JPH09320815A - ＺｎＯバリスタの製造方法 - Google Patents
ＺｎＯバリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH09320815A JPH09320815A JP8139873A JP13987396A JPH09320815A JP H09320815 A JPH09320815 A JP H09320815A JP 8139873 A JP8139873 A JP 8139873A JP 13987396 A JP13987396 A JP 13987396A JP H09320815 A JPH09320815 A JP H09320815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- varistor
- electrode
- mol
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形体と電極との一体焼成ができ、さらに電
圧非直線性の優れたＺｎＯバリスタ素子を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 主成分のＺｎＯに、副成分として少なく
とも、Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｌを含む組成にさらにＴａをＴａ
2Ｏ5に換算し０．０１〜２．０ｍｏｌ％添加する。
圧非直線性の優れたＺｎＯバリスタ素子を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 主成分のＺｎＯに、副成分として少なく
とも、Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｌを含む組成にさらにＴａをＴａ
2Ｏ5に換算し０．０１〜２．０ｍｏｌ％添加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特に、各種電子機器
を異常高電圧から保護するために用いるＺｎＯバリスタ
の製造方法に関するものである。
を異常高電圧から保護するために用いるＺｎＯバリスタ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器の制御回路の高集積
化が急速に進展している。これらの制御回路に用いられ
ている半導体電子部品は、回路外部から侵入する雷サー
ジや異常高電圧が負荷されると、誤動作をしたり、破壊
される場合があるため、その対策が不可欠なものとなっ
ている。この対策として、一般にバリスタが用いられて
おり、中でも優れた電圧非直線性、及びサージ吸収性を
有するＺｎＯバリスタが回路保護素子として広く利用さ
れている。
化が急速に進展している。これらの制御回路に用いられ
ている半導体電子部品は、回路外部から侵入する雷サー
ジや異常高電圧が負荷されると、誤動作をしたり、破壊
される場合があるため、その対策が不可欠なものとなっ
ている。この対策として、一般にバリスタが用いられて
おり、中でも優れた電圧非直線性、及びサージ吸収性を
有するＺｎＯバリスタが回路保護素子として広く利用さ
れている。
【０００３】従来のＺｎＯバリスタの製造方法は、主成
分であるＺｎＯにＢｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｓｂ等の金
属酸化物を添加混合、造粒した材料を成形し、この成形
体を１１００℃〜１４００℃の温度で焼成して得られた
焼結体素子の両主平面に、Ａｇ等の電極を形成してバリ
スタ素子としていた。
分であるＺｎＯにＢｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｓｂ等の金
属酸化物を添加混合、造粒した材料を成形し、この成形
体を１１００℃〜１４００℃の温度で焼成して得られた
焼結体素子の両主平面に、Ａｇ等の電極を形成してバリ
スタ素子としていた。
【０００４】一般に、ＺｎＯバリスタではＺｎＯ焼結体
素子の焼結粒子径を制御することにより、所望の単位厚
み当たりのバリスタ電圧（Ｖ1mA／mm）を得ており、前
記従来の製造方法では、Ｂｉ，Ｓｂ等の低融点金属酸化
物を添加含有させて得た成形体を１１００℃より高い温
度で焼成することで、焼結体素子のＺｎＯ焼結粒子径を
１０〜５０μｍの大きさに粒成長させて所望のバリスタ
電圧を得ていた。
素子の焼結粒子径を制御することにより、所望の単位厚
み当たりのバリスタ電圧（Ｖ1mA／mm）を得ており、前
記従来の製造方法では、Ｂｉ，Ｓｂ等の低融点金属酸化
物を添加含有させて得た成形体を１１００℃より高い温
度で焼成することで、焼結体素子のＺｎＯ焼結粒子径を
１０〜５０μｍの大きさに粒成長させて所望のバリスタ
電圧を得ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のＺｎＯバリスタの製造方法では、Ｂｉ，Ｓｂ等の低
融点金属酸化物を添加しても、ＺｎＯ焼結粒子径を制御
し所望のバリスタ性能を得るためには、１１００℃より
高い焼成温度が必要である。このため、Ａｇ等の昇華点
が１０００℃以下の低融点金属を電極として用いた場
合、成形体と電極の一体焼成ができず、成形体を焼結す
る工程と焼結体の両主平面に電極を形成し焼付ける工程
の２工程が必要であるという問題を有していた。
来のＺｎＯバリスタの製造方法では、Ｂｉ，Ｓｂ等の低
融点金属酸化物を添加しても、ＺｎＯ焼結粒子径を制御
し所望のバリスタ性能を得るためには、１１００℃より
高い焼成温度が必要である。このため、Ａｇ等の昇華点
が１０００℃以下の低融点金属を電極として用いた場
合、成形体と電極の一体焼成ができず、成形体を焼結す
る工程と焼結体の両主平面に電極を形成し焼付ける工程
の２工程が必要であるという問題を有していた。
【０００６】本発明は前記従来の問題を解決するもの
で、成形体と電極との一体焼成が可能で、しかも電圧非
直線性に優れたＺｎＯバリスタの製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
で、成形体と電極との一体焼成が可能で、しかも電圧非
直線性に優れたＺｎＯバリスタの製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明のＺｎＯバリスタの製造方法は、ＺｎＯを主成
分とし、副成分として少なくともＢｉ，Ｓｂ，Ａｌを含
む組成に、さらにＴａをＴａ2Ｏ5に換算しＺｎＯに対し
０．０１〜２．０ｍｏｌ％を添加して得られた材料を用
いた成形体の両主平面に電極を形成し一体焼成すること
で所期の目的を達成することができるものである。
に本発明のＺｎＯバリスタの製造方法は、ＺｎＯを主成
分とし、副成分として少なくともＢｉ，Ｓｂ，Ａｌを含
む組成に、さらにＴａをＴａ2Ｏ5に換算しＺｎＯに対し
０．０１〜２．０ｍｏｌ％を添加して得られた材料を用
いた成形体の両主平面に電極を形成し一体焼成すること
で所期の目的を達成することができるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載のＺｎＯ
バリスタの製造方法は、主成分のＺｎＯに、副成分とし
て少なくとも、Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｌを含む組成に、さらに
ＴａをＴａ2Ｏ5に換算し、ＺｎＯに対して０．０１〜
２．０ｍｏｌ％添加して得た材料の成形体の両主平面に
電極を形成し、８００℃〜９６０℃の温度で一体焼成す
るものであり、これはＴａがＳｂと結合して従来の焼成
温度領域より低い温度でＺｎＯ粒子の粒成長を促進する
効果と電圧非直線性を向上させる効果がある。従って８
００℃〜９６０℃の温度領域でもＺｎＯ粒子の焼結が可
能で、電極材料としてＡｇ等の低融点金属を用いた場合
でも、その昇華点以下に設定でき、成形体と電極を一体
焼成することができる。これによって電極焼き付け工程
が不要となり、工程を削減することができる。
バリスタの製造方法は、主成分のＺｎＯに、副成分とし
て少なくとも、Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｌを含む組成に、さらに
ＴａをＴａ2Ｏ5に換算し、ＺｎＯに対して０．０１〜
２．０ｍｏｌ％添加して得た材料の成形体の両主平面に
電極を形成し、８００℃〜９６０℃の温度で一体焼成す
るものであり、これはＴａがＳｂと結合して従来の焼成
温度領域より低い温度でＺｎＯ粒子の粒成長を促進する
効果と電圧非直線性を向上させる効果がある。従って８
００℃〜９６０℃の温度領域でもＺｎＯ粒子の焼結が可
能で、電極材料としてＡｇ等の低融点金属を用いた場合
でも、その昇華点以下に設定でき、成形体と電極を一体
焼成することができる。これによって電極焼き付け工程
が不要となり、工程を削減することができる。
【０００９】請求項２に記載の発明は、副成分としてさ
らに、Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉの群のうちから選ばれた一つをそ
れぞれＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3に換算し、ＺｎＯに対
して０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加するものであり、こ
れはＰｂ，Ｂ，Ｓｉの群のうちから選ばれた一つを添加
することにより、ＴａによるＺｎＯ粒子の粒成長促進効
果をさらに高めるとともに、電圧非直線性を向上させる
ことができる。
らに、Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉの群のうちから選ばれた一つをそ
れぞれＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3に換算し、ＺｎＯに対
して０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加するものであり、こ
れはＰｂ，Ｂ，Ｓｉの群のうちから選ばれた一つを添加
することにより、ＴａによるＺｎＯ粒子の粒成長促進効
果をさらに高めるとともに、電圧非直線性を向上させる
ことができる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、副成分としてさ
らに、ＰをＰ2Ｏ5に換算し、ＺｎＯに対し０．０１〜
０．５ｍｏｌ％添加するものであり、これはＰの添加が
電極と一体焼結したＺｎＯバリスタ焼結体素子の高電流
領域での電圧非直線性を向上させる効果を有するためで
ある。
らに、ＰをＰ2Ｏ5に換算し、ＺｎＯに対し０．０１〜
０．５ｍｏｌ％添加するものであり、これはＰの添加が
電極と一体焼結したＺｎＯバリスタ焼結体素子の高電流
領域での電圧非直線性を向上させる効果を有するためで
ある。
【００１１】（実施の形態１）以下に本発明の第１の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施形態のＺｎＯバリス
タの側面図である。図１において、１はバリスタ素子、
２は電極である。
タの側面図である。図１において、１はバリスタ素子、
２は電極である。
【００１３】まず、主成分であるＺｎＯに対し、Ｂｉ2
Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、
Ａｌ2Ｏ 3を０．００５ｍｏｌ％配合したものに対し、さ
らにＴａ2Ｏ5を０，０．００１，０．０１，０．５，
２．０，５．０ｍｏｌ％の量を各々添加、混合、乾燥
後、バインダを加えて造粒し、得られた造粒粉末を１０
００kg／cm2の成形圧力で、直径１３mm、厚み１．３mm
の円板状の成形体とした。得られた成形体の両主平面に
Ａｇを主成分とする電極ペーストを塗布する。次いで、
その成形体を７５０℃、８００℃、８５０℃、９００
℃、９３０℃、９６０℃の各温度で２時間焼成し、電極
２が形成されたバリスタ素子１を得た。（表１）および
（表２）に作成したバリスタ素子１の、単位厚み当たり
のバリスタ電圧（Ｖ1mA／mm）と
Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、
Ａｌ2Ｏ 3を０．００５ｍｏｌ％配合したものに対し、さ
らにＴａ2Ｏ5を０，０．００１，０．０１，０．５，
２．０，５．０ｍｏｌ％の量を各々添加、混合、乾燥
後、バインダを加えて造粒し、得られた造粒粉末を１０
００kg／cm2の成形圧力で、直径１３mm、厚み１．３mm
の円板状の成形体とした。得られた成形体の両主平面に
Ａｇを主成分とする電極ペーストを塗布する。次いで、
その成形体を７５０℃、８００℃、８５０℃、９００
℃、９３０℃、９６０℃の各温度で２時間焼成し、電極
２が形成されたバリスタ素子１を得た。（表１）および
（表２）に作成したバリスタ素子１の、単位厚み当たり
のバリスタ電圧（Ｖ1mA／mm）と
【００１４】
【外１】
【００１５】を評価した結果を示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】ここで、バリスタ電圧Ｖ1mAとはバリスタ
素子１に１ｍＡの電流が流れたときにバリスタ素子１の
両端にかかる電圧であり、直流定電流電源にて
素子１に１ｍＡの電流が流れたときにバリスタ素子１の
両端にかかる電圧であり、直流定電流電源にて
【００１９】
【外２】
【００２０】の測定を行った。また電圧非直線性は
【００２１】
【外３】
【００２２】で評価を行った。（表１）および（表２）
の結果から明らかなように、Ｔａを添加することにより
バリスタ電圧が低下することが判る。バリスタ電圧はバ
リスタ素子１に電流１ｍＡ印加した時の単位厚みにおけ
るＺｎＯ焼結粒子の直列電圧成分の和であり、ＺｎＯの
焼結粒子１個当たりに１ｍＡの電流印加時のバリア電圧
が約２〜３Ｖと一定であることから、単位厚み当たりの
ＺｎＯ焼結粒子数を表している。この単位厚み当たりの
ＺｎＯ焼結粒子数より、ＺｎＯ焼結粒子の粒径が判明す
ることから、バリスタ電圧の低下はＺｎＯ焼結粒子が粒
成長していることを示すものである。すなわち、Ｔａは
８００℃〜９６０℃の焼成温度範囲でＺｎＯ焼結粒子の
粒成長を促進する効果があることが判る。また、バリス
タ電圧の低下効果および電圧比特性の結果から、Ｔａの
Ｔａ2Ｏ5に換算したときの添加量はＺｎＯに対して０．
０１〜２．０ｍｏｌ％の範囲が最適であることが判る。
の結果から明らかなように、Ｔａを添加することにより
バリスタ電圧が低下することが判る。バリスタ電圧はバ
リスタ素子１に電流１ｍＡ印加した時の単位厚みにおけ
るＺｎＯ焼結粒子の直列電圧成分の和であり、ＺｎＯの
焼結粒子１個当たりに１ｍＡの電流印加時のバリア電圧
が約２〜３Ｖと一定であることから、単位厚み当たりの
ＺｎＯ焼結粒子数を表している。この単位厚み当たりの
ＺｎＯ焼結粒子数より、ＺｎＯ焼結粒子の粒径が判明す
ることから、バリスタ電圧の低下はＺｎＯ焼結粒子が粒
成長していることを示すものである。すなわち、Ｔａは
８００℃〜９６０℃の焼成温度範囲でＺｎＯ焼結粒子の
粒成長を促進する効果があることが判る。また、バリス
タ電圧の低下効果および電圧比特性の結果から、Ｔａの
Ｔａ2Ｏ5に換算したときの添加量はＺｎＯに対して０．
０１〜２．０ｍｏｌ％の範囲が最適であることが判る。
【００２３】尚、本実施形態では、バリスタ素子１の成
形体に電極２を塗布し一体焼成を行った結果を示した
が、バリスタ素子１の成形体を８００℃〜９６０℃の温
度範囲で焼成し、その後に電極２を塗布し焼き付けても
同じ電気特性が得られる。
形体に電極２を塗布し一体焼成を行った結果を示した
が、バリスタ素子１の成形体を８００℃〜９６０℃の温
度範囲で焼成し、その後に電極２を塗布し焼き付けても
同じ電気特性が得られる。
【００２４】（実施の形態２）以下に本発明の実施形態
２について説明する。
２について説明する。
【００２５】まず、主成分であるＺｎＯに対し、Ｂｉ2
Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、
Ａｌ2Ｏ 3を０．００５ｍｏｌ％、Ｔａ2Ｏ5を０．５ｍｏ
ｌ％添加した組成に、さらにＰｂ，Ｂ，Ｓｉの群の中か
ら選ばれた一つを、それぞれＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3
に換算して０．０１，０．０５，０．１，０．５，１．
０ｍｏｌ％の量を各々添加し、混合、乾燥後、実施形態
１と同様に処理を行い、８５０℃の温度で２時間焼成し
た。これらを実施形態１と同様に評価しその結果を（表
３）に示した。
Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、
Ａｌ2Ｏ 3を０．００５ｍｏｌ％、Ｔａ2Ｏ5を０．５ｍｏ
ｌ％添加した組成に、さらにＰｂ，Ｂ，Ｓｉの群の中か
ら選ばれた一つを、それぞれＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3
に換算して０．０１，０．０５，０．１，０．５，１．
０ｍｏｌ％の量を各々添加し、混合、乾燥後、実施形態
１と同様に処理を行い、８５０℃の温度で２時間焼成し
た。これらを実施形態１と同様に評価しその結果を（表
３）に示した。
【００２６】
【表３】
【００２７】（表３）から明らかなように、Ｐｂ，Ｓ
ｉ，Ｂの添加量が増加するに従い、バリスタ電圧が更に
低下することが判る。これは、主成分のＺｎＯに対し、
副成分組成中に占める低融点化合物の割合の増加によ
り、ＴａによるＺｎＯ焼結粒子の粒成長促進効果を更に
高めた結果と考えられる。またさらに、Ｐｂ，Ｂの添加
量が増加するに従い、電圧比が向上していることが判
る。これはＰｂ，Ｂが、９６０℃以下の温度での焼成に
おいて電圧非直線性の向上効果があるためと考えられ
る。Ｐｂ，Ｓｉ，Ｂのそれぞれの最適添加量は、バリス
タ電圧の低下効果と電圧比の向上効果より、それぞれＰ
ｂＯ，ＳｉＯ2，Ｐ2Ｏ5に換算して０．０１〜０．５ｍ
ｏｌ％の範囲であることが判る。
ｉ，Ｂの添加量が増加するに従い、バリスタ電圧が更に
低下することが判る。これは、主成分のＺｎＯに対し、
副成分組成中に占める低融点化合物の割合の増加によ
り、ＴａによるＺｎＯ焼結粒子の粒成長促進効果を更に
高めた結果と考えられる。またさらに、Ｐｂ，Ｂの添加
量が増加するに従い、電圧比が向上していることが判
る。これはＰｂ，Ｂが、９６０℃以下の温度での焼成に
おいて電圧非直線性の向上効果があるためと考えられ
る。Ｐｂ，Ｓｉ，Ｂのそれぞれの最適添加量は、バリス
タ電圧の低下効果と電圧比の向上効果より、それぞれＰ
ｂＯ，ＳｉＯ2，Ｐ2Ｏ5に換算して０．０１〜０．５ｍ
ｏｌ％の範囲であることが判る。
【００２８】尚、実施形態２では、バリスタ素子１の焼
成温度を８５０℃とした場合の結果のみを示したが、８
００℃〜９６０℃の焼成温度であれば、本発明の効果は
変わらない。また、本実施形態では、Ｔａの添加量をＴ
ａ2Ｏ5に換算して０．５ｍｏｌ％添加の結果のみを示し
たが、０．０１〜２．０ｍｏｌ％の範囲の添加量であれ
ば本発明の効果は変わらない。
成温度を８５０℃とした場合の結果のみを示したが、８
００℃〜９６０℃の焼成温度であれば、本発明の効果は
変わらない。また、本実施形態では、Ｔａの添加量をＴ
ａ2Ｏ5に換算して０．５ｍｏｌ％添加の結果のみを示し
たが、０．０１〜２．０ｍｏｌ％の範囲の添加量であれ
ば本発明の効果は変わらない。
【００２９】（実施の形態３）以下に本実施形態３につ
いて説明する。
いて説明する。
【００３０】まず、主成分のＺｎＯに対し、Ｂｉ2Ｏ3を
０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、ＭｎＯ2
を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ａｌ2
Ｏ3を０．００５ｍｏｌ％、Ｔａ2Ｏ5を０．５ｍｏｌ％
添加した組成に、さらにＰをＰ 2Ｏ5に換算して０．０
１，０．０５，０．１，０．５，１．０ｍｏｌ％の量を
それぞれ添加し、混合、乾燥後、実施形態１と同様に処
理し、９００℃の温度で２時間焼成してバリスタ素子１
を作成した。得られたバリスタ素子１の性能評価結果を
（表４）に示した。
０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、ＭｎＯ2
を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ａｌ2
Ｏ3を０．００５ｍｏｌ％、Ｔａ2Ｏ5を０．５ｍｏｌ％
添加した組成に、さらにＰをＰ 2Ｏ5に換算して０．０
１，０．０５，０．１，０．５，１．０ｍｏｌ％の量を
それぞれ添加し、混合、乾燥後、実施形態１と同様に処
理し、９００℃の温度で２時間焼成してバリスタ素子１
を作成した。得られたバリスタ素子１の性能評価結果を
（表４）に示した。
【００３１】
【表４】
【００３２】（表４）から明らかなように、Ｐの添加量
が増加するに従い、制限電圧比が向上していることが判
る。これは、Ｐが９６０℃以下の焼成温度においてＺｎ
Ｏ粒子に固溶し、ＺｎＯ焼結粒子の比抵抗を低下させる
ため、ＺｎＯ焼結粒子の比抵抗が支配する高電流領域で
の電圧非直線性を向上させたと考えられる。また、Ｐの
最適添加量は、電圧比および制限電圧比の向上効果より
Ｐ2Ｏ5に換算して０．０１〜０．５ｍｏｌ％の範囲であ
ることが判る。
が増加するに従い、制限電圧比が向上していることが判
る。これは、Ｐが９６０℃以下の焼成温度においてＺｎ
Ｏ粒子に固溶し、ＺｎＯ焼結粒子の比抵抗を低下させる
ため、ＺｎＯ焼結粒子の比抵抗が支配する高電流領域で
の電圧非直線性を向上させたと考えられる。また、Ｐの
最適添加量は、電圧比および制限電圧比の向上効果より
Ｐ2Ｏ5に換算して０．０１〜０．５ｍｏｌ％の範囲であ
ることが判る。
【００３３】尚、本実施形態３では、バリスタ素子１の
焼成温度を９００℃とした結果のみを示したが、８００
℃〜９６０℃の焼成温度範囲であれば、本発明の効果は
変わらない。また、本実施形態では、Ｔａの添加量をＴ
ａ2Ｏ5に換算して０．５ｍｏｌ％添加した結果のみを示
したが、０．０１〜２．０ｍｏｌ％の添加量範囲であれ
ば本発明の効果は変わらない。
焼成温度を９００℃とした結果のみを示したが、８００
℃〜９６０℃の焼成温度範囲であれば、本発明の効果は
変わらない。また、本実施形態では、Ｔａの添加量をＴ
ａ2Ｏ5に換算して０．５ｍｏｌ％添加した結果のみを示
したが、０．０１〜２．０ｍｏｌ％の添加量範囲であれ
ば本発明の効果は変わらない。
【００３４】また、本発明は両主平面に電極を形成した
円板状バリスタ素子１に限るものではなく、積層型バリ
スタ素子に用いた場合にも同様の効果が得られるもので
ある。
円板状バリスタ素子１に限るものではなく、積層型バリ
スタ素子に用いた場合にも同様の効果が得られるもので
ある。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明のＺｎＯバリスタ
の製造方法は、主成分のＺｎＯに、副成分として少なく
とも、Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｌを含む組成に、従来の焼成温度
範囲より低い温度でＺｎＯ粒子の粒成長を促進する効果
と電圧非直線性を向上させる効果があるＴａを、Ｔａ2
Ｏ5に換算して０．０１〜２．０ｍｏｌ％添加させるこ
とにより、８００℃〜９６０℃の温度で焼成ができると
ともに電圧非直線性に優れたＺｎＯバリスタが得られ、
この製造方法により電極材料としてＡｇ等の低融点金属
を用いて、ＺｎＯバリスタの成形体と電極を一体焼成す
ることができる。従って電極焼き付け工程が不要とな
り、その工程を削減することができる。
の製造方法は、主成分のＺｎＯに、副成分として少なく
とも、Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｌを含む組成に、従来の焼成温度
範囲より低い温度でＺｎＯ粒子の粒成長を促進する効果
と電圧非直線性を向上させる効果があるＴａを、Ｔａ2
Ｏ5に換算して０．０１〜２．０ｍｏｌ％添加させるこ
とにより、８００℃〜９６０℃の温度で焼成ができると
ともに電圧非直線性に優れたＺｎＯバリスタが得られ、
この製造方法により電極材料としてＡｇ等の低融点金属
を用いて、ＺｎＯバリスタの成形体と電極を一体焼成す
ることができる。従って電極焼き付け工程が不要とな
り、その工程を削減することができる。
【図１】本発明の一実施形態の側面図
１ バリスタ素子 ２ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】 ＺｎＯを主成分とし、副成分として少な
くとも、Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｌを含むバリスタ組成に、さら
にＴａをＴａ2Ｏ5に換算し、ＺｎＯに対して０．０１〜
２．０ｍｏｌ％添加含有させた材料を成形し、その両主
平面に電極を形成した後、８００℃〜９６０℃の温度で
電極と一体焼成することを特徴とするＺｎＯバリスタの
製造方法。 - 【請求項２】 副成分としてさらに、Ｐｂ，Ｓｉ，Ｂの
群から選ばれた一つをそれぞれＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ
3に換算し、ＺｎＯに対して０．０１〜０．５ｍｏｌ％
添加含有させたことを特徴とする請求項１に記載のＺｎ
Ｏバリスタの製造方法。 - 【請求項３】 副成分として、ＰをＰ2Ｏ5に換算し、Ｚ
ｎＯに対して０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加含有させた
ことを特徴とする請求項１に記載のＺｎＯバリスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8139873A JPH09320815A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8139873A JPH09320815A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320815A true JPH09320815A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15255557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8139873A Pending JPH09320815A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320815A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109796202A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-24 | 电子科技大学 | 一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料 |
-
1996
- 1996-06-03 JP JP8139873A patent/JPH09320815A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109796202A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-24 | 电子科技大学 | 一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004022976A (ja) | 積層型電圧非直線抵抗体、及びその製造方法 | |
| JPH09320815A (ja) | ＺｎＯバリスタの製造方法 | |
| JP2000044333A (ja) | ＺｎＯバリスタの製造方法 | |
| JP3323701B2 (ja) | 酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法 | |
| JP2625178B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| KR920005155B1 (ko) | 산화아연 바리스터의 제조방법 | |
| JPH1197213A (ja) | ＺｎＯバリスタの製造方法 | |
| JPH10149904A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2985559B2 (ja) | バリスタ | |
| JP3317015B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ | |
| JPH06204006A (ja) | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 | |
| JP2000252106A (ja) | セラミックバリスタ | |
| JP3220200B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH0795482B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP3551780B2 (ja) | バリスタおよびその製造方法 | |
| JPS62282410A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
| JPH0214762B2 (ja) | ||
| JPH0383846A (ja) | バルスタの製造方法 | |
| JPS6347125B2 (ja) | ||
| JPS5831721B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子およびその製造方法 | |
| JPH025001B2 (ja) | ||
| JP2001093705A (ja) | 非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| JPH06251909A (ja) | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 | |
| JPH10312909A (ja) | 低電圧用電圧非直線性抵抗器の製造方法 | |
| JPH09330806A (ja) | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |