JP3316552B2 - 抵抗体の製造方法 - Google Patents
抵抗体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗特性，耐環境性，
及び電力容量の向上を図りながら、焼結後における抵抗
値の調整を可能にして所望の値が得られるようにした抵
抗体の製造方法に関する。
及び電力容量の向上を図りながら、焼結後における抵抗
値の調整を可能にして所望の値が得られるようにした抵
抗体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、Ｒｕ酸化物，又はＲｕ化合物
を主体としたサーメット抵抗体は精度の優れた抵抗素子
として広く用いられている。このような抵抗体は、例え
ばアルミナ基板の表面にＲｕ酸化物等からなる抵抗ペー
ストを印刷して厚膜の抵抗膜を形成し、これを800 〜90
0 ℃で焼き付ける。そして上記アルミナ基板の抵抗膜の
表面にガラスペーストを塗布した後、焼き付けてガラス
膜を形成し、これにより湿度等に対する耐環境性を向上
させるようにしている。
を主体としたサーメット抵抗体は精度の優れた抵抗素子
として広く用いられている。このような抵抗体は、例え
ばアルミナ基板の表面にＲｕ酸化物等からなる抵抗ペー
ストを印刷して厚膜の抵抗膜を形成し、これを800 〜90
0 ℃で焼き付ける。そして上記アルミナ基板の抵抗膜の
表面にガラスペーストを塗布した後、焼き付けてガラス
膜を形成し、これにより湿度等に対する耐環境性を向上
させるようにしている。
【０００３】しかしながら、上記従来の抵抗体では、抵
抗膜にガラス膜を直接コーティングすることから抵抗値
が変化し易く、特性にばらつきが生じ易いという問題が
ある。また上記ガラス膜にピンホールが生じる場合があ
り、この結果湿度の高い雰囲気中ではピンホールから水
分等が侵入して抵抗特性を悪化させるという問題もあ
る。さらに上記従来の抵抗体では、アルミナ基板，抵抗
膜，及びガラス膜の熱膨張率がそれぞれ異なることか
ら、抵抗膜の基板への密着性が低く、このため大きな電
力容量が得られないという問題がある。
抗膜にガラス膜を直接コーティングすることから抵抗値
が変化し易く、特性にばらつきが生じ易いという問題が
ある。また上記ガラス膜にピンホールが生じる場合があ
り、この結果湿度の高い雰囲気中ではピンホールから水
分等が侵入して抵抗特性を悪化させるという問題もあ
る。さらに上記従来の抵抗体では、アルミナ基板，抵抗
膜，及びガラス膜の熱膨張率がそれぞれ異なることか
ら、抵抗膜の基板への密着性が低く、このため大きな電
力容量が得られないという問題がある。
【０００４】一方、本件出願人は上記従来の問題点を解
決するために、セラミック焼結体内に抵抗膜を埋設して
なる抵抗体を提案した。これはＺｎＯを主成分とする複
数のセラミクス層をこれの間に抵抗膜を介在させて積層
し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結して焼結体を形
成した後、この焼結体の両端面に上記抵抗膜が接続され
る外部電極を形成した構造のものである。
決するために、セラミック焼結体内に抵抗膜を埋設して
なる抵抗体を提案した。これはＺｎＯを主成分とする複
数のセラミクス層をこれの間に抵抗膜を介在させて積層
し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結して焼結体を形
成した後、この焼結体の両端面に上記抵抗膜が接続され
る外部電極を形成した構造のものである。
【０００５】上記抵抗体によれば、焼結体の内部に抵抗
膜を埋設し、該抵抗膜の周囲をセラミクスで覆ったの
で、従来のガラスコーティングを不要にでき、抵抗特性
のばらつきを回避できるとともに、湿度等に対する耐環
境性を改善できる。しかも上記抵抗膜の周囲は同一材料
の焼結体で囲まれることから、熱膨張の差による歪も小
さくでき、それだけ大きな電力容量を得ることができ
る。
膜を埋設し、該抵抗膜の周囲をセラミクスで覆ったの
で、従来のガラスコーティングを不要にでき、抵抗特性
のばらつきを回避できるとともに、湿度等に対する耐環
境性を改善できる。しかも上記抵抗膜の周囲は同一材料
の焼結体で囲まれることから、熱膨張の差による歪も小
さくでき、それだけ大きな電力容量を得ることができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記抵抗体を
製造する場合、抵抗膜を囲むセラミックの焼結が不充分
であると湿度等に対する耐環境性に悪影響を与えること
から、十分な焼成を行う必要がある。ところが、この焼
成時において焼結体に含まれる低融点化合物が絶縁物と
してその結晶粒界等に浸透し、これにより抵抗体の抵抗
値を変化させ、この状態で抵抗値が決定される。その結
果、目標とする抵抗値が得られない状態で抵抗膜が焼結
体内に埋設されることから、上述の基板表面に抵抗膜を
印刷する場合のように抵抗値を調整するためのトリミン
グを行うことができず、この点での改善が要請されてい
る。
製造する場合、抵抗膜を囲むセラミックの焼結が不充分
であると湿度等に対する耐環境性に悪影響を与えること
から、十分な焼成を行う必要がある。ところが、この焼
成時において焼結体に含まれる低融点化合物が絶縁物と
してその結晶粒界等に浸透し、これにより抵抗体の抵抗
値を変化させ、この状態で抵抗値が決定される。その結
果、目標とする抵抗値が得られない状態で抵抗膜が焼結
体内に埋設されることから、上述の基板表面に抵抗膜を
印刷する場合のように抵抗値を調整するためのトリミン
グを行うことができず、この点での改善が要請されてい
る。
【０００７】本発明の目的は、抵抗特性，耐環境性，及
び電力容量の向上を図りながら、焼結後における抵抗値
の調整を可能にして所望の値が得られる抵抗体の製造方
法を提供することを目的としている。
び電力容量の向上を図りながら、焼結後における抵抗値
の調整を可能にして所望の値が得られる抵抗体の製造方
法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上記低
融点化合物が抵抗値に影響を与えている点について検討
したところ、焼成後の焼結体に再度熱処理を施すことに
よって結晶粒界に存在する低融点化合物を再溶融させ、
これにより抵抗値を変化させることに着目した。そして
再熱処理の温度を適宜設定することにより抵抗値を任意
に調整できることを見出し、本発明を成したものであ
る。
融点化合物が抵抗値に影響を与えている点について検討
したところ、焼成後の焼結体に再度熱処理を施すことに
よって結晶粒界に存在する低融点化合物を再溶融させ、
これにより抵抗値を変化させることに着目した。そして
再熱処理の温度を適宜設定することにより抵抗値を任意
に調整できることを見出し、本発明を成したものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで請求項１の発明
は、ＺｎＯを主成分とするセラミック層内に少なくとも
１つの抵抗膜を埋設して成形体を形成し、該成形体を上
記抵抗膜とともに一体に高温焼結した後、該焼結体に５
００〜９００℃の温度で熱処理を施し、しかる後上記焼
結体の端面に上記抵抗膜が接続される外部電極を形成し
たことを特徴としている。
は、ＺｎＯを主成分とするセラミック層内に少なくとも
１つの抵抗膜を埋設して成形体を形成し、該成形体を上
記抵抗膜とともに一体に高温焼結した後、該焼結体に５
００〜９００℃の温度で熱処理を施し、しかる後上記焼
結体の端面に上記抵抗膜が接続される外部電極を形成し
たことを特徴としている。
【００１０】また請求項２の発明は、ＺｎＯを主成分と
するセラミック層内に少なくとも１つの抵抗膜を埋設し
て成形体を形成し、該成形体を上記抵抗膜とともに一体
に高温焼結した後、該焼結体にこれの表面にガラスをコ
ーティングするとともに５００〜９００℃の温度で熱処
理を施し、しかる後上記焼結体の端面に上記抵抗膜が接
続される外部電極を形成したことを特徴としている。
するセラミック層内に少なくとも１つの抵抗膜を埋設し
て成形体を形成し、該成形体を上記抵抗膜とともに一体
に高温焼結した後、該焼結体にこれの表面にガラスをコ
ーティングするとともに５００〜９００℃の温度で熱処
理を施し、しかる後上記焼結体の端面に上記抵抗膜が接
続される外部電極を形成したことを特徴としている。
【００１１】ここで、目標とする抵抗値を得るには、実
験により予め熱処理温度，時間等に応じた抵抗値の変化
を求めておくことにより実現できる。
験により予め熱処理温度，時間等に応じた抵抗値の変化
を求めておくことにより実現できる。
【００１２】また、上記請求項２の発明において、熱処
理時にガラスを拡散させるには、焼結体の表面にガラス
ペーストを塗布したり，あるいはガラス粉末を付着させ
たり，又はガラス材料を溶融，蒸発させた雰囲気下で拡
散浸透させる方法等が採用できる。また上記ガラスは焼
結体の表面部分のみ拡散させてもよく、また焼結体内部
まで拡散させてもよい。さらに上記ガラスを焼結体内部
まて拡散させた場合は抵抗値を変化させることもでき、
この場合は上記低融点化合物の溶融と合わせて調整する
ことができる。
理時にガラスを拡散させるには、焼結体の表面にガラス
ペーストを塗布したり，あるいはガラス粉末を付着させ
たり，又はガラス材料を溶融，蒸発させた雰囲気下で拡
散浸透させる方法等が採用できる。また上記ガラスは焼
結体の表面部分のみ拡散させてもよく、また焼結体内部
まで拡散させてもよい。さらに上記ガラスを焼結体内部
まて拡散させた場合は抵抗値を変化させることもでき、
この場合は上記低融点化合物の溶融と合わせて調整する
ことができる。
【００１３】さらに上記熱処理後に外部電極を形成する
場合、蒸着やスパッタリング等の金属溶射方法を採用す
るのが望ましい。これは焼き付けにより外部電極を形成
すると、この焼き付け温度によっても抵抗値が変化する
場合がある。例えば外部電極に銀や銀／パラジウム等の
貴金属を用いた場合、800 ℃以上の温度で焼き付けなけ
れば電極強度が小さくなることから、この焼き付け時に
抵抗値が変化し易いからである。このため上記金属溶射
を用いることにより抵抗体の加熱を不要にして抵抗値の
変化を回避でき、かつ電極強度も得られる。
場合、蒸着やスパッタリング等の金属溶射方法を採用す
るのが望ましい。これは焼き付けにより外部電極を形成
すると、この焼き付け温度によっても抵抗値が変化する
場合がある。例えば外部電極に銀や銀／パラジウム等の
貴金属を用いた場合、800 ℃以上の温度で焼き付けなけ
れば電極強度が小さくなることから、この焼き付け時に
抵抗値が変化し易いからである。このため上記金属溶射
を用いることにより抵抗体の加熱を不要にして抵抗値の
変化を回避でき、かつ電極強度も得られる。
【００１４】
【作用】請求項１の発明に係る抵抗体の製造方法によれ
ば、Ｚｎｏを主成分とするセラミック層とこれに埋設し
た抵抗膜とを一体焼結した後、該焼結体に熱処理を施し
て低融点化合物を再溶融させたので、この熱処理温度を
適宜設定することにより任意の抵抗値を得ることがで
き、上述の要請に応えられる。また、抵抗膜は焼結体内
に埋設した状態で調整を行うことができるので、上述の
抵抗特性のばらつきを回避できるとともに、湿度等に対
する耐環境性を改善でき、さらには電力容量を大きくで
きる。
ば、Ｚｎｏを主成分とするセラミック層とこれに埋設し
た抵抗膜とを一体焼結した後、該焼結体に熱処理を施し
て低融点化合物を再溶融させたので、この熱処理温度を
適宜設定することにより任意の抵抗値を得ることがで
き、上述の要請に応えられる。また、抵抗膜は焼結体内
に埋設した状態で調整を行うことができるので、上述の
抵抗特性のばらつきを回避できるとともに、湿度等に対
する耐環境性を改善でき、さらには電力容量を大きくで
きる。
【００１５】また請求項２の発明によれば、焼結体に熱
処理を施すとともにガラスを拡散させたので、該ガラス
を焼結体内部まで浸透させた場合は上記低融点化合物の
溶融と合わせて抵抗値の調整ができる。また上記ガラス
を拡散させることにより焼結体をガラス膜で被覆するこ
とができ、これにより抵抗特性のばらつき，湿度等に対
する耐環境性をさらに向上できるとともに、抗折強度を
向上でき、品質に対する信頼性をさらに向上できる。
処理を施すとともにガラスを拡散させたので、該ガラス
を焼結体内部まで浸透させた場合は上記低融点化合物の
溶融と合わせて抵抗値の調整ができる。また上記ガラス
を拡散させることにより焼結体をガラス膜で被覆するこ
とができ、これにより抵抗特性のばらつき，湿度等に対
する耐環境性をさらに向上できるとともに、抗折強度を
向上でき、品質に対する信頼性をさらに向上できる。
【００１６】さらに請求項３の発明では、熱処理後にお
ける外部電極の形成を金属溶射により行ったので、外部
電極を形成する際の加熱を不要にでき、抵抗値の変化を
防止できるとともに電極強度を確保できる。
ける外部電極の形成を金属溶射により行ったので、外部
電極を形成する際の加熱を不要にでき、抵抗値の変化を
防止できるとともに電極強度を確保できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は請求項１の発明の一実施例による抵
抗体及びその製造方法を説明するための図である。図に
おいて、１は本実施例の抵抗体であり、これは略直方体
状のセラミクス焼結体３の内部にＲｕ酸化物，又はその
化合物からなる抵抗膜４を埋設して構成されている。こ
の抵抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂは上記焼結体３の
左, 右側面３ａ，３ｂに露出しており、残り他の端面は
焼結体３内に封入されている。また、上記焼結体３の
左, 右側面３ａ，３ｂには外部電極５が被覆形成されて
おり、該外部電極５は上記抵抗膜４の各端面４ａ，４ｂ
に電気的に接続されている。
る。図１及び図２は請求項１の発明の一実施例による抵
抗体及びその製造方法を説明するための図である。図に
おいて、１は本実施例の抵抗体であり、これは略直方体
状のセラミクス焼結体３の内部にＲｕ酸化物，又はその
化合物からなる抵抗膜４を埋設して構成されている。こ
の抵抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂは上記焼結体３の
左, 右側面３ａ，３ｂに露出しており、残り他の端面は
焼結体３内に封入されている。また、上記焼結体３の
左, 右側面３ａ，３ｂには外部電極５が被覆形成されて
おり、該外部電極５は上記抵抗膜４の各端面４ａ，４ｂ
に電気的に接続されている。
【００１８】次に本実施例の抵抗体１の一製造方法につ
いて説明する。まず、原料として、純度99％以上のＺｎ
Ｏを主成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 ，ＣｏＣＯ3 ，Ｍｎ
Ｏ2 ，及びＳｂ2 Ｏ2 をそれぞれ98mol ％,0.5mol ％,
0.5mol％,0.5mol ％,0.5んの割合で秤量する。この原料
に純水を加えてボールミルで24時間混合して混合物スラ
リーを形成する。
いて説明する。まず、原料として、純度99％以上のＺｎ
Ｏを主成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 ，ＣｏＣＯ3 ，Ｍｎ
Ｏ2 ，及びＳｂ2 Ｏ2 をそれぞれ98mol ％,0.5mol ％,
0.5mol％,0.5mol ％,0.5んの割合で秤量する。この原料
に純水を加えてボールミルで24時間混合して混合物スラ
リーを形成する。
【００１９】次に、上記スラリーをろ過乾燥させて造粒
した後、800 ℃の温度で２時間仮焼成する。この仮焼成
物をパルベライザーにより粗粉砕し、これに純水を加え
てボールミルで微粉砕し、これをろ過乾燥させた後、有
機バインダーとともに溶媒中に分散してスラリーを形成
する。
した後、800 ℃の温度で２時間仮焼成する。この仮焼成
物をパルベライザーにより粗粉砕し、これに純水を加え
てボールミルで微粉砕し、これをろ過乾燥させた後、有
機バインダーとともに溶媒中に分散してスラリーを形成
する。
【００２０】上記スラリーをドクタブレード法により厚
さ50μm のグリーンシートを形成し、このグリーシート
を乾燥させた後、所定の大きさにカットし、複数枚の矩
形状セラミクスシート２を形成する。
さ50μm のグリーンシートを形成し、このグリーシート
を乾燥させた後、所定の大きさにカットし、複数枚の矩
形状セラミクスシート２を形成する。
【００２１】次に、ＲｕＯ2 80wt％及びＰｂ2 Ｒｕ2 Ｏ
7 20wt％となるよう配合し、これにワニスを加えて抵抗
ペーストを形成する。この抵抗ペーストを上記１枚のセ
ラミクスシート２の上面にスクリーン印刷して抵抗膜４
を形成する。この場合、上記抵抗膜４の左, 右端面４
ａ，４ｂがセラミックシート２の左, 右外縁に位置し、
残り他の端面はシート２の内側に位置するよう形成す
る。
7 20wt％となるよう配合し、これにワニスを加えて抵抗
ペーストを形成する。この抵抗ペーストを上記１枚のセ
ラミクスシート２の上面にスクリーン印刷して抵抗膜４
を形成する。この場合、上記抵抗膜４の左, 右端面４
ａ，４ｂがセラミックシート２の左, 右外縁に位置し、
残り他の端面はシート２の内側に位置するよう形成す
る。
【００２２】次いで、上記抵抗膜４が形成されたセラミ
クスシート２の上面，及び下面に複数枚のセラミクスシ
ート２を重ね合わせて積層し、これに２t/cm2 の圧力を
加えて圧着し、これにより成形体を形成する。次に、こ
の成形体を所定の大きさにカットし、これを400 ℃に加
熱してバインダーを飛散させた後、920 ℃に昇温加熱し
て３時間焼成し、これにより焼結体３を得る。これによ
り得られた焼結体３をバレル研磨する。
クスシート２の上面，及び下面に複数枚のセラミクスシ
ート２を重ね合わせて積層し、これに２t/cm2 の圧力を
加えて圧着し、これにより成形体を形成する。次に、こ
の成形体を所定の大きさにカットし、これを400 ℃に加
熱してバインダーを飛散させた後、920 ℃に昇温加熱し
て３時間焼成し、これにより焼結体３を得る。これによ
り得られた焼結体３をバレル研磨する。
【００２３】そして、焼結体３を500 〜900 ℃の温度で
10分間熱処理し、これにより抵抗値を調整する。この場
合、500 〜750 ℃の間では温度を高くするほど抵抗値は
低くなり、750 ℃越えると逆に抵抗値は高くなる。従っ
て、目標とする抵抗値に応じて熱処理温度を適宜設定す
る。
10分間熱処理し、これにより抵抗値を調整する。この場
合、500 〜750 ℃の間では温度を高くするほど抵抗値は
低くなり、750 ℃越えると逆に抵抗値は高くなる。従っ
て、目標とする抵抗値に応じて熱処理温度を適宜設定す
る。
【００２４】次に、上記焼結体３の左, 右側面３ａ，３
ｂにスパッタリングによりＮｉ膜を被覆し、該Ｎｉ膜の
外表面に同じくスパッタリングによりＡｇ膜を被覆して
外部電極５を形成し、該外部電極５と抵抗膜４の左, 右
端面４ａ，４ｂとを電気的に接続する。これにより本実
施例の抵抗体１が製造される。
ｂにスパッタリングによりＮｉ膜を被覆し、該Ｎｉ膜の
外表面に同じくスパッタリングによりＡｇ膜を被覆して
外部電極５を形成し、該外部電極５と抵抗膜４の左, 右
端面４ａ，４ｂとを電気的に接続する。これにより本実
施例の抵抗体１が製造される。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１は、上記方法により製造された抵抗体
の抵抗値Ωを測定した結果を示す。これは各焼結体の熱
処理温度を500 ℃から900 ℃の間で50℃ごとに変化させ
て抵抗値の調整を行った。また比較するために焼結体に
上記同様の熱処理を行った後、外部電極にＡｇペースト
を塗布し、焼き付けをしない状態で測定した。
の抵抗値Ωを測定した結果を示す。これは各焼結体の熱
処理温度を500 ℃から900 ℃の間で50℃ごとに変化させ
て抵抗値の調整を行った。また比較するために焼結体に
上記同様の熱処理を行った後、外部電極にＡｇペースト
を塗布し、焼き付けをしない状態で測定した。
【００２７】表１からも明らかなように、熱処理をしな
い試料は抵抗値が8350Ωであり、これに500 〜750 ℃の
熱処理を加えることより抵抗値は5430から545 Ωと低く
なっている。また熱処理温度が800 〜900 ℃と高くなる
と抵抗値は768 〜5996Ωと逆に高くなっている。一方、
Ａｇペーストを塗布しただけの試料の場合は、何れも上
記実施例試料と略同様の抵抗値が得られている。
い試料は抵抗値が8350Ωであり、これに500 〜750 ℃の
熱処理を加えることより抵抗値は5430から545 Ωと低く
なっている。また熱処理温度が800 〜900 ℃と高くなる
と抵抗値は768 〜5996Ωと逆に高くなっている。一方、
Ａｇペーストを塗布しただけの試料の場合は、何れも上
記実施例試料と略同様の抵抗値が得られている。
【００２８】このように本実施例によれば、焼結後の焼
結体３に熱処理を施して抵抗値を調整するようにしたの
で、上記熱処理温度を適宜設定することにより目標とす
る抵抗値を得ることができる。また抵抗膜４は焼結体３
内に埋設した状態で調整を行うことができるので、抵抗
特性を損なうことはない。従って上述のように抵抗特性
のばらつきを回避できるとともに、湿度等に対する耐環
境性を改善でき、さらには電力容量を大きくできる。
結体３に熱処理を施して抵抗値を調整するようにしたの
で、上記熱処理温度を適宜設定することにより目標とす
る抵抗値を得ることができる。また抵抗膜４は焼結体３
内に埋設した状態で調整を行うことができるので、抵抗
特性を損なうことはない。従って上述のように抵抗特性
のばらつきを回避できるとともに、湿度等に対する耐環
境性を改善でき、さらには電力容量を大きくできる。
【００２９】
【表２】
【００３０】表２は、請求項２の発明の一実施例による
抵抗体を製造し、これにより得られた抵抗体の効果を確
認するために行った試験結果を示す。本実施例は、まず
上記実施例と同様の方法にて焼結体を形成する。次に、
作業点500 ℃のホウケイ酸鉛系ガラス粉末にワニスを加
えてガラスペーストを作成し、該ペーストを上記焼結体
の左, 右端面を除く外表面に塗布する。次いで焼結体を
500 〜900 ℃の温度で10分間熱処理して抵抗値を調整す
るとともに、焼結体にガラスを拡散させる。これにより
得られた焼結体の左, 右端面に上記実施例と同様にスパ
ッタリングによりＮｉ，Ａｇからなる外部電極を形成す
る。そして、このようにして得られた抵抗体の抵抗値
Ω，及び抗折強度Kgf を測定するとともに、フラックス
を用いて半田付けしたときの抵抗値の変化率％を調べ
た。
抵抗体を製造し、これにより得られた抵抗体の効果を確
認するために行った試験結果を示す。本実施例は、まず
上記実施例と同様の方法にて焼結体を形成する。次に、
作業点500 ℃のホウケイ酸鉛系ガラス粉末にワニスを加
えてガラスペーストを作成し、該ペーストを上記焼結体
の左, 右端面を除く外表面に塗布する。次いで焼結体を
500 〜900 ℃の温度で10分間熱処理して抵抗値を調整す
るとともに、焼結体にガラスを拡散させる。これにより
得られた焼結体の左, 右端面に上記実施例と同様にスパ
ッタリングによりＮｉ，Ａｇからなる外部電極を形成す
る。そして、このようにして得られた抵抗体の抵抗値
Ω，及び抗折強度Kgf を測定するとともに、フラックス
を用いて半田付けしたときの抵抗値の変化率％を調べ
た。
【００３１】表２からも明らかなように、熱処理をしな
い試料は抵抗値が8351Ωであり、これに500 〜900 ℃の
熱処理を加えることより目標とする抵抗値が得られてお
り、上記実施例と同様の結果となっている。また、抗折
強度では、ガラスを拡散させていない抵抗体の場合3.5K
gfとなっている。これに対して焼結体の表面部分にガラ
スを拡散させた抵抗体の場合は、7.0 〜8.8Kgfと大幅に
向上している。さらに半田付け後の抵抗変化率では、ガ
ラスを拡散させていない抵抗体の場合−3.4 ％とかなり
変化している。これに対して焼結体の表面部分にガラス
を拡散させた抵抗体の場合は、何れも＋0.05〜−0.12と
小さくなっていることがわかる。これはＺｎＯ系焼結体
の場合、酸性，還元性雰囲気に弱いことから半田付け時
に腐食が起こり易いという問題があり、本実施例はこれ
を解決している。
い試料は抵抗値が8351Ωであり、これに500 〜900 ℃の
熱処理を加えることより目標とする抵抗値が得られてお
り、上記実施例と同様の結果となっている。また、抗折
強度では、ガラスを拡散させていない抵抗体の場合3.5K
gfとなっている。これに対して焼結体の表面部分にガラ
スを拡散させた抵抗体の場合は、7.0 〜8.8Kgfと大幅に
向上している。さらに半田付け後の抵抗変化率では、ガ
ラスを拡散させていない抵抗体の場合−3.4 ％とかなり
変化している。これに対して焼結体の表面部分にガラス
を拡散させた抵抗体の場合は、何れも＋0.05〜−0.12と
小さくなっていることがわかる。これはＺｎＯ系焼結体
の場合、酸性，還元性雰囲気に弱いことから半田付け時
に腐食が起こり易いという問題があり、本実施例はこれ
を解決している。
【００３２】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明に係る抵抗
体の製造方法によれば、Ｚｎｏを主成分とするセラミッ
ク層とこれに埋設した抵抗膜とを一体焼結した後、該焼
結体に５００〜９００℃の温度で熱処理を施したので、
また請求項２の発明では、焼結体に上記熱処理を施すと
ともにガラスを拡散させたので、この熱処理温度を適宜
設定することにより目標とする抵抗値を得ることがで
き、抵抗値の調整を可能にできる効果がある。また抵抗
膜は焼結体内に埋設したので、抵抗値の変化による特性
のばらつきを回避でき、かつ湿度等に対する耐環境性を
向上できる効果があるとともに、電力容量，及び寿命特
性を向上できる効果がある。
体の製造方法によれば、Ｚｎｏを主成分とするセラミッ
ク層とこれに埋設した抵抗膜とを一体焼結した後、該焼
結体に５００〜９００℃の温度で熱処理を施したので、
また請求項２の発明では、焼結体に上記熱処理を施すと
ともにガラスを拡散させたので、この熱処理温度を適宜
設定することにより目標とする抵抗値を得ることがで
き、抵抗値の調整を可能にできる効果がある。また抵抗
膜は焼結体内に埋設したので、抵抗値の変化による特性
のばらつきを回避でき、かつ湿度等に対する耐環境性を
向上できる効果があるとともに、電力容量，及び寿命特
性を向上できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による抵抗体を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図２】上記実施例の抵抗体の製造方法を示す分解斜視
図である。
図である。
１ 抵抗体 ２ セラミック層 ３ 焼結体 ４ 抵抗膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−250601（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−229305（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 1/00 - 17/30
Claims (3)
- 【請求項１】 ＺｎＯを主成分とするセラミック層内に
少なくとも１つの抵抗膜を埋設して成形体を形成し、該
成形体を上記抵抗膜とともに一体に高温焼結した後、該
焼結体に５００〜９００℃の温度で熱処理を施し、しか
る後上記焼結体の端面に上記抵抗膜が接続される外部電
極を形成したことを特徴とする抵抗体の製造方法。 - 【請求項２】 ＺｎＯを主成分とするセラミック層内に
少なくとも１つの抵抗膜を埋設して成形体を形成し、該
成形体を上記抵抗膜とともに一体に高温焼結した後、該
焼結体にこれの表面にガラスをコーティングするととも
に５００〜９００℃の温度で熱処理を施し、しかる後上
記焼結体の端面に上記抵抗膜が接続される外部電極を形
成したことを特徴とする抵抗体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、上記外部電極
を蒸着，スパッタリング等の金属溶射により形成したこ
とを特徴とする抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16538293A JP3316552B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16538293A JP3316552B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722223A JPH0722223A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3316552B2 true JP3316552B2 (ja) | 2002-08-19 |
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ID=15811329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16538293A Expired - Fee Related JP3316552B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3316552B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5464829B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2014-04-09 | ローム株式会社 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP16538293A patent/JP3316552B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0722223A (ja) | 1995-01-24 |
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