JP3317015B2 - 酸化亜鉛バリスタ - Google Patents
酸化亜鉛バリスタInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種電子機器を異常高電
圧から保護するために用いられる酸化亜鉛バリスタに関
するものである。
圧から保護するために用いられる酸化亜鉛バリスタに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、民生機器、産業機器の制御回路の
高度集積化が急速に進展している。
高度集積化が急速に進展している。
【０００３】これらの制御回路に用いられている半導体
電子部品は異常高電圧（サージ）が印加されると破壊さ
れてしまうので、その対策が不可欠なものとなってい
る。この対策として一般にバリスタが用いられており、
中でも酸化亜鉛バリスタは、優れた電圧非直線性、サー
ジ吸収能力を持つことから、各種電子機器を異常高電圧
から保護するために広く利用されている。
電子部品は異常高電圧（サージ）が印加されると破壊さ
れてしまうので、その対策が不可欠なものとなってい
る。この対策として一般にバリスタが用いられており、
中でも酸化亜鉛バリスタは、優れた電圧非直線性、サー
ジ吸収能力を持つことから、各種電子機器を異常高電圧
から保護するために広く利用されている。
【０００４】従来より、酸化亜鉛を主成分とするバリス
タ素子の添加物としてガラスフリットを用いた酸化亜鉛
バリスタは広く知られている。また、前記ガラスフリッ
トとしては、例えば特公昭５６−２２１２２号公報など
に開示されており、その内容は以下の通りである。
タ素子の添加物としてガラスフリットを用いた酸化亜鉛
バリスタは広く知られている。また、前記ガラスフリッ
トとしては、例えば特公昭５６−２２１２２号公報など
に開示されており、その内容は以下の通りである。
【０００５】すなわち酸化亜鉛を主成分とし、副成分と
してＢｉ2Ｏ3が０．１〜６モル％、ＣｏＯが０．０５〜
１０モル％、ＭｎＯが０．２５〜１０モル％、Ｓｂ2Ｏ3
が０．１〜６モル％とした酸化亜鉛バリスタの配合原料
に対して、ＰｂＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＣｅＯ2，ＢａＯ，Ｔｉ
Ｏ2，ＳｎＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｐ2Ｏ5，ＣａＯ，Ａｓ2Ｏ3，
ＺｒＯ2の中から少なくとも一成分以上（ただし、Ｐｂ
Ｏを一成分のみの場合を除く）を含有する硼珪酸亜鉛系
ガラスを０．１〜１０重量％添加、混合した後、焼成し
て酸化亜鉛バリスタ素子を得るものであった。
してＢｉ2Ｏ3が０．１〜６モル％、ＣｏＯが０．０５〜
１０モル％、ＭｎＯが０．２５〜１０モル％、Ｓｂ2Ｏ3
が０．１〜６モル％とした酸化亜鉛バリスタの配合原料
に対して、ＰｂＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＣｅＯ2，ＢａＯ，Ｔｉ
Ｏ2，ＳｎＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｐ2Ｏ5，ＣａＯ，Ａｓ2Ｏ3，
ＺｒＯ2の中から少なくとも一成分以上（ただし、Ｐｂ
Ｏを一成分のみの場合を除く）を含有する硼珪酸亜鉛系
ガラスを０．１〜１０重量％添加、混合した後、焼成し
て酸化亜鉛バリスタ素子を得るものであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記酸化亜鉛バリスタ
は電圧非直線性の優れたものではあるが、近年の各種電
子機器における省エネルギー化、効率化への要望によ
り、電圧非直線性の改善がさらに求められてきた。
は電圧非直線性の優れたものではあるが、近年の各種電
子機器における省エネルギー化、効率化への要望によ
り、電圧非直線性の改善がさらに求められてきた。
【０００７】そこで本発明は上述の要求に応え、電圧非
直線性のさらに改善された酸化亜鉛バリスタを提供する
ことを目的とするものである。
直線性のさらに改善された酸化亜鉛バリスタを提供する
ことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は酸化亜鉛バリスタ素子を、酸化亜鉛を主成分
とし、副成分として少なくとも酸化ビスマスを含む原料
に、さらに、ＰｂＯが３０〜６０重量％、ＳｉＯ2が５
〜３５重量％、Ｐ2Ｏ5が１〜１０重量％、Ｂ2Ｏ 3が１０
〜４０重量％の硼珪酸鉛系ガラスフリットを０．０５〜
１．０重量％添加したもので形成するものである。
に本発明は酸化亜鉛バリスタ素子を、酸化亜鉛を主成分
とし、副成分として少なくとも酸化ビスマスを含む原料
に、さらに、ＰｂＯが３０〜６０重量％、ＳｉＯ2が５
〜３５重量％、Ｐ2Ｏ5が１〜１０重量％、Ｂ2Ｏ 3が１０
〜４０重量％の硼珪酸鉛系ガラスフリットを０．０５〜
１．０重量％添加したもので形成するものである。
【０００９】
【作用】上記構成により、酸化亜鉛バリスタ素子におい
て、酸化亜鉛粒子間の粒界に、硼珪酸鉛系ガラスフリッ
トが酸素を供給することとなる。この結果、酸化亜鉛粒
子間における粒界の抵抗値は高くなり、その分バリスタ
電圧に達するまでに電極間に流れる漏れ電流は少なくな
り、結論として電圧非直線性の改善された酸化亜鉛バリ
スタが得られるのである。
て、酸化亜鉛粒子間の粒界に、硼珪酸鉛系ガラスフリッ
トが酸素を供給することとなる。この結果、酸化亜鉛粒
子間における粒界の抵抗値は高くなり、その分バリスタ
電圧に達するまでに電極間に流れる漏れ電流は少なくな
り、結論として電圧非直線性の改善された酸化亜鉛バリ
スタが得られるのである。
【００１０】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について詳述
する。
する。
【００１１】まず、ガラスフリットの調整について述べ
る。（表１）の組成表に従いＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ
2Ｏ3、リン酸二水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）を
Ｐ2Ｏ5に換算して所定量秤量した。
る。（表１）の組成表に従いＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ
2Ｏ3、リン酸二水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）を
Ｐ2Ｏ5に換算して所定量秤量した。
【００１２】
【表１】
【００１３】次に、これらをガラス名称毎に、ボールミ
ルにて混合と同時に粉砕し、その後、白金ルツボにて１
０００℃〜１５００℃の温度条件で溶融し、急冷してガ
ラス化させた。その後、このガラスを粉砕した後、ボー
ルミルにて微粉砕して硼珪酸鉛系ガラスフリットを得
た。また、比較のために、従来の硼珪酸亜鉛系ガラスフ
リットとしてＰｂＯが５重量％、ＳｉＯ2が１０重量
％、Ｂ2Ｏ3が３０重量％、ＺｎＯが５０重量％、Ｐ2Ｏ5
が５重量％からなるガラスフリットを同様の手法にて作
製した。
ルにて混合と同時に粉砕し、その後、白金ルツボにて１
０００℃〜１５００℃の温度条件で溶融し、急冷してガ
ラス化させた。その後、このガラスを粉砕した後、ボー
ルミルにて微粉砕して硼珪酸鉛系ガラスフリットを得
た。また、比較のために、従来の硼珪酸亜鉛系ガラスフ
リットとしてＰｂＯが５重量％、ＳｉＯ2が１０重量
％、Ｂ2Ｏ3が３０重量％、ＺｎＯが５０重量％、Ｐ2Ｏ5
が５重量％からなるガラスフリットを同様の手法にて作
製した。
【００１４】次に、これらの硼珪酸鉛系ガラスフリット
を、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化コバルト（Ｃｏ2
Ｏ3）、酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化ニッケル（Ｎｉ
Ｏ）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化クロム（Ｃｒ
2Ｏ3）をそれぞれ０．５モル％をそれぞれ０．１モル
％、Ａｌ2Ｏ3を０．００５モル％、残りが酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）からなる酸化亜鉛バリスタ原料に所定量添加した
後、純水を加えてボールミルにて２０時間混合した。そ
の後、混合した原料を乾燥した後、バインダーを加えて
造粒し、直径１５mm、厚さ１．５mmのディスク状に加圧
成形した。次に、この成形体を１１００℃〜１３００℃
で２時間焼成して図１、図２に示すような酸化亜鉛バリ
スタ焼結体１を得た。この焼結体１の両面に銀ペースト
を直径１０mmとなるようスクリーン印刷し、８００℃で
１０分間焼付けて図１、図２に示すように電極２を形成
し、次に図１、図３に示すようにリード線３をはんだ付
けした後、外周を絶縁樹脂４で被覆して試料を得た。
を、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化コバルト（Ｃｏ2
Ｏ3）、酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化ニッケル（Ｎｉ
Ｏ）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化クロム（Ｃｒ
2Ｏ3）をそれぞれ０．５モル％をそれぞれ０．１モル
％、Ａｌ2Ｏ3を０．００５モル％、残りが酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）からなる酸化亜鉛バリスタ原料に所定量添加した
後、純水を加えてボールミルにて２０時間混合した。そ
の後、混合した原料を乾燥した後、バインダーを加えて
造粒し、直径１５mm、厚さ１．５mmのディスク状に加圧
成形した。次に、この成形体を１１００℃〜１３００℃
で２時間焼成して図１、図２に示すような酸化亜鉛バリ
スタ焼結体１を得た。この焼結体１の両面に銀ペースト
を直径１０mmとなるようスクリーン印刷し、８００℃で
１０分間焼付けて図１、図２に示すように電極２を形成
し、次に図１、図３に示すようにリード線３をはんだ付
けした後、外周を絶縁樹脂４で被覆して試料を得た。
【００１５】このようにして得られた試料の電圧比
【００１６】
【外１】
【００１７】サージ電流耐量特性を下記の（表２）に示
す。
す。
【００１８】
【表２】
【００１９】なお、電圧比は直流定電流電源を用いて測
定することにより得た。また、サージ電流耐量特性は標
準波形８／２０μＳ、波高値２５００Ａの衝撃電流を同
一方向に２回印加し、バリスタ電圧（Ｖ1mA）の変化率
を測定することにより得たものであり、その値が従来例
の試料No.１より小さいものが好ましい。さらに、高温
負荷寿命特性は、周囲温度を１２５℃とし、リード端子
３間に試料のバリスタ電圧の９０％の直流電圧を印加し
て行い、５００時間後のバリスタ電圧（Ｖ1mA）の変化
率を測定したもので、その値が従来例の試料No.１より
小さいものが好ましい。なお、試料数は各ロット１０個
である。
定することにより得た。また、サージ電流耐量特性は標
準波形８／２０μＳ、波高値２５００Ａの衝撃電流を同
一方向に２回印加し、バリスタ電圧（Ｖ1mA）の変化率
を測定することにより得たものであり、その値が従来例
の試料No.１より小さいものが好ましい。さらに、高温
負荷寿命特性は、周囲温度を１２５℃とし、リード端子
３間に試料のバリスタ電圧の９０％の直流電圧を印加し
て行い、５００時間後のバリスタ電圧（Ｖ1mA）の変化
率を測定したもので、その値が従来例の試料No.１より
小さいものが好ましい。なお、試料数は各ロット１０個
である。
【００２０】また上記電圧比
【００２１】
【外２】
【００２２】は従来例の試料No.１より小さい方がバリ
スタ電圧に達するまでの漏れ電流が従来よりも少ないも
のとなるのである。すなわち、Ｖ1mAとは１ｍＡの電流
が電極２間に流れるときの電圧（バリスタ電圧）を示
し、
スタ電圧に達するまでの漏れ電流が従来よりも少ないも
のとなるのである。すなわち、Ｖ1mAとは１ｍＡの電流
が電極２間に流れるときの電圧（バリスタ電圧）を示
し、
【００２３】
【外３】
【００２４】も同じく１０μＡが電極２間に流れるとき
の電圧を示し、
の電圧を示し、
【００２５】
【外４】
【００２６】の値が小さいものは低い電圧から漏れ電流
が多く流れるもので、好ましくないものとなる。
が多く流れるもので、好ましくないものとなる。
【００２７】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００２８】下記の（表３）の組成表に従い、ＰｂＯ，
ＳｉＯ2，ＣｅＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2Ｏ3を所定量秤量し、上
記実施例１と同様の方法でガラスフリットを作製した。
ＳｉＯ2，ＣｅＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2Ｏ3を所定量秤量し、上
記実施例１と同様の方法でガラスフリットを作製した。
【００２９】
【表３】
【００３０】次に、このガラスフリットを用いて上記実
施例１と同様に酸化亜鉛バリスタを作製し、同様の方法
で評価した。この結果を（表４）に示す。
施例１と同様に酸化亜鉛バリスタを作製し、同様の方法
で評価した。この結果を（表４）に示す。
【００３１】
【表４】
【００３２】（表３）および（表４）に示すように、硼
珪酸鉛系ガラスフリットの有効な添加量の範囲は、酸化
亜鉛バリスタ素子１原料に対して０．１〜１．０重量％
である。この範囲より添加量が少ないと特性への影響が
見られず、この範囲より添加量が多いとサージ電流耐量
特性が悪化する。
珪酸鉛系ガラスフリットの有効な添加量の範囲は、酸化
亜鉛バリスタ素子１原料に対して０．１〜１．０重量％
である。この範囲より添加量が少ないと特性への影響が
見られず、この範囲より添加量が多いとサージ電流耐量
特性が悪化する。
【００３３】次に、硼珪酸鉛系ガラス組成の電圧比、サ
ージ電流耐量特性への影響を考察する。ＣｅＯ2量が１
重量％以上の組成系では電圧比は小さくなるが、５重量
％を越えるとサージ電流耐量特性が悪化する。従って、
酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に添加する硼珪酸鉛系
ガラスフリットは、ＣｅＯ2を１〜５重量％含むことが
必要条件である。
ージ電流耐量特性への影響を考察する。ＣｅＯ2量が１
重量％以上の組成系では電圧比は小さくなるが、５重量
％を越えるとサージ電流耐量特性が悪化する。従って、
酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に添加する硼珪酸鉛系
ガラスフリットは、ＣｅＯ2を１〜５重量％含むことが
必要条件である。
【００３４】さらに、電圧比、サージ電流耐量特性はＣ
ｅＯ2含有量のほかにＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2Ｏ3
の影響を受けるが、上記実施例１と同様の理由により、
酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に添加する硼珪酸鉛系
ガラスフリットは、ＰｂＯが３０〜６０重量％、ＳｉＯ
2が５〜３５重量％、ＣｅＯ2が１〜５重量％、Ｐ2Ｏ5が
１〜１０重量％、Ｂ2Ｏ3が１０〜４０重量％であり、か
つＰ2Ｏ5とＢ2Ｏ3の重量比（Ｐ2Ｏ5／Ｂ2Ｏ3）が０．１
〜１．０の範囲の組成であって、その添加量が酸化亜鉛
バリスタ素子１配合原料に対して０．１〜１．０重量％
の範囲が最適であることがわかる。
ｅＯ2含有量のほかにＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2Ｏ3
の影響を受けるが、上記実施例１と同様の理由により、
酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に添加する硼珪酸鉛系
ガラスフリットは、ＰｂＯが３０〜６０重量％、ＳｉＯ
2が５〜３５重量％、ＣｅＯ2が１〜５重量％、Ｐ2Ｏ5が
１〜１０重量％、Ｂ2Ｏ3が１０〜４０重量％であり、か
つＰ2Ｏ5とＢ2Ｏ3の重量比（Ｐ2Ｏ5／Ｂ2Ｏ3）が０．１
〜１．０の範囲の組成であって、その添加量が酸化亜鉛
バリスタ素子１配合原料に対して０．１〜１．０重量％
の範囲が最適であることがわかる。
【００３５】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００３６】下記の（表５）の組成表に従い、ＰｂＯ，
ＳｉＯ2，Ｐｒ6Ｏ11，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2Ｏ3を所定量秤量し、
上記実施例１と同様の方法でガラスフリットを作製し
た。
ＳｉＯ2，Ｐｒ6Ｏ11，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2Ｏ3を所定量秤量し、
上記実施例１と同様の方法でガラスフリットを作製し
た。
【００３７】
【表５】
【００３８】次に、このガラスフリットを用いて上記実
施例１と同様に酸化亜鉛バリスタを作製し、同様の方法
で評価した。この結果を（表６）に示す。
施例１と同様に酸化亜鉛バリスタを作製し、同様の方法
で評価した。この結果を（表６）に示す。
【００３９】
【表６】
【００４０】まず、（表５）および（表６）に示すよう
に、硼珪酸鉛系ガラスフリットの有効な添加量の範囲
は、酸化亜鉛バリスタ素子１原料に対して０．１〜２．
０重量％である。ガラスフリットの添加量が０．１重量
％以上では高温負荷寿命特性が向上し、２．０重量％を
越えるとサージ電流耐量特性が悪化する。
に、硼珪酸鉛系ガラスフリットの有効な添加量の範囲
は、酸化亜鉛バリスタ素子１原料に対して０．１〜２．
０重量％である。ガラスフリットの添加量が０．１重量
％以上では高温負荷寿命特性が向上し、２．０重量％を
越えるとサージ電流耐量特性が悪化する。
【００４１】よって、酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料
に添加する硼珪酸鉛系ガラスフリットの添加量は、０．
１〜２．０重量％の範囲が最適であることがわかる。
に添加する硼珪酸鉛系ガラスフリットの添加量は、０．
１〜２．０重量％の範囲が最適であることがわかる。
【００４２】次に、硼珪酸鉛系ガラス組成の電圧比、サ
ージ電流耐量特性への影響を考察する。Ｐｒ6Ｏ11量が
０．１重量％以上の組成系では電圧比は小さくなるが、
５．０重量％を越えるとサージ電流耐量特性が悪化す
る。従って、酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に添加す
る硼珪酸鉛系ガラスフリットは、Ｐｒ6Ｏ11を０．１〜
５．０重量％含むことが必要条件である。
ージ電流耐量特性への影響を考察する。Ｐｒ6Ｏ11量が
０．１重量％以上の組成系では電圧比は小さくなるが、
５．０重量％を越えるとサージ電流耐量特性が悪化す
る。従って、酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に添加す
る硼珪酸鉛系ガラスフリットは、Ｐｒ6Ｏ11を０．１〜
５．０重量％含むことが必要条件である。
【００４３】さらに、電圧比、サージ電流耐量特性はＰ
ｒ6Ｏ11含有量のほかにＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2
Ｏ3の影響を受けるが、上記実施例１と同様の理由によ
り、酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に添加する硼珪酸
鉛系ガラスフリットは、ＰｂＯが３０〜６０重量％、Ｓ
ｉＯ2が５〜３５重量％、Ｐｒ6Ｏ11が０．１〜５．０重
量％、Ｐ2Ｏ5が１〜１０重量％、Ｂ2Ｏ3が１０〜４０重
量％であり、かつＰ2Ｏ5とＢ2Ｏ3の重量比（Ｐ2Ｏ5／Ｂ
2Ｏ3）が０．１〜２．０の範囲の組成であって、その添
加量が酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に対して０．１
〜１．０重量％の範囲が最適であることがわかる。
ｒ6Ｏ11含有量のほかにＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ｂ2
Ｏ3の影響を受けるが、上記実施例１と同様の理由によ
り、酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に添加する硼珪酸
鉛系ガラスフリットは、ＰｂＯが３０〜６０重量％、Ｓ
ｉＯ2が５〜３５重量％、Ｐｒ6Ｏ11が０．１〜５．０重
量％、Ｐ2Ｏ5が１〜１０重量％、Ｂ2Ｏ3が１０〜４０重
量％であり、かつＰ2Ｏ5とＢ2Ｏ3の重量比（Ｐ2Ｏ5／Ｂ
2Ｏ3）が０．１〜２．０の範囲の組成であって、その添
加量が酸化亜鉛バリスタ素子１配合原料に対して０．１
〜１．０重量％の範囲が最適であることがわかる。
【００４４】なお、上記実施例においては、硼珪酸鉛系
ガラスの原料として酸化鉛、酸化珪素、酸化硼素、酸化
セリウム、酸化プラセオジム、リン酸二水素アンモニウ
ムをＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｐｒ6Ｏ11，
ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4の形で用いたが、他の酸化物、炭酸塩、
アンモニウム塩などの形で用いても同様の効果が得られ
た。また、前記ガラスフリットの粒径は０．１〜３０μ
ｍの範囲であればその効果に変わりはない。
ガラスの原料として酸化鉛、酸化珪素、酸化硼素、酸化
セリウム、酸化プラセオジム、リン酸二水素アンモニウ
ムをＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｐｒ6Ｏ11，
ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4の形で用いたが、他の酸化物、炭酸塩、
アンモニウム塩などの形で用いても同様の効果が得られ
た。また、前記ガラスフリットの粒径は０．１〜３０μ
ｍの範囲であればその効果に変わりはない。
【００４５】
【発明の効果】以上、本発明によると酸化亜鉛バリスタ
素子において、酸化亜鉛粒子間の粒界に、硼珪酸鉛系ガ
ラスフリットが酸素を供給する。
素子において、酸化亜鉛粒子間の粒界に、硼珪酸鉛系ガ
ラスフリットが酸素を供給する。
【００４６】この結果、酸化亜鉛粒子間において粒界の
抵抗値が高くなり、バリスタ電圧に達するまでに電極間
に流れる漏れ電流が減少し、電圧非直線性の優れた酸化
亜鉛バリスタを得ることができる。
抵抗値が高くなり、バリスタ電圧に達するまでに電極間
に流れる漏れ電流が減少し、電圧非直線性の優れた酸化
亜鉛バリスタを得ることができる。
【００４７】さらに、本発明の酸化亜鉛バリスタは、サ
ージ電流耐量特性、および高温負荷寿命特性に優れてい
る。
ージ電流耐量特性、および高温負荷寿命特性に優れてい
る。
【図１】本発明の一実施例における酸化亜鉛バリスタの
断面図
断面図
【図２】本発明の一実施例における酸化亜鉛バリスタの
断面図
断面図
【図３】本発明の一実施例における酸化亜鉛バリスタの
正面図
正面図
１ 酸化亜鉛バリスタ素子 ２ 電極 ３ リード線 ４ 絶縁樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 酸化亜鉛バリスタ素子と、前記酸化亜鉛
バリスタ素子の上下両面に設けた電極とを備え、前記酸
化亜鉛バリスタ素子は酸化亜鉛を主成分とし、副成分と
して少なくとも酸化ビスマスを含む酸化亜鉛バリスタの
配合原料に対して、ＰｂＯが３０〜６０重量％、ＳｉＯ
2が５〜３５重量％、Ｐ2Ｏ5が１〜１０重量％、Ｂ2Ｏ3
が１０〜４０重量％である硼珪酸鉛系ガラスフリットを
０．０５〜１．０重量％添加したもので形成された酸化
亜鉛バリスタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の硼珪酸鉛系ガラスフリッ
トに代えて、ＰｂＯが３０〜６０重量％、ＳｉＯ2が５
〜３５重量％、ＣｅＯ2が１〜５重量％、Ｐ2Ｏ5が１〜
１０重量％、Ｂ2Ｏ3が１０〜４０重量％である硼珪酸鉛
系ガラスフリットを０．１〜１．０重量％添加すること
を特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛バリスタ。 - 【請求項３】 請求項１記載の硼珪酸鉛系ガラスフリッ
トに代えて、ＰｂＯが３０〜６０重量％、ＳｉＯ2が５
〜３５重量％、Ｐｒ6Ｏ11が０．１〜５．０重量％、Ｐ2
Ｏ5が１〜１０重量％、Ｂ2Ｏ3が１０〜４０重量％であ
る硼珪酸鉛系ガラスフリットを、０．１〜２．０重量％
添加することを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛バリ
スタ。 - 【請求項４】 硼珪酸鉛系ガラスフリット中のＰ2Ｏ5と
Ｂ2Ｏ3の重量比（Ｐ2Ｏ5／Ｂ2Ｏ3）が０．１〜１．０で
ある請求項１、請求項２または請求項３記載の酸化亜鉛
バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08674994A JP3317015B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 酸化亜鉛バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08674994A JP3317015B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 酸化亜鉛バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297011A JPH07297011A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3317015B2 true JP3317015B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=13895427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08674994A Expired - Fee Related JP3317015B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 酸化亜鉛バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3317015B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004044648A1 (de) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Epcos Ag | Varistor |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP08674994A patent/JP3317015B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07297011A (ja) | 1995-11-10 |
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