向上には有効対向電極面積の
増と内部及び外部電極接続部の電流容量増加が必要であ
る。内部電極にＰｔを使用する場合、内部及び外部電極
接続部の電流容量増大のためには外部電極にＰｔを多量
に含む材料を使用する必要がある。また有効対向電極面
積の増加はＰｔの使用量増大につながり、大幅なコスト
アップを招く。
リスタのサージ電流耐量の向上には有効対向電極面積の
増と内部及び外部電極接続部の電流容量増加が必要であ
る。内部電極にＰｔを使用する場合、内部及び外部電極
接続部の電流容量増大のためには外部電極にＰｔを多量
に含む材料を使用する必要がある。また有効対向電極面
積の増加はＰｔの使用量増大につながり、大幅なコスト
アップを招く。
【０００７】したがって、内部電極のＰｔを比較的安価
なＡｇ／Ｐｄ合金に代替えすることにより、内部電極及
び外部電極の材料的マッチングとコストアップを抑制す
ることは可能となる。しかし、セラミック組成にＢｉ2
Ｏ3 を含む場合、Ｂｉ2 Ｏ3がＡｇ／Ｐｄ合金を侵食
し、化合物を形成するので、焼成過程においてセラミク
ス組成物と内部電極との収縮差が発生し、デラミネーシ
ョン発生の原因となる。またＢｉ2 Ｏ3 による化合物形
成のため電極としての機能低下を引き起こすなどの問題
点があった。
なＡｇ／Ｐｄ合金に代替えすることにより、内部電極及
び外部電極の材料的マッチングとコストアップを抑制す
ることは可能となる。しかし、セラミック組成にＢｉ2
Ｏ3 を含む場合、Ｂｉ2 Ｏ3がＡｇ／Ｐｄ合金を侵食
し、化合物を形成するので、焼成過程においてセラミク
ス組成物と内部電極との収縮差が発生し、デラミネーシ
ョン発生の原因となる。またＢｉ2 Ｏ3 による化合物形
成のため電極としての機能低下を引き起こすなどの問題
点があった。
【０００８】本発明は、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量を必要最小
限に抑制し、セラミック層表面へのＢｉ2 Ｏ3 の析出を
抑え、Ａｇ／Ｐｄ合金内部電極との反応を抑制すること
により、内部電極材料に安価なＡｇ／Ｐｄを使用可能に
することを目的としたものである。
限に抑制し、セラミック層表面へのＢｉ2 Ｏ3 の析出を
抑え、Ａｇ／Ｐｄ合金内部電極との反応を抑制すること
により、内部電極材料に安価なＡｇ／Ｐｄを使用可能に
することを目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明になる積層セラミックバリスタは、 １） 内部電極層が銀，パラジウム合金からなり、銀と
パラジウムが重量比でＡｇ／Ｐｄ＝８５／１５〜６０／
４０であること。 ２） セラミックバリスタはＺｎＯを主成分とする組成
からなり、Ｂｉ2 Ｏ3 の含有量が０．２〜０．３ｍｏｌ
％であること。またＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの内少なく
とも１種類を含み、かつＢｉ2 Ｏ3 との合計ｍｏｌ％が
０．３３〜０．５ｍｏｌ％であり、またＢａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＣａＯの内少なくとも１種類を含む全モル数をｘ、
Ｂｉ2 Ｏ3 のモル数をｙとするとき、ｘ／ｙ≦０．６７
であることを特徴とする。
めに、本発明になる積層セラミックバリスタは、 １） 内部電極層が銀，パラジウム合金からなり、銀と
パラジウムが重量比でＡｇ／Ｐｄ＝８５／１５〜６０／
４０であること。 ２） セラミックバリスタはＺｎＯを主成分とする組成
からなり、Ｂｉ2 Ｏ3 の含有量が０．２〜０．３ｍｏｌ
％であること。またＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの内少なく
とも１種類を含み、かつＢｉ2 Ｏ3 との合計ｍｏｌ％が
０．３３〜０．５ｍｏｌ％であり、またＢａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＣａＯの内少なくとも１種類を含む全モル数をｘ、
Ｂｉ2 Ｏ3 のモル数をｙとするとき、ｘ／ｙ≦０．６７
であることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明者らは、まず次のことにつ
いて確認した。すなわち、 （１） 内部電極の銀，パラジウム合金組成に関し、Ａ
ｇ／Ｐｄの重量比が（８５／１５）を超えると合金組成
の融点がセラミック焼成温度以下になり、内部電極が溶
融する場合が発生し、内部電極の形成が困難になる。ま
たＡｇ／Ｐｄの重量比が＜（６０／４０）になると内部
電極金属の焼成温度が上昇し焼成時のセラミクスと内部
電極の収縮特性ミスマッチングが発生し、デラミネーシ
ョンの原因となり、銀，パラジウム合金組成の範囲がＡ
ｇ／Ｐｄの重量比でＡｇ／Ｐｄ＝（８５／１５）〜（６
０／４０）の範囲であるならば、内部電極膜の溶融、デ
ラミネーション等の構造欠陥の発生もなく、良好な内部
電極層と外部電極膜の接合が得られることを見出した。
いて確認した。すなわち、 （１） 内部電極の銀，パラジウム合金組成に関し、Ａ
ｇ／Ｐｄの重量比が（８５／１５）を超えると合金組成
の融点がセラミック焼成温度以下になり、内部電極が溶
融する場合が発生し、内部電極の形成が困難になる。ま
たＡｇ／Ｐｄの重量比が＜（６０／４０）になると内部
電極金属の焼成温度が上昇し焼成時のセラミクスと内部
電極の収縮特性ミスマッチングが発生し、デラミネーシ
ョンの原因となり、銀，パラジウム合金組成の範囲がＡ
ｇ／Ｐｄの重量比でＡｇ／Ｐｄ＝（８５／１５）〜（６
０／４０）の範囲であるならば、内部電極膜の溶融、デ
ラミネーション等の構造欠陥の発生もなく、良好な内部
電極層と外部電極膜の接合が得られることを見出した。
【００１１】（２） 内部電極層の銀，パラジウム合金
とＢｉ2 Ｏ3 の反応は、内部電極層とセラミックの界面
へ過剰なＢｉ2 Ｏ3 が析出するために発生するが、セラ
ミック組成に含まれるＢｉ2 Ｏ3 を０．２〜０．３ｍｏ
ｌ％に規制することにより過剰Ｂｉ2 Ｏ3 の発生は抑制
される。しかし、Ｂｉ2 Ｏ3 が０．３ｍｏｌ％以下にな
ると均一な粒界層の形成が困難になり、サージ電流耐量
の低下現象が発生した。
とＢｉ2 Ｏ3 の反応は、内部電極層とセラミックの界面
へ過剰なＢｉ2 Ｏ3 が析出するために発生するが、セラ
ミック組成に含まれるＢｉ2 Ｏ3 を０．２〜０．３ｍｏ
ｌ％に規制することにより過剰Ｂｉ2 Ｏ3 の発生は抑制
される。しかし、Ｂｉ2 Ｏ3 が０．３ｍｏｌ％以下にな
ると均一な粒界層の形成が困難になり、サージ電流耐量
の低下現象が発生した。
【００１２】Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａのアルカリ土類元素の酸
化物はＺｎＯを主成分とする焼成体の場合、粒界に析出
し粒界層を形成し、かつ銀，パラジウムとの反応も発生
しない。Ｂｉ2 Ｏ3 に加えてＢａ，Ｓｒ，Ｃａアルカリ
土類元素酸化物を添加することにより均一な粒界形成に
不足するＢｉ2 Ｏ3 の絶対量を補足することができる。
これにより内部電極の銀，パラジウム合金とＢｉ2 Ｏ3
の反応を抑制でき、かつサージ電流耐量の低下も防止で
きる。アルカリ土類酸化物の添加量はＢｉ2 Ｏ3 とのモ
ル比（アルカリ土類酸化物モル量／Ｂｉ2 Ｏ3 モル量）
により規定され、アルカリ土類酸化物の添加量がモル比
で０．６７を超えるとＺｎＯグレインとＺｎＯグレイン
の接合粒界への酸素拡散機能が低下し、バリスタの基本
性能である非直線性を発現する粒界の形成が不完全にな
りサージ電流耐量は低下する。
化物はＺｎＯを主成分とする焼成体の場合、粒界に析出
し粒界層を形成し、かつ銀，パラジウムとの反応も発生
しない。Ｂｉ2 Ｏ3 に加えてＢａ，Ｓｒ，Ｃａアルカリ
土類元素酸化物を添加することにより均一な粒界形成に
不足するＢｉ2 Ｏ3 の絶対量を補足することができる。
これにより内部電極の銀，パラジウム合金とＢｉ2 Ｏ3
の反応を抑制でき、かつサージ電流耐量の低下も防止で
きる。アルカリ土類酸化物の添加量はＢｉ2 Ｏ3 とのモ
ル比（アルカリ土類酸化物モル量／Ｂｉ2 Ｏ3 モル量）
により規定され、アルカリ土類酸化物の添加量がモル比
で０．６７を超えるとＺｎＯグレインとＺｎＯグレイン
の接合粒界への酸素拡散機能が低下し、バリスタの基本
性能である非直線性を発現する粒界の形成が不完全にな
りサージ電流耐量は低下する。
【００１３】次に、積層セラミックバリスタを製作した
実施例について述べる。
実施例について述べる。
【００１４】外形寸法が３．２×１．６×１．３（ｍ
ｍ）、一対の相対向する内部電極の有効面積が１．５ｍ
ｍ2 、有効セラミック層の厚さが７０μｍで有効セラミ
ック層の層数が３層の積層セラミックバリスタを作製
し、内部電極層の銀，パラジウム合金組成、またＢｉ2
Ｏ3 とアルカリ土類酸化物の添加量の添加範囲を求め
た。
ｍ）、一対の相対向する内部電極の有効面積が１．５ｍ
ｍ2 、有効セラミック層の厚さが７０μｍで有効セラミ
ック層の層数が３層の積層セラミックバリスタを作製
し、内部電極層の銀，パラジウム合金組成、またＢｉ2
Ｏ3 とアルカリ土類酸化物の添加量の添加範囲を求め
た。
【００１５】主成分のＺｎＯとＢｉ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ
酸化物以外の組成はＭｇＯ，ＣｏＯ，ＭｎＯ，ＮｉＯ，
Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 として各々０．３，１．２，
０．６，０．１，１．５，０．００５ｍｏｌ％を含むセ
ラミック組成粉体を有機バインダとをジルコニアボール
を用いてホットミルにて４８時間混合後、ドクターブレ
ード法にて９０μｍのシートを作製した。このシート上
に所定パターンの内部電極ペーストを印刷、積層、圧
着、カット後３００℃で１０時間脱バインダを行った。
脱バインダ後２時間焼成を行った。外部電極の形成は、
銀，パラジウムの比率がＡｇ／Ｐｄ＝７３／２７の外部
電極ペーストを内部電極端面部に塗布した後７５０℃で
１０分間焼成し形成した。
酸化物以外の組成はＭｇＯ，ＣｏＯ，ＭｎＯ，ＮｉＯ，
Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 として各々０．３，１．２，
０．６，０．１，１．５，０．００５ｍｏｌ％を含むセ
ラミック組成粉体を有機バインダとをジルコニアボール
を用いてホットミルにて４８時間混合後、ドクターブレ
ード法にて９０μｍのシートを作製した。このシート上
に所定パターンの内部電極ペーストを印刷、積層、圧
着、カット後３００℃で１０時間脱バインダを行った。
脱バインダ後２時間焼成を行った。外部電極の形成は、
銀，パラジウムの比率がＡｇ／Ｐｄ＝７３／２７の外部
電極ペーストを内部電極端面部に塗布した後７５０℃で
１０分間焼成し形成した。
【００１６】特性評価はサージ電流耐量（標準雷サージ
電流波形８×２０μsec ）を用いて行った。
電流波形８×２０μsec ）を用いて行った。
【００１７】表１に内部電極の銀，パラジウム合金組成
と各種焼成温度におけるサージ耐量の関係を示す。セラ
ミック組成は表２の組成番号７の組成を使用した。
と各種焼成温度におけるサージ耐量の関係を示す。セラ
ミック組成は表２の組成番号７の組成を使用した。
【００１８】
【表１】
【００１９】焼成温度が１０００℃以下になるとセラミ
ック自体の焼成が不完全になり、非直線を発現する粒界
の形成が不完全になる。このため内部電極の合金組成に
かかわらずサージ電流耐量が低下している。非直線性が
発現される粒界が完全に形成される焼成温度は１０００
℃以上である。しかし、焼成温度が１０００℃以上で
は、Ａｇ／Ｐｄの重量比が（８５／１５）以下になると
内部電極合金が溶融しサージ電流耐量は低下する。ま
た、Ａｇ／Ｐｄの重量比が（６０／４０）を超えるとセ
ラミックと内部電極層の収縮ミスマッチングによるデラ
ミネーションの発生によりサージ電流耐量は低下する。
ック自体の焼成が不完全になり、非直線を発現する粒界
の形成が不完全になる。このため内部電極の合金組成に
かかわらずサージ電流耐量が低下している。非直線性が
発現される粒界が完全に形成される焼成温度は１０００
℃以上である。しかし、焼成温度が１０００℃以上で
は、Ａｇ／Ｐｄの重量比が（８５／１５）以下になると
内部電極合金が溶融しサージ電流耐量は低下する。ま
た、Ａｇ／Ｐｄの重量比が（６０／４０）を超えるとセ
ラミックと内部電極層の収縮ミスマッチングによるデラ
ミネーションの発生によりサージ電流耐量は低下する。
【００２０】
【表２】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】組成番号１〜５から、Ｂｉ2 Ｏ3 量が０．
３ｍｏｌ％未満では均一な粒界層の形成が困難になりサ
ージ電流耐量が低下することがわかる。またＢｉ2 Ｏ3
量が０．３ｍｏｌ％以上になると内部電極層とセラミッ
クの界面に析出した過剰なＢｉ2 Ｏ3 による内部電極の
変質と変質による内部電極とセラミックの収縮ミスマッ
チングによる構造的内部欠陥によりサージ電流耐量が低
下することがわかる。
３ｍｏｌ％未満では均一な粒界層の形成が困難になりサ
ージ電流耐量が低下することがわかる。またＢｉ2 Ｏ3
量が０．３ｍｏｌ％以上になると内部電極層とセラミッ
クの界面に析出した過剰なＢｉ2 Ｏ3 による内部電極の
変質と変質による内部電極とセラミックの収縮ミスマッ
チングによる構造的内部欠陥によりサージ電流耐量が低
下することがわかる。
【００２５】組成番号６〜１３から、Ｂｉ2 Ｏ3 ととも
にＢａＯを添加し、その合計添加量が０．３３ｍｏｌ％
以上、０．５０ｍｏｌ％以下の範囲であれば均一な粒界
層が形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 と内部電極金属との反応に起
因する内部構造欠陥の発生が防止され、良好なサージ電
流耐量が得られる。
にＢａＯを添加し、その合計添加量が０．３３ｍｏｌ％
以上、０．５０ｍｏｌ％以下の範囲であれば均一な粒界
層が形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 と内部電極金属との反応に起
因する内部構造欠陥の発生が防止され、良好なサージ電
流耐量が得られる。
【００２６】しかし、ＢａＯとＢｉ2 Ｏ3 のモル比（Ｘ
／Ｙ）が０．６７を超えると非直線性を発現する粒界の
形成が不完全になりサージ電流耐量が低下することがわ
かる。
／Ｙ）が０．６７を超えると非直線性を発現する粒界の
形成が不完全になりサージ電流耐量が低下することがわ
かる。
【００２７】組成番号１４〜２１から、Ｂｉ2 Ｏ3 とと
もにＳｒＯを添加し、その合計添加量が０．３３ｍｏｌ
％以上、０．５０ｍｏｌ％以下の範囲であれば均一な粒
界層が形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 と内部電極金属との反応に
起因する内部構造欠陥の発生が防止され、良好なサージ
電流耐量が得られる。しかし、ＳｒＯとＢｉ2 Ｏ3 のモ
ル比（Ｘ／Ｙ）が０．６７を超えると、非直線性を発現
する粒界の形成が不完全になりサージ電流耐量が低下す
ることがわかる。
もにＳｒＯを添加し、その合計添加量が０．３３ｍｏｌ
％以上、０．５０ｍｏｌ％以下の範囲であれば均一な粒
界層が形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 と内部電極金属との反応に
起因する内部構造欠陥の発生が防止され、良好なサージ
電流耐量が得られる。しかし、ＳｒＯとＢｉ2 Ｏ3 のモ
ル比（Ｘ／Ｙ）が０．６７を超えると、非直線性を発現
する粒界の形成が不完全になりサージ電流耐量が低下す
ることがわかる。
【００２８】組成番号２２〜２９から、Ｂｉ2 Ｏ3 とと
もにＣａＯを添加し、その合計添加量が０．３３ｍｏｌ
％以上、０．５０ｍｏｌ％以下の範囲であれば均一な粒
界層が形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 と内部電極金属との反応に
起因する内部構造欠陥の発生が防止され、良好なサージ
電流耐量が得られる。しかし、ＣａＯとＢｉ2 Ｏ3 のモ
ル比（Ｘ／Ｙ）が０．６７を超えると、非直線性を発現
する粒界の形成が不完全になりサージ電流耐量が低下す
ることがわかる。
もにＣａＯを添加し、その合計添加量が０．３３ｍｏｌ
％以上、０．５０ｍｏｌ％以下の範囲であれば均一な粒
界層が形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 と内部電極金属との反応に
起因する内部構造欠陥の発生が防止され、良好なサージ
電流耐量が得られる。しかし、ＣａＯとＢｉ2 Ｏ3 のモ
ル比（Ｘ／Ｙ）が０．６７を超えると、非直線性を発現
する粒界の形成が不完全になりサージ電流耐量が低下す
ることがわかる。
【００２９】組成番号３０〜３６から、Ｂｉ2 Ｏ3 とと
もにＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯのアルカリ土類酸化物のう
ち少なくとも１種類以上を添加し、その合計添加量が
０．３３ｍｏｌ％以上、０．５０ｍｏｌ％以下の範囲で
あれば均一な粒界層が形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 と内部電極
金属との反応に起因する内部構造欠陥の発生が防止さ
れ、良好なサージ電流耐量が得られる。しかし、添加さ
れたアルカリ土類酸化物とＢｉ2 Ｏ3 のモル比（Ｘ／
Ｙ）が０．６７を超えると、非直線性を発現する粒界の
形成が不完全になりサージ電流耐量が低下することがわ
かる。
もにＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯのアルカリ土類酸化物のう
ち少なくとも１種類以上を添加し、その合計添加量が
０．３３ｍｏｌ％以上、０．５０ｍｏｌ％以下の範囲で
あれば均一な粒界層が形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 と内部電極
金属との反応に起因する内部構造欠陥の発生が防止さ
れ、良好なサージ電流耐量が得られる。しかし、添加さ
れたアルカリ土類酸化物とＢｉ2 Ｏ3 のモル比（Ｘ／
Ｙ）が０．６７を超えると、非直線性を発現する粒界の
形成が不完全になりサージ電流耐量が低下することがわ
かる。
【００３０】添加されたＢｉ2 Ｏ3 とアルカリ土類酸化
物の合計添加量の範囲０．３３〜０．５ｍｏｌ％である
こと、アルカリ土類酸化物の添加モル量とＢｉ2 Ｏ3 モ
ル量の比（Ｘ／Ｙ）が０．６７以下であることから、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 の添加量は０．２〜０．３ｍｏｌ％に規定され
る。
物の合計添加量の範囲０．３３〜０．５ｍｏｌ％である
こと、アルカリ土類酸化物の添加モル量とＢｉ2 Ｏ3 モ
ル量の比（Ｘ／Ｙ）が０．６７以下であることから、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 の添加量は０．２〜０．３ｍｏｌ％に規定され
る。
【００３１】表３に外部電極と内部電極の種類によるサ
ージ電流耐量を示す。セラミックの組成は組成番号７番
の組成を使用した。
ージ電流耐量を示す。セラミックの組成は組成番号７番
の組成を使用した。
【００３２】
【表３】
【００３３】内部電極層がＰｔで外部電極が（Ａｇ／Ｐ
ｄ）の組み合せの場合、接続部が異種間金属接合となり
接続部のサージ電流耐量は低下する。
ｄ）の組み合せの場合、接続部が異種間金属接合となり
接続部のサージ電流耐量は低下する。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、内部電極に比較的安価
な銀，パラジウム合金が使用可能となったため、コスト
アップがなく、積層セラミックバリスタの単位体積当た
りのサージ電流耐量の向上が可能となり、積層セラミッ
クバリスタの大幅な小形化を図ることができる。
な銀，パラジウム合金が使用可能となったため、コスト
アップがなく、積層セラミックバリスタの単位体積当た
りのサージ電流耐量の向上が可能となり、積層セラミッ
クバリスタの大幅な小形化を図ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (1)
- 【請求項１】 一端が外部電極接続部に露出した相対向
する内部電極を有する積層セラミックバリスタにおい
て、 １） 内部電極層が銀，パラジウム合金からなり、銀と
パラジウムが重量比でＡｇ／Ｐｄ＝８５／１５〜６０／
４０であること。 ２） セラミックバリスタはＺｎＯを主成分とする組成
からなり、Ｂｉ2 Ｏ3の含有量が０．２〜０．３ｍｏｌ
％であること。またＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの内少なく
とも１種類を含み、かつＢｉ2 Ｏ3 との合計ｍｏｌ％が
０．３３〜０．５ｍｏｌ％であり、またＢａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＣａＯの内少なくとも１種類を含む全モル数をｘ、
Ｂｉ2 Ｏ3 のモル数をｙとするとき、ｘ／ｙ≦０．６７
であることを特徴とする積層セラミックバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17849796A JP3336198B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 積層セラミックバリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17849796A JP3336198B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 積層セラミックバリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012406A JPH1012406A (ja) | 1998-01-16 |
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