JP2546726B2 - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JP2546726B2 JP2546726B2 JP1317337A JP31733789A JP2546726B2 JP 2546726 B2 JP2546726 B2 JP 2546726B2 JP 1317337 A JP1317337 A JP 1317337A JP 31733789 A JP31733789 A JP 31733789A JP 2546726 B2 JP2546726 B2 JP 2546726B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電圧非直線抵抗体、特に低電圧領域において
使用する電圧非直線抵抗体に関する。
使用する電圧非直線抵抗体に関する。
低電圧領域で動作させる電気回路、例えば自動車に用
いる電気回路は直流12〜16Vの低電圧回路であるが、回
路の負荷には発電機やモータ、各種リレー，ソレノイド
などの誘電負荷が存在する。回路のスイッチング時に
は、これら誘電負荷から高電流，高エネルギーの開閉サ
ージが発生し、回路中の半導体が破壊されるという現象
が生ずるため、これらサージに対応できるバリスタ電圧
の低い電圧非直線抵抗体の開発が要望されている。
いる電気回路は直流12〜16Vの低電圧回路であるが、回
路の負荷には発電機やモータ、各種リレー，ソレノイド
などの誘電負荷が存在する。回路のスイッチング時に
は、これら誘電負荷から高電流，高エネルギーの開閉サ
ージが発生し、回路中の半導体が破壊されるという現象
が生ずるため、これらサージに対応できるバリスタ電圧
の低い電圧非直線抵抗体の開発が要望されている。
ところで、電圧非直線抵抗体、いわゆるバリスタとし
てはSiCバリスタ、Siバリスタなどのほか、酸化亜鉛を
主体とするセラミックからなる酸化亜鉛バリスタが開発
された（特公昭46−19478号，特公昭46−22987号，特公
昭47−28153号参照）。
てはSiCバリスタ、Siバリスタなどのほか、酸化亜鉛を
主体とするセラミックからなる酸化亜鉛バリスタが開発
された（特公昭46−19478号，特公昭46−22987号，特公
昭47−28153号参照）。
ところで、各種バリスタにはそれぞれの特長があり、
SiCバリスタは高電圧に耐えられるが10V程度のバリスタ
電圧では非直線指数αが3.0以下と小さい。
SiCバリスタは高電圧に耐えられるが10V程度のバリスタ
電圧では非直線指数αが3.0以下と小さい。
また、Siバリスタは非直線指数αは大きいという利点
があるが、バリスタ電圧は0.8V程度に限られ、所定のバ
リスタのものを任意に得られないという欠点がある。こ
の点、酸化亜鉛焼結体からなるバリスタは酸化亜鉛を主
体とし、これにビスマス，コバルト，マンガンあるいは
これらの酸化物を単独にあるいは複合して加えられたも
ので、SiCバリスタより一般に優れた特性を有し、焼結
体自体が電圧非直線性をもっているため、基本的焼結体
の厚味を変えることによって立上り電圧を制御すること
ができる、という特長がある。このバリスタは酸化亜鉛
にビスマスを添加するほか、他に添加して焼結すべき添
加物の種類，添加量を選定することにより主としてバリ
スタ特性の向上を図ることを意図して発展してきたので
あるが、その設定についての法則性は明らかではなく、
数多くの実験の繰返しにより、目的とするバリスタ性能
を得るための添加物の種類の選定及びその添加量の設定
について努力が払われてきた。
があるが、バリスタ電圧は0.8V程度に限られ、所定のバ
リスタのものを任意に得られないという欠点がある。こ
の点、酸化亜鉛焼結体からなるバリスタは酸化亜鉛を主
体とし、これにビスマス，コバルト，マンガンあるいは
これらの酸化物を単独にあるいは複合して加えられたも
ので、SiCバリスタより一般に優れた特性を有し、焼結
体自体が電圧非直線性をもっているため、基本的焼結体
の厚味を変えることによって立上り電圧を制御すること
ができる、という特長がある。このバリスタは酸化亜鉛
にビスマスを添加するほか、他に添加して焼結すべき添
加物の種類，添加量を選定することにより主としてバリ
スタ特性の向上を図ることを意図して発展してきたので
あるが、その設定についての法則性は明らかではなく、
数多くの実験の繰返しにより、目的とするバリスタ性能
を得るための添加物の種類の選定及びその添加量の設定
について努力が払われてきた。
低電圧用バリスタに関しては、Bi2O3;0.5モル％,CoO;
0.5モル％,MnO2;0.5モル％,TiO2;0.5モル％の配合を見
出して、このものはバリスタ電圧が低く、電圧非直線性
がもっとも優れていると報告されている（特公昭48−42
316号公報参照）。
0.5モル％,MnO2;0.5モル％,TiO2;0.5モル％の配合を見
出して、このものはバリスタ電圧が低く、電圧非直線性
がもっとも優れていると報告されている（特公昭48−42
316号公報参照）。
上記バリスタによるときには５〜20ボルト範囲で電圧
非直線指数αが20のものは電流の立上り特性においてみ
ればゼナーダイオードに匹敵しうるというものである
が、必ずしもこの技術の限界が示されたものではない。
また、実際の前記目的にかなる低電圧用バリスタには、
電圧非直線指数αの向上を目指すだけでなく、高電流高
エネルギーサージ耐量はもとより、制限電圧比や寿命特
性の向上を図ることが要求される。
非直線指数αが20のものは電流の立上り特性においてみ
ればゼナーダイオードに匹敵しうるというものである
が、必ずしもこの技術の限界が示されたものではない。
また、実際の前記目的にかなる低電圧用バリスタには、
電圧非直線指数αの向上を目指すだけでなく、高電流高
エネルギーサージ耐量はもとより、制限電圧比や寿命特
性の向上を図ることが要求される。
本発明の目的は上記課題を解決した実用的な電圧非直
線抵抗体を提供することにある。
線抵抗体を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明による電圧非直線抵
抗体においては、酸化亜鉛を主成分とし、副成分として
ビスマス，コバルト，マンガン，アンチモン，チタンを
含み、粒界にホウ珪酸鉛ガラスを介在させた焼結体であ
って、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.2〜2.0モル
％，コバルトはCoOの形に換算して0.05〜３モル％，マ
ンガンはMnOの形に換算して0.05〜3.0モル％，アンチモ
ンはSb2O3の形に換算して0.001〜0.20モル％，チタンは
TiO2の形に換算して0.10〜2.0モル％添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料
に対して重量比で0.01〜1.0％添加されているものであ
る。
抗体においては、酸化亜鉛を主成分とし、副成分として
ビスマス，コバルト，マンガン，アンチモン，チタンを
含み、粒界にホウ珪酸鉛ガラスを介在させた焼結体であ
って、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.2〜2.0モル
％，コバルトはCoOの形に換算して0.05〜３モル％，マ
ンガンはMnOの形に換算して0.05〜3.0モル％，アンチモ
ンはSb2O3の形に換算して0.001〜0.20モル％，チタンは
TiO2の形に換算して0.10〜2.0モル％添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料
に対して重量比で0.01〜1.0％添加されているものであ
る。
また、本発明の電圧非直線抵抗体は酸化亜鉛を主成分
とし、副成分としてビスマス，コバルト，マンガン，ア
ンチモン，チタン，クロムを含み、粒界にホウ珪酸鉛ガ
ラスを介在させた焼結体であって、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.2〜2.0モル
％，コバルトはCoOの形に換算して0.05〜３モル％，マ
ンガンはMnOの形に換算して0.05〜3.0モル％，アンチモ
ンはSb2O3の形に換算して0.001〜0.20モル％，チタンは
TiO2の形に換算して0.10〜2.0モル％，クロムはCr2O3の
形に換算して0.01〜0.30モル％添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料
に対して重量比で0.01〜1.0％添加されているものであ
る。
とし、副成分としてビスマス，コバルト，マンガン，ア
ンチモン，チタン，クロムを含み、粒界にホウ珪酸鉛ガ
ラスを介在させた焼結体であって、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.2〜2.0モル
％，コバルトはCoOの形に換算して0.05〜３モル％，マ
ンガンはMnOの形に換算して0.05〜3.0モル％，アンチモ
ンはSb2O3の形に換算して0.001〜0.20モル％，チタンは
TiO2の形に換算して0.10〜2.0モル％，クロムはCr2O3の
形に換算して0.01〜0.30モル％添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料
に対して重量比で0.01〜1.0％添加されているものであ
る。
発明者らは、電圧非直線指数αを確保してバリスタ電
圧の低電圧化を図り、しかも制限電圧を小さく、高電流
サージ耐量及び高温負荷特性を向上させることを目的と
して種々検討を行った結果、酸化亜鉛にビスマス，コバ
ルト，マンガン，アンチモン，チタン及びホウ珪酸鉛ガ
ラスを或る範囲内で添加して焼結したときに優れた特性
が得られることを見出した。また、上記添加物にCr2O3
を或る範囲で添加することは特にバリスタ電圧を低くす
る上に有効であることを見出した。焼結体の微細構造を
観察したときに、焼結体は不純物を含むZnO粒子を厚さ
１μｍ以下のBi2O3を含む金属酸化物の高抵抗層が取り
囲む構造になっている。バリスタ電圧は、電極間に存在
するこのような高抵抗の粒界層の数に比例している。し
たがつてバリスタ電圧は、ZnO粒子の粒径によって発現
されると言える。
圧の低電圧化を図り、しかも制限電圧を小さく、高電流
サージ耐量及び高温負荷特性を向上させることを目的と
して種々検討を行った結果、酸化亜鉛にビスマス，コバ
ルト，マンガン，アンチモン，チタン及びホウ珪酸鉛ガ
ラスを或る範囲内で添加して焼結したときに優れた特性
が得られることを見出した。また、上記添加物にCr2O3
を或る範囲で添加することは特にバリスタ電圧を低くす
る上に有効であることを見出した。焼結体の微細構造を
観察したときに、焼結体は不純物を含むZnO粒子を厚さ
１μｍ以下のBi2O3を含む金属酸化物の高抵抗層が取り
囲む構造になっている。バリスタ電圧は、電極間に存在
するこのような高抵抗の粒界層の数に比例している。し
たがつてバリスタ電圧は、ZnO粒子の粒径によって発現
されると言える。
本発明においては、Sb2O3は他の添加物との組合せに
おいて有効であるが、Sb2O3にはZnO粒子の成長を抑制す
る作用があるため、その添加量はできるだけ少なくし、
成長を促進するTiO2を添加することによってZnO粒子を5
0〜80μｍに粗大化させることにより、電極間に直列に
入る粒子数を少なくして素子厚さ1mm当りのバリスタ電
圧（V1mA/mm）を低いところでは20V以下までに下げるこ
とができた。またこれに加えてCr2O3を添加すると、微
細なZnOが少なくなって、粗粒が多くなるためバリスタ
電圧がさらに低下すると考えられる。
おいて有効であるが、Sb2O3にはZnO粒子の成長を抑制す
る作用があるため、その添加量はできるだけ少なくし、
成長を促進するTiO2を添加することによってZnO粒子を5
0〜80μｍに粗大化させることにより、電極間に直列に
入る粒子数を少なくして素子厚さ1mm当りのバリスタ電
圧（V1mA/mm）を低いところでは20V以下までに下げるこ
とができた。またこれに加えてCr2O3を添加すると、微
細なZnOが少なくなって、粗粒が多くなるためバリスタ
電圧がさらに低下すると考えられる。
一方、焼結体が気孔の多い微細構造であると、ZnO粒
子相互の接触が点接触状態に近くなって、これはサージ
吸収特性の重要な要素である大電流での制限電圧比（例
えば40Aと1mAの制限電圧比V40A/V1mA）が大きくなり、
また高電流サージがかわる場合にはZnO粒子接触点での
発熱，溶融などにより特性の劣化を起こす原因となる。
子相互の接触が点接触状態に近くなって、これはサージ
吸収特性の重要な要素である大電流での制限電圧比（例
えば40Aと1mAの制限電圧比V40A/V1mA）が大きくなり、
また高電流サージがかわる場合にはZnO粒子接触点での
発熱，溶融などにより特性の劣化を起こす原因となる。
本発明においては、ホウ珪酸鉛ガラスを添加すること
により、ZnO粒子の成長が均一になり、粒界層には気孔
ができ難く、ち密な微細構造となって、大電流での制限
電圧比も小さく高電流サージにも耐えられるようになっ
た。このような効果が得られるのは、単にホウ珪酸鉛ガ
ラスの添加による効果だげでなく、Bi2O3,CoO,MnO,Sb2O
3,TiO2およびCr2O3などの副成分の共存の下に得られる
効果であると考えられる。
により、ZnO粒子の成長が均一になり、粒界層には気孔
ができ難く、ち密な微細構造となって、大電流での制限
電圧比も小さく高電流サージにも耐えられるようになっ
た。このような効果が得られるのは、単にホウ珪酸鉛ガ
ラスの添加による効果だげでなく、Bi2O3,CoO,MnO,Sb2O
3,TiO2およびCr2O3などの副成分の共存の下に得られる
効果であると考えられる。
本発明において、Bi2O3の添加量が0.1モル％以下、2.
0モル％以上の領域、CoO及びMnOの添加量が0.05モル％
以下、3.0モル％以上の領域、Sb2O3の添加量が0.01モル
％以下、0.20モル％以上の領域、TiO2の添加量が0.1モ
ル％以下、1.0モル％以上の領域、Cr2O3の添加量が0.30
モル％以上、およびホウ珪酸鉛ガラスの添加量が0.01wt
％以下、1.0wt％以上の領域では、バリスタ電圧が高く
なり、非直線指数αが小さくなる傾向が見られた。特
に、ホウ珪酸鉛ガラスが上記範囲の場合、非直線指数α
の低下が著しい。また、上記範囲において制限電圧比が
大きくなる傾向にあり、耐サージ特性や高温負荷特性に
おいてもバリスタ電圧V1の変化率が大きく、特性を劣化
させる傾向にある。
0モル％以上の領域、CoO及びMnOの添加量が0.05モル％
以下、3.0モル％以上の領域、Sb2O3の添加量が0.01モル
％以下、0.20モル％以上の領域、TiO2の添加量が0.1モ
ル％以下、1.0モル％以上の領域、Cr2O3の添加量が0.30
モル％以上、およびホウ珪酸鉛ガラスの添加量が0.01wt
％以下、1.0wt％以上の領域では、バリスタ電圧が高く
なり、非直線指数αが小さくなる傾向が見られた。特
に、ホウ珪酸鉛ガラスが上記範囲の場合、非直線指数α
の低下が著しい。また、上記範囲において制限電圧比が
大きくなる傾向にあり、耐サージ特性や高温負荷特性に
おいてもバリスタ電圧V1の変化率が大きく、特性を劣化
させる傾向にある。
しかしながら、本発明において規定する各添加物の組
合せ範囲ではバリスタ電圧が低く、かつ制限電圧比が小
さく、しかも耐サージ特性および高温負荷特性はなお、
本発明においては、Bi2O3の添加量の下限は、より好ま
しい特性を与える範囲として0.2モル％以上と規定し
た。
合せ範囲ではバリスタ電圧が低く、かつ制限電圧比が小
さく、しかも耐サージ特性および高温負荷特性はなお、
本発明においては、Bi2O3の添加量の下限は、より好ま
しい特性を与える範囲として0.2モル％以上と規定し
た。
また、Cr2O30.01〜0.30モル％をさらに添加して焼結
したものは、バリスタ電圧が一層低くなり、しかも耐サ
ージ特性や高温負荷特性も改善される。
したものは、バリスタ電圧が一層低くなり、しかも耐サ
ージ特性や高温負荷特性も改善される。
なお、本発明に使用するホウ珪酸鉛ガラスは、SiO220
〜75重量％,B2O35〜40重量％,PbO5〜70重量％が組成範
囲になるもので、粒度が44μｍ以下のものである。
〜75重量％,B2O35〜40重量％,PbO5〜70重量％が組成範
囲になるもので、粒度が44μｍ以下のものである。
以下に本発明の実施例について説明する。まず本発明
の電圧非直線抵抗体の特性を測定するためその製造する
方法について説明する。
の電圧非直線抵抗体の特性を測定するためその製造する
方法について説明する。
まず、ビスマス，コバルト，マンガン，アンチモン，
チタン，クロムをBi2O3,CoO,MnO,Sb2O3,TiO2,Cr2O3の形
に換算してそれぞれ0.1〜2.0モル％,0.05〜3.0モル％,
0.05〜3.0モル％,0.001〜0.20モル％,0.1〜2.0モル％,0
〜0.30モル％の範囲で秤量し、残部をZnOとし、これに
ホウ珪酸鉛ガラスを重量比0.01〜1.0％の範囲で添加し
て混合物をボールミル等の混合粉砕機を用いて混合し
た。混合後乾燥させた混合物を任意の大きさの円柱形に
成形体に仮成形した。
チタン，クロムをBi2O3,CoO,MnO,Sb2O3,TiO2,Cr2O3の形
に換算してそれぞれ0.1〜2.0モル％,0.05〜3.0モル％,
0.05〜3.0モル％,0.001〜0.20モル％,0.1〜2.0モル％,0
〜0.30モル％の範囲で秤量し、残部をZnOとし、これに
ホウ珪酸鉛ガラスを重量比0.01〜1.0％の範囲で添加し
て混合物をボールミル等の混合粉砕機を用いて混合し
た。混合後乾燥させた混合物を任意の大きさの円柱形に
成形体に仮成形した。
次に仮成形体を700〜900℃内温度で仮焼したのち、再
度ボールミル等の粉砕機を用いて粉砕し、その後乾燥さ
せて仮焼粉末とした。
度ボールミル等の粉砕機を用いて粉砕し、その後乾燥さ
せて仮焼粉末とした。
次に、仮焼粉末にポリビニルアルコール等の有機バイ
ンダを微量添加した造粒したのち、0.5〜1.5T/cm2のプ
レス圧で直径20φ、厚さ1.1m/mの円板形状に成形体に加
工し、そして円板形状の成形体を1200〜1400℃の温度で
焼結した。
ンダを微量添加した造粒したのち、0.5〜1.5T/cm2のプ
レス圧で直径20φ、厚さ1.1m/mの円板形状に成形体に加
工し、そして円板形状の成形体を1200〜1400℃の温度で
焼結した。
第１図において、得られた円板状の焼結体１の両面に
銀ペースト等による導電性電極２を公知の方法で形成し
電極２にリード線３を半田付けしたのち、保護塗装によ
り、表面に保護膜４を設けてバリスタを完成した。第１
表及び第２表は、本発明の電圧非直線抵抗体の配合成分
の組成を変えて上記方法により製造したバリスタの特性
を測定した結果を示すものである。
銀ペースト等による導電性電極２を公知の方法で形成し
電極２にリード線３を半田付けしたのち、保護塗装によ
り、表面に保護膜４を設けてバリスタを完成した。第１
表及び第２表は、本発明の電圧非直線抵抗体の配合成分
の組成を変えて上記方法により製造したバリスタの特性
を測定した結果を示すものである。
なお、第１表のNo.28〜38及び第２表No.41〜53は、比
較試料であり、本発明の範囲外のものである。また、第
１表，第２表のNo1は、実用の範囲であるが、本発明に
おいてはこれを除外する。
較試料であり、本発明の範囲外のものである。また、第
１表，第２表のNo1は、実用の範囲であるが、本発明に
おいてはこれを除外する。
表中の電圧非直線指数αは、バリスタに0.1mAおよび1
mAの電流を流したときのバリスタ両端の電圧Ｖ0.1mAお
よびV1mAを用いて α＝1/log（V1mA/V0.1mA） の式より求めた値である。また制限電圧比は、８×20μ
Ｓの衝撃電流波形で40Aを流したときのバリスタ素子両
端の電圧V40Aとバリスタ電圧V1mAとの比を測定した値で
ある。
mAの電流を流したときのバリスタ両端の電圧Ｖ0.1mAお
よびV1mAを用いて α＝1/log（V1mA/V0.1mA） の式より求めた値である。また制限電圧比は、８×20μ
Ｓの衝撃電流波形で40Aを流したときのバリスタ素子両
端の電圧V40Aとバリスタ電圧V1mAとの比を測定した値で
ある。
次に耐サージ特性は、８×20μＳの衝撃電流波形で20
00Aを２回印加し、印加前のバリスタ電圧Ｖ′1mAとした
とき、下記の式に示すとおり、印加後のバリスタ電圧の
変化率ΔV1mA（％）で表した。
00Aを２回印加し、印加前のバリスタ電圧Ｖ′1mAとした
とき、下記の式に示すとおり、印加後のバリスタ電圧の
変化率ΔV1mA（％）で表した。
また高温負荷特性は、周囲温度125℃において、バリ
スタ電圧V1mAの85％の電圧を1000時間連続印加し、耐サ
ージ特性の場合と同時にバリスタ電圧の変化率ΔV
1mA（％）で表した。
スタ電圧V1mAの85％の電圧を1000時間連続印加し、耐サ
ージ特性の場合と同時にバリスタ電圧の変化率ΔV
1mA（％）で表した。
第１表，第２表の結果から明らかなように、各配合成
分の混合割合がBi2O3が0.1〜２モル％,MnOが0.5〜３モ
ル％,Sb2O3が0.001〜0.2モル％,TiO2が0.10〜2.0モル％
およびホウ珪酸鉛ガラスが0.01〜1.0重量％の範囲内に
おいて、低いバリスタ電圧で、制限電圧比，耐サージ性
の変化率，高温負荷特性変化率が低いバリスタが得られ
ることが分かる。しかもバリスタ特性についても非直線
指数αがさらに改善されている。また、第１表と第２表
とを比較して分かるように全般的な傾向としてCr2O3の
添加によりバリスタ電圧が一層低くなり、しかも耐サー
ジ特性、高温負荷特性の改善が見られる。
分の混合割合がBi2O3が0.1〜２モル％,MnOが0.5〜３モ
ル％,Sb2O3が0.001〜0.2モル％,TiO2が0.10〜2.0モル％
およびホウ珪酸鉛ガラスが0.01〜1.0重量％の範囲内に
おいて、低いバリスタ電圧で、制限電圧比，耐サージ性
の変化率，高温負荷特性変化率が低いバリスタが得られ
ることが分かる。しかもバリスタ特性についても非直線
指数αがさらに改善されている。また、第１表と第２表
とを比較して分かるように全般的な傾向としてCr2O3の
添加によりバリスタ電圧が一層低くなり、しかも耐サー
ジ特性、高温負荷特性の改善が見られる。
以上第１表，第２表は直径22φ，厚さ1.1m/mの円板状
焼結体のデータであるが、厚みの設定あるいは配合成分
の混合割合を選定することにより数Ｖ〜数十Ｖオーダの
低電圧用バリスタを得ることができる。
焼結体のデータであるが、厚みの設定あるいは配合成分
の混合割合を選定することにより数Ｖ〜数十Ｖオーダの
低電圧用バリスタを得ることができる。
以上のように本発明によるときにはバリスタ電圧が低
く、しかも制限電圧が小さく、高温負荷寿命特性に優れ
たバリスタを提供できる効果を有する。
く、しかも制限電圧が小さく、高温負荷寿命特性に優れ
たバリスタを提供できる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示すバリスタの断面図であ
る。 １……焼結体、２……導電性電極 ３……リード線、４……保護膜
る。 １……焼結体、２……導電性電極 ３……リード線、４……保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小泉 有輝 埼玉県狭山市新狭山１丁目11番４号 株 式会社大泉製作所内 (56)参考文献 特開 昭59−191303（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビス
マス，コバルト，マンガン，アンチモン，チタンを含
み、粒界にホウ珪酸鉛ガラスを介在させた焼結体であっ
て、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.2〜2.0モル％，
コバルトはCoOの形に換算して0.05〜３モル％，マンガ
ンはMnOの形に換算して0.05〜3.0モル％，アンチモンは
Sb2O3の形に換算して0.001〜0.20モル％，チタンはTiO2
の形に換算して0.10〜2.0モル％添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料に
対して重量比で0.01〜1.0％添加されていることを特徴
とする電圧非直線抵抗体。 - 【請求項２】酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビス
マス，コバルト，マンガン，アンチモン，チタン，クロ
ムを含み粒界にホウ珪酸鉛ガラスを介在させた焼結体で
あって、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.2〜2.0モル％，
コバルトはCoOの形に換算して0.05〜３モル％，マンガ
ンはMnOの形に換算して0.05〜3.0モル％，アンチモンは
Sb2O3の形に換算して0.001〜0.10モル％，チタンはTiO2
の形に換算して0.10〜2.0モル％，クロムはCr2O3の形に
換算して0.01〜0.30モル％添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料に
対して重量比で0.01〜1.0％添加されていることを特徴
とする電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317337A JP2546726B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317337A JP2546726B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178101A JPH03178101A (ja) | 1991-08-02 |
| JP2546726B2 true JP2546726B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=18087090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1317337A Expired - Lifetime JP2546726B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546726B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5594406A (en) * | 1992-02-25 | 1997-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide varistor and process for the production thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59191303A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-30 | 株式会社明電舎 | 非直線抵抗体 |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP1317337A patent/JP2546726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03178101A (ja) | 1991-08-02 |
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