JPS5850703A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPS5850703A JPS5850703A JP56147948A JP14794881A JPS5850703A JP S5850703 A JPS5850703 A JP S5850703A JP 56147948 A JP56147948 A JP 56147948A JP 14794881 A JP14794881 A JP 14794881A JP S5850703 A JPS5850703 A JP S5850703A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気的特性の優れ九電圧非直線抵抗体の製造方
法に関する。
法に関する。
従来の電圧非直線抵抗体用の喫緒素体は酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）を主成分とし、副成分として三酸化ビスマス（Ｂｉ
２０３） ｓ酸化コバルト（Ｃｏｏ）％酸化マンガン（
−〇）などの金＄１１ＰＩＮ化物を少徽加え、これを混
合、造粒、成型した後、ｔｔｏｏ〜１４００℃の温度で
焼結することによって得られている。
Ｏ）を主成分とし、副成分として三酸化ビスマス（Ｂｉ
２０３） ｓ酸化コバルト（Ｃｏｏ）％酸化マンガン（
−〇）などの金＄１１ＰＩＮ化物を少徽加え、これを混
合、造粒、成型した後、ｔｔｏｏ〜１４００℃の温度で
焼結することによって得られている。
このようにして得られた電圧非直線抵抗体を電力用避雷
器のごとき大きなサージ−収を目的とするものに利用す
るときは、特に非直線性が優れていること、換首すれば
１μＡ〜１０ｍＡの小電流域における制限電圧ができる
限り大きく、１ｏｏＡ〜限り１００Ｋ近いことが要求さ
れる。すなわち、非直線性がよくない場合には、電圧非
直線抵抗体く電圧を印加した場合、素体内を流れる電流
が増加し、ジュール熱を発生し、素体の温度上昇を起こ
１７、さらに電流が増加し、ついには熱暴走を起こして
所定の電気的特性が得られなくなるおそれがあり、さら
にサージに対する安定性や寿命特性などの点についても
従来のものは不充分であった。
器のごとき大きなサージ−収を目的とするものに利用す
るときは、特に非直線性が優れていること、換首すれば
１μＡ〜１０ｍＡの小電流域における制限電圧ができる
限り大きく、１ｏｏＡ〜限り１００Ｋ近いことが要求さ
れる。すなわち、非直線性がよくない場合には、電圧非
直線抵抗体く電圧を印加した場合、素体内を流れる電流
が増加し、ジュール熱を発生し、素体の温度上昇を起こ
１７、さらに電流が増加し、ついには熱暴走を起こして
所定の電気的特性が得られなくなるおそれがあり、さら
にサージに対する安定性や寿命特性などの点についても
従来のものは不充分であった。
このため、シ気的特性向上の要求に対して種々の製造方
法の改良の試みがなされている。すなわち１１） Ｚｎ
Ｏ主成分に対する添加副成分の配合を変える方法、たと
えば特定成分を微量添加したや、配合Ｉを増減したりす
る方法、（２）Ｚｎ□を主成分りし、副成分としてＢ
ｉ ２０３ 、Ｃｏｏ、ＭｎＯなどを添加したものを７
００〜１２５０°Ｃの＠変で仮焼し九後粉砕し成型して
１１５０〜１４００’Ｏの温度で焼結する方法、（３）
副成分のみを７００〜１２５０℃の温度で仮焼した後、
：Ｅ’ｆｆ１分のＺｎＯと混合、成型し１１５０〜１４
００℃の温度で焼結する方法等が試み゛られている。し
かしながら、（１）の方法においヤは常時ａｔ竜王に対
するもれ電流増加率を小さく押えるような配合組成に′
Ｒえ九嵯田非直線抵抗体では寿命特性を向上させること
はできるが、逆にサージに対する安定性や、非直線性、
特に制限電圧比特性が低下する傾向にある。また（２）
の方法においてはＺｎＯの瞳に対して副成分が微量であ
るため混合度が悪く、不均一な副成分の分散が起こシ、
その九め仮焼工程を加えても焼結時に結晶粒子の成長の
バラツキが大きく、結果として制限電圧のバラツキが大
きくなり、制限電圧比特性サージに対する安定性も劣る
欠点がある。さらに（３）つ方法でも充分満足できる電
気的特性は得られない欠点がちる。
法の改良の試みがなされている。すなわち１１） Ｚｎ
Ｏ主成分に対する添加副成分の配合を変える方法、たと
えば特定成分を微量添加したや、配合Ｉを増減したりす
る方法、（２）Ｚｎ□を主成分りし、副成分としてＢ
ｉ ２０３ 、Ｃｏｏ、ＭｎＯなどを添加したものを７
００〜１２５０°Ｃの＠変で仮焼し九後粉砕し成型して
１１５０〜１４００’Ｏの温度で焼結する方法、（３）
副成分のみを７００〜１２５０℃の温度で仮焼した後、
：Ｅ’ｆｆ１分のＺｎＯと混合、成型し１１５０〜１４
００℃の温度で焼結する方法等が試み゛られている。し
かしながら、（１）の方法においヤは常時ａｔ竜王に対
するもれ電流増加率を小さく押えるような配合組成に′
Ｒえ九嵯田非直線抵抗体では寿命特性を向上させること
はできるが、逆にサージに対する安定性や、非直線性、
特に制限電圧比特性が低下する傾向にある。また（２）
の方法においてはＺｎＯの瞳に対して副成分が微量であ
るため混合度が悪く、不均一な副成分の分散が起こシ、
その九め仮焼工程を加えても焼結時に結晶粒子の成長の
バラツキが大きく、結果として制限電圧のバラツキが大
きくなり、制限電圧比特性サージに対する安定性も劣る
欠点がある。さらに（３）つ方法でも充分満足できる電
気的特性は得られない欠点がちる。
本発明方法は上記の点に鑑み、非直線性（制限電圧比特
性）サージに対する安定性及び寿命を著しく改良する事
のできる電圧非直線抵抗体の製造方法を提供する事を目
的とする。
性）サージに対する安定性及び寿命を著しく改良する事
のできる電圧非直線抵抗体の製造方法を提供する事を目
的とする。
本発明はＺｎＯを主成分とし、副成分として少なくとも
Ｂｉ ２０３ ｅ−ＣｏＯ，ＭｎＯ，ＢａＯ，ＭｇＯを
含みこれを混合。
Ｂｉ ２０３ ｅ−ＣｏＯ，ＭｎＯ，ＢａＯ，ＭｇＯを
含みこれを混合。
造粒、成型、焼成すること（よって非直線性を有する焼
結体を得る製造方法において、 （Ａ） Ｂｉ２Ｏ３，Ｃｏｏ、ＭｎＯ，ＢａＯを含む第
１の副成分を混合し７００〜ｓ ｏ ｏ ’ｏで仮焼し
粉砕する工程；（Ｂ） Ｂ ｉ ２０３ 、Ｃｏｏ、Ｍ
ｎＯ，ｈＪｇｏを含む第２の副成分を混合し８００〜９
００°０で仮焼し粉砂する工程；（ｑ前虻工８（Ａ）お
よび（ロ）により得られた仮焼粉をＺｎＯと混合する工
程；及び ０ＩｉｔＪ紀工程（ｑにより得られた粉末を造粒、成型
焼成する工程を含むことを特徴とする電圧非直線抵抗体
の製造方法（係るものであり、さらには。
結体を得る製造方法において、 （Ａ） Ｂｉ２Ｏ３，Ｃｏｏ、ＭｎＯ，ＢａＯを含む第
１の副成分を混合し７００〜ｓ ｏ ｏ ’ｏで仮焼し
粉砕する工程；（Ｂ） Ｂ ｉ ２０３ 、Ｃｏｏ、Ｍ
ｎＯ，ｈＪｇｏを含む第２の副成分を混合し８００〜９
００°０で仮焼し粉砂する工程；（ｑ前虻工８（Ａ）お
よび（ロ）により得られた仮焼粉をＺｎＯと混合する工
程；及び ０ＩｉｔＪ紀工程（ｑにより得られた粉末を造粒、成型
焼成する工程を含むことを特徴とする電圧非直線抵抗体
の製造方法（係るものであり、さらには。
前記第１及び１２の副成分のうちＢａＯとＭｇＯとの比
率が３０ニア０〜７０：３０（ｍｏｌ＊）であることを
特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法に係るものであ
る。
率が３０ニア０〜７０：３０（ｍｏｌ＊）であることを
特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法に係るものであ
る。
なお、本発明に係る電圧非直線抵抗体の組成は主成分Ｚ
ｎＯ９９，６４９〜７８．９ ｍｏｌ ＊、副成分ＢＩ
２０３０．１〜３．０ｍｎＪ嘩、Ｃｏ００．０５〜２．
０ ｍｏｌ乞ＭｎＯ０，０５〜２．０ｍｏ／ ４％Ｂａ
Ｏ０，１〜２．０ｍｏ１％、ＭｇＯ０，０５〜２．０ｒ
ｎｏ１％を塙本として、５ｂ２０３ 、Ｎｉｐ、 Ｓ
１０２ 、ＡＪ ２０３ 。
ｎＯ９９，６４９〜７８．９ ｍｏｌ ＊、副成分ＢＩ
２０３０．１〜３．０ｍｎＪ嘩、Ｃｏ００．０５〜２．
０ ｍｏｌ乞ＭｎＯ０，０５〜２．０ｍｏ／ ４％Ｂａ
Ｏ０，１〜２．０ｍｏ１％、ＭｇＯ０，０５〜２．０ｒ
ｎｏ１％を塙本として、５ｂ２０３ 、Ｎｉｐ、 Ｓ
１０２ 、ＡＪ ２０３ 。
Ｃｒ ２０３をそれぞれ０．０５〜３．０ ｍｏｌ ４
０．０５〜２．０ ｍｏｌ４、０．１〜３．０ｍｏ１４
．０．００１〜０．１ｍ０ｅ％、 ０．０５〜２．０ｍ
ｏｌ ４の一種又はそれ以上もしくけ他の成分を含んだ
組成のものが適するものである。
０．０５〜２．０ ｍｏｌ４、０．１〜３．０ｍｏ１４
．０．００１〜０．１ｍ０ｅ％、 ０．０５〜２．０ｍ
ｏｌ ４の一種又はそれ以上もしくけ他の成分を含んだ
組成のものが適するものである。
ｔた、本発明における＊ｉの副成分゛の仮焼温度を７０
０℃から８００℃とし九のは第１の副成分の仮焼が７０
０’０未満では非直線性、サージ特性、および寿命特性
がいずれも大幅に低下し、を九、８００℃を超えると、
副成分中で反応がすすみすぎ、粉体が固まってしまい、
結局、すぐれた特性は得られない、ま九、第２の副成分
の仮焼温度を８ｏ。
０℃から８００℃とし九のは第１の副成分の仮焼が７０
０’０未満では非直線性、サージ特性、および寿命特性
がいずれも大幅に低下し、を九、８００℃を超えると、
副成分中で反応がすすみすぎ、粉体が固まってしまい、
結局、すぐれた特性は得られない、ま九、第２の副成分
の仮焼温度を８ｏ。
°０から９００″Ｏとしたのはｓｏｏ′Ｏより低い場合
、または９００°Ｃを超える場合本、同様にすぐれた特
性は得られない欠点がある。さらに、ｔｓｌおよび第２
の副成分のうちＢａＯとＭｇＯとの比率を３０ ： ７
０〜７０：３０に限定した理由け２０：８０以下になる
とＢａＯの添加効果が失１われてぃき、小電流破の非Ｉ
Ｋ線性が悪化し、全体として制限電圧比を悪化させる。
、または９００°Ｃを超える場合本、同様にすぐれた特
性は得られない欠点がある。さらに、ｔｓｌおよび第２
の副成分のうちＢａＯとＭｇＯとの比率を３０ ： ７
０〜７０：３０に限定した理由け２０：８０以下になる
とＢａＯの添加効果が失１われてぃき、小電流破の非Ｉ
Ｋ線性が悪化し、全体として制限電圧比を悪化させる。
を九、８０：２０以上１（なると、大電流斌の電圧が上
昇しすぎてしまい、結果として制限電圧比を悪化させる
。シ九がって、ＢａＯとＭｇＯとの比率は３０ニア０か
ら７０：３０の間に＠御することが好ましい。
昇しすぎてしまい、結果として制限電圧比を悪化させる
。シ九がって、ＢａＯとＭｇＯとの比率は３０ニア０か
ら７０：３０の間に＠御することが好ましい。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
（実権例１）
ＺｎＯ９７，４９ｍｏ７ ％ 、 Ｂ１２Ｏ３０，５ｍ
Ｏ／ 、 Ｃｏ００．５ｍ０Ｊ％ 、ＭｎＯ０，５ｍ
ｏｊ 優λ１２０３０．０１ ｍｏｌ ４ ＢａＯＱ
、５ ｍｏ１％ 、 ＭｇＯＯ，５ｍｏｌ −よ抄な
る組成において、第１の副成分としてのＢｉ２Ｏ３０，
２５ｍｏ１％、Ｃｏｏ Ｏ，２５ｍｏｌ −、Ｍｏ０
０．２５ ｍｏ１９６ ＃ ＢａＯＯ，５ｍｏｌ ’
１ｋをボットミルで混合し、６００〜１０００℃で仮焼
し、その後ボットミルで微粉砕した。また、第２の副成
分としてｆ） Ｂｉ２Ｏ３０，２５ｍｏｌ 、 Ｃｏｏ
Ｏ，２５ｍｏｌ ’ｌｋ ＃ Ｍｎ００．２５ ｍｏ
ｌ ’ｌｉ 、 ＭｇＯ０，５ｍｏｌ −をボット建ル
テ混合１、； ６００〜１０００℃で仮焼し、その後ボ
ットミルで微粉砕し丸、コれらをＺｎＯ９７，４９ｍ０
ｌ ＊ 。
Ｏ／ 、 Ｃｏ００．５ｍ０Ｊ％ 、ＭｎＯ０，５ｍ
ｏｊ 優λ１２０３０．０１ ｍｏｌ ４ ＢａＯＱ
、５ ｍｏ１％ 、 ＭｇＯＯ，５ｍｏｌ −よ抄な
る組成において、第１の副成分としてのＢｉ２Ｏ３０，
２５ｍｏ１％、Ｃｏｏ Ｏ，２５ｍｏｌ −、Ｍｏ０
０．２５ ｍｏ１９６ ＃ ＢａＯＯ，５ｍｏｌ ’
１ｋをボットミルで混合し、６００〜１０００℃で仮焼
し、その後ボットミルで微粉砕した。また、第２の副成
分としてｆ） Ｂｉ２Ｏ３０，２５ｍｏｌ 、 Ｃｏｏ
Ｏ，２５ｍｏｌ ’ｌｋ ＃ Ｍｎ００．２５ ｍｏ
ｌ ’ｌｉ 、 ＭｇＯ０，５ｍｏｌ −をボット建ル
テ混合１、； ６００〜１０００℃で仮焼し、その後ボ
ットミルで微粉砕し丸、コれらをＺｎＯ９７，４９ｍ０
ｌ ＊ 。
Ａｔ２０３０．０１ ｒｙｌｏＪ 優トｆｉ ＆ Ｌ、
造粒、ｓａｔ、九ｍ、１２００’Ｏで２時間燐酸して焼
結体を得、両面を平行に、研磨を行ない直径４５＋ｕ厚
さ２ｏ關の円板状焼結体を得た。この円板面に人ｌ溶射
し電極を取付は電子非直線抵抗体を得た。この電圧非直
線抵抗体の非直線性は抵抗体素子ＫＩＯＫＡの電流を流
し九ときの電圧（Ｖｒｏｋ＾）と素子に１ｍＡの電流を
流し九ときの電圧（Ｖｌｍｘ）との比（ＶｔｏｋＡ／Ｖ
ｔｍム）、すなわち制限電圧比で表わし、各々の副成分
の仮焼温間に対する制限電圧比の１係を（表１）に示し
九。
造粒、ｓａｔ、九ｍ、１２００’Ｏで２時間燐酸して焼
結体を得、両面を平行に、研磨を行ない直径４５＋ｕ厚
さ２ｏ關の円板状焼結体を得た。この円板面に人ｌ溶射
し電極を取付は電子非直線抵抗体を得た。この電圧非直
線抵抗体の非直線性は抵抗体素子ＫＩＯＫＡの電流を流
し九ときの電圧（Ｖｒｏｋ＾）と素子に１ｍＡの電流を
流し九ときの電圧（Ｖｌｍｘ）との比（ＶｔｏｋＡ／Ｖ
ｔｍム）、すなわち制限電圧比で表わし、各々の副成分
の仮焼温間に対する制限電圧比の１係を（表１）に示し
九。
ｆ九、サージ印加による小電流域の特性の変化をも（表
１）Ｋ示した。電圧変化率は素子ＫＩＯμＮの電流を流
し九ときの電圧（Ｖ ｌ０ＪＡ）のサージ印加前後の変
化率であられし九。なおサーザ電流は８Ｘ２０：ａｓ
ＩＯＫ＆を３０秒間隔で１０回印加し丸。また、寿命特
性の評価はＶｌｍＡの９５％の電圧を１２０℃の雰囲気
下で３００時間印加し、その前後のＶＩＯカムの変化率
で行ない、それをも（表１）Ｋ合わせて示し丸、また、
比較の丸め同じ配合組成を用いて仮焼を行なわない従来
の方法についての結果も表１に示す。
１）Ｋ示した。電圧変化率は素子ＫＩＯμＮの電流を流
し九ときの電圧（Ｖ ｌ０ＪＡ）のサージ印加前後の変
化率であられし九。なおサーザ電流は８Ｘ２０：ａｓ
ＩＯＫ＆を３０秒間隔で１０回印加し丸。また、寿命特
性の評価はＶｌｍＡの９５％の電圧を１２０℃の雰囲気
下で３００時間印加し、その前後のＶＩＯカムの変化率
で行ない、それをも（表１）Ｋ合わせて示し丸、また、
比較の丸め同じ配合組成を用いて仮焼を行なわない従来
の方法についての結果も表１に示す。
以下余白
（表１）
（表１）力１ら、明らかな如し、本発−に係る試料４８
，９，１３，１４ではＢｉ２Ｏ３，ＣｏＯ，ＭｎＯ，Ｂ
ａＯを含む第１の副成分の仮焼温度を７００〜ｓｏｏ’
ｏに、さらに８７２０３．ＣｏＯ，ＭｎＯ，ＭＧＺＯを
含む第２の副成分の仮焼温度を８００〜９００’Ｏにそ
れぞれ調整することにより、非直線性を改良し、さらに
サージに対する安定性や寿命特性をも改良することがわ
かる。す／ＶｌｏμＡを１０％以内にすることができ九
、これらの特性の著しい改善効果は非直線抵抗体を避雷
器などに適用するに際して必要不可欠であ抄、本実施例
の電圧非直線抵抗体の製造方法は、これらの要求を充分
満足するものである０次に実施例２について説明する。
，９，１３，１４ではＢｉ２Ｏ３，ＣｏＯ，ＭｎＯ，Ｂ
ａＯを含む第１の副成分の仮焼温度を７００〜ｓｏｏ’
ｏに、さらに８７２０３．ＣｏＯ，ＭｎＯ，ＭＧＺＯを
含む第２の副成分の仮焼温度を８００〜９００’Ｏにそ
れぞれ調整することにより、非直線性を改良し、さらに
サージに対する安定性や寿命特性をも改良することがわ
かる。す／ＶｌｏμＡを１０％以内にすることができ九
、これらの特性の著しい改善効果は非直線抵抗体を避雷
器などに適用するに際して必要不可欠であ抄、本実施例
の電圧非直線抵抗体の製造方法は、これらの要求を充分
満足するものである０次に実施例２について説明する。
（実施例２）
Ｚｎ０９４．４９ｍｏ／％ ｅ Ｂｕｚｚｓ ｏ、ｓｍ
ｏｌ＊ 、 Ｃｏ００．５ｍｏｌ優 、 八（ｎｏ
０．５ｍｏ／ ４ 、 Ｂａ０ ０．１−−１
ｍｏ１９６ ＃ ：〜（ｇｏｏ、１〜１ｍｏ／％
、５ｂ２０３０．１ｍｏｌ’１６．Ｎｉ００．５ｍ０
１１＃ ８１０２ １．０ｍｏｆ４ 、 ＡＪ！２０３
０．０１ ｍｏｌ噂、 Ｃｒ２Ｏ３０，５ｍ０１’１６
よ抄なるｍ咬において、 Ｂｉ２Ｏ３，Ｃｏｏ、Ｍｎ
Ｏ，ＢａＯを含む第１の副成分と、Ｂｉ２Ｏ３，Ｃｏｏ
、ＭｎＯ，ＭｇＯを含む第２の副成分との比率を（表２
）のように変化させた組成のもとテＢｉ ２０３ 、Ｃ
ｏｏ、ＭｎＯ，ＢａＯを含む第１の副成分をボットミル
で混合し、７５０℃で仮焼し、その後ボア）ミルで微粉
砕した。ｔた、Ｂｉ ２０３ 、Ｃｏｏ、ＭｎＯ。
ｏｌ＊ 、 Ｃｏ００．５ｍｏｌ優 、 八（ｎｏ
０．５ｍｏ／ ４ 、 Ｂａ０ ０．１−−１
ｍｏ１９６ ＃ ：〜（ｇｏｏ、１〜１ｍｏ／％
、５ｂ２０３０．１ｍｏｌ’１６．Ｎｉ００．５ｍ０
１１＃ ８１０２ １．０ｍｏｆ４ 、 ＡＪ！２０３
０．０１ ｍｏｌ噂、 Ｃｒ２Ｏ３０，５ｍ０１’１６
よ抄なるｍ咬において、 Ｂｉ２Ｏ３，Ｃｏｏ、Ｍｎ
Ｏ，ＢａＯを含む第１の副成分と、Ｂｉ２Ｏ３，Ｃｏｏ
、ＭｎＯ，ＭｇＯを含む第２の副成分との比率を（表２
）のように変化させた組成のもとテＢｉ ２０３ 、Ｃ
ｏｏ、ＭｎＯ，ＢａＯを含む第１の副成分をボットミル
で混合し、７５０℃で仮焼し、その後ボア）ミルで微粉
砕した。ｔた、Ｂｉ ２０３ 、Ｃｏｏ、ＭｎＯ。
〜ｆｇｏを含む第２の副成分をボットミルで混合し、８
５０℃で仮焼し、その後ポットミルで微粉砕した。
５０℃で仮焼し、その後ポットミルで微粉砕した。
これらをＺｎＯ，Ａ／２０３と混合し、造粒成型し先後
１２００’Ｏで２時間焼成して焼結体を得、両面を千行
く研轡を行ない、直径４５朋厚さ２０ｍ＋１１の円板状
焼結体を得た。この円板面にＡＩ溶射し、電極を取付け
、電子非直線抵抗体を得た。この電圧非直線抵抗体の非
［＠性、サージに対する安定性、寿命性を（実施例１）
と同一の方法により評価した結果を（表２）Ｋ示した。
１２００’Ｏで２時間焼成して焼結体を得、両面を千行
く研轡を行ない、直径４５朋厚さ２０ｍ＋１１の円板状
焼結体を得た。この円板面にＡＩ溶射し、電極を取付け
、電子非直線抵抗体を得た。この電圧非直線抵抗体の非
［＠性、サージに対する安定性、寿命性を（実施例１）
と同一の方法により評価した結果を（表２）Ｋ示した。
ま九比較のため仮焼を行なわない従来の方法についての
結果をも（表２）に示し九。
結果をも（表２）に示し九。
（表２）
（表２）から明らかな如く、本発明に係る試料、４２８
〜３２．３５〜３７ではＢ ｌ ２０３ 、Ｃｏｏ 、
ＭｎＯ、ＢａＯを含ｔｒ第１の副成分とＢｉ ２０３
、Ｃｏｏ、ＭｎＯ，ＭｇＯを含む第２の副成分のうちの
ＢａＯとＭρとの比率を３０＝７０〜７０〜３０に選ぶ
ことにより、非直線性を改良し、さらにサージに対する
安定性や寿命特性をも１．６９以下１ｃシ、サージ特性
△ｖ１ｏｇ／ｌｏμ入を１〇慢以内にし、寿命特性ΔＶ
ＩＯμＡ／ｖｌＯμムを１〇−以内にすることができた
。これらの特性の著しい改善効果は非直線抵抗体を避雷
器などに適用するに際して必要不可欠であり、本実施例
の電圧非直線抵抗体の製造方法はこれらの要求を充分満
足するものである。
〜３２．３５〜３７ではＢ ｌ ２０３ 、Ｃｏｏ 、
ＭｎＯ、ＢａＯを含ｔｒ第１の副成分とＢｉ ２０３
、Ｃｏｏ、ＭｎＯ，ＭｇＯを含む第２の副成分のうちの
ＢａＯとＭρとの比率を３０＝７０〜７０〜３０に選ぶ
ことにより、非直線性を改良し、さらにサージに対する
安定性や寿命特性をも１．６９以下１ｃシ、サージ特性
△ｖ１ｏｇ／ｌｏμ入を１〇慢以内にし、寿命特性ΔＶ
ＩＯμＡ／ｖｌＯμムを１〇−以内にすることができた
。これらの特性の著しい改善効果は非直線抵抗体を避雷
器などに適用するに際して必要不可欠であり、本実施例
の電圧非直線抵抗体の製造方法はこれらの要求を充分満
足するものである。
なお、本実施例に督いて出発原料はすべて酸化物を用い
たが、高温で酸化物になるもの、たとえば炭酸化物でも
よい。
たが、高温で酸化物になるもの、たとえば炭酸化物でも
よい。
本発明による電圧非直線抵抗体の製造方法を使用するこ
とにより電気的特性が著しく改善される原因は必ずしも
明らかではないが、その一つとしては次のように考えら
れる。すなわち、副成分のうちのＢａＯは粒界相に析出
し界面を安定化するため小電流域の非直線性改善に著し
い効果を示す。
とにより電気的特性が著しく改善される原因は必ずしも
明らかではないが、その一つとしては次のように考えら
れる。すなわち、副成分のうちのＢａＯは粒界相に析出
し界面を安定化するため小電流域の非直線性改善に著し
い効果を示す。
一方ＭｇＯは抵抗体の大電流域における制限這王を低く
する効果がちるＪ、シかし、仮焼を行なわない従来の製
造方法におい゛ては、これらの悪い面が顕著にあられ＋
Ｌろ、すなわち、 ＢａＯは大電流域の制限ｆ／ＩＦＥ
を−ヒげ、ｌＶｇｏは小電流域の制限′シ王を下げその
結果全体としては、非直線性（九とえばもＢａＯ）−Ｍ
ｇＯとを同時に仮焼しても、全体としては非直線性は改
善されない。しかしながら、本発明の製造方法により、
それぞれ別々に仮焼し混合する場合にはこれらの悪い面
がさ＃１ど顕著にはあられれず、むしろ本来の好ましい
特性があられれる。すなわち、 ＢａＯは小電流域の制
限電圧を上げ、ＭｇＯけ大電流域の御限電圧を上げ、全
体として制限電子比を小さくシ、改善しているものと考
える。
する効果がちるＪ、シかし、仮焼を行なわない従来の製
造方法におい゛ては、これらの悪い面が顕著にあられ＋
Ｌろ、すなわち、 ＢａＯは大電流域の制限ｆ／ＩＦＥ
を−ヒげ、ｌＶｇｏは小電流域の制限′シ王を下げその
結果全体としては、非直線性（九とえばもＢａＯ）−Ｍ
ｇＯとを同時に仮焼しても、全体としては非直線性は改
善されない。しかしながら、本発明の製造方法により、
それぞれ別々に仮焼し混合する場合にはこれらの悪い面
がさ＃１ど顕著にはあられれず、むしろ本来の好ましい
特性があられれる。すなわち、 ＢａＯは小電流域の制
限電圧を上げ、ＭｇＯけ大電流域の御限電圧を上げ、全
体として制限電子比を小さくシ、改善しているものと考
える。
以上説明したように、本発明によれば電力用避雷器のよ
うに大きなサージ吸収を必要とし、・非直線性が優れ、
さらにサージ印加に対する安定性や寿命特性に優れ九１
Ｅ庄非直線抵抗体の製造に対しては特に効果が大である
。
うに大きなサージ吸収を必要とし、・非直線性が優れ、
さらにサージ印加に対する安定性や寿命特性に優れ九１
Ｅ庄非直線抵抗体の製造に対しては特に効果が大である
。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
（ほか１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ＺｎＯを主成分とし、副成分として少なくと４＋４ｉ
２０３．ＣｏＯ，ＭｎＯ，ＢａＯ，ＭｇＯを含み、これ
を混合、造粒、成型、焼成することＫよって、非直線性
を有する焼結体を得る電圧非直線抵抗体の製造方法にお
いて、 （Ａ） Ｂ ｉ ２０３ 、Ｃｏｏ 、ＭｎＯ，ＢａＯ
、ｆ含む第１の副成分を混合し７００〜８００℃で仮焼
し粉砕する工程；＠Ｂ ｉ ２０３ 、Ｃｏｄ、ＭｎＯ
，ＭｇＯを含む第２の副成分を混合し８００〜９００’
Ｏで仮焼し粉砕する工程；（ｑ前配工程囚および（ロ）
により得られた仮焼粉をＺｎＯと混合する工程：及び （１１）前記工程（ｑにより得られた粉末を造粒、成型
、焼成する工程を含むことを特徴とする電圧非直線抵抗
体の製造方法。 ■第１および第２の副成分のうちＢａＯとＭｇＯとの比
率が３０ニア０〜７０：３０（ｍｏ１％）であることを
特徴とする特許請求の範囲第一項（記載の電圧非直線抵
抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147948A JPS5850703A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147948A JPS5850703A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850703A true JPS5850703A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15441683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147948A Pending JPS5850703A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016146379A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電圧非直線性抵抗体組成物とこれを用いたバリスタおよび積層バリスタ |
| JP2019516235A (ja) * | 2016-03-17 | 2019-06-13 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | セラミック材料、バリスタ、並びにセラミック材料及びバリスタの製造方法 |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP56147948A patent/JPS5850703A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016146379A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電圧非直線性抵抗体組成物とこれを用いたバリスタおよび積層バリスタ |
| JP2019516235A (ja) * | 2016-03-17 | 2019-06-13 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | セラミック材料、バリスタ、並びにセラミック材料及びバリスタの製造方法 |
| US11031159B2 (en) | 2016-03-17 | 2021-06-08 | Tdk Electronics Ag | Ceramic material, varistor and methods of preparing the ceramic material and the varistor |
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