JPH0131682B2 - - Google Patents
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- JPH0131682B2 JPH0131682B2 JP57035862A JP3586282A JPH0131682B2 JP H0131682 B2 JPH0131682 B2 JP H0131682B2 JP 57035862 A JP57035862 A JP 57035862A JP 3586282 A JP3586282 A JP 3586282A JP H0131682 B2 JPH0131682 B2 JP H0131682B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグ
ネシウムを主成分とし、焼結体自体が非直線抵抗
特性をもつ非直線抵抗体の製造方法に関するもの
である。
ネシウムを主成分とし、焼結体自体が非直線抵抗
特性をもつ非直線抵抗体の製造方法に関するもの
である。
非直線抵抗体は一般にはバリスタと呼ばれ、そ
の優れた非直線電圧−電流特性が利用されて電圧
安定化、あるいはサージ吸収を目的とした避雷器
やサージアプソーバに広く利用されている。代表
的なものとして、近年開発された酸化亜鉛バリス
タがある。これは酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸
化マグネシウムを主成分とし、これに少量のビス
マス、アンチモン、コバルト、マンガン、クロム
等の酸化物を添加し、混合造粒、成形した後、空
気中で高温焼成し、その焼結体に電極を取り付け
て構成されるものである。その非直線抵抗特性は
非常に優れており、焼結体は酸化亜鉛粒子とその
周囲を取りまく添加物により形成される粒界層か
らなり、優れた非直線抵抗特性は酸化亜鉛粒子と
粒界層との界面に起因すると考えられている。
の優れた非直線電圧−電流特性が利用されて電圧
安定化、あるいはサージ吸収を目的とした避雷器
やサージアプソーバに広く利用されている。代表
的なものとして、近年開発された酸化亜鉛バリス
タがある。これは酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸
化マグネシウムを主成分とし、これに少量のビス
マス、アンチモン、コバルト、マンガン、クロム
等の酸化物を添加し、混合造粒、成形した後、空
気中で高温焼成し、その焼結体に電極を取り付け
て構成されるものである。その非直線抵抗特性は
非常に優れており、焼結体は酸化亜鉛粒子とその
周囲を取りまく添加物により形成される粒界層か
らなり、優れた非直線抵抗特性は酸化亜鉛粒子と
粒界層との界面に起因すると考えられている。
しかしながら、これらの非直線抵抗体を工業的
に量産製造すると非直線抵抗特性の低下やその特
性上のバラツキばかりでなく、課電寿命、放電耐
電等の他の性能低下をもが発生するという問題点
があつた。
に量産製造すると非直線抵抗特性の低下やその特
性上のバラツキばかりでなく、課電寿命、放電耐
電等の他の性能低下をもが発生するという問題点
があつた。
その原因は、主成分である酸化亜鉛あるいは酸
化亜鉛と酸化マグネシウムに添加され、粒界層を
形成するビスマス、アンチモン、コバルト、マン
ガン、クロム等の酸化物の量が極めて少量である
ことである。(添加物全体でも10%以下、各成分
によつては0.5%以下)したがつて主成分と添加
物の混合方法が重要である事は勿論であるが、一
方反応機構上からは、出発原料の物性バラツキ、
特に粒界中のスネピル層形成〔(ZnMg)7Sb2O12
又はZnSb2O6〕上大きな役割を果たしている酸化
アンチモン自体の組成に基づく物性が特に大きく
影響しているものと考えられる。一般に市販され
ている酸化アンチモンは、製法の関係からSb2O3
の結晶形が、第1図に示すX線回折ライン121と
222から推測できる様に斜方晶形と等軸晶形の混
在系の強度ピーク比ほぼ0.5であり、又、Sb2O4や
Sb2O5が1〜2%混入しており純度ほぼ98%、平
均粒径が1乃至10μmとなつているのが通常であ
る。
化亜鉛と酸化マグネシウムに添加され、粒界層を
形成するビスマス、アンチモン、コバルト、マン
ガン、クロム等の酸化物の量が極めて少量である
ことである。(添加物全体でも10%以下、各成分
によつては0.5%以下)したがつて主成分と添加
物の混合方法が重要である事は勿論であるが、一
方反応機構上からは、出発原料の物性バラツキ、
特に粒界中のスネピル層形成〔(ZnMg)7Sb2O12
又はZnSb2O6〕上大きな役割を果たしている酸化
アンチモン自体の組成に基づく物性が特に大きく
影響しているものと考えられる。一般に市販され
ている酸化アンチモンは、製法の関係からSb2O3
の結晶形が、第1図に示すX線回折ライン121と
222から推測できる様に斜方晶形と等軸晶形の混
在系の強度ピーク比ほぼ0.5であり、又、Sb2O4や
Sb2O5が1〜2%混入しており純度ほぼ98%、平
均粒径が1乃至10μmとなつているのが通常であ
る。
この様に酸化アンチモンの出発原料にSb2O3で
結晶形態が混在しているものやSb2O4、Sb2O5等
が混入しているものを使用した場合、混在、混入
比率によつて反応機構に微妙な影響をおよぼし、
最終的に形成するスピネル層の安定性、即ち非直
線抵抗体の特性安定性に直結するものと考えられ
る。
結晶形態が混在しているものやSb2O4、Sb2O5等
が混入しているものを使用した場合、混在、混入
比率によつて反応機構に微妙な影響をおよぼし、
最終的に形成するスピネル層の安定性、即ち非直
線抵抗体の特性安定性に直結するものと考えられ
る。
本発明は上記点に鑑みなされたもので、出発原
料としての酸化アンチモン組成の三酸化アンチモ
ン(Sb2O3)純度、結晶形、粒径を規制したもの
を使用する事によつて安定した非直線抵抗特性を
有する非直線抵抗体の製造方法を提供することを
目的とするものである。
料としての酸化アンチモン組成の三酸化アンチモ
ン(Sb2O3)純度、結晶形、粒径を規制したもの
を使用する事によつて安定した非直線抵抗特性を
有する非直線抵抗体の製造方法を提供することを
目的とするものである。
本発明は酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグ
ネシウムを主成分としてこれに少くとも一種類以
上の金属酸化物を添加混合し、この混合物を成形
した後焼成する電圧非直線抵抗体の製造方法にお
いて、前記金属酸化物としての酸化アンチモン組
成はa)三酸化アンチモンの純度99.0%以上、
b)三酸化アンチモンのX線回折によつて得られ
る回折ライン121(斜方晶形)と回折ライン222(等
軸晶形)の強度ピーク比(回折ライン121の強度
ピーク/回折ライン222の強度ピーク)が0.3以
下、c)平均粒径5μm以下であることをその特徴
とする。
ネシウムを主成分としてこれに少くとも一種類以
上の金属酸化物を添加混合し、この混合物を成形
した後焼成する電圧非直線抵抗体の製造方法にお
いて、前記金属酸化物としての酸化アンチモン組
成はa)三酸化アンチモンの純度99.0%以上、
b)三酸化アンチモンのX線回折によつて得られ
る回折ライン121(斜方晶形)と回折ライン222(等
軸晶形)の強度ピーク比(回折ライン121の強度
ピーク/回折ライン222の強度ピーク)が0.3以
下、c)平均粒径5μm以下であることをその特徴
とする。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。ZnOを例えば80モル%と、少なくとも一種類
の金属酸化物、例えばMgO14モル%、Bi2O32モ
ル%、Sb2O31.5モル%、CoO1.1モル%、
Cr2O30.5モル%、MnO0.5モル%、Fe2O30.4モル
%の割合で秤量する。
る。ZnOを例えば80モル%と、少なくとも一種類
の金属酸化物、例えばMgO14モル%、Bi2O32モ
ル%、Sb2O31.5モル%、CoO1.1モル%、
Cr2O30.5モル%、MnO0.5モル%、Fe2O30.4モル
%の割合で秤量する。
この場合酸化アンチモンは三酸化アンチモン
Sb2O3純度が99.5%以上、Sb2O3の結晶形は第2
図の121回折ラインが示す様な斜方晶形をほとん
ど含まない等軸晶形のもの及び平均粒径2.5μmの
もの使用した。
Sb2O3純度が99.5%以上、Sb2O3の結晶形は第2
図の121回折ラインが示す様な斜方晶形をほとん
ど含まない等軸晶形のもの及び平均粒径2.5μmの
もの使用した。
次に秤量した酸化物を例えばボールミルに入
れ、脱イオン水を一諸に24時間ボールミルを作動
させて、混合する。
れ、脱イオン水を一諸に24時間ボールミルを作動
させて、混合する。
混合物を乾燥させ、電気炉に入れて仮焼する。
仮焼温度は例えば900℃で2時間適当である。
仮焼温度は例えば900℃で2時間適当である。
仮焼すると酸化物は塊状になるので、粉砕して
微粒子にする。粉砕前の酸化物に例えばポリビニ
ルアルコールを酸化物に対する重量比で例えば
100分の1混合する。
微粒子にする。粉砕前の酸化物に例えばポリビニ
ルアルコールを酸化物に対する重量比で例えば
100分の1混合する。
微粉砕にはボールミルを用いる。これにより微
粉砕された酸化物とポリビニルアルコールとは実
質的に均質に混合されている。
粉砕された酸化物とポリビニルアルコールとは実
質的に均質に混合されている。
次に酸化物を造粒装置例えばスプレードライヤ
ーに入れ、粒径が例えば100ないし300ミクロンの
球状団粒にする。
ーに入れ、粒径が例えば100ないし300ミクロンの
球状団粒にする。
この粉末状混合物をプレスにかけ、例えば直径
100mm、厚さ25の円板に成形する。
100mm、厚さ25の円板に成形する。
この成形物を電気炉に入れ焼成する。焼成温度
は例えば1300℃で、時間は6時間が適当である。
は例えば1300℃で、時間は6時間が適当である。
焼成後の円板状焼成物は焼成前より収縮するが
ほぼ均質な組成、密度を有する。
ほぼ均質な組成、密度を有する。
次に円板状焼成物の両面を軽く研磨して焼成物
を露出させる。この露出面に例えばアルミニウム
を溶射して、電極を形成し非直線抵抗体を形成す
る。
を露出させる。この露出面に例えばアルミニウム
を溶射して、電極を形成し非直線抵抗体を形成す
る。
このようにして得られた非直線抵抗体の電気特
性を第3図及び第4図に示す。
性を第3図及び第4図に示す。
第3図は90℃の恒温槽中でV1mA(1mAを非直
線抵抗体に流した場合の端子間電圧)の85%を非
直線抵抗体に印加した時の漏洩電流の変化を示
す。また第4図は10KAの電流を100回まで印加
したときのV1mAの値の変化率(△V/V1mA)
を示す。各図において、実線Aは従来の純度98
%、強度ピーク比0.5、平均粒径6μmの三酸化ア
ンチモンを用いた非直線抵抗体の特性を、鎖線B
は本実施例による非直線抵抗体の特性を示す。
線抵抗体に流した場合の端子間電圧)の85%を非
直線抵抗体に印加した時の漏洩電流の変化を示
す。また第4図は10KAの電流を100回まで印加
したときのV1mAの値の変化率(△V/V1mA)
を示す。各図において、実線Aは従来の純度98
%、強度ピーク比0.5、平均粒径6μmの三酸化ア
ンチモンを用いた非直線抵抗体の特性を、鎖線B
は本実施例による非直線抵抗体の特性を示す。
第3図から明らかなように本実施例による非直
線抵抗体は、従来の非直線抵抗体に比べて課電電
圧に対する漏洩電流の変化が著しく改善され。換
言すれば、寿命特性が改良されている。更に、第
4図から明らかなように、本実施例による非直線
抵抗体は、従来の非直線抵抗体に比べて、衝撃電
流耐量特性をも著しく改善されている。
線抵抗体は、従来の非直線抵抗体に比べて課電電
圧に対する漏洩電流の変化が著しく改善され。換
言すれば、寿命特性が改良されている。更に、第
4図から明らかなように、本実施例による非直線
抵抗体は、従来の非直線抵抗体に比べて、衝撃電
流耐量特性をも著しく改善されている。
この様な第3図及び第4図に示す優れた特性が
得られるのは、Sb2O3の出発原料の物性を規制す
る事によつて、他の添加物と反応してできる粒界
中のスピネル層が安定化しているものと思われ
る。
得られるのは、Sb2O3の出発原料の物性を規制す
る事によつて、他の添加物と反応してできる粒界
中のスピネル層が安定化しているものと思われ
る。
本発明者らが三酸化アンチモンの純度、強度ピ
ーク比、平均粒径の組合せを種々検討した結果特
性の安定度はSb2O3の純度が99%以上、X線回折
ライン121と222の回折強度ピーク比が
121(斜方晶形)/222(等軸晶形)=0.3以下及び平均
粒径が5μ以下 のものを使用した時良好であることが判明した。
又、微細構造分析によれば、酸化アンチモンの出
発原料物性の差は生成スピンネル層の“量”及び
“厚さ”に有意差を生じ、反応機構の違いの一端
を窺うことができる。
ーク比、平均粒径の組合せを種々検討した結果特
性の安定度はSb2O3の純度が99%以上、X線回折
ライン121と222の回折強度ピーク比が
121(斜方晶形)/222(等軸晶形)=0.3以下及び平均
粒径が5μ以下 のものを使用した時良好であることが判明した。
又、微細構造分析によれば、酸化アンチモンの出
発原料物性の差は生成スピンネル層の“量”及び
“厚さ”に有意差を生じ、反応機構の違いの一端
を窺うことができる。
なお、第3図及び第4図に示された特性上の違
いは第5図で示す様に量産時の管理特性である
V1mA、IR(抵抗分もれ電流)C(静電容量)等の
基本特性バラツキの大きさにも見られる。
いは第5図で示す様に量産時の管理特性である
V1mA、IR(抵抗分もれ電流)C(静電容量)等の
基本特性バラツキの大きさにも見られる。
第5図のE曲線の様に、管理幅から例えば30%
以上外れたものが出現した場合を“ロツト不良”
と判定した場合、従来の酸化アンチモン出発原料
物性を規制しない時の標準バラツキはD曲線で代
表されるが、不良のE曲線になる危険確率も約10
%含んでいた。
以上外れたものが出現した場合を“ロツト不良”
と判定した場合、従来の酸化アンチモン出発原料
物性を規制しない時の標準バラツキはD曲線で代
表されるが、不良のE曲線になる危険確率も約10
%含んでいた。
本実施例によれば標準バラツキはC曲線で代表
され、最悪の場合でもD曲線内に収まり、不良ロ
ツト発生を皆無にできることがわかる。
され、最悪の場合でもD曲線内に収まり、不良ロ
ツト発生を皆無にできることがわかる。
上記実施例で示した材料組成及び、製造設備−
方法は酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグネシ
ウムを主成分とし、バリスタ特性が得られるもの
であれば上記実施例に必ずしも限定されるもので
はない。
方法は酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグネシ
ウムを主成分とし、バリスタ特性が得られるもの
であれば上記実施例に必ずしも限定されるもので
はない。
以上説明した様に本発明によれば、酸化アンチ
モンの出発原料物性を規制する事によつて、特性
が安定化した非直線抵抗体を提供することができ
る。
モンの出発原料物性を規制する事によつて、特性
が安定化した非直線抵抗体を提供することができ
る。
第1図は従来の酸化アンチモン組成のX線回折
図で示す説明図、第2図は本発明の一実施例の酸
化アンチモン組成のX線回折図、第3図は本発明
の一実施例に係る電圧非直線抵抗体の課電時間−
漏洩電流の関係を示す特性図、第4図は衝撃電流
耐量特性線図、第5図はバリスタ特性のバラツキ
を示す特性図である。
図で示す説明図、第2図は本発明の一実施例の酸
化アンチモン組成のX線回折図、第3図は本発明
の一実施例に係る電圧非直線抵抗体の課電時間−
漏洩電流の関係を示す特性図、第4図は衝撃電流
耐量特性線図、第5図はバリスタ特性のバラツキ
を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛と酸化マグネシウ
ムを主成分として、これに少くとも酸化アンチモ
ンを含む金属酸化物を添加混合し、この混合物を
成形した後焼成する電圧非直線抵抗体の製造方法
において、前記金属酸化物としての酸化アンチモ
ンは a) 三酸化アンチモンの純度が99.0%以上 b) 三酸化アンチモンのX線回折によつて得ら
れる回折ライン121(斜方晶形)と回折ライン
222(等軸晶形)の強度ピーク比(回折ライン
121の強度ピーク/回折ライン222の強度ピー
ク)が0.3以下 c) 平均粒径5μm以下である ことの3条件を満足するものである電圧非直線抵
抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57035862A JPS58153302A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57035862A JPS58153302A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58153302A JPS58153302A (ja) | 1983-09-12 |
JPH0131682B2 true JPH0131682B2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=12453791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57035862A Granted JPS58153302A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58153302A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6197801A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57035862A patent/JPS58153302A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58153302A (ja) | 1983-09-12 |
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