JPH0131682B2 - - Google Patents

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JPH0131682B2
JPH0131682B2 JP57035862A JP3586282A JPH0131682B2 JP H0131682 B2 JPH0131682 B2 JP H0131682B2 JP 57035862 A JP57035862 A JP 57035862A JP 3586282 A JP3586282 A JP 3586282A JP H0131682 B2 JPH0131682 B2 JP H0131682B2
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JP
Japan
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oxide
antimony
diffraction line
intensity peak
zinc oxide
Prior art date
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Expired
Application number
JP57035862A
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English (en)
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JPS58153302A (ja
Inventor
Yoshiro Kato
Hideo Ookuma
Zenji Sakurai
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグ
ネシウムを主成分とし、焼結体自体が非直線抵抗
特性をもつ非直線抵抗体の製造方法に関するもの
である。
〔発明の技術的背景と問題点〕
非直線抵抗体は一般にはバリスタと呼ばれ、そ
の優れた非直線電圧−電流特性が利用されて電圧
安定化、あるいはサージ吸収を目的とした避雷器
やサージアプソーバに広く利用されている。代表
的なものとして、近年開発された酸化亜鉛バリス
タがある。これは酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸
化マグネシウムを主成分とし、これに少量のビス
マス、アンチモン、コバルト、マンガン、クロム
等の酸化物を添加し、混合造粒、成形した後、空
気中で高温焼成し、その焼結体に電極を取り付け
て構成されるものである。その非直線抵抗特性は
非常に優れており、焼結体は酸化亜鉛粒子とその
周囲を取りまく添加物により形成される粒界層か
らなり、優れた非直線抵抗特性は酸化亜鉛粒子と
粒界層との界面に起因すると考えられている。
しかしながら、これらの非直線抵抗体を工業的
に量産製造すると非直線抵抗特性の低下やその特
性上のバラツキばかりでなく、課電寿命、放電耐
電等の他の性能低下をもが発生するという問題点
があつた。
その原因は、主成分である酸化亜鉛あるいは酸
化亜鉛と酸化マグネシウムに添加され、粒界層を
形成するビスマス、アンチモン、コバルト、マン
ガン、クロム等の酸化物の量が極めて少量である
ことである。(添加物全体でも10%以下、各成分
によつては0.5%以下)したがつて主成分と添加
物の混合方法が重要である事は勿論であるが、一
方反応機構上からは、出発原料の物性バラツキ、
特に粒界中のスネピル層形成〔(ZnMg)7Sb2O12
又はZnSb2O6〕上大きな役割を果たしている酸化
アンチモン自体の組成に基づく物性が特に大きく
影響しているものと考えられる。一般に市販され
ている酸化アンチモンは、製法の関係からSb2O3
の結晶形が、第1図に示すX線回折ライン121と
222から推測できる様に斜方晶形と等軸晶形の混
在系の強度ピーク比ほぼ0.5であり、又、Sb2O4
Sb2O5が1〜2%混入しており純度ほぼ98%、平
均粒径が1乃至10μmとなつているのが通常であ
る。
この様に酸化アンチモンの出発原料にSb2O3
結晶形態が混在しているものやSb2O4、Sb2O5
が混入しているものを使用した場合、混在、混入
比率によつて反応機構に微妙な影響をおよぼし、
最終的に形成するスピネル層の安定性、即ち非直
線抵抗体の特性安定性に直結するものと考えられ
る。
〔発明の目的〕
本発明は上記点に鑑みなされたもので、出発原
料としての酸化アンチモン組成の三酸化アンチモ
ン(Sb2O3)純度、結晶形、粒径を規制したもの
を使用する事によつて安定した非直線抵抗特性を
有する非直線抵抗体の製造方法を提供することを
目的とするものである。
〔発明の概要〕
本発明は酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグ
ネシウムを主成分としてこれに少くとも一種類以
上の金属酸化物を添加混合し、この混合物を成形
した後焼成する電圧非直線抵抗体の製造方法にお
いて、前記金属酸化物としての酸化アンチモン組
成はa)三酸化アンチモンの純度99.0%以上、
b)三酸化アンチモンのX線回折によつて得られ
る回折ライン121(斜方晶形)と回折ライン222(等
軸晶形)の強度ピーク比(回折ライン121の強度
ピーク/回折ライン222の強度ピーク)が0.3以
下、c)平均粒径5μm以下であることをその特徴
とする。
〔発明の実施例〕
次に本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。ZnOを例えば80モル%と、少なくとも一種類
の金属酸化物、例えばMgO14モル%、Bi2O32モ
ル%、Sb2O31.5モル%、CoO1.1モル%、
Cr2O30.5モル%、MnO0.5モル%、Fe2O30.4モル
%の割合で秤量する。
この場合酸化アンチモンは三酸化アンチモン
Sb2O3純度が99.5%以上、Sb2O3の結晶形は第2
図の121回折ラインが示す様な斜方晶形をほとん
ど含まない等軸晶形のもの及び平均粒径2.5μmの
もの使用した。
次に秤量した酸化物を例えばボールミルに入
れ、脱イオン水を一諸に24時間ボールミルを作動
させて、混合する。
混合物を乾燥させ、電気炉に入れて仮焼する。
仮焼温度は例えば900℃で2時間適当である。
仮焼すると酸化物は塊状になるので、粉砕して
微粒子にする。粉砕前の酸化物に例えばポリビニ
ルアルコールを酸化物に対する重量比で例えば
100分の1混合する。
微粉砕にはボールミルを用いる。これにより微
粉砕された酸化物とポリビニルアルコールとは実
質的に均質に混合されている。
次に酸化物を造粒装置例えばスプレードライヤ
ーに入れ、粒径が例えば100ないし300ミクロンの
球状団粒にする。
この粉末状混合物をプレスにかけ、例えば直径
100mm、厚さ25の円板に成形する。
この成形物を電気炉に入れ焼成する。焼成温度
は例えば1300℃で、時間は6時間が適当である。
焼成後の円板状焼成物は焼成前より収縮するが
ほぼ均質な組成、密度を有する。
次に円板状焼成物の両面を軽く研磨して焼成物
を露出させる。この露出面に例えばアルミニウム
を溶射して、電極を形成し非直線抵抗体を形成す
る。
このようにして得られた非直線抵抗体の電気特
性を第3図及び第4図に示す。
第3図は90℃の恒温槽中でV1mA(1mAを非直
線抵抗体に流した場合の端子間電圧)の85%を非
直線抵抗体に印加した時の漏洩電流の変化を示
す。また第4図は10KAの電流を100回まで印加
したときのV1mAの値の変化率(△V/V1mA)
を示す。各図において、実線Aは従来の純度98
%、強度ピーク比0.5、平均粒径6μmの三酸化ア
ンチモンを用いた非直線抵抗体の特性を、鎖線B
は本実施例による非直線抵抗体の特性を示す。
第3図から明らかなように本実施例による非直
線抵抗体は、従来の非直線抵抗体に比べて課電電
圧に対する漏洩電流の変化が著しく改善され。換
言すれば、寿命特性が改良されている。更に、第
4図から明らかなように、本実施例による非直線
抵抗体は、従来の非直線抵抗体に比べて、衝撃電
流耐量特性をも著しく改善されている。
この様な第3図及び第4図に示す優れた特性が
得られるのは、Sb2O3の出発原料の物性を規制す
る事によつて、他の添加物と反応してできる粒界
中のスピネル層が安定化しているものと思われ
る。
本発明者らが三酸化アンチモンの純度、強度ピ
ーク比、平均粒径の組合せを種々検討した結果特
性の安定度はSb2O3の純度が99%以上、X線回折
ライン121と222の回折強度ピーク比が
121(斜方晶形)/222(等軸晶形)=0.3以下及び平均
粒径が5μ以下 のものを使用した時良好であることが判明した。
又、微細構造分析によれば、酸化アンチモンの出
発原料物性の差は生成スピンネル層の“量”及び
“厚さ”に有意差を生じ、反応機構の違いの一端
を窺うことができる。
なお、第3図及び第4図に示された特性上の違
いは第5図で示す様に量産時の管理特性である
V1mA、IR(抵抗分もれ電流)C(静電容量)等の
基本特性バラツキの大きさにも見られる。
第5図のE曲線の様に、管理幅から例えば30%
以上外れたものが出現した場合を“ロツト不良”
と判定した場合、従来の酸化アンチモン出発原料
物性を規制しない時の標準バラツキはD曲線で代
表されるが、不良のE曲線になる危険確率も約10
%含んでいた。
本実施例によれば標準バラツキはC曲線で代表
され、最悪の場合でもD曲線内に収まり、不良ロ
ツト発生を皆無にできることがわかる。
上記実施例で示した材料組成及び、製造設備−
方法は酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグネシ
ウムを主成分とし、バリスタ特性が得られるもの
であれば上記実施例に必ずしも限定されるもので
はない。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明によれば、酸化アンチ
モンの出発原料物性を規制する事によつて、特性
が安定化した非直線抵抗体を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の酸化アンチモン組成のX線回折
図で示す説明図、第2図は本発明の一実施例の酸
化アンチモン組成のX線回折図、第3図は本発明
の一実施例に係る電圧非直線抵抗体の課電時間−
漏洩電流の関係を示す特性図、第4図は衝撃電流
耐量特性線図、第5図はバリスタ特性のバラツキ
を示す特性図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグネシウ
    ムを主成分として、これに少くとも酸化アンチモ
    ンを含む金属酸化物を添加混合し、この混合物を
    成形した後焼成する電圧非直線抵抗体の製造方法
    において、前記金属酸化物としての酸化アンチモ
    ンは a) 三酸化アンチモンの純度が99.0%以上 b) 三酸化アンチモンのX線回折によつて得ら
    れる回折ライン121(斜方晶形)と回折ライン
    222(等軸晶形)の強度ピーク比(回折ライン
    121の強度ピーク/回折ライン222の強度ピー
    ク)が0.3以下 c) 平均粒径5μm以下である ことの3条件を満足するものである電圧非直線抵
    抗体の製造方法。
JP57035862A 1982-03-09 1982-03-09 電圧非直線抵抗体の製造方法 Granted JPS58153302A (ja)

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JPS58153302A JPS58153302A (ja) 1983-09-12
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JPS6197801A (ja) * 1984-10-18 1986-05-16 株式会社東芝 非直線抵抗体

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