JP2000044333A - ＺｎＯバリスタの製造方法 - Google Patents
ＺｎＯバリスタの製造方法Info
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- JP2000044333A JP2000044333A JP10206012A JP20601298A JP2000044333A JP 2000044333 A JP2000044333 A JP 2000044333A JP 10206012 A JP10206012 A JP 10206012A JP 20601298 A JP20601298 A JP 20601298A JP 2000044333 A JP2000044333 A JP 2000044333A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形体と電極との一体焼結が可能な、電圧非
直線性の優れたＺｎＯバリスタ素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 主成分のＺｎＯに、副成分として少なく
とも、Ｂｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉの酸化物を含む組
成に、更にＴｅをＴｅＯ2に換算しＺｎＯに対し０．１
〜２．０ｍｏｌ％添加した組成の成形体に電極ペースト
を塗布した後、成形体と電極２とを一体焼結する。
直線性の優れたＺｎＯバリスタ素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 主成分のＺｎＯに、副成分として少なく
とも、Ｂｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉの酸化物を含む組
成に、更にＴｅをＴｅＯ2に換算しＺｎＯに対し０．１
〜２．０ｍｏｌ％添加した組成の成形体に電極ペースト
を塗布した後、成形体と電極２とを一体焼結する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器を異
常高電圧から保護するために用いるＺｎＯバリスタの製
造方法に関するものである。
常高電圧から保護するために用いるＺｎＯバリスタの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器の制御回路の高集積
化が急速に進展している。これらの制御回路に用いられ
ている半導体電子部品は、回路外部からの雷サージや異
常高電圧の侵入により、誤動作をしたり、破壊される場
合がある。この対策として優れた電圧非直線性、及びサ
ージ吸収性を有するＺｎＯバリスタが回路保護素子とし
て広く利用されている。
化が急速に進展している。これらの制御回路に用いられ
ている半導体電子部品は、回路外部からの雷サージや異
常高電圧の侵入により、誤動作をしたり、破壊される場
合がある。この対策として優れた電圧非直線性、及びサ
ージ吸収性を有するＺｎＯバリスタが回路保護素子とし
て広く利用されている。
【０００３】従来のＺｎＯバリスタの製造方法は、主成
分であるＺｎＯに副成分としてＢｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ａ
ｌ，Ｓｂ，Ｔｉ等の金属酸化物を添加混合、造粒した材
料組成粉末を成形し、この成形体を１１００〜１４００
℃の温度で焼成を行った後、焼結体の両主平面にＡｇ等
の電極を形成してバリスタ素子を得ていた。ＺｎＯバリ
スタでは焼結体の焼結粒子径を制御し、所望のバリスタ
電圧（Ｖ1mA／mm）を得ており、前記製造方法ではＢ
ｉ，Ｓｂ等の低融点金属酸化物を添加した成形体を１１
００℃より高い温度で焼成することにより、焼結体のＺ
ｎＯ粒子径を５０〜２００μｍの大きさに粒成長させ所
望のバリスタ電圧を得ていた。
分であるＺｎＯに副成分としてＢｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ａ
ｌ，Ｓｂ，Ｔｉ等の金属酸化物を添加混合、造粒した材
料組成粉末を成形し、この成形体を１１００〜１４００
℃の温度で焼成を行った後、焼結体の両主平面にＡｇ等
の電極を形成してバリスタ素子を得ていた。ＺｎＯバリ
スタでは焼結体の焼結粒子径を制御し、所望のバリスタ
電圧（Ｖ1mA／mm）を得ており、前記製造方法ではＢ
ｉ，Ｓｂ等の低融点金属酸化物を添加した成形体を１１
００℃より高い温度で焼成することにより、焼結体のＺ
ｎＯ粒子径を５０〜２００μｍの大きさに粒成長させ所
望のバリスタ電圧を得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のＺｎＯバリスタの製造方法では、ＺｎＯ焼結粒子径
を５０〜２００μｍに粒成長させるためには、１１００
℃より高い焼成温度が必要であり、このため昇華点が１
０００℃以下のＡｇ等の低融点金属を主成分とする電極
ペーストを用いた場合、成形体と電極の一体焼結を行う
ことができない。従って成形体を焼結する工程と、焼結
体に電極ペーストを焼付ける工程が必要であった。
来のＺｎＯバリスタの製造方法では、ＺｎＯ焼結粒子径
を５０〜２００μｍに粒成長させるためには、１１００
℃より高い焼成温度が必要であり、このため昇華点が１
０００℃以下のＡｇ等の低融点金属を主成分とする電極
ペーストを用いた場合、成形体と電極の一体焼結を行う
ことができない。従って成形体を焼結する工程と、焼結
体に電極ペーストを焼付ける工程が必要であった。
【０００５】本発明は前記従来の問題を解決するもの
で、成形体と電極との一体焼結が可能で、しかも電圧非
直線性とサージ吸収性に優れたＺｎＯバリスタの製造方
法を提供することを目的とするものである。
で、成形体と電極との一体焼結が可能で、しかも電圧非
直線性とサージ吸収性に優れたＺｎＯバリスタの製造方
法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明のＺｎＯバリスタの製造方法は、ＺｎＯを主成
分とし、副成分として少なくともＢｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａ
ｌ，Ｔｉを含む組成に、さらにＴｅをＴｅＯ2に換算し
ＺｎＯに対し０．１〜２．０ｍｏｌ％添加した材料組成
粉末を所定形状に成形し、その成形体の両主平面に電極
ペーストを塗布した後、成形体と電極とを一体焼結する
ことで所期の目的を達成することができるものである。
に本発明のＺｎＯバリスタの製造方法は、ＺｎＯを主成
分とし、副成分として少なくともＢｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａ
ｌ，Ｔｉを含む組成に、さらにＴｅをＴｅＯ2に換算し
ＺｎＯに対し０．１〜２．０ｍｏｌ％添加した材料組成
粉末を所定形状に成形し、その成形体の両主平面に電極
ペーストを塗布した後、成形体と電極とを一体焼結する
ことで所期の目的を達成することができるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として少なくともＢ
ｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉを含む組成に、さらにＴｅ
をＴｅＯ2に換算しＺｎＯに対して０．１〜２．０ｍｏ
ｌ％添加した材料組成粉末を所定形状に成形し、その成
形体両主平面に電極ペーストを塗布した後、８００〜９
６０℃の温度で成形体と電極とを一体焼結することを特
徴としたＺｎＯバリスタの製造方法であり、添加したＴ
ｅがＳｂ，Ｂｉと比較的低温で反応し、従来の焼成温度
領域より低い８００〜９６０℃の温度でＺｎＯ粒子の粒
成長を促進させ所望のバリスタ電圧を得ると共に、電圧
非直線性、サージ吸収性を向上させる効果がある。従っ
てＡｇ等の低融点金属を主成分とするＡｇ等の電極ペー
ストを成形体の両主平面に塗布し、成形体と電極を一体
焼結することが可能となる。これにより電極焼付け工程
を省略し工程数を削減することができるという作用を有
するものである。
は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として少なくともＢ
ｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉを含む組成に、さらにＴｅ
をＴｅＯ2に換算しＺｎＯに対して０．１〜２．０ｍｏ
ｌ％添加した材料組成粉末を所定形状に成形し、その成
形体両主平面に電極ペーストを塗布した後、８００〜９
６０℃の温度で成形体と電極とを一体焼結することを特
徴としたＺｎＯバリスタの製造方法であり、添加したＴ
ｅがＳｂ，Ｂｉと比較的低温で反応し、従来の焼成温度
領域より低い８００〜９６０℃の温度でＺｎＯ粒子の粒
成長を促進させ所望のバリスタ電圧を得ると共に、電圧
非直線性、サージ吸収性を向上させる効果がある。従っ
てＡｇ等の低融点金属を主成分とするＡｇ等の電極ペー
ストを成形体の両主平面に塗布し、成形体と電極を一体
焼結することが可能となる。これにより電極焼付け工程
を省略し工程数を削減することができるという作用を有
するものである。
【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、Ｂｉと
Ｔｅの混合物を予め４００〜９００℃の温度で仮焼を行
い、Ｂｉ−Ｔｅ化合物の形で添加することを特徴とする
請求項１に記載のＺｎＯバリスタの製造方法であり、Ｂ
ｉとＴｅの混合物を予め反応させたＢｉ−Ｔｅ化合物を
用いた場合、Ｂｉ−Ｔｅ化合物が更に成形体に有効に作
用し、低温焼成においてもＺｎＯ粒子の粒成長を促進す
る効果を高めると共に、電圧非直線性、サージ吸収性を
向上させることができるという作用を有するものであ
る。
Ｔｅの混合物を予め４００〜９００℃の温度で仮焼を行
い、Ｂｉ−Ｔｅ化合物の形で添加することを特徴とする
請求項１に記載のＺｎＯバリスタの製造方法であり、Ｂ
ｉとＴｅの混合物を予め反応させたＢｉ−Ｔｅ化合物を
用いた場合、Ｂｉ−Ｔｅ化合物が更に成形体に有効に作
用し、低温焼成においてもＺｎＯ粒子の粒成長を促進す
る効果を高めると共に、電圧非直線性、サージ吸収性を
向上させることができるという作用を有するものであ
る。
【０００９】（実施の形態１）以下に本発明の第１の実
施形態について説明する。
施形態について説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施形態のＺｎＯバリス
タを示し、１はバリスタ素子、２は電極である。
タを示し、１はバリスタ素子、２は電極である。
【００１１】まず、主成分のＺｎＯに対し、副成分のＢ
ｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、
ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．１ｍｏｌ
％、Ａｌ2Ｏ3を０．００５ｍｏｌ％、ＴｉＯ2を０．５
ｍｏｌ％の組成に、更にＴｅＯ2を０、０．０１、０．
１、０．５、２．０、及び５．０ｍｏｌ％の夫々の量を
添加、混合、乾燥後、バインダを加えて造粒を行い、得
られた造粒粉末を１０００kg／cm2の圧力で、直径１３m
m、厚さ１．３mmの成形体を作成する。
ｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、
ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．１ｍｏｌ
％、Ａｌ2Ｏ3を０．００５ｍｏｌ％、ＴｉＯ2を０．５
ｍｏｌ％の組成に、更にＴｅＯ2を０、０．０１、０．
１、０．５、２．０、及び５．０ｍｏｌ％の夫々の量を
添加、混合、乾燥後、バインダを加えて造粒を行い、得
られた造粒粉末を１０００kg／cm2の圧力で、直径１３m
m、厚さ１．３mmの成形体を作成する。
【００１２】次に、成形体の両主平面にＡｇを主成分と
する電極２ペーストを塗布する。次いで、電極を塗布し
た成形体を７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃、
９３０℃、及び９６０℃の各温度で２時間保持する焼成
を行い、電極２と一体焼結したバリスタ素子１を得た。
する電極２ペーストを塗布する。次いで、電極を塗布し
た成形体を７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃、
９３０℃、及び９６０℃の各温度で２時間保持する焼成
を行い、電極２と一体焼結したバリスタ素子１を得た。
【００１３】得られたバリスタ素子１についてバリスタ
電圧（Ｖ1mA／mm）と
電圧（Ｖ1mA／mm）と
【００１４】
【外１】
【００１５】の評価を行いその結果を（表１）、（表
２）に示した。ここで、バリスタ電圧Ｖ 1mAとはバリス
タ素子１に１ｍＡの電流を流したときのバリスタ素子１
の電極２間電圧である。又、直流定電流電源でＶ1mAと
２）に示した。ここで、バリスタ電圧Ｖ 1mAとはバリス
タ素子１に１ｍＡの電流を流したときのバリスタ素子１
の電極２間電圧である。又、直流定電流電源でＶ1mAと
【００１６】
【外２】
【００１７】を測定し、電圧非直線性とし
【００１８】
【外３】
【００１９】で表した。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】（表１）、（表２）に示すように、Ｔｅの
添加量が０．５ｍｏｌ％迄は添加量に従ってバリスタ電
圧が低下し０．５ｍｏｌ％を超えるとバリスタ電圧が高
くなる。また２ｍｏｌ％以上になると急激にバリスタ電
圧が高くなる。バリスタ電圧はＺｎＯ焼結粒子の直列電
圧成分の和であり、ＺｎＯ焼結粒子１個当たりに１ｍＡ
の電流を印加した時の障壁電圧が約２〜３Ｖと一定であ
ることから、単位厚み当たりのＺｎＯ焼結粒子数を表し
ている。この単位厚み当たりのＺｎＯ焼結粒子数からＺ
ｎＯ焼結粒子の粒径を判定することができる。即ち、バ
リスタ電圧の低下はＺｎＯ焼結粒子が粒成長しているこ
とを示すものである。このことはＴｅは８００〜９６０
℃の焼成温度範囲でＺｎＯ焼結粒子の粒成長を促進する
効果があることが分かる。また、バリスタ電圧を低下さ
せる効果、及び電圧比特性の結果から、ＴｅのＴｅＯ2
に換算した適正添加量はＺｎＯに対して０．１〜２．０
ｍｏｌ％の範囲であると言える。
添加量が０．５ｍｏｌ％迄は添加量に従ってバリスタ電
圧が低下し０．５ｍｏｌ％を超えるとバリスタ電圧が高
くなる。また２ｍｏｌ％以上になると急激にバリスタ電
圧が高くなる。バリスタ電圧はＺｎＯ焼結粒子の直列電
圧成分の和であり、ＺｎＯ焼結粒子１個当たりに１ｍＡ
の電流を印加した時の障壁電圧が約２〜３Ｖと一定であ
ることから、単位厚み当たりのＺｎＯ焼結粒子数を表し
ている。この単位厚み当たりのＺｎＯ焼結粒子数からＺ
ｎＯ焼結粒子の粒径を判定することができる。即ち、バ
リスタ電圧の低下はＺｎＯ焼結粒子が粒成長しているこ
とを示すものである。このことはＴｅは８００〜９６０
℃の焼成温度範囲でＺｎＯ焼結粒子の粒成長を促進する
効果があることが分かる。また、バリスタ電圧を低下さ
せる効果、及び電圧比特性の結果から、ＴｅのＴｅＯ2
に換算した適正添加量はＺｎＯに対して０．１〜２．０
ｍｏｌ％の範囲であると言える。
【００２３】尚、本実施形態では、バリスタ素子１の成
形体に電極２ペーストを塗布し一体焼結を行ったが、バ
リスタ素子１の成形体を８００〜９６０℃の温度範囲で
焼成し、その後に電極２ペーストを塗布し焼付けを行っ
ても同じ電気特性が得られることが確認されている。
形体に電極２ペーストを塗布し一体焼結を行ったが、バ
リスタ素子１の成形体を８００〜９６０℃の温度範囲で
焼成し、その後に電極２ペーストを塗布し焼付けを行っ
ても同じ電気特性が得られることが確認されている。
【００２４】（実施の形態２）以下に本発明の実施形態
２について説明する。
２について説明する。
【００２５】まず、ＢｉとＴｅの混合物を３００〜１０
００℃の各温度で反応させた後、粉砕した（ＢｉＴｅ）
2Ｏ3化合物を作成する。
００℃の各温度で反応させた後、粉砕した（ＢｉＴｅ）
2Ｏ3化合物を作成する。
【００２６】次に、主成分であるＺｎＯに対し、副成分
としてＣｏ2Ｏ3 ０．５ｍｏｌ％、ＭｎＯ2 ０．５ｍｏ
ｌ％、Ｓｂ2Ｏ3 ０．１ｍｏｌ％、ＴｉＯ2 ０．５ｍｏ
ｌ％、Ａｌ2Ｏ3 ０．００５ｍｏｌ％の組成に、更に
（ＢｉＴｅ）2Ｏ3化合物を１．０ｍｏｌ％添加し混合、
乾燥後、実施形態１と同様の処理を行い、９００℃の温
度で２時間保持する焼成を行った。
としてＣｏ2Ｏ3 ０．５ｍｏｌ％、ＭｎＯ2 ０．５ｍｏ
ｌ％、Ｓｂ2Ｏ3 ０．１ｍｏｌ％、ＴｉＯ2 ０．５ｍｏ
ｌ％、Ａｌ2Ｏ3 ０．００５ｍｏｌ％の組成に、更に
（ＢｉＴｅ）2Ｏ3化合物を１．０ｍｏｌ％添加し混合、
乾燥後、実施形態１と同様の処理を行い、９００℃の温
度で２時間保持する焼成を行った。
【００２７】得られたバリスタ素子１を実施形態１と同
様の評価を行いその結果を（表３）に示した。
様の評価を行いその結果を（表３）に示した。
【００２８】
【表３】
【００２９】（表３）から明らかなように、ＢｉとＴｅ
の混合物を予め反応させた（ＢｉＴｅ）2Ｏ3化合物を添
加することにより、Ｔｅ2Ｏ3の形で添加した場合に比較
し更にバリスタ電圧を低下させると共に、バリスタ電圧
のばらつきも小さくする効果が大きいことが分かる。こ
れは、（ＢｉＴｅ）2Ｏ3化合物が成形体焼成時の液相化
温度を低下させ、ＺｎＯ粒子の焼結粒成長を促進させる
効果を更に高めた結果と思われる。またＢｉとＴｅの混
合物の反応を４００〜９００℃の温度範囲で行った場合
にその効果が大きくなることが分かる。尚、実施形態２
でバリスタ素子１の焼成温度を９００℃のみの結果を示
したが、８００〜９６０℃の焼成温度であれば、効果は
変わらないことは確認されている。
の混合物を予め反応させた（ＢｉＴｅ）2Ｏ3化合物を添
加することにより、Ｔｅ2Ｏ3の形で添加した場合に比較
し更にバリスタ電圧を低下させると共に、バリスタ電圧
のばらつきも小さくする効果が大きいことが分かる。こ
れは、（ＢｉＴｅ）2Ｏ3化合物が成形体焼成時の液相化
温度を低下させ、ＺｎＯ粒子の焼結粒成長を促進させる
効果を更に高めた結果と思われる。またＢｉとＴｅの混
合物の反応を４００〜９００℃の温度範囲で行った場合
にその効果が大きくなることが分かる。尚、実施形態２
でバリスタ素子１の焼成温度を９００℃のみの結果を示
したが、８００〜９６０℃の焼成温度であれば、効果は
変わらないことは確認されている。
【００３０】また更に、Ｔｅ添加の効果は、円板状バリ
スタ素子１に限るものではなく、積層型バリスタ素子に
用いた場合にも同様の効果が得られるものである。
スタ素子１に限るものではなく、積層型バリスタ素子に
用いた場合にも同様の効果が得られるものである。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明のＺｎＯバリスタ
の製造方法は、主成分のＺｎＯに、副成分として少なく
ともＢｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉ酸化物組成に、更に
ＴｅをＴｅＯ2に換算し、ＺｎＯに対し０．１〜２．０
ｍｏｌ％添加することにより、８００〜９６０℃の温度
範囲で焼結が可能となると共に、電圧非直線性の優れた
ＺｎＯバリスタを得ることが可能となる。従ってＡｇ等
の低融点金属を用いた電極ペーストを成形体に塗布し、
成形体と電極とを一体焼結することができ電極焼付け工
程が不要となり工業的に利用価値が大きいものとなる。
の製造方法は、主成分のＺｎＯに、副成分として少なく
ともＢｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉ酸化物組成に、更に
ＴｅをＴｅＯ2に換算し、ＺｎＯに対し０．１〜２．０
ｍｏｌ％添加することにより、８００〜９６０℃の温度
範囲で焼結が可能となると共に、電圧非直線性の優れた
ＺｎＯバリスタを得ることが可能となる。従ってＡｇ等
の低融点金属を用いた電極ペーストを成形体に塗布し、
成形体と電極とを一体焼結することができ電極焼付け工
程が不要となり工業的に利用価値が大きいものとなる。
【図１】本発明の一実施形態のバリスタ素子の側面図
１ バリスタ素子 ２ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ＺｎＯを主成分とし、副成分として少な
くともＢｉ，Ｃｏ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉを含む組成に、さ
らにＴｅをＴｅＯ2に換算しＺｎＯに対して０．１〜
２．０ｍｏｌ％添加した材料組成粉末を所定形状に成形
し、その両主平面に電極ペーストを塗布した後、８００
〜９６０℃の温度で成形体と電極とを一体焼結すること
を特徴としたＺｎＯバリスタの製造方法。 - 【請求項２】 ＢｉとＴｅの混合物を予め４００〜９０
０℃の温度で仮焼を行い、Ｂｉ−Ｔｅ化合物の形で添加
することを特徴とする請求項１に記載のＺｎＯバリスタ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10206012A JP2000044333A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10206012A JP2000044333A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000044333A true JP2000044333A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16516456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10206012A Pending JP2000044333A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000044333A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1150306A2 (en) | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current/voltage non-linear resistor and sintered body therefor |
| KR100973058B1 (ko) | 2008-04-23 | 2010-07-29 | 한국세라믹기술원 | 써미스터-바리스터 복합칩 소자 및 그 제조방법 |
| KR20200074879A (ko) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 한국세라믹기술원 | ZnO계 바리스터 조성물 및 그 제조 방법과, 그 바리스터 |
-
1998
- 1998-07-22 JP JP10206012A patent/JP2000044333A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1150306A2 (en) | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current/voltage non-linear resistor and sintered body therefor |
| EP1150306B1 (en) * | 2000-04-25 | 2012-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current/voltage non-linear resistor and sintered body therefor |
| KR100973058B1 (ko) | 2008-04-23 | 2010-07-29 | 한국세라믹기술원 | 써미스터-바리스터 복합칩 소자 및 그 제조방법 |
| KR20200074879A (ko) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 한국세라믹기술원 | ZnO계 바리스터 조성물 및 그 제조 방법과, 그 바리스터 |
| KR102208539B1 (ko) * | 2018-12-17 | 2021-01-27 | 한국세라믹기술원 | ZnO계 바리스터 조성물 및 그 제조 방법과, 그 바리스터 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050607 |