JPH0897011A - 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 - Google Patents
酸化亜鉛バリスタ用電極材料Info
- Publication number
- JPH0897011A JPH0897011A JP6229541A JP22954194A JPH0897011A JP H0897011 A JPH0897011 A JP H0897011A JP 6229541 A JP6229541 A JP 6229541A JP 22954194 A JP22954194 A JP 22954194A JP H0897011 A JPH0897011 A JP H0897011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- weight
- electrode material
- oxide varistor
- borosilicate glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化亜鉛バリスタに関し、優れた信頼性を示
す酸化亜鉛バリスタ用電極材料を提供することを目的と
する。 【構成】 酸化亜鉛バリスタに、酸化テルルをＴｅＯ2
の形に換算して０．１〜３０．０重量％含む硼珪酸鉛系
ガラスを銀ペースト中に含有してなる酸化亜鉛バリスタ
用電極材料を印刷、焼付して酸化亜鉛バリスタを構成す
ることにより、電圧非直線性、サージ電流耐量特性など
の信頼性に対して優れた性能を発揮する酸化亜鉛バリス
タを得ることができる。
す酸化亜鉛バリスタ用電極材料を提供することを目的と
する。 【構成】 酸化亜鉛バリスタに、酸化テルルをＴｅＯ2
の形に換算して０．１〜３０．０重量％含む硼珪酸鉛系
ガラスを銀ペースト中に含有してなる酸化亜鉛バリスタ
用電極材料を印刷、焼付して酸化亜鉛バリスタを構成す
ることにより、電圧非直線性、サージ電流耐量特性など
の信頼性に対して優れた性能を発揮する酸化亜鉛バリス
タを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種電子機器を異常高電
圧から保護する目的で使用される酸化亜鉛バリスタ用電
極材料に関するものである。
圧から保護する目的で使用される酸化亜鉛バリスタ用電
極材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、酸化亜鉛バリスタに使用され
る電極材料として、例えば特開昭６２−２９０１０４号
公報などが開示されているが、この内容は以下の通りで
ある。ＰｂＯが５０．０〜８５．０重量％、Ｂ2Ｏ3が１
０．０〜３０．０重量％、ＳｉＯ2が５．０〜２５．０
重量％からなる硼珪酸鉛ガラス粉末を重量比で５．０％
秤量し、ブチルカルビトールにエチルセルロースを溶か
したビヒクル（重量比で３０．０％）中にＡｇ粉末（重
量比で６５．０％）とともに混練し銀ペーストを作成
し、酸化亜鉛バリスタ用電極材料とするものである。
る電極材料として、例えば特開昭６２−２９０１０４号
公報などが開示されているが、この内容は以下の通りで
ある。ＰｂＯが５０．０〜８５．０重量％、Ｂ2Ｏ3が１
０．０〜３０．０重量％、ＳｉＯ2が５．０〜２５．０
重量％からなる硼珪酸鉛ガラス粉末を重量比で５．０％
秤量し、ブチルカルビトールにエチルセルロースを溶か
したビヒクル（重量比で３０．０％）中にＡｇ粉末（重
量比で６５．０％）とともに混練し銀ペーストを作成
し、酸化亜鉛バリスタ用電極材料とするものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の硼珪酸鉛ガラスからなる酸化亜鉛バリスタ用電極材
料を酸化亜鉛バリスタに用いると、異常高電圧（サー
ジ）によるバリスタ電圧の特性劣化が大きく、かつ電圧
非直線性、制限電圧比特性ともに満足すべきものではな
いという課題を有していた。本発明は、上記従来の課題
を解決するもので、酸化亜鉛バリスタに使用して優れた
信頼性を示す酸化亜鉛バリスタ用電極材料を提供するこ
とを目的とするものである。
来の硼珪酸鉛ガラスからなる酸化亜鉛バリスタ用電極材
料を酸化亜鉛バリスタに用いると、異常高電圧（サー
ジ）によるバリスタ電圧の特性劣化が大きく、かつ電圧
非直線性、制限電圧比特性ともに満足すべきものではな
いという課題を有していた。本発明は、上記従来の課題
を解決するもので、酸化亜鉛バリスタに使用して優れた
信頼性を示す酸化亜鉛バリスタ用電極材料を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による酸化亜鉛バリスタ用電極材料は、酸化テ
ルルをＴｅＯ2の形に換算して０．１〜３０．０重量％
含む硼珪酸鉛系ガラスを、銀ペースト中に含有した構成
としたものである。
に本発明による酸化亜鉛バリスタ用電極材料は、酸化テ
ルルをＴｅＯ2の形に換算して０．１〜３０．０重量％
含む硼珪酸鉛系ガラスを、銀ペースト中に含有した構成
としたものである。
【０００５】
【作用】この構成による酸化亜鉛バリスタ用電極材料を
酸化亜鉛バリスタの電極として用いることにより、特に
制限電圧比特性および電圧非直線性などの特性改善を図
ることができ、かつサージ電流によるバリスタ特性の劣
化の改善も図ることができる。
酸化亜鉛バリスタの電極として用いることにより、特に
制限電圧比特性および電圧非直線性などの特性改善を図
ることができ、かつサージ電流によるバリスタ特性の劣
化の改善も図ることができる。
【０００６】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
【０００７】まず、酸化亜鉛バリスタ用電極材料に添加
するガラス粉末の調整について述べる。下記の（表１）
の組成表に従い、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｅＯ2を
所定量秤量しボールミルにて混合、粉砕した後、白金ル
ツボにて１０００℃〜１５００℃の温度条件で溶融し、
急冷してガラス化させた。このガラスを粗粉砕した後、
ボールミルにて微粉砕して硼珪酸鉛系ガラス粉末を得
た。また、従来例の硼珪酸鉛ガラスとしてＰｂＯが７
０．０重量％、Ｂ2Ｏ3が１５．０重量％、ＳｉＯ2が１
５．０重量％からなるガラス粉末を同様の手法にて作製
した。以上のように作製したガラスのガラス転移点（Ｔ
ｇ）を下記の（表１）に示した。ここで、ガラス転移点
（Ｔｇ）は熱分析装置を用いて測定した。
するガラス粉末の調整について述べる。下記の（表１）
の組成表に従い、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｅＯ2を
所定量秤量しボールミルにて混合、粉砕した後、白金ル
ツボにて１０００℃〜１５００℃の温度条件で溶融し、
急冷してガラス化させた。このガラスを粗粉砕した後、
ボールミルにて微粉砕して硼珪酸鉛系ガラス粉末を得
た。また、従来例の硼珪酸鉛ガラスとしてＰｂＯが７
０．０重量％、Ｂ2Ｏ3が１５．０重量％、ＳｉＯ2が１
５．０重量％からなるガラス粉末を同様の手法にて作製
した。以上のように作製したガラスのガラス転移点（Ｔ
ｇ）を下記の（表１）に示した。ここで、ガラス転移点
（Ｔｇ）は熱分析装置を用いて測定した。
【０００８】次に、この硼珪酸鉛系ガラス粉末を所定量
（重量比で５．０％）秤量し、ブチルカルビトールにエ
チルセルロースを溶かしたビヒクル（重量比で３０．０
％）中にＡｇ粉末（重量比で６５．０％）とともに混練
し、酸化亜鉛バリスタ用電極材料を作製した。
（重量比で５．０％）秤量し、ブチルカルビトールにエ
チルセルロースを溶かしたビヒクル（重量比で３０．０
％）中にＡｇ粉末（重量比で６５．０％）とともに混練
し、酸化亜鉛バリスタ用電極材料を作製した。
【０００９】以上のように作製した酸化亜鉛バリスタ用
電極材料を評価するため、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、
酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ2）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化アンチモン（Ｓ
ｂ2Ｏ3）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）をそれぞれ０．５モ
ル％、Ａｌ2Ｏ3を０．００５モル％、残りが酸化亜鉛
（ＺｎＯ）からなる酸化亜鉛バリスタ焼結体（直径１３
mm、厚さ１．５mm）を用意した。この焼結体の両面に酸
化亜鉛バリスタ用電極材料を直径１０mmとなるようスク
リーン印刷し、８００℃で１０分間焼付け電極を形成
し、リード線を半田付けした後、樹脂モールドして試料
を得た。
電極材料を評価するため、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、
酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ2）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化アンチモン（Ｓ
ｂ2Ｏ3）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）をそれぞれ０．５モ
ル％、Ａｌ2Ｏ3を０．００５モル％、残りが酸化亜鉛
（ＺｎＯ）からなる酸化亜鉛バリスタ焼結体（直径１３
mm、厚さ１．５mm）を用意した。この焼結体の両面に酸
化亜鉛バリスタ用電極材料を直径１０mmとなるようスク
リーン印刷し、８００℃で１０分間焼付け電極を形成
し、リード線を半田付けした後、樹脂モールドして試料
を得た。
【００１０】このようにして得られた試料の
【００１１】
【外１】
【００１２】制限電圧比特性（Ｖ50A／Ｖ1mA）、および
サージ電流耐量特性を下記の（表２）に示す。ここで、
Ｖ1mA、
サージ電流耐量特性を下記の（表２）に示す。ここで、
Ｖ1mA、
【００１３】
【外２】
【００１４】は直流定電流電源を用いて測定し、Ｖ50A
は標準波形８／２０μＳ、波高値５０Ａの電流を印加し
て測定を行った。また、サージ電流耐量特性は標準波形
８／２０μＳ、波高値５０００Ａの衝撃電流を同一方向
に２回印加し
は標準波形８／２０μＳ、波高値５０Ａの電流を印加し
て測定を行った。また、サージ電流耐量特性は標準波形
８／２０μＳ、波高値５０００Ａの衝撃電流を同一方向
に２回印加し
【００１５】
【外３】
【００１６】を測定した。なお、試料数は各ロット１０
個である。
個である。
【００１７】
【外４】
【００１８】および（Ｖ50A／Ｖ1mA）の値は１．０に近
いほど良い特性であり、
いほど良い特性であり、
【００１９】
【外５】
【００２０】はその絶対値が小さいほど良い特性であ
る。
る。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】まず、（表１）および（表２）から、酸化
亜鉛バリスタ用電極材料中の硼珪酸鉛系ガラスに含まれ
るＴｅＯ2含有量の電圧非直線性、制限電圧比特性およ
びサージ電流耐量特性への影響を考察する。（表２）の
試料Ｎｏ．２に示すように、ＴｅＯ2の含有量が０．１
重量％以上の組成系においては電圧非直線性が向上する
が、（表２）の試料Ｎｏ．６に示すように、ＴｅＯ2の
含有量が３０．０重量％を越える組成系では制限電圧比
特性、サージ電流耐量特性は悪化する。従って、酸化亜
鉛バリスタ用電極材料中の硼珪酸鉛系ガラスにおいて少
なくとも試料Ｎｏ．２〜５の範囲のＴｅＯ2を０．１〜
３０．０重量％含む組成系であることが必要条件であ
る。
亜鉛バリスタ用電極材料中の硼珪酸鉛系ガラスに含まれ
るＴｅＯ2含有量の電圧非直線性、制限電圧比特性およ
びサージ電流耐量特性への影響を考察する。（表２）の
試料Ｎｏ．２に示すように、ＴｅＯ2の含有量が０．１
重量％以上の組成系においては電圧非直線性が向上する
が、（表２）の試料Ｎｏ．６に示すように、ＴｅＯ2の
含有量が３０．０重量％を越える組成系では制限電圧比
特性、サージ電流耐量特性は悪化する。従って、酸化亜
鉛バリスタ用電極材料中の硼珪酸鉛系ガラスにおいて少
なくとも試料Ｎｏ．２〜５の範囲のＴｅＯ2を０．１〜
３０．０重量％含む組成系であることが必要条件であ
る。
【００２４】一方、サージ電流耐量特性はＴｅＯ2の含
有量のほかにＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2含有量の影響を
受けるため、これらの組成について考慮する必要があ
る。そこで、（表１）および（表２）に基づき電極材料
に含まれる硼珪酸鉛ガラスの構成成分の制限電圧比特
性、サージ電流耐量特性への影響を考察する。
有量のほかにＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2含有量の影響を
受けるため、これらの組成について考慮する必要があ
る。そこで、（表１）および（表２）に基づき電極材料
に含まれる硼珪酸鉛ガラスの構成成分の制限電圧比特
性、サージ電流耐量特性への影響を考察する。
【００２５】（表１）のガラスＧのようなＰｂＯ含有量
が４０．０重量％未満の組成系のガラスはガラス転移点
が高く、ガラスの流動性が小さすぎて半田濡れ性が悪
い。一方（表１）のガラスＩのようなＰｂＯ含有量が８
０．０重量％を越える組成系のガラスはガラス転移点が
低く、ガラスの流動性が大きすぎるため電流剥離強度が
低下し信頼性に欠ける。（表２）の試料Ｎｏ．１０に示
すようなＢ2Ｏ3の含有量が５．０重量％未満の組成系に
おいては、５．０重量％の試料Ｎｏ．１１，１２と比較
してわかるように、電圧非直線性が悪い。また一方、
（表２）のＮｏ．１４に示すようなＢ2Ｏ3の含有量が３
０．０重量％を越える組成系においては、丁度３０．０
重量％の試料Ｎｏ．７等と比較してわかるようにサージ
電流耐量特性が悪い。（表２）の試料Ｎｏ．１３に示す
ようなＳｉＯ2の含有量が５．０重量％未満の組成系に
おいては、５．０重量％の試料Ｎｏ．９，１４等と比較
してわかるように、サージ電流耐量特性が悪い。また一
方、（表２）の試料Ｎｏ．１２に示すようなＳｉＯ2の
含有量が３０．０重量％を越える組成系においても、３
０．０重量％の試料Ｎｏ．７や２０．０重量％の試料Ｎ
ｏ．１１等に比してサージ電流耐量特性は悪化する。
が４０．０重量％未満の組成系のガラスはガラス転移点
が高く、ガラスの流動性が小さすぎて半田濡れ性が悪
い。一方（表１）のガラスＩのようなＰｂＯ含有量が８
０．０重量％を越える組成系のガラスはガラス転移点が
低く、ガラスの流動性が大きすぎるため電流剥離強度が
低下し信頼性に欠ける。（表２）の試料Ｎｏ．１０に示
すようなＢ2Ｏ3の含有量が５．０重量％未満の組成系に
おいては、５．０重量％の試料Ｎｏ．１１，１２と比較
してわかるように、電圧非直線性が悪い。また一方、
（表２）のＮｏ．１４に示すようなＢ2Ｏ3の含有量が３
０．０重量％を越える組成系においては、丁度３０．０
重量％の試料Ｎｏ．７等と比較してわかるようにサージ
電流耐量特性が悪い。（表２）の試料Ｎｏ．１３に示す
ようなＳｉＯ2の含有量が５．０重量％未満の組成系に
おいては、５．０重量％の試料Ｎｏ．９，１４等と比較
してわかるように、サージ電流耐量特性が悪い。また一
方、（表２）の試料Ｎｏ．１２に示すようなＳｉＯ2の
含有量が３０．０重量％を越える組成系においても、３
０．０重量％の試料Ｎｏ．７や２０．０重量％の試料Ｎ
ｏ．１１等に比してサージ電流耐量特性は悪化する。
【００２６】以上の結果より、酸化亜鉛バリスタ用電極
材料のガラス成分の組成は、ＰｂＯが４０．０〜８０．
０重量％、Ｂ2Ｏ3が５．０〜３０．０重量％、ＳｉＯ2
が５．０〜３０．０重量％、ＴｅＯ2が０．１〜３０．
０重量％の範囲が最適であることがわかる。
材料のガラス成分の組成は、ＰｂＯが４０．０〜８０．
０重量％、Ｂ2Ｏ3が５．０〜３０．０重量％、ＳｉＯ2
が５．０〜３０．０重量％、ＴｅＯ2が０．１〜３０．
０重量％の範囲が最適であることがわかる。
【００２７】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００２８】下記の（表３）の組成表に従い、ＰｂＯ、
Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ
2Ｏ3、ＧｅＯ2を所定量秤量し、上記実施例１と同様の
方法でガラスを作製した。このガラスの特性を（表３）
に示す。
Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ
2Ｏ3、ＧｅＯ2を所定量秤量し、上記実施例１と同様の
方法でガラスを作製した。このガラスの特性を（表３）
に示す。
【００２９】次に、このガラスを用いて上記実施例１と
同様に酸化亜鉛バリスタ用電極材料を作製し、上記実施
例１で用いた酸化亜鉛バリスタに塗布して同様の方法で
評価した。この結果を（表４）に示す。
同様に酸化亜鉛バリスタ用電極材料を作製し、上記実施
例１で用いた酸化亜鉛バリスタに塗布して同様の方法で
評価した。この結果を（表４）に示す。
【００３０】
【表３】
【００３１】
【表４】
【００３２】まず、（表３）および（表４）から、酸化
亜鉛バリスタ用電極材料中の硼珪酸鉛テルル系ガラス中
のＡｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2含有量の電
圧非直線性、制限電圧比特性およびサージ電流耐量特性
への影響を考察する。
亜鉛バリスタ用電極材料中の硼珪酸鉛テルル系ガラス中
のＡｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2含有量の電
圧非直線性、制限電圧比特性およびサージ電流耐量特性
への影響を考察する。
【００３３】（表４）の試料Ｎｏ．１５〜２１に示すよ
うにＡｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2の中から
選択された少なくとも一つの元素を１．０×１０-4重量
％以上含む組成系においては、制限電圧比特性が向上す
るが、（表４）の試料Ｎｏ．２２，２３のように上記元
素の添加量が総量で１．０重量％を越える組成系では、
電圧非直線性およびサージ電流耐量特性は悪化する。従
って、酸化亜鉛バリスタ用電極材料中の硼珪酸鉛系ガラ
スにおいてＡｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2の
中から選択された少なくとも一つの元素を１．０×１０
-4〜１．０重量％含む組成系であることが必要条件であ
る。
うにＡｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2の中から
選択された少なくとも一つの元素を１．０×１０-4重量
％以上含む組成系においては、制限電圧比特性が向上す
るが、（表４）の試料Ｎｏ．２２，２３のように上記元
素の添加量が総量で１．０重量％を越える組成系では、
電圧非直線性およびサージ電流耐量特性は悪化する。従
って、酸化亜鉛バリスタ用電極材料中の硼珪酸鉛系ガラ
スにおいてＡｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2の
中から選択された少なくとも一つの元素を１．０×１０
-4〜１．０重量％含む組成系であることが必要条件であ
る。
【００３４】一方、サージ電流耐量特性はＡｌ2Ｏ3、Ｉ
ｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2の含有量のほかにＰｂＯ、
Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｅＯ2含有量の影響を受けるが、上
記実施例１と同様の理由により酸化亜鉛バリスタ用電極
材料のガラス成分の組成は、ＰｂＯが４０．０〜８０．
０重量％、Ｂ2Ｏ3が５．０〜３０．０重量％、ＳｉＯ 2
が５．０〜３０．０重量％、ＴｅＯ2が０．１〜３０．
０重量％で、かつＡｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｇｅ
Ｏ2の中から選択された少なくとも一つの元素を１．０
×１０-4〜１．０重量％含む範囲の組成が最適であるこ
とがわかる。
ｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2の含有量のほかにＰｂＯ、
Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｅＯ2含有量の影響を受けるが、上
記実施例１と同様の理由により酸化亜鉛バリスタ用電極
材料のガラス成分の組成は、ＰｂＯが４０．０〜８０．
０重量％、Ｂ2Ｏ3が５．０〜３０．０重量％、ＳｉＯ 2
が５．０〜３０．０重量％、ＴｅＯ2が０．１〜３０．
０重量％で、かつＡｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｇｅ
Ｏ2の中から選択された少なくとも一つの元素を１．０
×１０-4〜１．０重量％含む範囲の組成が最適であるこ
とがわかる。
【００３５】なお、（表４）の試料Ｎｏ．１７に示すよ
うに、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2等の酸
化物を複合して用いても同様の効果が得られることを確
認した。
うに、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2等の酸
化物を複合して用いても同様の効果が得られることを確
認した。
【００３６】さらに、実施例１，２では硼珪酸鉛系ガラ
スの原料として酸化鉛をＰｂＯ、酸化硼素をＢ2Ｏ3、酸
化珪素をＳｉＯ2、酸化テルルをＴｅＯ2、酸化アルミニ
ウムをＡｌ2Ｏ3、酸化インジウムをＩｎ2Ｏ3の形で用い
たが、他の形で用いても同等の物性が得られることを確
認した。また、実施例１，２では酸化亜鉛バリスタ用電
極材料中の硼珪酸鉛系ガラスの含有量が５．０重量％の
場合についてのみ述べたが、１．０〜３０．０重量％で
あれば本発明の効果に変わりはない。さらに、評価用の
焼結体として、ＺｎＯ、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2、ＮｉＯ、Ｓｂ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3からなる
系の酸化亜鉛バリスタを用いたが、Ｐｒ6Ｏ11、Ｃａ
Ｏ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｋ2Ｏ、ＳｉＯ2等を含む酸化亜鉛
バリスタに本発明による酸化亜鉛バリスタ用電極材料を
適用しても効果に変わりはない。
スの原料として酸化鉛をＰｂＯ、酸化硼素をＢ2Ｏ3、酸
化珪素をＳｉＯ2、酸化テルルをＴｅＯ2、酸化アルミニ
ウムをＡｌ2Ｏ3、酸化インジウムをＩｎ2Ｏ3の形で用い
たが、他の形で用いても同等の物性が得られることを確
認した。また、実施例１，２では酸化亜鉛バリスタ用電
極材料中の硼珪酸鉛系ガラスの含有量が５．０重量％の
場合についてのみ述べたが、１．０〜３０．０重量％で
あれば本発明の効果に変わりはない。さらに、評価用の
焼結体として、ＺｎＯ、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2、ＮｉＯ、Ｓｂ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3からなる
系の酸化亜鉛バリスタを用いたが、Ｐｒ6Ｏ11、Ｃａ
Ｏ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｋ2Ｏ、ＳｉＯ2等を含む酸化亜鉛
バリスタに本発明による酸化亜鉛バリスタ用電極材料を
適用しても効果に変わりはない。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、酸化テルルをＴｅＯ2の
形に換算して０．１〜３０．０重量％含む硼珪酸鉛系ガ
ラスを銀ペースト中に含有した電極材料を酸化亜鉛バリ
スタに印刷、焼付けすることにより、電圧非直線性、制
限電圧比特性、サージ電流耐量特性に優れた酸化亜鉛バ
リスタを得ることができる。
形に換算して０．１〜３０．０重量％含む硼珪酸鉛系ガ
ラスを銀ペースト中に含有した電極材料を酸化亜鉛バリ
スタに印刷、焼付けすることにより、電圧非直線性、制
限電圧比特性、サージ電流耐量特性に優れた酸化亜鉛バ
リスタを得ることができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 酸化テルルをＴｅＯ2の形に換算して
０．１〜３０．０重量％含む硼珪酸鉛系ガラスを、銀ペ
ースト中に含有してなることを特徴とする酸化亜鉛バリ
スタ用電極材料。 - 【請求項２】 ＰｂＯが４０．０〜８０．０重量％、Ｓ
ｉＯ2が５．０〜３０．０重量％、Ｂ2Ｏ3が５．０〜３
０．０重量％、ＴｅＯ2が０．１〜３０．０重量％から
なる硼珪酸鉛系ガラスを、銀ペースト中に含有してなる
請求項１記載の酸化亜鉛バリスタ用電極材料。 - 【請求項３】 ＰｂＯが４０．０〜８０．０重量％、Ｓ
ｉＯ2が５．０〜３０．０重量％、Ｂ2Ｏ3が５．０〜３
０．０重量％、ＴｅＯ2が０．１〜３０．０重量％、酸
化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化
ゲルマニウムの中から選択された、少なくとも一つの元
素を、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2の形に
換算して１．０×１０-4〜１．０重量％含む硼珪酸鉛系
ガラスを、銀ペースト中に含有してなる請求項１記載の
酸化亜鉛バリスタ用電極材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229541A JPH0897011A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229541A JPH0897011A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897011A true JPH0897011A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16893789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6229541A Pending JPH0897011A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897011A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152397A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Tdk Corp | バリスタ |
| EP2566823A1 (en) | 2010-05-04 | 2013-03-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| CN103219063A (zh) * | 2012-01-24 | 2013-07-24 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 包含铜和铅-碲-氧化物的厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途 |
| US20130269772A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-17 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken, Llc | Conductive Thick Film Paste For Solar Cell Contacts |
| JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
| JP2014049743A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | E.I.Du Pont De Nemours And Company | 低濃度ドーピングのエミッタを備えた半導体デバイスの製造における、鉛−テルルをベースとする酸化物を含有する導電性組成物の使用 |
| US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP6229541A patent/JPH0897011A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152397A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Tdk Corp | バリスタ |
| TWI564351B (zh) * | 2010-05-04 | 2017-01-01 | 杜邦股份有限公司 | 含有鉛－碲－硼－氧化物之厚膜膏及其在半導體裝置之製造中的用途 |
| US10069020B2 (en) | 2010-05-04 | 2018-09-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8895843B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8889979B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10559703B2 (en) | 2010-05-04 | 2020-02-11 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10468542B2 (en) | 2010-05-04 | 2019-11-05 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US9722100B2 (en) | 2010-05-04 | 2017-08-01 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8889980B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US11043605B2 (en) | 2010-05-04 | 2021-06-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2013534023A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-29 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−ホウ素−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| EP2566823A1 (en) | 2010-05-04 | 2013-03-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2013179038A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-09-09 | E I Du Pont De Nemours & Co | 銅および鉛・テルル酸化物を含有する厚膜銀ペーストならびに半導体デバイスの製造におけるその使用 |
| CN103219063A (zh) * | 2012-01-24 | 2013-07-24 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 包含铜和铅-碲-氧化物的厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途 |
| US8956557B2 (en) | 2012-01-24 | 2015-02-17 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film silver paste containing copper and lead—tellurium—oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
| US20130269772A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-17 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken, Llc | Conductive Thick Film Paste For Solar Cell Contacts |
| JP2014049743A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | E.I.Du Pont De Nemours And Company | 低濃度ドーピングのエミッタを備えた半導体デバイスの製造における、鉛−テルルをベースとする酸化物を含有する導電性組成物の使用 |
| US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0581969B1 (en) | Zinc oxide varistor and production thereof | |
| CA1222066A (en) | Nonlinear voltage dependent resistor and method for manufacturing thereof | |
| JPH0897011A (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 | |
| JP2970191B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 | |
| JP2970179B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 | |
| JP3317023B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ | |
| JP3317015B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ | |
| JPH04139702A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPH05335106A (ja) | 抵抗ペースト | |
| JPH0897012A (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 | |
| JPH05335107A (ja) | 抵抗ペースト | |
| JPS6257242B2 (ja) | ||
| JPH06208908A (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 | |
| JPS626323B2 (ja) | ||
| JP3089370B2 (ja) | 電圧非直線抵抗組成物 | |
| JPH1197217A (ja) | 低電圧用電圧非直線性抵抗器の製造方法 | |
| JPH053103A (ja) | サーミスタ磁器 | |
| JPH0897009A (ja) | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 | |
| JPH0742135B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用ガラス組成物と酸化亜鉛バリスタ | |
| JPS5928961B2 (ja) | 厚膜バリスタ | |
| JPH0897013A (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 | |
| JP3089371B2 (ja) | 電圧非直線抵抗組成物 | |
| CN114450257A (zh) | 半导体元件包覆用玻璃及使用该玻璃的半导体包覆用材料 | |
| JPH0733261B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用ガラス組成物と酸化亜鉛バリスタ | |
| JPH08718B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用ガラス組成物と酸化亜鉛バリスタ |