JPH0249522B2 - - Google Patents
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- JPH0249522B2 JPH0249522B2 JP59137248A JP13724884A JPH0249522B2 JP H0249522 B2 JPH0249522 B2 JP H0249522B2 JP 59137248 A JP59137248 A JP 59137248A JP 13724884 A JP13724884 A JP 13724884A JP H0249522 B2 JPH0249522 B2 JP H0249522B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
この発明は、セラミツクバリスタ、等に酸化亜
鉛セラミツクバリスタに関連する。 一般に、バリスタの電圧−電流特性は、バリス
タ電流をＩ、印加電圧をＶ、非直線指数をαとす
ると、 Ｉ＝kV〓 （ｋは定数）で表わされる。酸化亜鉛セラミツク
バリスタは、シリコンカーバイドバリスタに比べ
非直線指数αの値が大きく、かつ立上り電圧の制
御が容易であると共に広範囲の特性を選定できる
利点がある。この点に着目して、種々の酸化亜鉛
セラミツクバリスタが開発されたが、従来のこの
種バリスタの製造では、高い特性値を得るため、
例えば特公昭53−11076号に示される通り酸化ビ
スマスを添加したり、或いは特公昭48−6754号に
示される通り酸化ストロンチウムを添加してい
た。 しかし、前者のバリスタでは、10〜100Aの大
電流領域での非直線性は悪く、サージ電圧に対す
る安定性も悪かつた。又、焼成時にイグロス即ち
強熱減量として酸化ビスマスが放出されるので、
この酸化ビスマスのため、炉の耐火物が損傷した
り、炉内で接近して配置された多数のバリスタ素
子が互いに固着することがあるため製造時の歩留
りが悪い欠点があつた。 後者のバリスタでは、非直線指数αのあまり大
きいものが得られず、この対策としてCoOあるい
はMnO2を塗布して再度焼成しなければならない
という欠点があつた。 そこで、この発明は、特定成分比率の２元金属
酸化物を酸化亜鉛原料に添加した混合物を焼成し
て得られるバリスタを提供し、上記欠点を解消す
るものである。 実施例 最初に、所期のセラミツクバリスタを得るた
め、第１表に示す組成の酸化物原料を計量した。
鉛セラミツクバリスタに関連する。 一般に、バリスタの電圧−電流特性は、バリス
タ電流をＩ、印加電圧をＶ、非直線指数をαとす
ると、 Ｉ＝kV〓 （ｋは定数）で表わされる。酸化亜鉛セラミツク
バリスタは、シリコンカーバイドバリスタに比べ
非直線指数αの値が大きく、かつ立上り電圧の制
御が容易であると共に広範囲の特性を選定できる
利点がある。この点に着目して、種々の酸化亜鉛
セラミツクバリスタが開発されたが、従来のこの
種バリスタの製造では、高い特性値を得るため、
例えば特公昭53−11076号に示される通り酸化ビ
スマスを添加したり、或いは特公昭48−6754号に
示される通り酸化ストロンチウムを添加してい
た。 しかし、前者のバリスタでは、10〜100Aの大
電流領域での非直線性は悪く、サージ電圧に対す
る安定性も悪かつた。又、焼成時にイグロス即ち
強熱減量として酸化ビスマスが放出されるので、
この酸化ビスマスのため、炉の耐火物が損傷した
り、炉内で接近して配置された多数のバリスタ素
子が互いに固着することがあるため製造時の歩留
りが悪い欠点があつた。 後者のバリスタでは、非直線指数αのあまり大
きいものが得られず、この対策としてCoOあるい
はMnO2を塗布して再度焼成しなければならない
という欠点があつた。 そこで、この発明は、特定成分比率の２元金属
酸化物を酸化亜鉛原料に添加した混合物を焼成し
て得られるバリスタを提供し、上記欠点を解消す
るものである。 実施例 最初に、所期のセラミツクバリスタを得るた
め、第１表に示す組成の酸化物原料を計量した。
【表】
【表】
第１表は、添加成分の相違する12種の試料番号
を示す。ここで試料番号１から６までは、
BaSnO3、BaTiO3、BaGeO3、BaSiO3、
BaZrO3、BaSnO3＋BaGeO3の２元金属酸化物の
組成成分を0.05、0.1、0.5、１、５及び10モル％
の６段階にそれぞれ分類して酸化物を計量し、他
の１元金属酸化物CoO、Sb2O3、B2O3及びAl2O3
は、それぞれ一定量、即ち15、1.0、0.5、0.01モ
ル％計量し、73.49〜83.44モル％のZnOと混合し、
６×６＝36種の出発原料を作成した。出発原料
は、全て酸化物基準のモル％で表示される。 次に第１表で試料番号７は、Sb2O3、B2O3、
Al2O3及びBaSnO3をそれぞれ1.0、0.5、0.01及び
0.5モル％で一定とし、１元金属酸化物CoOの組
成成分を0.05、0.1、0.5、１、５、10、15、20、
30及び50モル％の10段階にそれぞれ分類して酸化
物を計量し、47.99〜97.94モル％のZnOと混合し、
10×１＝10種の出発原料を作つた。 更に、試料番号８と９は、CoO、B2O3又は
Sb2O3、Al2O3及びBaSnO3を15、0.5又は1.0、
0.01及び0.5モル％で一定とし、Sb2O3又はB2O3の
組成成分を、0.01、0.05、0.1、0.5、１、３及び
５モル％の７段階にそれぞれ分類して酸化物を計
量し、78.49〜83.98モル％のZnOと混合し、７×
２＝14種の出発原料を作つた。 試料番号10ないし12は、上記と同様に、CoO、
Sb2O3、B2O3及びBaSnO3を15、1.0、0.5及び0.5
モル％で一定とすると共に、Al2O3、In2O3及び
Al2O3＋In2O3の組成成分を0.0005、0.001、0.005、
0.01、0.05、0.1及び0.5モル％の７段階にそれぞ
れ分類して酸化物を計量し、82.5〜82.9995モル
％のZnOと混合し、７×３＝21種の出発原料を作
つた。 上記のように選定した81種の出発原料をボール
ミルで充分混合したのち、ポリビニールアルコー
ルを有機結合剤として調質し造粒した。出発原料
には、BaSnO3などの２元金属酸化物以外の成分
では、酸化物の代りに水酸化物又は炭酸塩を添加
してもよい。成形時の寸法又は焼成後の特性が不
均一な場合は、600〜1000℃の高温空気雰囲気中
で１〜３時間仮焼した後、微粉砕して造粒した。
得られた造粒粉を0.5〜2.0ton／cm2の圧力で直径
15mm厚さ２mmのデイスク形に成形し、成形後、
1000〜1400℃の高温空気中で１〜３時間焼成し、
焼結体を得た。これらの焼結体の両面にAgペー
ストの焼付けにより電極を形成し、セラミツクバ
リスタを作つた。 第１３図は、上記方法で製作したバリスタの断
面図を示し、本発明バリスタの高非直線指数α
は、導電性微結晶１とその結晶粒界を結合する高
抵抗層２に起因するので、成分組成及び焼成条件
を変えることにより立上り電圧及び非直線指数を
容易に制御できることは明白である。しかしこの
ような電気的特性は、電極３の材質や取付方法に
は影響されないため、Ag以外に、In、Al及びSn
等の蒸着電極又はNiメツキ電極等種々の電極を
使用することができる。 第１図ないし第１２図は、第１表に示す各組成
について、上述の通り作られたセラミツクバリス
タの立上り電圧即ちバリスタ電圧V1、電圧比Ｒ
及び電圧変化率ΔV1を測定した結果を示すグラフ
であり、それぞれ第１表の試料番号１ないし12に
対応する。ここで、端子間電流1.0ｍＡにおける
バリスタ端子電圧を測定して、バリスタ電圧V1
とした。又、端子間電流が1.0ｍＡと25Aでのバ
リスタ端子電圧V1及びV25を測定し、その比
V25／V1の値を電圧比Ｒとした。従つて電流比Ｒ
が小さい程、電流非直線性が優れているといえ
る。電圧変化率ΔV1は、電気学会（JEC）187規
格「インパルス電圧電流試験一般」で規定された
波頭長×波尾長＝８×20μsの波形で1000Aの電流
を２回、バリスタに印加し、この電流の２回印加
前後での逆方向バリスタ電圧Va1とVb1とを測定
し、その変化率（Vb1−Va1）／Va1を電圧変化
率ΔV1とした。従つて絶対値での電圧変化率ΔV1
が小さい程、負荷に対する安定性が優れていると
いえる。 第１図ないし第６図のグラフでは、各２元金属
酸化物BaSnO3、BaTiO3、BaGeO3、BaSiO3、
BaZrO3、BaSnO3＋BaGeO3の組成含量は、0.1
〜５モル％の範囲外では、電圧比Ｒ及び電圧変化
率ΔV1の絶対値が大きいことが明らかである。し
たがつて電圧非直線性に優れ、負荷に対する安定
性の良いバリスタを得るためには、上記0.1〜５
モル％の範囲内でバリスタを作るべきである。こ
の組成範囲は、第１表の各２元金属酸化物の各欄
に括弧内に示される。 上記と同様に、第７図のグラフは、CoOは0.1
ないし30モル％の範囲が電圧比Ｒ及び電圧変化率
ΔV1が良好であることを示す。 第８図と第９図のグラフは、１元金属酸化物
Sb2O3とB2O3は、0.05ないし３モル％が良好で、
第１０図ないし第１２図は、１元金属酸化物
Al2O3、In2O3及びAl2O3＋ln2O3の組成範囲が
0.001ないし0.1モル％が良好なことを示す。な
お、B2O3が３モル％を越えると、焼成時にバリ
スタ素子が互いに付着して製造歩留りを低下させ
るという欠点もでてくる。 要約すると、本発明のバリスタは、総合的に、
バリスタ電圧V1；310〜690V、電圧比Ｒ；1.45〜
2.50、電圧変化率ΔV1；10％以下の優れた特性を
示す。この場合、添加成分が加えられるZnOの範
囲は、第１表より必然的に58.9〜99.699モル％と
なる。 本発明では、２元金属酸化物の一部を、BaO、
SnO2、TiO2、GeO2、SiO2及びZrO2に代表され
る一元金属酸化物、これらと同等の水酸化物又は
炭酸塩から選択された少くとも１種に代えてバリ
スタを作つても上記と同様の良好な結果を得るこ
とが判明した。 第２表は、試料番号13から23まで上記とは別に
作られたバリスタの出発原料組成を示す。試料番
号13ないし18は、BaSnO3：BaO：SnO2の比率
をモル比で４：１：１の一定とし、BaSnO3への
換算量を0.05〜10.0モル％まで、変化させてい
る。試料番号14ないし17の電圧比Ｒと電圧変化率
ΔV1は実用範囲内であるが、試料番号13と18は、
絶対値が大きくなり、使用できない。従つて、
BaSnO3の１部がBaOとSnO2に代えられても
BaSnO3に換算して0.1〜５モル％の範囲であれ
ば、本発明とは同一技術範囲である。 試料番号19ないし23では、BaSnO3の換算量
は、一定の0.5モル％であるが、BaSnO3：BaO：
SnO2の比率を段階的に変化させ、BaSnO3は５〜
０モル比の範囲で変化させる。
を示す。ここで試料番号１から６までは、
BaSnO3、BaTiO3、BaGeO3、BaSiO3、
BaZrO3、BaSnO3＋BaGeO3の２元金属酸化物の
組成成分を0.05、0.1、0.5、１、５及び10モル％
の６段階にそれぞれ分類して酸化物を計量し、他
の１元金属酸化物CoO、Sb2O3、B2O3及びAl2O3
は、それぞれ一定量、即ち15、1.0、0.5、0.01モ
ル％計量し、73.49〜83.44モル％のZnOと混合し、
６×６＝36種の出発原料を作成した。出発原料
は、全て酸化物基準のモル％で表示される。 次に第１表で試料番号７は、Sb2O3、B2O3、
Al2O3及びBaSnO3をそれぞれ1.0、0.5、0.01及び
0.5モル％で一定とし、１元金属酸化物CoOの組
成成分を0.05、0.1、0.5、１、５、10、15、20、
30及び50モル％の10段階にそれぞれ分類して酸化
物を計量し、47.99〜97.94モル％のZnOと混合し、
10×１＝10種の出発原料を作つた。 更に、試料番号８と９は、CoO、B2O3又は
Sb2O3、Al2O3及びBaSnO3を15、0.5又は1.0、
0.01及び0.5モル％で一定とし、Sb2O3又はB2O3の
組成成分を、0.01、0.05、0.1、0.5、１、３及び
５モル％の７段階にそれぞれ分類して酸化物を計
量し、78.49〜83.98モル％のZnOと混合し、７×
２＝14種の出発原料を作つた。 試料番号10ないし12は、上記と同様に、CoO、
Sb2O3、B2O3及びBaSnO3を15、1.0、0.5及び0.5
モル％で一定とすると共に、Al2O3、In2O3及び
Al2O3＋In2O3の組成成分を0.0005、0.001、0.005、
0.01、0.05、0.1及び0.5モル％の７段階にそれぞ
れ分類して酸化物を計量し、82.5〜82.9995モル
％のZnOと混合し、７×３＝21種の出発原料を作
つた。 上記のように選定した81種の出発原料をボール
ミルで充分混合したのち、ポリビニールアルコー
ルを有機結合剤として調質し造粒した。出発原料
には、BaSnO3などの２元金属酸化物以外の成分
では、酸化物の代りに水酸化物又は炭酸塩を添加
してもよい。成形時の寸法又は焼成後の特性が不
均一な場合は、600〜1000℃の高温空気雰囲気中
で１〜３時間仮焼した後、微粉砕して造粒した。
得られた造粒粉を0.5〜2.0ton／cm2の圧力で直径
15mm厚さ２mmのデイスク形に成形し、成形後、
1000〜1400℃の高温空気中で１〜３時間焼成し、
焼結体を得た。これらの焼結体の両面にAgペー
ストの焼付けにより電極を形成し、セラミツクバ
リスタを作つた。 第１３図は、上記方法で製作したバリスタの断
面図を示し、本発明バリスタの高非直線指数α
は、導電性微結晶１とその結晶粒界を結合する高
抵抗層２に起因するので、成分組成及び焼成条件
を変えることにより立上り電圧及び非直線指数を
容易に制御できることは明白である。しかしこの
ような電気的特性は、電極３の材質や取付方法に
は影響されないため、Ag以外に、In、Al及びSn
等の蒸着電極又はNiメツキ電極等種々の電極を
使用することができる。 第１図ないし第１２図は、第１表に示す各組成
について、上述の通り作られたセラミツクバリス
タの立上り電圧即ちバリスタ電圧V1、電圧比Ｒ
及び電圧変化率ΔV1を測定した結果を示すグラフ
であり、それぞれ第１表の試料番号１ないし12に
対応する。ここで、端子間電流1.0ｍＡにおける
バリスタ端子電圧を測定して、バリスタ電圧V1
とした。又、端子間電流が1.0ｍＡと25Aでのバ
リスタ端子電圧V1及びV25を測定し、その比
V25／V1の値を電圧比Ｒとした。従つて電流比Ｒ
が小さい程、電流非直線性が優れているといえ
る。電圧変化率ΔV1は、電気学会（JEC）187規
格「インパルス電圧電流試験一般」で規定された
波頭長×波尾長＝８×20μsの波形で1000Aの電流
を２回、バリスタに印加し、この電流の２回印加
前後での逆方向バリスタ電圧Va1とVb1とを測定
し、その変化率（Vb1−Va1）／Va1を電圧変化
率ΔV1とした。従つて絶対値での電圧変化率ΔV1
が小さい程、負荷に対する安定性が優れていると
いえる。 第１図ないし第６図のグラフでは、各２元金属
酸化物BaSnO3、BaTiO3、BaGeO3、BaSiO3、
BaZrO3、BaSnO3＋BaGeO3の組成含量は、0.1
〜５モル％の範囲外では、電圧比Ｒ及び電圧変化
率ΔV1の絶対値が大きいことが明らかである。し
たがつて電圧非直線性に優れ、負荷に対する安定
性の良いバリスタを得るためには、上記0.1〜５
モル％の範囲内でバリスタを作るべきである。こ
の組成範囲は、第１表の各２元金属酸化物の各欄
に括弧内に示される。 上記と同様に、第７図のグラフは、CoOは0.1
ないし30モル％の範囲が電圧比Ｒ及び電圧変化率
ΔV1が良好であることを示す。 第８図と第９図のグラフは、１元金属酸化物
Sb2O3とB2O3は、0.05ないし３モル％が良好で、
第１０図ないし第１２図は、１元金属酸化物
Al2O3、In2O3及びAl2O3＋ln2O3の組成範囲が
0.001ないし0.1モル％が良好なことを示す。な
お、B2O3が３モル％を越えると、焼成時にバリ
スタ素子が互いに付着して製造歩留りを低下させ
るという欠点もでてくる。 要約すると、本発明のバリスタは、総合的に、
バリスタ電圧V1；310〜690V、電圧比Ｒ；1.45〜
2.50、電圧変化率ΔV1；10％以下の優れた特性を
示す。この場合、添加成分が加えられるZnOの範
囲は、第１表より必然的に58.9〜99.699モル％と
なる。 本発明では、２元金属酸化物の一部を、BaO、
SnO2、TiO2、GeO2、SiO2及びZrO2に代表され
る一元金属酸化物、これらと同等の水酸化物又は
炭酸塩から選択された少くとも１種に代えてバリ
スタを作つても上記と同様の良好な結果を得るこ
とが判明した。 第２表は、試料番号13から23まで上記とは別に
作られたバリスタの出発原料組成を示す。試料番
号13ないし18は、BaSnO3：BaO：SnO2の比率
をモル比で４：１：１の一定とし、BaSnO3への
換算量を0.05〜10.0モル％まで、変化させてい
る。試料番号14ないし17の電圧比Ｒと電圧変化率
ΔV1は実用範囲内であるが、試料番号13と18は、
絶対値が大きくなり、使用できない。従つて、
BaSnO3の１部がBaOとSnO2に代えられても
BaSnO3に換算して0.1〜５モル％の範囲であれ
ば、本発明とは同一技術範囲である。 試料番号19ないし23では、BaSnO3の換算量
は、一定の0.5モル％であるが、BaSnO3：BaO：
SnO2の比率を段階的に変化させ、BaSnO3は５〜
０モル比の範囲で変化させる。
【表】
（単位：モル％）
試料番号19と20は、21ないし23より電圧変化率
ΔV1は小さく極めて優れている。従つて２元と１
元の混合金属酸化物では、試料番号15、19及び20
から、２元金属酸化物は２元と１元の混合金属酸
化物の中にある割合で40モル％以上名包含されて
いれば、小さな電圧変化率ΔV1が得られることが
明白である。 試料番号23は、２元金属酸化物が全く包含され
ないバリスタであり、電圧変化率ΔV1が極めて大
きい。添加される１元金属酸化物は、強熱減量を
考えればBaO、SnO2、TiO2、GeO2、SiO2及び
ZrO2の水酸化物又は炭酸化物でも良いが、添加
量は、60モル％未満である。いずれにしても２元
金属酸化物の混合物金属酸化物は全体で0.1〜５
モル％の範囲である。 上述の通り本発明では、酸化ビスマスを使用す
ることなく、２元金属酸化物の添加により低い電
圧比Ｒ及び電圧変化率ΔV1を有するバリスタが得
られ、すなわち電圧非直線性と負荷に対する安定
性の良好なバリスタが得られ、組成原料の取扱い
も容易であるため、バリスタ技術の向上に大きく
寄与するものと期待される。
（単位：モル％）
試料番号19と20は、21ないし23より電圧変化率
ΔV1は小さく極めて優れている。従つて２元と１
元の混合金属酸化物では、試料番号15、19及び20
から、２元金属酸化物は２元と１元の混合金属酸
化物の中にある割合で40モル％以上名包含されて
いれば、小さな電圧変化率ΔV1が得られることが
明白である。 試料番号23は、２元金属酸化物が全く包含され
ないバリスタであり、電圧変化率ΔV1が極めて大
きい。添加される１元金属酸化物は、強熱減量を
考えればBaO、SnO2、TiO2、GeO2、SiO2及び
ZrO2の水酸化物又は炭酸化物でも良いが、添加
量は、60モル％未満である。いずれにしても２元
金属酸化物の混合物金属酸化物は全体で0.1〜５
モル％の範囲である。 上述の通り本発明では、酸化ビスマスを使用す
ることなく、２元金属酸化物の添加により低い電
圧比Ｒ及び電圧変化率ΔV1を有するバリスタが得
られ、すなわち電圧非直線性と負荷に対する安定
性の良好なバリスタが得られ、組成原料の取扱い
も容易であるため、バリスタ技術の向上に大きく
寄与するものと期待される。
第１図、第２図、第３図、第４図、第５図、第
６図、第７図、第８図、第９図、第１０図、第１
１図、第１２図は、本発明によるバリスタの電圧
比Ｒ、電圧変化率ΔV1及びバリスタ電圧V1と各
組成成分との関係を示すグラフで；第１３図は、
本発明によるバリスタの断面図である。 １……導電性微結晶、２……高抵抗層、３……
電極。
６図、第７図、第８図、第９図、第１０図、第１
１図、第１２図は、本発明によるバリスタの電圧
比Ｒ、電圧変化率ΔV1及びバリスタ電圧V1と各
組成成分との関係を示すグラフで；第１３図は、
本発明によるバリスタの断面図である。 １……導電性微結晶、２……高抵抗層、３……
電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Zn、Ba、Sn、Ti、Ge、Si、Zr、Co、Sb、
Ｂ、Al、Inを、代表的な１元または２元の金属
酸化物であるZnO、BaSnO3、BaTiO3、
BaGeO3、BaSiO3、BaZrO3、CoO、Sb2O3、
B2O3、Al2O3及びIn2O3に換算して、 ZnO 58.9〜99.699モル％ BaSnO3、BaTiO3、BaGeO3、BaSiO3、BaZrO3
から選択された少なくとも１種 0.1〜５モル％ CoO 0.1〜30モル％ Sb2O3 0.05〜３モル％ B2O3 0.05〜３モル％ Al2O3とIn2O3から選択された少なくとも１種
0.001〜0.1モル％ の比率となるように含み、かつBaSnO3、
BaTiO3、BaGeO3、BaSiO3、BaZrO3に代表さ
れるSn、Ti、Ge、Si、ZrのいずれかとBaとの２
元金属酸化物が原料として添加された混合物を焼
結して得られることを特徴とする酸化物セラミツ
クバリスタ。 ２ 上記特許請求の範囲第１項において、Ba、
Sn、Ti、Ge、Si及びZrが前記２元金属酸化物と
１元金属酸化物の両方を原料として添加されてお
り、前記２元金属酸化物を前記代表的２元金属酸
化物に換算し、前記１元金属酸化物を代表的１元
金属酸化物であるBaO、SnO2、TiO2、GeO2、
SiO2、ZrO2に換算したとき、原料として、前記
２元金属酸化物が前記２元金属酸化物と前記１元
金属酸化物の合計に対して40モル％以上である酸
化物セラミツクバリスタ。 ３ 上記特許請求の範囲第２項において、前記１
元金属酸化物がこれと同等の１元金属水酸化物お
よび１元金属炭酸塩を含む酸化物セラミツクバリ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137248A JPS6118101A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 酸化物セラミツクバリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137248A JPS6118101A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 酸化物セラミツクバリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118101A JPS6118101A (ja) | 1986-01-27 |
| JPH0249522B2 true JPH0249522B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=15194228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59137248A Granted JPS6118101A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 酸化物セラミツクバリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6118101A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622513B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1994-03-30 | 新明和リビテック株式会社 | 救急自動車におけるベッドの防振装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0719485B2 (ja) * | 1987-12-16 | 1995-03-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-07-04 JP JP59137248A patent/JPS6118101A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622513B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1994-03-30 | 新明和リビテック株式会社 | 救急自動車におけるベッドの防振装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6118101A (ja) | 1986-01-27 |
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