JPH03195003A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents

電圧非直線抵抗体

Info

Publication number
JPH03195003A
JPH03195003A JP1335736A JP33573689A JPH03195003A JP H03195003 A JPH03195003 A JP H03195003A JP 1335736 A JP1335736 A JP 1335736A JP 33573689 A JP33573689 A JP 33573689A JP H03195003 A JPH03195003 A JP H03195003A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
voltage
terms
added
varistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1335736A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2628389B2 (ja
Inventor
Junichi Osawa
大沢 準一
Toshio Tate
館 敏夫
Hitoshi Komukai
小向 均
Ariteru Koizumi
有輝 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hokuriku Electric Industry Co Ltd filed Critical Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority to JP1335736A priority Critical patent/JP2628389B2/ja
Publication of JPH03195003A publication Critical patent/JPH03195003A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2628389B2 publication Critical patent/JP2628389B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電圧非直線抵抗体、特に低電圧領域において使
用する電圧非直線抵抗体に関する。
〔従来の技術〕
低電圧領域で動作させる電気回路、例えば自動車に用い
る電気回路は直流12〜16Vの低電圧回路であるが、
回路の負荷には発電機やモータ、各種リレー、ソレノイ
ドなどの誘電負荷が存在する。
回路のスイッチング時には、これら誘電負荷から高電流
、高エネルギーの開閉サージが発生し、回路中の半導体
が破壊されるという現象が生ずるため、これらサージに
対応できるバリスタ電圧の低い電圧非直線抵抗体の開発
が要望されている。
ところで、電圧非直線抵抗体、いわゆるバリスタとして
はSiCバリスタ、S1バリスタなどのほか、酸化亜鉛
を主体とするセラミックからなる酸化亜鉛バリスタが開
発された(特公昭46−19478号、特公昭46−2
2987号、特公昭47−28153号参照)。
[発明か解決しようとする課題] ところで、各種バリスタにはそれぞれの特長があり、S
iCバリスタは高電圧に耐えられるが、lOV程度のバ
リスタ電圧では非直線指数αが3.0以下と小さい。
また、Siバリスタは非直線指数αは太きいという利点
があるが、バリスタ電圧は0.8V程度に限られ、所定
のバリスタのものを任意に得られないという欠点がある
。この点、酸化亜鉛焼結体からなるバリスタは酸化亜鉛
を主体とし、これにビスマス、コバルト、マンガンある
いはこれらの酸化物を単独にあるいは複合して加えられ
たもので、SICバリスタより一般に優れた特性を有し
、焼結体自体が電圧非直線性をもっているため、基本的
焼結体の厚味を変えることによって立上り電圧を制御す
ることができるという特長がある。このバリスタは酸化
亜鉛にビスマスを添加するほか、他に添加して焼結すべ
き添加物の種類、添加量を選定することにより主として
バリスタ特性の向上を図ることを意図して発展してきた
のであるが、その設定についての法則性は明らかではな
く、数多くの実験の繰返しにより、目的とするバリスタ
性能を得るための添加物の種類の選定及びその添加量の
設定について努力が払われてきた。
低電圧用バリスタに関しては、Bi2O3; 0.5モ
ル%、 CoO ; 0,5モル%、 MnO; 0.
5モル%、 Tie、 ; 0゜5モル%の配合を見出
して、このものはバリスタ電圧が低く、電圧非直線性が
もっとも優れていると報告されている(特公昭48−4
2316号公報参照)。
上記バリスタによるときには5〜20ボルト範囲で電圧
非直線指数αが20のものは電流の立上り特性において
みればセナーダイオードに匹敵しつるというものである
が、必ずしもこの技術の限界が示されたものではない。
また、実際に前記目的にかなう低電圧用バリスタには、
電圧非直線指数αの向上を目指すだけでなく、高電流高
エネルギーサージ#I量はもとより、制限電圧比や寿命
特性の向上を図ることが要求される。
本発明の目的は上記課題を解決した実用的な電圧非直線
抵抗体を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明による電圧非直線抵抗
体においては、酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビ
スマス、コバルト、マンガン、アンチモン、チタンを含
み、粒界にホウ珪酸亜鉛鉛ガラスを介在させた焼結体で
あって、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.1〜2.
0モル%、コバルトはCoOの形に換算して0.05〜
3モル%、マンガンはMnOの形に換算して0.05〜
3.0モル%、アンチモンはSb2O3の形に換算して
0.001〜0.20モル%、チタンはTiO2の形に
換算して0.lO〜2.0モル%添加され、 前記ホウ珪酸亜鉛鉛ガラスは主成分と副成分との配合原
料に対して重量比で0.01〜1.0%添加されている
ものである。
また、本発明の電圧非直線抵抗体は酸化亜鉛を主成分と
し、副成分としてビスマス、コバルト。
マンガン、アンチモン、チタン、クロムを含み、粒界に
ホウ珪酸亜鉛鉛ガラスを介在させた焼結体であって、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.1〜2.
0モル%、コバルトはCoOの形に換算して0.05〜
3モル%、マンガンはMnOの形に換算して0.05〜
3.0モル%、アンチモンはsb、 ojの形に換算し
て0.001〜0.10モル%、チタンはTiejの形
に換算して0.10〜2.0モル%、クロムはCr、 
O,の形に換算して0.O2N2.30モル%添加され
、 前記ホウ珪酸亜鉛鉛ガラスは主成分と副成分との配合原
料に対して重量比で0.01−1.0%添加されている
ものである。
[原理・作用] 発明者らは、電圧非直線指数αを確保してバリスタ電圧
の低電圧化を図り、しかも制限電圧を小さく、高電流サ
ージ耐量及び高温負荷特性を向上させることを目的とし
て種々検討を行った結果、酸化亜鉛にビスマス、コバル
ト、マンガン、アンチモン、チタン及びホウ珪酸亜鉛鉛
ガラスを成る範囲内で添加して焼結したときに優れた特
性が得られることを見出した。また、上記添加物にCr
帆を成る範囲で添加することは特にバリスタ電圧を低く
する上に有効であることを見出した。焼結体の微細構造
を観察したときに、焼結体は不純物を含むZnO粒子を
厚さlpm以下のBi2O3を含む金属酸化物の高抵抗
層が取り囲む構造になっている。
バリスタ電圧は、電極間に存在するこのような高抵抗の
粒界層の数に比例している。したがってバリスタ電圧は
、ZnO粒子の粒径によって発現されると言える。
本発明においては、Sb2O3は他の添加物との組合せ
において有効であるが、Sb2O3にはZnO粒子の成
長を抑制する作用があるため、その添加量はできるだけ
少なくし、成長を促進するTie、を添加することによ
ってZnO粒子を50〜80μmに粗大化させることに
より、電極間に直列に入る粒子数を少なくして素子厚さ
IM当りのバリスタ電圧(■1ffiA/mm)を低い
ところでは20V以下までに下げることができた。また
これに加えてCr2O3を添加すると、微細なZnOが
少なくなって、粗粒が多くなるためバリスタ電圧がさら
に低下すると考えられる。
一方、焼結体が気孔の多い微細構造であると、ZnO粒
子相互の接触が点接触状態に近くなって、これはサージ
吸収特性の重要な要素である大電流での制限電圧比(例
えば40Aと1mAの制限電圧比V40A/V、−A)
が大きくなり、また高電流サージが加わる場合にはZn
O粒子接触点での発熱、溶融などにより特性の劣化を起
こす原因となる。
本発明においては、ホウ珪酸亜鉛鉛ガラスを添加するこ
とにより、ZnO粒子の成長が均一になり、粒界層には
気孔ができ難く、ち密な微細構造となって、大電流での
制限電圧比も小さく高電流サージにも耐えられるように
なった。このような効果が得られるのは、単にホウ珪酸
亜鉛鉛ガラスの添加による効果だけでなく、Bi2O3
、CoO、 MnO,Sb2O. 、 T i O,お
よびCr2O3などの副成分の共存の下に得られる効果
であると考えられる。
本発明において、Bi2O3の添加量が0.1モル%以
下、2.0モル%以上の領域、CoO及びMnOの添加
量が0.05モル%以下、3.0モル%以上の領域、s
b、 o。
の添加量が0.01モル%以下2O.20モル%以上の
領域、TiO□の添加量が0.1モル%以下、1.0モ
ル%以上の領域、Cr、 O,の添加量が0.30モル
%以上、およびホウ珪酸亜鉛鉛ガラスの添加量が0,0
1wt%以下、1.0w1%以上の領域では、バリスタ
電圧が高くなり、非直線指数αが小さくなる傾向が見ら
れた。特に、ホウ珪酸亜鉛鉛ガラスが上記範囲の場合、
非直線指数αの低下が著しい。また、上記範囲において
制限電圧比が大きくなる傾向にあり、耐サージ特性や高
温負荷特性においてもバリスタ電圧V1の変化率が大き
く、特性を劣化させる傾向にある。
しかしながら、本発明において規定する各添加物の組合
せ範囲ではバリスタ電圧が低く、かつ制限電圧比が小さ
く、しかも耐サージ特性および高温負荷特性は良好であ
る。
また、Cr2O.0.01〜0.30モル%をさらに添
加して焼結したものは、バリスタ電圧が一層低くなり、
しかも耐サージ特性や高温負荷特性も改善される。
なお、本発明に使用するホウ珪酸亜鉛鉛ガラスは、Si
n、  7〜14重量%、 B2O.17〜25重量%
、2nO53〜67重量%、PbO0,1〜7重量%お
よびその他A Q* O* + Sb w Os T 
Ce Ov等が微量台まれた組成範囲になるもので、粒
度が44μm以下のものである。
〔実施例] 以下に本発明の実施例について説明する。まず本発明の
電圧非直線抵抗体の特性を測定するためその製造する方
法について説明する。
まず、ビスマス、コバルト、マンガン、アンチモン、チ
タン、クロムをBi2O3、CoO、 MnO,Sb2
O3゜T i O,、Cr2O3の形に換算してそれぞ
れ0.1〜2.0モル%、 0.05〜3.0モル%、
 0.05〜3.0モル%、 0.001〜0.20モ
ル%、 0.10〜2.0モル%、O〜0.30モル%
の範囲で秤量し、残部をZnOとし、これにホウ珪酸亜
鉛鉛カラスを重量比0.01〜1.0%の範囲で添加し
て混合物をホールミル等の混合粉砕機を用いて混合した
。混合後乾燥させた混合物を任意の大きさの円柱形の成
形体に仮成形した。
次に仮成形体を700〜900℃の範囲内の温度で仮焼
したのち、再度ボールミル等の粉砕機を用いて粉砕し、
その後乾燥させて仮焼粉末とした。
次に、仮焼粉末にポリビニルアルコール等の有機バイン
ダを微量添加して造粒したのち2O.5〜l。
5T/calのプレス圧で直径22φ、厚さ1.1m/
mの円板形状の成形体に加工し、そして円板形状の成形
体を1200−1400℃の温度で焼結した。
第1図において、得られた円板状の焼結体1の両面に銀
ペースト等による導電性電極2を公知の方法で形成し電
極2にリード線3を半田付けしたのち、保護塗装により
、表面に保護膜4を設けてバリスタを完成した。第1表
及び第2表は、本発明の電圧非直線抵抗体の配合成分の
組成を変えて上記方法により製造したバリスタの特性を
測定した結果を示すものである。
なお、第1表のNo、28〜38及び第2表No41〜
53は、比較試料であり、本発明の範囲外のものである
表中の電圧非直線係数αは、バリスタに0,1mAおよ
び1mAの電流を流したときのバリスタ両端の電圧Va
、+ff1AおよびV mAを用いてα=l/Qog 
(V+ IIIA/V@、 l 1−A)の式より求め
た値である。また制限電圧比は、8×20μsの衝撃電
流波形で40Aを流したときのバリスタ素子両端の電圧
V4゜いとバリスタ電圧VmAとの比を測定した値であ
る。
次に耐サージ特性は、8X20pSの衝撃電流波形で2
00OAを2回印加し、印加前のバリスタ電圧V′1゜
、とじたとき、下記の式に示すとおり、印加後のバリス
タ電圧の変化率ΔV、ff1A(%)で表した。
また高温負荷特性は、周囲温度125℃において、バリ
スタ電圧VIIIAの85%の電圧を1000時間連続
印加し、耐サージ特性の場合と同時にバリスタ電圧の変
化率ΔV、、A(%)で表した。
第1表、第2表の結果から明らかなように、各配合成分
の混合割合がBi2O3が001〜2モル%、 MnO
が0.05〜3モル%、 Sb2O3が0.001〜0
.2モル%。
T i O,が0.10〜2.0モル%およびホウ珪酸
亜鉛鉛ガラスが0.01−1.0重量%の範囲内におい
て、低いバリスタ電圧で、制限電圧比、耐サージ性の変
化率。
高温負荷特性変化率が低いバリスタが得られることが分
かる。しかもバリスタ特性についても非直線指数αがさ
らに改善されている。また、第1表と第2表とを比較し
て分かるように全般的な傾向としてCr2O3の添加に
よりバリスタ電圧が一層低くなり、しかも耐サージ特性
、高温負荷特性の改善が見られる。
以上第1表、第2表は直径22φ、厚さ1.1m/mの
円板状焼結体のデータであるが、厚みの設定あるいは配
合成分の混合割合を選定することにより数V〜数十Vオ
ーダの低電圧用バリスタを得ることができる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によるときにはバリスタ電圧が低く
、しかも制限電圧が小さく、高温負荷寿命特性に優れた
バリスタを提供できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すバリスタの断面図であ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビスマス,
    コバルト,マンガン,アンチモン,チタンを含み、粒界
    にホウ珪酸亜鉛鉛ガラスを介在させた焼結体であって、 前記ビスマスはBi_2O_3の形に換算して0.1〜
    2.0モル%,コバルトはCoOの形に換算して0.0
    5〜3モル%,マンガンはMnOの形に換算して0.0
    5〜3.0モル%,アンチモンはSb_2O_3の形に
    換算して0.001〜0.20モル%,チタンはTiO
    _2の形に換算して0.10〜2.0モル%添加され、 前記ホウ珪酸亜鉛鉛ガラスは主成分と副成分との配合原
    料に対して重量比で0.01〜1.0%添加されている
    ことを特徴とする電圧非直線抵抗体。
  2. (2)酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビスマス,
    コバルト,マンガン,アンチモン,チタン,クロムを含
    み、粒界にホウ珪酸亜鉛鉛ガラスを介在させた焼結体で
    あって、 前記ビスマスはBi_2O_3の形に換算して0.1〜
    2.0モル%,コバルトはCoOの形に換算して0.0
    5〜3モル%,マンガンはMnOの形に換算して0.0
    5〜3.0モル%,アンチモンはSb_2O_3の形に
    換算して0.001〜0.10モル%,チタンはTiO
    _2の形に換算して0.10〜2.0モル%,クロムは
    Cr_2O_3の形に換算して0.01〜0.30モル
    %添加され、 前記ホウ珪酸亜鉛鉛ガラスは主成分と副成分との配合原
    料に対して重量比で0.01〜1.0%添加されている
    ことを特徴とする電圧非直線抵抗体。
JP1335736A 1989-12-25 1989-12-25 電圧非直線抵抗体 Expired - Lifetime JP2628389B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1335736A JP2628389B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 電圧非直線抵抗体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1335736A JP2628389B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 電圧非直線抵抗体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03195003A true JPH03195003A (ja) 1991-08-26
JP2628389B2 JP2628389B2 (ja) 1997-07-09

Family

ID=18291901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1335736A Expired - Lifetime JP2628389B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 電圧非直線抵抗体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2628389B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110937890A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 全球能源互联网研究院有限公司 一种避雷器用压敏电阻片及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59191303A (ja) * 1983-04-14 1984-10-30 株式会社明電舎 非直線抵抗体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59191303A (ja) * 1983-04-14 1984-10-30 株式会社明電舎 非直線抵抗体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110937890A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 全球能源互联网研究院有限公司 一种避雷器用压敏电阻片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2628389B2 (ja) 1997-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4541974A (en) Semiconductive ceramic compositions with a nonlinear volt-ampere characteristic, and process for preparing coherent bodies of such compositions
JPH11340009A (ja) 非直線抵抗体
JPH03195003A (ja) 電圧非直線抵抗体
JP2546726B2 (ja) 電圧非直線抵抗体
JP2985559B2 (ja) バリスタ
JPH038765A (ja) 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
JPH0574606A (ja) 低電圧用酸化亜鉛バリスタ
JP2715718B2 (ja) 電圧非直線抵抗体
JPS623963B2 (ja)
JPS643325B2 (ja)
JPS648442B2 (ja)
JP2555790B2 (ja) 磁器組成物及びその製造方法
JP2715717B2 (ja) 電圧非直線抵抗体
JPS5932043B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JPS6236615B2 (ja)
JPS634681B2 (ja)
JPH0732085B2 (ja) 電圧非直線抵抗体用電極材料
JPS623965B2 (ja)
JPS583364B2 (ja) 電圧非直線抵抗体
JPH03218601A (ja) バリスタの製造方法
JPS643326B2 (ja)
JPH0439761B2 (ja)
JPS623964B2 (ja)
JPH0249522B2 (ja)
JPS623962B2 (ja)