JP3256366B2 - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JP3256366B2 JP3256366B2 JP03706594A JP3706594A JP3256366B2 JP 3256366 B2 JP3256366 B2 JP 3256366B2 JP 03706594 A JP03706594 A JP 03706594A JP 3706594 A JP3706594 A JP 3706594A JP 3256366 B2 JP3256366 B2 JP 3256366B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＺｎＯを主成分とし、
少なくともＢｉ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加混合し、成
形、焼成してなる電圧非直線抵抗体の製造方法に関する
ものである。
少なくともＢｉ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加混合し、成
形、焼成してなる電圧非直線抵抗体の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＺｎＯを主成分とする電圧非直線抵抗体
は、その優れた非直線電圧−電流特性から電圧安定化あ
るいはサージ吸収を目的として、避雷器やサージアブソ
ーバに広く利用されている。この電圧非直線抵抗体は、
主成分のＺｎＯにＢｉ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 等の酸化物を
添加して成形、焼成、好ましくは側面高抵抗層を形成す
るための無機物質を塗布した後再度焼成し、その焼結体
に電極を取り付けることにより作製することができる。
は、その優れた非直線電圧−電流特性から電圧安定化あ
るいはサージ吸収を目的として、避雷器やサージアブソ
ーバに広く利用されている。この電圧非直線抵抗体は、
主成分のＺｎＯにＢｉ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 等の酸化物を
添加して成形、焼成、好ましくは側面高抵抗層を形成す
るための無機物質を塗布した後再度焼成し、その焼結体
に電極を取り付けることにより作製することができる。
【０００３】このうち、低温焼成によってもバリスタ電
圧、電圧非直線指数、制限電圧等の電気的特性の良好な
電圧非直線抵抗体を得るため、添加物およびＺｎＯの粉
末として、それぞれ５０重量％以上の粒子の粒径が０．
１μm 以下であり、９９重量％以上の粒子の粒径が０．
５μm 以下である原料粉末を使用する技術が、特公昭６
０−９２７号公報において知られている。
圧、電圧非直線指数、制限電圧等の電気的特性の良好な
電圧非直線抵抗体を得るため、添加物およびＺｎＯの粉
末として、それぞれ５０重量％以上の粒子の粒径が０．
１μm 以下であり、９９重量％以上の粒子の粒径が０．
５μm 以下である原料粉末を使用する技術が、特公昭６
０−９２７号公報において知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
６０−９２７号公報に記載された技術では、ＺｎＯだけ
でなく他のすべての添加物をも、５０重量％以上の粒子
の粒径が０．１μm 以下であり、９９重量％以上の粒子
の粒径が０．５μm 以下となるような微細化した原料粉
末として使用しているため、電気的特性を良好にはでき
るものの、緻密化が遅く、緻密な電圧非直線抵抗体を得
ることができない問題があった。
６０−９２７号公報に記載された技術では、ＺｎＯだけ
でなく他のすべての添加物をも、５０重量％以上の粒子
の粒径が０．１μm 以下であり、９９重量％以上の粒子
の粒径が０．５μm 以下となるような微細化した原料粉
末として使用しているため、電気的特性を良好にはでき
るものの、緻密化が遅く、緻密な電圧非直線抵抗体を得
ることができない問題があった。
【０００５】本発明の目的は上述した課題を解消して、
より緻密な電圧非直線抵抗体を得ることができる電圧非
直線抵抗体の製造方法を提供しようとするものである。
より緻密な電圧非直線抵抗体を得ることができる電圧非
直線抵抗体の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の電圧非直線抵抗
体の製造方法は、ＺｎＯを主成分とし、少なくともＢｉ
2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加混合し、成形、焼成してなる
電圧非直線抵抗体の製造方法において、使用する原料粉
末の、ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 それぞれの５０重量％以
上の粒子の粒径が０．１μm 以下であり、Ｓｂ2 Ｏ3 の
５０重量％以上の粒子の粒径が０．５μm 以上で最大径
が１μm 以下であることを特徴とするものである。
体の製造方法は、ＺｎＯを主成分とし、少なくともＢｉ
2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加混合し、成形、焼成してなる
電圧非直線抵抗体の製造方法において、使用する原料粉
末の、ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 それぞれの５０重量％以
上の粒子の粒径が０．１μm 以下であり、Ｓｂ2 Ｏ3 の
５０重量％以上の粒子の粒径が０．５μm 以上で最大径
が１μm 以下であることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】上述した構成において、原料粉末中のＺｎＯお
よび他の添加物のうち、ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 は従来
と同様に微細化する一方、Ｓｂ2 Ｏ3 および好ましくは
Ｓｂ2 Ｏ3 とＣｒ2 Ｏ3 を、５０重量％以上の粒子の粒
径が０．５μm 以上で最大径が１μm 以下とある程度大
きい粒子とした原料粉末を使用し、従来と同様に造粒、
成形、焼成して電圧非直線抵抗体を得ると、緻密な電圧
非直線抵抗体を得ることができることを見い出した。
よび他の添加物のうち、ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 は従来
と同様に微細化する一方、Ｓｂ2 Ｏ3 および好ましくは
Ｓｂ2 Ｏ3 とＣｒ2 Ｏ3 を、５０重量％以上の粒子の粒
径が０．５μm 以上で最大径が１μm 以下とある程度大
きい粒子とした原料粉末を使用し、従来と同様に造粒、
成形、焼成して電圧非直線抵抗体を得ると、緻密な電圧
非直線抵抗体を得ることができることを見い出した。
【０００８】ここで、Ｓｂ2 Ｏ3 および好ましくはＳｂ
2 Ｏ3 とＣｒ2 Ｏ3 を微細化せずある程度大きくするこ
とで、緻密な電圧非直線抵抗体を得ることができる理由
は、液相焼結において緻密化と粒成長抑制は相反するも
のであり、液相中での物質移動を抑制することで粒成長
抑制が行われる。粒成長抑制剤は液相焼結中の溶解−析
出過程における界面での物質輸送を遅くする効果があ
り、粒成長速度が減少すると緻密化速度も減少すると一
般的に考えられる。また、粒径が小さいほうが活性化に
富み緻密化は促進される。ＺｎＯバリスターはＢｉ2 Ｏ
3 相が液相を生成し緻密化を行う液相焼結であること、
またＳｂ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 が粒成長抑制効果を持って
いることはよく知られている。よって、ＺｎＯ，Ｂｉ2
Ｏ3 粒子を細かくすること、Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 粒
子の粒径をある程度大きくすることで緻密化が促進され
たと推察される。
2 Ｏ3 とＣｒ2 Ｏ3 を微細化せずある程度大きくするこ
とで、緻密な電圧非直線抵抗体を得ることができる理由
は、液相焼結において緻密化と粒成長抑制は相反するも
のであり、液相中での物質移動を抑制することで粒成長
抑制が行われる。粒成長抑制剤は液相焼結中の溶解−析
出過程における界面での物質輸送を遅くする効果があ
り、粒成長速度が減少すると緻密化速度も減少すると一
般的に考えられる。また、粒径が小さいほうが活性化に
富み緻密化は促進される。ＺｎＯバリスターはＢｉ2 Ｏ
3 相が液相を生成し緻密化を行う液相焼結であること、
またＳｂ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 が粒成長抑制効果を持って
いることはよく知られている。よって、ＺｎＯ，Ｂｉ2
Ｏ3 粒子を細かくすること、Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 粒
子の粒径をある程度大きくすることで緻密化が促進され
たと推察される。
【０００９】
【実施例】本発明の電圧非直線抵抗体の製造方法は、ま
ず、主成分となる酸化亜鉛と、酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、酸化マンガン等の副成分の所定量からなる原料粉
末、例えばＢｉ2 Ｏ3 1.0 mol%、Ｓｂ2 Ｏ3 1.0 mol%、
Ｃｒ2 Ｏ3 0.5 mol%、ＭｎＯ2 0.5 mol%、ＣｏＯ 1.0 m
ol% 、ＳｉＯ2 1.5 mol%、ＮｉＯ 1.0 mol% 、Ａｌ2 Ｏ
3 0.005 mol%、残部ＺｎＯからなる原料粉末を準備す
る。
ず、主成分となる酸化亜鉛と、酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、酸化マンガン等の副成分の所定量からなる原料粉
末、例えばＢｉ2 Ｏ3 1.0 mol%、Ｓｂ2 Ｏ3 1.0 mol%、
Ｃｒ2 Ｏ3 0.5 mol%、ＭｎＯ2 0.5 mol%、ＣｏＯ 1.0 m
ol% 、ＳｉＯ2 1.5 mol%、ＮｉＯ 1.0 mol% 、Ａｌ2 Ｏ
3 0.005 mol%、残部ＺｎＯからなる原料粉末を準備す
る。
【００１０】ここで重要なのは、ＺｎＯおよびその他の
添加物のうち、ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 をそれぞれ５０
重量％以上の粒子の粒径が０．１μm 以下に調整すると
ともに、Ｓｂ2 Ｏ3 および好ましくはＳｂ2 Ｏ3 とＣｒ
2 Ｏ3 をそれぞれ５０重量％以上の粒子の粒径が０．５
μm 以上で最大径が１μm 以下に調整することである。
ここで規定した原料以外の原料については、その粒子分
布は特に限定せず、従来と同様に微細化した粒子を使用
することができる。
添加物のうち、ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 をそれぞれ５０
重量％以上の粒子の粒径が０．１μm 以下に調整すると
ともに、Ｓｂ2 Ｏ3 および好ましくはＳｂ2 Ｏ3 とＣｒ
2 Ｏ3 をそれぞれ５０重量％以上の粒子の粒径が０．５
μm 以上で最大径が１μm 以下に調整することである。
ここで規定した原料以外の原料については、その粒子分
布は特に限定せず、従来と同様に微細化した粒子を使用
することができる。
【００１１】次に、準備した原料粉末をボールミル等で
湿式混合し、乾燥、造粒後、所定の形状に成形し、得ら
れた成形体を脱脂してバインダーを除去する。その後、
得られた脱脂体を、好ましくは加圧装置を兼ね備えた加
熱装置により加圧しながら所定の焼成スケジュールで焼
成して焼結体を得る。再度に焼結体の両端面を好ましく
は研磨し、アルミニウムメタリコン溶射または銀焼き付
け等の方法で電極を形成して、例えば直径４７ｍｍ、電
極径４６ｍｍ、厚さ２０ｍｍの電圧非直線抵抗体を得て
いる。
湿式混合し、乾燥、造粒後、所定の形状に成形し、得ら
れた成形体を脱脂してバインダーを除去する。その後、
得られた脱脂体を、好ましくは加圧装置を兼ね備えた加
熱装置により加圧しながら所定の焼成スケジュールで焼
成して焼結体を得る。再度に焼結体の両端面を好ましく
は研磨し、アルミニウムメタリコン溶射または銀焼き付
け等の方法で電極を形成して、例えば直径４７ｍｍ、電
極径４６ｍｍ、厚さ２０ｍｍの電圧非直線抵抗体を得て
いる。
【００１２】以下、実際の例について説明する。実施例１ まず、電圧非直線抵抗体を構成する代表的な試薬を入手
し、以下の表１に示したＡ〜Ｃの配合割合に準じて、以
下の表２に記載したように、ＺｎＯとＢｉ2 Ｏ 3 、Ｓｂ
2 Ｏ3 およびその他の原料の粒度を調整し、粒度調整し
た試料Ｎｏ．１〜９の原料粉末を得た。次に、得られた
各原料粉末を２００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で予備成形し、
昇温速度：２００℃／ｈｒ、１２００℃で１時間保持、
降温速度：２００ｋｇ／ｃｍ2 のスケジュールで焼成を
行った。焼成は、大気雰囲気での常圧焼成と加圧機構を
兼ね備えた加熱装置での加圧焼成を行った。最後に得ら
れた焼成体それぞれについて、浮力法による嵩密度測定
を行った。結果を併せて表２に示す。
し、以下の表１に示したＡ〜Ｃの配合割合に準じて、以
下の表２に記載したように、ＺｎＯとＢｉ2 Ｏ 3 、Ｓｂ
2 Ｏ3 およびその他の原料の粒度を調整し、粒度調整し
た試料Ｎｏ．１〜９の原料粉末を得た。次に、得られた
各原料粉末を２００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で予備成形し、
昇温速度：２００℃／ｈｒ、１２００℃で１時間保持、
降温速度：２００ｋｇ／ｃｍ2 のスケジュールで焼成を
行った。焼成は、大気雰囲気での常圧焼成と加圧機構を
兼ね備えた加熱装置での加圧焼成を行った。最後に得ら
れた焼成体それぞれについて、浮力法による嵩密度測定
を行った。結果を併せて表２に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】表２の結果から、ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3
の粒度を５０重量％以上の粒子の粒径が０．１μm 以下
とし、Ｓｂ2 Ｏ3 の粒度を５０重量％以上の粒子の粒径
が０．５μm 以上で最大径が１μm 以下とした試料Ｎ
ｏ．４〜６が、その他の原料の粒度がいずれであって
も、常圧焼成、加圧焼成を問わず最高の嵩密度が得られ
ることがわかる。また、常圧焼成と加圧焼成を比較する
と、いずれの場合も加圧焼成の方が高い嵩密度を得るこ
とができる。
の粒度を５０重量％以上の粒子の粒径が０．１μm 以下
とし、Ｓｂ2 Ｏ3 の粒度を５０重量％以上の粒子の粒径
が０．５μm 以上で最大径が１μm 以下とした試料Ｎ
ｏ．４〜６が、その他の原料の粒度がいずれであって
も、常圧焼成、加圧焼成を問わず最高の嵩密度が得られ
ることがわかる。また、常圧焼成と加圧焼成を比較する
と、いずれの場合も加圧焼成の方が高い嵩密度を得るこ
とができる。
【００１６】実施例２ その他の原料中に含まれるＣｒ2 Ｏ3 の粒度分布の影響
を調べるため、実施例１の試料Ｎｏ．５において以下の
表３に示すようにＣｒ2 Ｏ3 の粒度を表１のＡＢＣに従
って変化させて実施例１と同様の製造法に従って試料Ｎ
ｏ．１１〜１３の焼成体を得て、実施例１と同様に嵩密
度を測定した。結果を表３に示す。
を調べるため、実施例１の試料Ｎｏ．５において以下の
表３に示すようにＣｒ2 Ｏ3 の粒度を表１のＡＢＣに従
って変化させて実施例１と同様の製造法に従って試料Ｎ
ｏ．１１〜１３の焼成体を得て、実施例１と同様に嵩密
度を測定した。結果を表３に示す。
【００１７】
【表３】
【００１８】表３の結果から、本発明例の中でも、さら
にＣｒ2 Ｏ3 の粒度を５０重量％以上の粒子の粒径が
０．５μm 以上で最大径が１μm 以下とした試料Ｎｏ．
１２が、常圧焼成、加圧焼成を問わず良好な嵩密度を得
ることができることがわかった。
にＣｒ2 Ｏ3 の粒度を５０重量％以上の粒子の粒径が
０．５μm 以上で最大径が１μm 以下とした試料Ｎｏ．
１２が、常圧焼成、加圧焼成を問わず良好な嵩密度を得
ることができることがわかった。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、原料粉末中のＺｎＯおよび他の添加物のうち、
ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 は従来と同様に微細化する一
方、Ｓｂ2 Ｏ3 および好ましくはＳｂ2 Ｏ3 とＣｒ2 Ｏ
3 を、５０重量％以上の粒子の粒径が０．５μm 以上で
最大径が１μm 以下とある程度大きい粒子とした原料粉
末を使用し、従来と同様に造粒、成形、焼成して電圧非
直線抵抗体を得ると、緻密な電圧非直線抵抗体を得るこ
とができる。
よれば、原料粉末中のＺｎＯおよび他の添加物のうち、
ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 は従来と同様に微細化する一
方、Ｓｂ2 Ｏ3 および好ましくはＳｂ2 Ｏ3 とＣｒ2 Ｏ
3 を、５０重量％以上の粒子の粒径が０．５μm 以上で
最大径が１μm 以下とある程度大きい粒子とした原料粉
末を使用し、従来と同様に造粒、成形、焼成して電圧非
直線抵抗体を得ると、緻密な電圧非直線抵抗体を得るこ
とができる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−189201（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−21199（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−14401（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−220402（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−149401（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−927（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (3)
- 【請求項１】ＺｎＯを主成分とし、少なくともＢｉ2 Ｏ
3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加混合し、成形、焼成してなる電圧
非直線抵抗体の製造方法において、使用する原料粉末
の、ＺｎＯおよびＢｉ2 Ｏ3 それぞれの５０重量％以上
の粒子の粒径が０．１μm 以下であり、Ｓｂ2 Ｏ3 の５
０重量％以上の粒子の粒径が０．５μm 以上で最大径が
１μm 以下であることを特徴とする電圧非直線抵抗体の
製造方法。 - 【請求項２】前記原料粉末中に、５０重量％以上の粒子
の粒径が０．５μm 以上で最大径が１μm 以下であるＣ
ｒ2 Ｏ3 をさらに添加した請求項１記載の電圧非直線抵
抗体の製造方法。 - 【請求項３】加圧装置を兼ね備えた加熱装置により加圧
しながら焼成する請求項１または２記載の電圧非直線抵
抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03706594A JP3256366B2 (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03706594A JP3256366B2 (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249505A JPH07249505A (ja) | 1995-09-26 |
| JP3256366B2 true JP3256366B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=12487157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03706594A Expired - Lifetime JP3256366B2 (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3256366B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5150111B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | ＺｎＯバリスター粉末 |
-
1994
- 1994-03-08 JP JP03706594A patent/JP3256366B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07249505A (ja) | 1995-09-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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