JPH10149904A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
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- JPH10149904A JPH10149904A JP8307691A JP30769196A JPH10149904A JP H10149904 A JPH10149904 A JP H10149904A JP 8307691 A JP8307691 A JP 8307691A JP 30769196 A JP30769196 A JP 30769196A JP H10149904 A JPH10149904 A JP H10149904A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ８５０〜１１００℃の温度でバリスタ素子１
の焼成と電極２ａ，２ｂの形成を同時に行うことができ
るバリスタの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ＺｎＯを主成分とし、副成分として少な
くともＢｉ2Ｏ3を０．２〜２．０ｍｏｌ％、Ａｌを０．
００１〜０．０２ａｔ．％、更にＡｇ、Ｎａ、Ｋの群の
中から選ばれた少なくとも一つの元素を、Ａｌ添加量と
の比が（Ａｇ＋Ｎａ＋Ｋ）／Ａｌ≦１．０となるよう添
加した組成のバリスタ素子１に電極２ａ，２ｂを塗布し
た後、８５０〜１１００℃の温度でバリスタ素子１と電
極２ａ，２ｂを同時焼成する。
の焼成と電極２ａ，２ｂの形成を同時に行うことができ
るバリスタの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ＺｎＯを主成分とし、副成分として少な
くともＢｉ2Ｏ3を０．２〜２．０ｍｏｌ％、Ａｌを０．
００１〜０．０２ａｔ．％、更にＡｇ、Ｎａ、Ｋの群の
中から選ばれた少なくとも一つの元素を、Ａｌ添加量と
の比が（Ａｇ＋Ｎａ＋Ｋ）／Ａｌ≦１．０となるよう添
加した組成のバリスタ素子１に電極２ａ，２ｂを塗布し
た後、８５０〜１１００℃の温度でバリスタ素子１と電
極２ａ，２ｂを同時焼成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器を異常
高電圧から保護するために用いられるバリスタの製造方
法に関するものである。
高電圧から保護するために用いられるバリスタの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化亜鉛バリスタは、ＺｎＯを主成分と
し、副成分としてＢｉ2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ａｌ2
Ｏ3等を添加したバリスタ材料でバリスタ素子を形成後
１１５０〜１３５０℃の温度で焼成した後、バリスタ素
子の両面に外部電極ペーストを塗布、焼付けていた。
し、副成分としてＢｉ2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ａｌ2
Ｏ3等を添加したバリスタ材料でバリスタ素子を形成後
１１５０〜１３５０℃の温度で焼成した後、バリスタ素
子の両面に外部電極ペーストを塗布、焼付けていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記酸化亜鉛バリスタ
組成は、実用に適したバリスタ特性を有するバリスタを
得るためには１１５０℃以上の温度で焼成する必要があ
る。このためＡｇ等の電極ペーストをバリスタ素子に塗
布し、バリスタ素子の焼結と同時にバリスタの表面に電
極を形成しようとすると電極が溶融してしまう。また電
極が溶融しない低い温度で焼成した場合、低電流領域に
おける電圧非直線性が悪いという問題点があった。
組成は、実用に適したバリスタ特性を有するバリスタを
得るためには１１５０℃以上の温度で焼成する必要があ
る。このためＡｇ等の電極ペーストをバリスタ素子に塗
布し、バリスタ素子の焼結と同時にバリスタの表面に電
極を形成しようとすると電極が溶融してしまう。また電
極が溶融しない低い温度で焼成した場合、低電流領域に
おける電圧非直線性が悪いという問題点があった。
【０００４】本発明はこの問題点を解決するものであ
り、バリスタ素子と電極とを同時に焼成することが可能
で、かつ低電流領域における電圧非直線性が良好なバリ
スタの製造方法を提供することを目的とする。
り、バリスタ素子と電極とを同時に焼成することが可能
で、かつ低電流領域における電圧非直線性が良好なバリ
スタの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のバリスタはＺｎＯを主成分とし、副成分と
して少なくともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．
０ｍｏｌ％、Ａｌを０．００１〜０．０２ａｔ．％、更
にＡｇ、Ｎａ、Ｋの群の中から選択された少なくとも一
つの元素を、Ａｌ添加量との比が０＜（Ａｇ＋Ｎａ＋
Ｋ）／Ａｌ≦１．０の比率となるよう添加した組成でバ
リスタ素子を形成後、８５０〜１１００℃の温度で焼成
するものであり、Ａｇ、Ｎａ、Ｋ等の元素は、主に粒界
に集まり粒界近傍のＺｎＯ結晶粒子の比抵抗を原子価制
御により高くし、このため漏れ電流は小さくなり、低電
流領域の電圧非直線性が向上するものとなる。
め、本発明のバリスタはＺｎＯを主成分とし、副成分と
して少なくともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．
０ｍｏｌ％、Ａｌを０．００１〜０．０２ａｔ．％、更
にＡｇ、Ｎａ、Ｋの群の中から選択された少なくとも一
つの元素を、Ａｌ添加量との比が０＜（Ａｇ＋Ｎａ＋
Ｋ）／Ａｌ≦１．０の比率となるよう添加した組成でバ
リスタ素子を形成後、８５０〜１１００℃の温度で焼成
するものであり、Ａｇ、Ｎａ、Ｋ等の元素は、主に粒界
に集まり粒界近傍のＺｎＯ結晶粒子の比抵抗を原子価制
御により高くし、このため漏れ電流は小さくなり、低電
流領域の電圧非直線性が向上するものとなる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載のバリス
タの製造方法は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として少
なくともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．０ｍｏ
ｌ％、Ａｌを０．００１〜０．０２ａｔ．％、更にＡ
ｇ、Ｎａ、Ｋの中から選択された少なくとも一つの元素
をＡｌ添加量との比が０＜（Ａｇ＋Ｎａ＋Ｋ）／Ａｌ≦
１．０の比率となるよう添加した組成でバリスタ素子を
形成後、８５０〜１１００℃の温度で焼成するものであ
る。添加するＡｇ、Ｎａ、Ｋは、Ｚｎよりイオン半径が
大きいので、その一部はＺｎＯ結晶粒子のごく薄い表層
部分と反応し、ＺｎＯ結晶粒界を原子価制御し、比抵抗
を高くするため、漏れ電流は小さくなり、低電流領域の
電圧非直線性が向上する。
タの製造方法は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として少
なくともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．０ｍｏ
ｌ％、Ａｌを０．００１〜０．０２ａｔ．％、更にＡ
ｇ、Ｎａ、Ｋの中から選択された少なくとも一つの元素
をＡｌ添加量との比が０＜（Ａｇ＋Ｎａ＋Ｋ）／Ａｌ≦
１．０の比率となるよう添加した組成でバリスタ素子を
形成後、８５０〜１１００℃の温度で焼成するものであ
る。添加するＡｇ、Ｎａ、Ｋは、Ｚｎよりイオン半径が
大きいので、その一部はＺｎＯ結晶粒子のごく薄い表層
部分と反応し、ＺｎＯ結晶粒界を原子価制御し、比抵抗
を高くするため、漏れ電流は小さくなり、低電流領域の
電圧非直線性が向上する。
【０００７】本発明の請求項２に記載のバリスタの製造
方法は、請求項１に記載の組成からなるバリスタ素子の
両面に融点が８５０℃以上の金属からなる外部電極ペー
ストを塗布後焼成するものである。これによりバリスタ
素子の焼結と外部電極の形成を同時に行うことができ
る。
方法は、請求項１に記載の組成からなるバリスタ素子の
両面に融点が８５０℃以上の金属からなる外部電極ペー
ストを塗布後焼成するものである。これによりバリスタ
素子の焼結と外部電極の形成を同時に行うことができ
る。
【０００８】本発明の請求項３に記載のバリスタの製造
方法は、融点が８５０℃以上の金属を内部電極として用
いるものである。これにより８５０〜１１００℃の温度
範囲で焼成してもバリスタ素子と内部電極が焼結した積
層型バリスタを得ることができる。
方法は、融点が８５０℃以上の金属を内部電極として用
いるものである。これにより８５０〜１１００℃の温度
範囲で焼成してもバリスタ素子と内部電極が焼結した積
層型バリスタを得ることができる。
【０００９】本発明の請求項４に記載のバリスタの製造
方法は、内・外部電極の少なくとも一方をＡｇまたはＡ
ｇ−Ｐｄとするものである。前記金属は８５０℃以上の
融点を有しているため、バリスタ素子と８５０〜１１０
０℃の温度範囲で焼成した場合、バリスタ素子の焼結と
同時に、電極を形成できる。
方法は、内・外部電極の少なくとも一方をＡｇまたはＡ
ｇ−Ｐｄとするものである。前記金属は８５０℃以上の
融点を有しているため、バリスタ素子と８５０〜１１０
０℃の温度範囲で焼成した場合、バリスタ素子の焼結と
同時に、電極を形成できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例のバリスタの側面
図、図２は積層型バリスタの分解斜視図、図３は積層型
バリスタの断面図である。図１において１はバリスタ素
子、２ａ，２ｂは電極である。また図２、図３の３はバ
リスタグリーンシート、４は内部電極、５は積層型バリ
スタ素子、６は外部電極である。
図、図２は積層型バリスタの分解斜視図、図３は積層型
バリスタの断面図である。図１において１はバリスタ素
子、２ａ，２ｂは電極である。また図２、図３の３はバ
リスタグリーンシート、４は内部電極、５は積層型バリ
スタ素子、６は外部電極である。
【００１２】（実施例１）主成分のＺｎＯに、副成分と
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２５
ｍｏｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０００５
〜０．０３ａｔ．％、更にＡｇを硝酸銀の形で０〜０．
０２ａｔ．％の範囲で秤量、混合した後、ポリビニルア
ルコールを加えて造粒を行う。次に造粒粉を８００ｋｇ
／ｃｍ2の成形圧力で図１に示す直径１５ｍｍ、厚さ
１．５ｍｍの円板状のバリスタ素子１を作製し、このバ
リスタ素子１の両面に直径１０ｍｍのＡｇを主成分とす
る電極２ａ，２ｂ用電極ペーストを塗布する。次いで９
５０℃の温度でバリスタ素子１と電極２ａ，２ｂを同時
に焼成した。得られたバリスタの
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２５
ｍｏｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０００５
〜０．０３ａｔ．％、更にＡｇを硝酸銀の形で０〜０．
０２ａｔ．％の範囲で秤量、混合した後、ポリビニルア
ルコールを加えて造粒を行う。次に造粒粉を８００ｋｇ
／ｃｍ2の成形圧力で図１に示す直径１５ｍｍ、厚さ
１．５ｍｍの円板状のバリスタ素子１を作製し、このバ
リスタ素子１の両面に直径１０ｍｍのＡｇを主成分とす
る電極２ａ，２ｂ用電極ペーストを塗布する。次いで９
５０℃の温度でバリスタ素子１と電極２ａ，２ｂを同時
に焼成した。得られたバリスタの
【００１３】
【外１】
【００１４】及び制限電圧（バリスタに電流波形８／２
０μＳ、波高値２５Ａの電流が流れたときの電圧
Ｖ25A）を測定し、電圧非直線係数α及び制限電圧比
（Ｖ25A／Ｖ1mA）を算出し、各々の結果を（表１）、及
び（表２）に示した。尚、電圧非直線係数αは（数１）
で求めたものである。
０μＳ、波高値２５Ａの電流が流れたときの電圧
Ｖ25A）を測定し、電圧非直線係数α及び制限電圧比
（Ｖ25A／Ｖ1mA）を算出し、各々の結果を（表１）、及
び（表２）に示した。尚、電圧非直線係数αは（数１）
で求めたものである。
【００１５】
【数１】
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】（表１）、及び（表２）に示したように、
Ａｌの添加量が０．００１ａｔ．％より少ない場合、Ｚ
ｎＯ結晶粒子を原子価制御して比抵抗を小さくする効果
が小さいため、Ａｇの添加量に関係なく制限電圧比が悪
く、０．０２ａｔ．％より多いとＺｎＯ結晶粒界の抵抗
が下がり、電圧非直線係数αが悪くなる。
Ａｌの添加量が０．００１ａｔ．％より少ない場合、Ｚ
ｎＯ結晶粒子を原子価制御して比抵抗を小さくする効果
が小さいため、Ａｇの添加量に関係なく制限電圧比が悪
く、０．０２ａｔ．％より多いとＺｎＯ結晶粒界の抵抗
が下がり、電圧非直線係数αが悪くなる。
【００１９】またＡｇを添加するとＡｌの添加量に関係
なく電圧非直線性は大きくなる。しかしながらＡｇ／Ａ
ｌ＞１．０を越えると制限電圧比が悪くなることがわか
る。従って電圧非直線係数α、及び制限電圧比を望まし
い範囲にするためにはＡｌの添加量を０．００１〜０．
０２ａｔ．％とし、なおかつＡｇ／Ａｌ≦１．０の比率
にする必要がある。
なく電圧非直線性は大きくなる。しかしながらＡｇ／Ａ
ｌ＞１．０を越えると制限電圧比が悪くなることがわか
る。従って電圧非直線係数α、及び制限電圧比を望まし
い範囲にするためにはＡｌの添加量を０．００１〜０．
０２ａｔ．％とし、なおかつＡｇ／Ａｌ≦１．０の比率
にする必要がある。
【００２０】（実施例２）主成分のＺｎＯに、副成分と
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２５
ｍｏｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａ
ｔ．％、更にＡｇ、Ｎａ、Ｋを（表３）に示した量を秤
量し、以降の工程は実施例１と同じ方法でバリスタを作
製した。作製したバリスタは実施例１と同様に評価し、
その結果を（表３）に示した。
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２５
ｍｏｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａ
ｔ．％、更にＡｇ、Ｎａ、Ｋを（表３）に示した量を秤
量し、以降の工程は実施例１と同じ方法でバリスタを作
製した。作製したバリスタは実施例１と同様に評価し、
その結果を（表３）に示した。
【００２１】
【表３】
【００２２】（表３）に示したように、Ａｇ、Ｎａ、Ｋ
を単独、またはＡｇ、Ｎａ、Ｋを組み合わせて同時に添
加した場合でも、（Ａｇ＋Ｎａ＋Ｋ）／Ａｌ≦１．０を
越えない範囲では電圧非直線係数αが大幅に向上するこ
とがわかる。
を単独、またはＡｇ、Ｎａ、Ｋを組み合わせて同時に添
加した場合でも、（Ａｇ＋Ｎａ＋Ｋ）／Ａｌ≦１．０を
越えない範囲では電圧非直線係数αが大幅に向上するこ
とがわかる。
【００２３】（実施例３）実施例１と同組成のバリスタ
素子１の両面に（表４）に示す組成の電極ペーストを用
い直径１０ｍｍの図１の電極２ａ，２ｂを塗布した後、
８５０〜１１００℃の温度で、バリスタ素子１と電極２
ａ，２ｂを同時に焼成し、表面に電極２ａ，２ｂが形成
されたバリスタを作製した。得られたバリスタの電極２
ａ，２ｂの形成状態を評価し、その結果を（表４）に示
した。
素子１の両面に（表４）に示す組成の電極ペーストを用
い直径１０ｍｍの図１の電極２ａ，２ｂを塗布した後、
８５０〜１１００℃の温度で、バリスタ素子１と電極２
ａ，２ｂを同時に焼成し、表面に電極２ａ，２ｂが形成
されたバリスタを作製した。得られたバリスタの電極２
ａ，２ｂの形成状態を評価し、その結果を（表４）に示
した。
【００２４】
【表４】
【００２５】（表４）に示したように、電極金属がＡｇ
のみの場合、焼成温度がＡｇの融点の９６０℃を越える
と電極金属が溶融してしまい電極としての働きがなくな
る。またＰｄの添加量を多くした場合でも１１００℃を
越える焼成温度ではバリスタ成分中のＢｉと電極成分の
Ｐｄが反応して好ましくない。また更に８５０℃より低
い焼成温度ではバリスタ素子１が十分に焼結せず、形成
された電極状態は良好であるがバリスタ電圧が高くなり
すぎ実用的でない。尚、本実施例では電極にＡｇ及びＡ
ｇ−Ｐｄを用いたが本発明のバリスタの焼成温度範囲で
溶融、またはバリスタ成分と反応しない金属であればそ
の他の金属を使用しても差し支えない。
のみの場合、焼成温度がＡｇの融点の９６０℃を越える
と電極金属が溶融してしまい電極としての働きがなくな
る。またＰｄの添加量を多くした場合でも１１００℃を
越える焼成温度ではバリスタ成分中のＢｉと電極成分の
Ｐｄが反応して好ましくない。また更に８５０℃より低
い焼成温度ではバリスタ素子１が十分に焼結せず、形成
された電極状態は良好であるがバリスタ電圧が高くなり
すぎ実用的でない。尚、本実施例では電極にＡｇ及びＡ
ｇ−Ｐｄを用いたが本発明のバリスタの焼成温度範囲で
溶融、またはバリスタ成分と反応しない金属であればそ
の他の金属を使用しても差し支えない。
【００２６】（実施例４）主成分のＺｎＯに、副成分と
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２５
ｍｏｌ％、Ａｌを０．０１ａｔ．％、更にＡｇを硝酸銀
の形で０〜０．０２ａｔ．％秤量し、ジブチルフタレー
ト、酢酸ブチルを加えてスラリーとした後、このスラリ
ーをドクターブレード法によりグリーンシートを成形す
る。次に、図２に示すようにグリーンシート３面上にＡ
ｇ−Ｐｄペーストを用い内部電極４を形成し、図３に示
す積層型バリスタ素子５を作製した。次いで、この積層
型バリスタ素子５を９５０℃の温度で焼成した後、外部
電極６としてＡｇペーストを塗布し、８００℃で焼き付
けた。得られた積層型バリスタのバリスタ特性を実施例
１と同様の方法で評価し、その結果を（表５）に示し
た。
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２５
ｍｏｌ％、Ａｌを０．０１ａｔ．％、更にＡｇを硝酸銀
の形で０〜０．０２ａｔ．％秤量し、ジブチルフタレー
ト、酢酸ブチルを加えてスラリーとした後、このスラリ
ーをドクターブレード法によりグリーンシートを成形す
る。次に、図２に示すようにグリーンシート３面上にＡ
ｇ−Ｐｄペーストを用い内部電極４を形成し、図３に示
す積層型バリスタ素子５を作製した。次いで、この積層
型バリスタ素子５を９５０℃の温度で焼成した後、外部
電極６としてＡｇペーストを塗布し、８００℃で焼き付
けた。得られた積層型バリスタのバリスタ特性を実施例
１と同様の方法で評価し、その結果を（表５）に示し
た。
【００２７】
【表５】
【００２８】（表５）に示すように本実施例において
も、実施例１のバリスタの場合と同様に（Ａｇ＋Ｎａ＋
Ｋ）／Ａｌ≦１．０を越えない範囲では電圧非直線係数
αが大幅に向上した積層型バリスタが得られることが分
かる。尚、本実施例はＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％添加し
た組成を用いたがＢｉ2Ｏ3は０．２〜２．０ｍｏｌ％の
範囲であれば同様な効果が得られる。
も、実施例１のバリスタの場合と同様に（Ａｇ＋Ｎａ＋
Ｋ）／Ａｌ≦１．０を越えない範囲では電圧非直線係数
αが大幅に向上した積層型バリスタが得られることが分
かる。尚、本実施例はＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％添加し
た組成を用いたがＢｉ2Ｏ3は０．２〜２．０ｍｏｌ％の
範囲であれば同様な効果が得られる。
【００２９】
【発明の効果】以上、本発明はバリスタ素子面上に溶融
点が８５０℃以上の金属からなる電極を付与し８５０〜
１１００℃の温度範囲でバリスタ素子と電極を同時に焼
結することが可能となる。この方法により電圧非直線係
数α及び制限電圧比の良好なバリスタが得られる。
点が８５０℃以上の金属からなる電極を付与し８５０〜
１１００℃の温度範囲でバリスタ素子と電極を同時に焼
結することが可能となる。この方法により電圧非直線係
数α及び制限電圧比の良好なバリスタが得られる。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの側面図
【図２】本発明の他の実施例における積層型バリスタの
分解斜視図
分解斜視図
【図３】本発明の他の実施例における積層型バリスタの
断面図
断面図
１ バリスタ素子 ２ａ 電極 ２ｂ 電極 ３ グリーンシート ４ 内部電極 ５ 積層型バリスタ素子 ６ 外部電極
Claims (4)
- 【請求項１】 ＺｎＯを主成分とし、副成分として少な
くともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．０ｍｏｌ
％、Ａｌを０．００１〜０．０２ａｔ．％、更にＡｇ、
Ｎａ、Ｋの中から選択された少なくとも一つの元素を、
Ａｌとの比が（Ａｇ＋Ｎａ＋Ｋ）／Ａｌ≦１．０となる
よう添加した組成のバリスタ材料でバリスタ素子を形成
後８５０〜１１００℃の温度で焼成するバリスタの製造
方法。 - 【請求項２】 バリスタ素子の両面に融点が８５０℃以
上の金属よりなる外部電極ペーストを塗布後焼成する請
求項１記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項３】 バリスタ素子の内部電極は、融点が８５
０℃以上の金属を用いて形成した請求項１記載のバリス
タの製造方法。 - 【請求項４】 内・外部電極の少なくとも一方がＡｇま
たはＡｇ−Ｐｄである請求項１から３のいずれか一つに
記載のバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8307691A JPH10149904A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8307691A JPH10149904A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | バリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149904A true JPH10149904A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17972070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8307691A Pending JPH10149904A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10149904A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173334A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタ |
| JP2007141953A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタの製造方法 |
| JP2007234995A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタの製造方法 |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP8307691A patent/JPH10149904A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173334A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタ |
| JP2007141953A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタの製造方法 |
| JP4710560B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2011-06-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型チップバリスタの製造方法 |
| JP2007234995A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタの製造方法 |
| JP4710654B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2011-06-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型チップバリスタの製造方法 |
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