JPH03218601A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH03218601A JPH03218601A JP2013839A JP1383990A JPH03218601A JP H03218601 A JPH03218601 A JP H03218601A JP 2013839 A JP2013839 A JP 2013839A JP 1383990 A JP1383990 A JP 1383990A JP H03218601 A JPH03218601 A JP H03218601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- varistor
- firing
- mol
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910017676 MgTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910002637 Pr6O11 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910016411 CuxO Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100348017 Drosophila melanogaster Nazo gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 101100514056 Rhodobacter capsulatus modD gene Proteins 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Inorganic materials O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである．従来の技術 従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている．このようなバリ
スタの電圧一電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる．α １＝（Ｖ／Ｃ） ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧一電流非直線指数である．ＳｉＣバリスタの
αは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタではαが５０にもお
よぶものがある．このようなバリスタは比較的高い電圧
の吸収には優れた性能を有しているが、誘電率が低く、
固有の静電容量が小さいため、バリスタ電圧以下の比較
的低い電圧の吸収にほとんど効果を示さず、また誘電損
失ｔａｎδが５〜１０％と大きい． 一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０’程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている．しかし、このような半
導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧
または電流が印加されると、静電容量が減少したり破壊
したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなった
りする．そこで最近になってＳｒＴｉＯｓを主成分とし
、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有する
ものが開発され、コンピュータなどの電子機器における
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている
． 発明が解決しようとする課題 上記のＳｒＴｉＯ．を主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約ｌＯ倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた．そこで本発明では、誘電率が大
きく、バリスタ電圧が低く、αが大きいと共にサージ耐
量が大きい電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバ
リスタの製造方法を提供することを目的とするものであ
る． 課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために本発明では、Ｓｒ＋．Ｂａ
ｘＴｉ０３（０．００１≦Ｘ≦０．３００） （以下、
第１成分と呼ぶ）を９０． ０００〜９９．９９８ａ＋
ｏｌχ、ＮｂｔＯｓ４ａｚＯｔ＋ＷＯｉ．０３１ｚ（ｈ
，ｙ．ｏ．ルａｚＯ＋＋ｃｅｏｚ＋ｓｍｚ０３，Ｐｒｉ
Ｏ＋＋＋ＮｄｘＯｓのうち少なくとも１１１１！以上（
以下、第２成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０００ｓｏ
ｌχ、ＡｌｚＯｓ＋ＳｂｘＯｓＪａＯ，ＢｅＯ＋ Ｐｂ
Ｏ＋ Ｂｔｕｓ ＋ Ｃｒｙ’ｓ ｌＦｅａｒｓ ＋
ＣｄＯ， ＫｔＯ＋ ＣａＯ＋ Ｃｏ！０３ ， Ｃｕ
ｏ， ＣｕｘＯ＋ Ｌｉ ｇｏ． ＬｉＦ ＋ ＭｇＯ
＋ ＭｎＯｔ＋ Ｍｏｓ３＋ ＮａｚＯ＋ ＮａＦ ，
ＮｉＯ＋ＲｈｔＯｓ＋ ＳｅＯ＊ｔ ＡｇｚＯ． Ｓ
ｉｆｔ， ＳｉＣ． ＳｒＯ， ＴｌｘＯＳｔ Ｔｈａ
ｔ ， Ｔｉｌｔ ＋ＶｚＯｓ＋Ｂｉ寞Ｏｓ＋ＺｎＯ＋
ＺｒＯｚ＋ＳｎＯ寡のうち少なくとも１種類以上（以下
、第３成分と呼ぶ）を０．００１〜ｓ．ｏｏｏ■ｏｌχ
含有してなる主成分１００重量部と、ＰＩｇＴｉＯｓ６
０．０００〜３２．５００ｍｏｌＸ，ＳｉＯｚ ４
０．０００ 〜６７．５ｍｏｌＸからなる混合物を１
２００〜１３００’Ｃで焼成してなる添加物（以下、第
４成分と呼ぶ） ０．００１〜１０．０００重量部と
からなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得ること
により、課題を解決しようとするものである． 作用 上記の発明において、第１成分は主たる成分であり、Ｓ
ｒＴｉ（ｈのＳｒの一部をＢａで置換することにより、
粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる．
第２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化
物である．また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の
改善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の
低下、誘電率の改善に有効なものである．特に、第４成
分は融点が１２３０〜ｌ２５０゜Ｃと比較的低いため、
融点前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分
の反応を促進すると共に粒子の成長を促進する．そのた
め粒界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵
抗化されやすくなることから、バリスタ機能およびコン
デンサ機能が改善される．また、粒成長が促進されるた
めバリスタ電圧が低くなり、粒径の均一性が向上するた
め特性の安定性が良くなり、特にサージ耐量が改善され
ることとなる．実施例 以下に、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する． ＭｇＴｉＯｓ．ＳｉＯ＝を下記の第１表に示すように組
成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２０Ｈｒ混
合する．次に、乾燥した後、下記の第１表に示すように
温度を種々変えて焼成し、再びボールミルなどで２０Ｈ
ｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする．次いで、第１
成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記の第１表に
示した組成比になるように秤量し、ボールミルなどで２
４Ｈｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアルコールなど
の有機バインダーをｌＯｗｔχ添加して造粒した後、１
（ｔ／ｄ）のプレス圧力でｌＯφ×１ｔ（閣）の円板状
に成形し、ｌ０００゜Ｃで１０Ｈｒ焼成し脱バインダー
する．次に、第１表に示したように温度と時間を種々変
えて焼成（第１焼成）し、その後還元性雰囲気、例えば
Ｎ＊ ： Ｌ＝９：１のガス中で温度と時間を種々変え
て焼成（第２焼成）する．さらにその後、酸化性雰囲気
中で温度と時間を種々変えて焼成（第３焼成）する． こうして得られた第１図および第２図に示す焼結体１の
両平面に外周を残すようにしてＡｇなとの導電性ペース
トをスクリーン印刷などにより塗布し、６００℃＋
５ｍｔｎで焼成し、電極２、３を形成する．次に、図示
してはいないが半田などによりリード線を取付け、エポ
キシなどの樹脂を塗装する．このようにして得られた素
子の特性を下記の第２表に示す． なお、誘電率はＩＫＨｚでの静電容量から計算したもの
であり、αは ａｔ ＝ ｌ ／ Ｌｏｇ （ Ｖ ＩＩＩＩＩＡ／
Ｖ ＩａＡ ）（ただし、Ｖ＋ｅａ 、ＶｌｌｌｍＡは
１ｍＡ、１０ｍＡ＋７１電流を流した時に素子の両端に
かかる電圧である．）で評価した．また、サージ耐量は
パルス性の電流を印加した後のＶｌａ真の変化率が±１
０％以内である時の最大のパルス性電流値により評価し
ている．以下余白 ？た、本発明において第１成分のＳｒ＋−ＢａｘＴ＋Ｏ
ｓのＸの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小
さいと効果を示さず、一方０． ３００を超えると格子
欠陥が発生しにくくなるため半導体化が促進されず、粒
界にＢａが単一相として析出するため、組織が不均一に
なり、Ｖ ｌｓＡが高くなりすぎて特性が劣化するため
である。さらに、第２成分は０．００１ｍｏｌχ未満で
は効果を示さず、５．ＯＯＯｍｏｌχを趨えると粒界に
偏析して粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成
するため特性が劣化するものである．また、第３成分は
０．００１ｍｏｌχ未満では効果を示さず、５． ＯＯ
Ｏｍｏ １χを超えると粒界に偏析して第２相を形成す
るため特性が劣化するものである。
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである．従来の技術 従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている．このようなバリ
スタの電圧一電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる．α １＝（Ｖ／Ｃ） ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧一電流非直線指数である．ＳｉＣバリスタの
αは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタではαが５０にもお
よぶものがある．このようなバリスタは比較的高い電圧
の吸収には優れた性能を有しているが、誘電率が低く、
固有の静電容量が小さいため、バリスタ電圧以下の比較
的低い電圧の吸収にほとんど効果を示さず、また誘電損
失ｔａｎδが５〜１０％と大きい． 一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０’程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている．しかし、このような半
導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧
または電流が印加されると、静電容量が減少したり破壊
したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなった
りする．そこで最近になってＳｒＴｉＯｓを主成分とし
、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有する
ものが開発され、コンピュータなどの電子機器における
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている
． 発明が解決しようとする課題 上記のＳｒＴｉＯ．を主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約ｌＯ倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた．そこで本発明では、誘電率が大
きく、バリスタ電圧が低く、αが大きいと共にサージ耐
量が大きい電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバ
リスタの製造方法を提供することを目的とするものであ
る． 課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために本発明では、Ｓｒ＋．Ｂａ
ｘＴｉ０３（０．００１≦Ｘ≦０．３００） （以下、
第１成分と呼ぶ）を９０． ０００〜９９．９９８ａ＋
ｏｌχ、ＮｂｔＯｓ４ａｚＯｔ＋ＷＯｉ．０３１ｚ（ｈ
，ｙ．ｏ．ルａｚＯ＋＋ｃｅｏｚ＋ｓｍｚ０３，Ｐｒｉ
Ｏ＋＋＋ＮｄｘＯｓのうち少なくとも１１１１！以上（
以下、第２成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０００ｓｏ
ｌχ、ＡｌｚＯｓ＋ＳｂｘＯｓＪａＯ，ＢｅＯ＋ Ｐｂ
Ｏ＋ Ｂｔｕｓ ＋ Ｃｒｙ’ｓ ｌＦｅａｒｓ ＋
ＣｄＯ， ＫｔＯ＋ ＣａＯ＋ Ｃｏ！０３ ， Ｃｕ
ｏ， ＣｕｘＯ＋ Ｌｉ ｇｏ． ＬｉＦ ＋ ＭｇＯ
＋ ＭｎＯｔ＋ Ｍｏｓ３＋ ＮａｚＯ＋ ＮａＦ ，
ＮｉＯ＋ＲｈｔＯｓ＋ ＳｅＯ＊ｔ ＡｇｚＯ． Ｓ
ｉｆｔ， ＳｉＣ． ＳｒＯ， ＴｌｘＯＳｔ Ｔｈａ
ｔ ， Ｔｉｌｔ ＋ＶｚＯｓ＋Ｂｉ寞Ｏｓ＋ＺｎＯ＋
ＺｒＯｚ＋ＳｎＯ寡のうち少なくとも１種類以上（以下
、第３成分と呼ぶ）を０．００１〜ｓ．ｏｏｏ■ｏｌχ
含有してなる主成分１００重量部と、ＰＩｇＴｉＯｓ６
０．０００〜３２．５００ｍｏｌＸ，ＳｉＯｚ ４
０．０００ 〜６７．５ｍｏｌＸからなる混合物を１
２００〜１３００’Ｃで焼成してなる添加物（以下、第
４成分と呼ぶ） ０．００１〜１０．０００重量部と
からなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得ること
により、課題を解決しようとするものである． 作用 上記の発明において、第１成分は主たる成分であり、Ｓ
ｒＴｉ（ｈのＳｒの一部をＢａで置換することにより、
粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる．
第２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化
物である．また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の
改善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の
低下、誘電率の改善に有効なものである．特に、第４成
分は融点が１２３０〜ｌ２５０゜Ｃと比較的低いため、
融点前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分
の反応を促進すると共に粒子の成長を促進する．そのた
め粒界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵
抗化されやすくなることから、バリスタ機能およびコン
デンサ機能が改善される．また、粒成長が促進されるた
めバリスタ電圧が低くなり、粒径の均一性が向上するた
め特性の安定性が良くなり、特にサージ耐量が改善され
ることとなる．実施例 以下に、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する． ＭｇＴｉＯｓ．ＳｉＯ＝を下記の第１表に示すように組
成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２０Ｈｒ混
合する．次に、乾燥した後、下記の第１表に示すように
温度を種々変えて焼成し、再びボールミルなどで２０Ｈ
ｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする．次いで、第１
成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記の第１表に
示した組成比になるように秤量し、ボールミルなどで２
４Ｈｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアルコールなど
の有機バインダーをｌＯｗｔχ添加して造粒した後、１
（ｔ／ｄ）のプレス圧力でｌＯφ×１ｔ（閣）の円板状
に成形し、ｌ０００゜Ｃで１０Ｈｒ焼成し脱バインダー
する．次に、第１表に示したように温度と時間を種々変
えて焼成（第１焼成）し、その後還元性雰囲気、例えば
Ｎ＊ ： Ｌ＝９：１のガス中で温度と時間を種々変え
て焼成（第２焼成）する．さらにその後、酸化性雰囲気
中で温度と時間を種々変えて焼成（第３焼成）する． こうして得られた第１図および第２図に示す焼結体１の
両平面に外周を残すようにしてＡｇなとの導電性ペース
トをスクリーン印刷などにより塗布し、６００℃＋
５ｍｔｎで焼成し、電極２、３を形成する．次に、図示
してはいないが半田などによりリード線を取付け、エポ
キシなどの樹脂を塗装する．このようにして得られた素
子の特性を下記の第２表に示す． なお、誘電率はＩＫＨｚでの静電容量から計算したもの
であり、αは ａｔ ＝ ｌ ／ Ｌｏｇ （ Ｖ ＩＩＩＩＩＡ／
Ｖ ＩａＡ ）（ただし、Ｖ＋ｅａ 、ＶｌｌｌｍＡは
１ｍＡ、１０ｍＡ＋７１電流を流した時に素子の両端に
かかる電圧である．）で評価した．また、サージ耐量は
パルス性の電流を印加した後のＶｌａ真の変化率が±１
０％以内である時の最大のパルス性電流値により評価し
ている．以下余白 ？た、本発明において第１成分のＳｒ＋−ＢａｘＴ＋Ｏ
ｓのＸの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小
さいと効果を示さず、一方０． ３００を超えると格子
欠陥が発生しにくくなるため半導体化が促進されず、粒
界にＢａが単一相として析出するため、組織が不均一に
なり、Ｖ ｌｓＡが高くなりすぎて特性が劣化するため
である。さらに、第２成分は０．００１ｍｏｌχ未満で
は効果を示さず、５．ＯＯＯｍｏｌχを趨えると粒界に
偏析して粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成
するため特性が劣化するものである．また、第３成分は
０．００１ｍｏｌχ未満では効果を示さず、５． ＯＯ
Ｏｍｏ １χを超えると粒界に偏析して第２相を形成す
るため特性が劣化するものである。
そして、第４成分はＭｇＴｉＯｚとＳｉＯ■の２成分系
の相図のなかで最も融点の低い領域の物質であり、その
範囲外では融点が高くなるものである。また、第４成分
の添加量は、０．００１重量部未満では効果を示さず、
１０．０００重量部を超えると粒界の抵抗は高くなるが
粒界の幅が厚くなるため、静電容量が小さくなると共に
ＶＩｍＡが高くなり、サージに対して弱くなるものであ
る。さらに、第４成分の焼成温度を規定したのは、低融
点の第４成分が合成される温度が１２００゜Ｃ以上であ
るためである。また、第１焼成の温度を規定したのは、
第４成分の融点が１２３０〜１２５０゜Ｃであるため、
１１００゜Ｃ以上の温度で焼成すると第４成分が液相に
近い状態になって焼結が促進されるためであり、１１０
０’Ｃ未満では第４成分の液相焼結効果がないためであ
る。また、第２焼成の温度を規定したのは、１２００″
Ｃ未満では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バ
リスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである。
の相図のなかで最も融点の低い領域の物質であり、その
範囲外では融点が高くなるものである。また、第４成分
の添加量は、０．００１重量部未満では効果を示さず、
１０．０００重量部を超えると粒界の抵抗は高くなるが
粒界の幅が厚くなるため、静電容量が小さくなると共に
ＶＩｍＡが高くなり、サージに対して弱くなるものであ
る。さらに、第４成分の焼成温度を規定したのは、低融
点の第４成分が合成される温度が１２００゜Ｃ以上であ
るためである。また、第１焼成の温度を規定したのは、
第４成分の融点が１２３０〜１２５０゜Ｃであるため、
１１００゜Ｃ以上の温度で焼成すると第４成分が液相に
近い状態になって焼結が促進されるためであり、１１０
０’Ｃ未満では第４成分の液相焼結効果がないためであ
る。また、第２焼成の温度を規定したのは、１２００″
Ｃ未満では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バ
リスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである。
さらに、第３焼成の温度を規定したのは、９００゜Ｃ未
満では粒界の高抵抗化が十分に進まないため、■■＾が
低くなりすぎバリスタ特性が劣化するためであり、１３
００’Ｃを超えると静電容量が小さくなりすぎコンデン
サ特性が劣化するためである。また、第１焼成の雰囲気
は酸化性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果がある
ことを確認した。
満では粒界の高抵抗化が十分に進まないため、■■＾が
低くなりすぎバリスタ特性が劣化するためであり、１３
００’Ｃを超えると静電容量が小さくなりすぎコンデン
サ特性が劣化するためである。また、第１焼成の雰囲気
は酸化性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果がある
ことを確認した。
なお、本実施例では添加物の組み合わせについては、第
１成分としてＳｒ＋−ＸＢａｇＴｊＯｓ（０．００１≦
Ｘ≦？．３００）、第２成分としてＮｂｚ０５．Ｔａｚ
Ｏｓ，ＷＯｚ，ＤＶｚＯ：＋Ｙ２０．＋Ｌａｚ０３，Ｃ
ｅＯｚ 、第３成分としてＡｌｚＯ＋，ＰｂＯ，Ｃｒ＊
０３＋ＣｄＯ＋ＫｔＯ＋ＣＯ２０３１Ｃｕｂ，ＣｕｔＯ
＋ＭｒｉＯｚ，ＭＯＯ３，ＮｉＯ＋ＡｇｚＯ，ＳｉＣ＋
ＴＩｚＯ＋，ＺｎＯ，ＺｒＯｚ、第４成分としてＭｇＴ
ｉＯ３，ＳｉＯ■についてのみ示したが、その他に第２
成分としてＳｍｚ Ｏｓ＋ＰｒｂＯＩｌ＋ＮｄｚＯｓ、
第３成分としてＳｂｚＯｆｆ，ＢａＯ， ＢｅＯ＋ Ｂ
．０３ ＋ ＦｅｚＯｚ＋ Ｃａｂ， Ｌｉ ２０＋
ｔ．ｉｐ， ＭｇＯ， Ｎａ．Ｏ， ＮａＦ＋ＲｈｚＯ
：＋ ＋ ＳｅＯｚ ， ＳｊＯｚ＋ ＳｒＯ， Ｔｈ
Ｏｚ＋ Ｔｉｌｔ． ＶＪｓ ． Ｂｉｚ０３ ， Ｓ
ｎＯｚを用いた組成の組み合わせでも同様の効果が得ら
れることを確認した。また、第１成分、第２成分、第３
成分、第４成分を第１焼成しただけでもバリスタ電圧が
低く、誘電率εを大きくするのに効果があることを確認
した。
１成分としてＳｒ＋−ＸＢａｇＴｊＯｓ（０．００１≦
Ｘ≦？．３００）、第２成分としてＮｂｚ０５．Ｔａｚ
Ｏｓ，ＷＯｚ，ＤＶｚＯ：＋Ｙ２０．＋Ｌａｚ０３，Ｃ
ｅＯｚ 、第３成分としてＡｌｚＯ＋，ＰｂＯ，Ｃｒ＊
０３＋ＣｄＯ＋ＫｔＯ＋ＣＯ２０３１Ｃｕｂ，ＣｕｔＯ
＋ＭｒｉＯｚ，ＭＯＯ３，ＮｉＯ＋ＡｇｚＯ，ＳｉＣ＋
ＴＩｚＯ＋，ＺｎＯ，ＺｒＯｚ、第４成分としてＭｇＴ
ｉＯ３，ＳｉＯ■についてのみ示したが、その他に第２
成分としてＳｍｚ Ｏｓ＋ＰｒｂＯＩｌ＋ＮｄｚＯｓ、
第３成分としてＳｂｚＯｆｆ，ＢａＯ， ＢｅＯ＋ Ｂ
．０３ ＋ ＦｅｚＯｚ＋ Ｃａｂ， Ｌｉ ２０＋
ｔ．ｉｐ， ＭｇＯ， Ｎａ．Ｏ， ＮａＦ＋ＲｈｚＯ
：＋ ＋ ＳｅＯｚ ， ＳｊＯｚ＋ ＳｒＯ， Ｔｈ
Ｏｚ＋ Ｔｉｌｔ． ＶＪｓ ． Ｂｉｚ０３ ， Ｓ
ｎＯｚを用いた組成の組み合わせでも同様の効果が得ら
れることを確認した。また、第１成分、第２成分、第３
成分、第４成分を第１焼成しただけでもバリスタ電圧が
低く、誘電率εを大きくするのに効果があることを確認
した。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、粒子径が大きいた
めハリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが大きく、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＢａによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が大きくなるという効果が得られる．
めハリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが大きく、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＢａによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が大きくなるという効果が得られる．
第１図は本発明による素子を示す上面図、第２図は本発
明による素子を示す断面図である。 ｌ・・・・・・焼結体、２、３・旧・・電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はかｌ名第 ｌ 図
明による素子を示す断面図である。 ｌ・・・・・・焼結体、２、３・旧・・電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はかｌ名第 ｌ 図
Claims (3)
- （１）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＢａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿３，Ｔａ＿２Ｏ＿３，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａ１＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２，Ｏ＿３，Ｂｉ＿２Ｏ＿３
，ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１
種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してな
る主成分１００重量部と、ＭｇＴｉＯ＿３６０．０００
〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６
７．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成
してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とから
なることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成
物。 - （２）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＢａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿３，Ｔａ＿２Ｏ＿３，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２，Ｏ＿３，ＢｉＯ＿３，Ｚ
ｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿３のうち少なくとも１種類
以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる主
成分１００重量部と、ＭｇＴｉＯ＿３８０．０００〜３
２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７．
５ｍｏｌ％からなる濃合物を１２００℃以上で焼成して
なる添加物０．００１〜１０．０００重量部とからなる
組成物を、１１００℃以上で焼成したことを特徴とする
バリスタの製造方法。 - （３）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＢａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿３，Ｔａ＿２Ｏ＿３，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２，Ｏ＿３，Ｂｉ＿２Ｏ＿３
，ＺｎＯ，ＺｒＯ＿３，ＳｎＯ＿３のうち少なくとも１
種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してな
る主成分１００重量部と、ＭｇＴｉＯ＿３６０．０００
〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿３４０．０００〜６
７．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成
してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とから
なる組成物を、１１００℃以上で焼成した後、還元性雰
囲気中で１２００℃以上で焼成し、その後酸化性雰囲気
中で９００〜１３００℃で焼成したことを特徴とするバ
リスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013839A JP2808777B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013839A JP2808777B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218601A true JPH03218601A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2808777B2 JP2808777B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=11844449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013839A Expired - Fee Related JP2808777B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808777B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112830775A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-05-25 | 南宁国人射频通信有限公司 | 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN115304367A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-08 | 苏州市职业大学 | 一种微波介电陶瓷的制备方法和产品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625611A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2013839A patent/JP2808777B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625611A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112830775A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-05-25 | 南宁国人射频通信有限公司 | 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN115304367A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-08 | 苏州市职业大学 | 一种微波介电陶瓷的制备方法和产品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2808777B2 (ja) | 1998-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2789714B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH03218601A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2830322B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2800268B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2727693B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2808775B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2822612B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2830321B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2789675B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH038765A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH038767A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2808778B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2789676B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2789674B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0443602A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH038766A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH03237058A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0443609A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0443601A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0443605A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0443610A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH038764A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH03261657A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0443606A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH01175702A (ja) | 電圧依存性非直線抵杭体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |