JPH03178101A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents

電圧非直線抵抗体

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JPH03178101A
JPH03178101A JP1317337A JP31733789A JPH03178101A JP H03178101 A JPH03178101 A JP H03178101A JP 1317337 A JP1317337 A JP 1317337A JP 31733789 A JP31733789 A JP 31733789A JP H03178101 A JPH03178101 A JP H03178101A
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大沢 準一
Toshio Tate
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Hitoshi Komukai
小向 均
Ariteru Koizumi
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電圧非直線抵抗体、特に低電圧領域において使
用する電圧非直線抵抗体に関する。
〔従来の技術〕
低電圧領域で動作させる電気回路、例えば自動車に用い
る電気回路は直流12〜+6Vの低電圧回路であるが、
回路の負荷には発電機やモータ、各種リレー、ソレノイ
ドなどの誘電負荷が存在する。
回路のスイッチング時には、これら誘電負荷から高電流
、高エネルギーの開閉サージが発生し、回路中の半導体
が破壊されるという現象が生ずるため、これらサージに
対応できるバリスタ電圧の低い電圧非直線抵抗体の開発
が要望されている。
ところで、電圧非直線抵抗体、いわゆるバリスタとして
はSiCバリスタ、Siバリスタなどのほか、酸化亜鉛
を主体とするセラミックからなる酸化亜鉛バリスタが開
発された(特公昭46−19478号、特公昭46−2
2987号、特公昭47−28153号参照)。
〔発明が解決しようとする課題] ところで、各種バリスタにはそれぞれの特長があり、S
iCバリスタは高電圧に耐えられるがIOV程度のバリ
スタ電圧では非直線指数αが3.0以下と小さい。
また、Siバリスタは非直線指数αは大きいという利点
があるが、バリスタ電圧は0.8V程度に限られ、所定
のバリスタのものを任意に得られないという欠点がある
。この点、酸化亜鉛焼結体からなるバリスタは酸化亜鉛
を主体とし、これにビスマス、コバルト、マンガンある
いはこれらの酸化物を単独にあるいは複合して加えられ
たもので、SiCバリスタより一般に優れた特性を有し
、焼結体自体が電圧非直線性をもっているため、基本的
焼結体の厚味を変えることによって立上り電圧を制御す
ることができる、という特長がある。このバリスタは酸
化亜鉛にビスマスを添加するほか、他に添加して焼結す
べき添加物の種類、添加量を選定することにより主とし
てバリスタ特性の向上を図ることを意図して発展してき
たのであるが、その設定についての法則性は明らかでは
なく、数多くの実験の繰返しにより、目的とするバリス
タ性能を得るための添加物の種類の選定及びその添加量
の設定について努力が払われてきた。
低電圧用バリスタに関しては、Bi、0. ; 0.5
モル%、 CoO ; 0.5モル%、MnO,;0,
5モル%+ T t O−;0.5モル1の配合を見出
して、このものはバリスタ電圧が低く、電圧非直線性が
もっとも優れていると報告されている(特公昭48−4
2316号公報参照)。
上記バリスタによるときには5〜20ボルト範囲で電圧
非直線指数αが20のものは電流の立上り特性において
みればゼナーダイオードに匹敵しつるというものである
が、必ずしもこの技術の限界が示されたものではない。
また、実際に前記目的にかなう低電圧用バリスタには、
電圧非直線指数αの向上を目指すだけでなく、高電流高
エネルギーサージ耐量はもとより、制限電圧比や寿命特
性の向上を図ることが要求される。
本発明の目的は上記課題を解決した実用的な電圧非直線
抵抗体を提供することにある。
〔課題を解決するための手段1 上記目的を達成するため、本発明による電圧非直線抵抗
体においては、酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビ
スマス、コバルト、マンガン、アンチモン、チタンを含
み、粒界にホウ珪酸鉛ガラスを介在させた焼結体であっ
て、 前記ビスマスはBi、Oっの形に換算して0.1〜2.
0モル%、コバルトはCoOの形に換算して0.05〜
3モル%、マンガンはMnOの形に換算して0.05〜
3.0モル%、アンチモンはSb2O3の形に換算して
0.001〜0.20モル%、チタンはTiO2の形に
換算して0.10〜2.0モル%添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料に
対して重量比で0.01−1.0%添加されているもの
である。
また、本発明の電圧非直線抵抗体は酸化亜鉛を主成分と
し、副成分としてビスマス、コバルト。
マンガン、アンチモン、チタン、クロムを含み、粒界に
ホウ珪酸鉛ガラスを介在させた焼結体であって、 前記ビスマスはBi2O3の形に換算して0.1〜2.
0モル%9コバルトはCoOの形に換算して0.05〜
3モル%、マンガンはMnOの形に換算して0.05〜
3.0モル%、アンチモンはSb2O3の形に換算して
o、oot〜0,10モル%、チタンはTiO2の形に
換算して0.10〜2.0モル%、クロムはCr、0.
の形に換算して0.OI〜0.30モル%添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料に
対して重量比で0.01〜1.0%添加されているもの
である。
〔原理・作用〕
発明者らは、電圧非直線指数αを確保してバリスタ電圧
の低電圧化を図り、しかも制限電圧を小さく、高電流サ
ージ耐量及び高温負荷特性を向上させることを目的とし
て種々検討を行った結果、酸化亜鉛にビスマス、コバル
ト、マンガン、アンチモン、チタン及びホウ珪酸鉛ガラ
スを成る範囲内で添加して焼結したときに優れた特性が
得られることを見出した。また、上記添加物にCr2O
3を成る範囲で添加することは特にバリスタ電圧を低く
する上に有効であることを見出した。焼結体の微細構造
を観察したときに、焼結体は不純物を含むZnO粒子を
厚さlpm以下のBi2O3を含む金属酸化物の高抵抗
層が取り囲む構造になっている。バリスタ電圧は、電極
間に存在するこのような高抵抗の粒界層の数に比例して
いる。したがってバリスタ電圧は、ZnO粒子の粒径に
よって発現されると言える。
本発明においては、Sb2O3は他の添加物との組合せ
において有効であるが、Sb2O3にはZnO粒子の成
長を抑制する作用があるため、その添加量はできるだけ
少なくし、成長を促進するTiO2を添加することによ
ってZnO粒子を50〜80 pmに粗大化させること
により、電極間に直列に入る粒子数を少なくして素子厚
さ1m当りのバリスタ電圧(V、、A/M)を低いとこ
ろでは20V以下までに下げることができた。またこれ
に加えてCr、0.を添加すると、微細なZnOが少な
くなって、粗粒が多くなるためバリスタ電圧がさらに低
下すると考えられる。
一方、焼結体が気孔の多い微細構造であると、ZnO粒
子相互の接触が点接触状態に近くなって、これはサージ
吸収特性の重要な要素である大電流での制限電圧比(例
えば40Aと1mAの制限電圧比V40A/V、 、A
)が大きくなり、また高電流サージがかわる場合にはZ
nO粒子接触点での発熱、溶融などにより特性の劣化を
起こす原因となる。
本発明においては、ホウ珪酸鉛ガラスを添加することに
より、ZnO粒子の成長が均一になり、粒界層には気孔
ができ難く、ち密な微細構造となって、大電流での制限
電圧比も小さく高電流サージにも耐えられるようになっ
た。このような効果が得られるのは、単にホウ珪酸鉛ガ
ラスの添加による効果だけでなく、Bi2O3、Cod
、 MnO,Sb2O3。
T i O,およびCr、 0.などの副成分の共存の
下に得られる効果であると考えられる。
本発明において、Bi2O3の添加量が0.1モル%以
下、2.0モル%以上の領域、CoO及びMnOの添加
量が0.05モル%以下、3.0モル%以上の領域、s
b、 o。
の添加量が0.01モル%以下、0.20モル%以上の
領域、TiO2の添加量が0.1モル%以下、1.0モ
ル%以上の領域、Cr2O3の添加量が0.30モル%
以上、およびホウ珪酸鉛ガラスの添加量が0.01wt
%以下、1.0wt%以上の領域では、バリスタ電圧が
高くなり、非直線指数αが小さくなる傾向が見られた。
特に、ホウ珪酸鉛ガラスが上記範囲の場合、非直線指数
αの低下が著しい。また、上記範囲において制限電圧比
が大きくなる傾向にあり、耐サージ特性や高温負荷特性
においてもバリスタ電圧v1の変化率が大きく、特性を
劣化させる傾向にある。
しかしながら、本発明において規定する各添加物の組合
せ範囲ではバリスタ電圧が低く、かつ制限電圧比が小さ
く、しかも耐サージ特性および高温負荷特性は良好であ
る。
また、Crオ0.0.01〜0.30モル%をさらに添
加して焼結したものは、バリスタ電圧が一層低くなり、
しかも耐サージ特性や高温負荷特性も改善される。
なお、本発明に使用するホウ珪酸鉛ガラスは、Sin、
20〜75重量%、Bi、0.5〜40重量%、 Pb
O3〜70重量%が組成範囲になるもので、粒度が44
P11以下のものである。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例について説明する。まず本発明の
電圧非直線抵抗体の特性を測定するためその製造する方
法について説明する。
まず、ビスマス、コバルト、マンガン、アンチモン、チ
タン、クロムをBi2O3、CoO、 MnO,Sb2
O3。
T i O,、Cr2O3の形に換算してそれぞれ0.
1〜2.0モル%、 0.05〜3.0モル%、 0.
05〜3.0モル%、 0.001〜0.20モル%、
 0.10〜2.0モル%、0〜0.30モル%の範囲
で秤量し、残部をZnOとし、これにホウ珪酸鉛ガラス
を重量比0.01〜1.0%の範囲で添加して混合物を
ボールミル等の混合粉砕機を用いて混合した。混合後乾
燥させた混合物を任意の大きさの円柱形に成形体に仮成
形した。
次に仮成形体を700〜900℃内温度で仮焼したのち
、再度ボールミル等の粉砕機を用いて粉砕し、その後乾
燥させて仮焼粉末とした。
次に、仮焼粉末にポリビニルアルコール等の有機バイン
ダを微量添加して造粒したのち、0.5〜1゜5T/c
ntのプレス圧で直径22φ、厚さ1,1m/mの円板
形状の成形体に加工し、そして円板形状の成形体を12
00〜1400℃の温度で焼結した。
第1図において、得られた円板状の焼結体lの両面に銀
ペースト等による導電性電極2を公知の方法で形成し電
t!!2にリード線3を半田付けしたのち、保護塗装に
より、表面に保護膜4を設けてバリスタを完成した。第
1表及び第2表は、本発明の電圧非直線抵抗体の配合成
分の組成を変えて上記方法により製造したバリスタの特
性を測定した結果を示すものである。
なお、第1表の1h28〜38及び第2表階41〜53
は、比較試料であり、本発明の範囲外のものである。
表中の電圧非直線係数αは、バリスタにO,I mAお
よび1mAの電流を流したときのバリスタ両端の11を
圧V、、、、AおよびV+nAを用いてa = 1/I
log (V、 mA/V*、 I 、A)の式より求
めた値である。また制限電圧比は、8X20pSの衝撃
電流波形で4OAを流したときのバリスタ素子両端の電
圧V411Aとバリスタ電圧V+、、Aとの比を測定し
た値である。
次に耐サージ特性は、5x2opsの衝撃電流波形で2
00OAを2回印加し、印加前のバリスタ電圧v′。
、、Aとしたとき、下記の式に示すとおり、印加後のバ
リスタ電圧の変化率ΔV、 mA (%)で表した。
また高温負荷特性は、周囲温度125℃において、バリ
スタ電圧V1+mAの85%の電圧を1000時間連続
印加し、耐サージ特性の場合と同時にバリスタ電圧の変
化率ΔV、、A(%)で表した。
第1表、第2表の結果から明らかなように、各配合成分
の混合割合がBi2O3が0.1〜2モル%、 MnO
が0.05〜3モル%、 Sb2O3が0.001〜0
.2モル%。
Ti 0.が0.10〜2.0モル%およびホウ珪酸鉛
ガラスが0.01−1.0重量%の範囲内において、低
いバリスタ電圧で、制限電圧比、耐サージ性の変化率、
高温負荷特性変化率が低いバリスタが得られることが分
かる。しかもバリスタ特性についても非直線指数αがさ
らに改善されている。また、第1表と第2表とを比較し
て分かるように全般的な傾向としてCr2O3の添加に
よりバリスタ電圧が一層低くなり、しかも耐サージ特性
、高温負荷特性の改善が見られる。
以上第1表、第2表は直径22φ、厚さ1.1m/mの
円板状焼結体のデータであるが、厚みの設定あるいは配
合成分の混合割合を選定することにより数V〜数十■オ
ーダの低電圧用バリスタを得ることができる。
[発明の効果] 以上のように本発明によるときにはバリスタ電圧が低く
、しかも制限電圧が小さく、高温負荷寿命特性に優れた
バリスタを提供できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すバリスタの断面図であ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビスマス,
    コバルト,マンガン,アンチモン,チタンを含み、粒界
    にホウ珪酸鉛ガラスを介在させた焼結体であって、 前記ビスマスはBi_2O_3の形に換算して0.1〜
    2.0モル%,コバルトはCoOの形に換算して0.0
    5〜3モル%,マンガンはMnOの形に換算して0.0
    5〜3.0モル%,アンチモンはSb_2O_3の形に
    換算して0.001〜0.20モル%,チタンはTiO
    _2の形に換算して0.10〜2.0モル%添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料に
    対して重量比で0.01〜1.0%添加されていること
    を特徴とする電圧非直線抵抗体。
  2. (2)酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビスマス,
    コバルト,マンガン,アンチモン,チタン,クロムを含
    み、粒界にホウ珪酸鉛ガラスを介在させた焼結体であっ
    て、 前記ビスマスはBi_2O_3の形に換算して0.1〜
    2.0モル%,コバルトはCoOの形に換算して0.0
    5〜3モル%,マンガンはMnOの形に換算して0.0
    5〜3.0モル%,アンチモンはSb_2O_3の形に
    換算して0.001〜0.10モル%,チタンはTiO
    _2の形に換算して0.10〜2.0モル%,クロムは
    Cr_2O_3の形に換算して0.01〜0.30モル
    %添加され、 前記ホウ珪酸鉛ガラスは主成分と副成分との配合原料に
    対して重量比で0.01〜1.0%添加されていること
    を特徴とする電圧非直線抵抗体。
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WO1993017438A1 (fr) * 1992-02-25 1993-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Galvanoresistance a l'oxyde de zinc et son procede de production
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