JPH02184552A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
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- JPH02184552A JPH02184552A JP1002390A JP239089A JPH02184552A JP H02184552 A JPH02184552 A JP H02184552A JP 1002390 A JP1002390 A JP 1002390A JP 239089 A JP239089 A JP 239089A JP H02184552 A JPH02184552 A JP H02184552A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧非直線性抵抗体用の磁器組成物に関し、
特にバリスタ特性を悪化させることなく焼成温度を低温
化でき、製造コストを低減できるようにしたものに関す
る。
特にバリスタ特性を悪化させることなく焼成温度を低温
化でき、製造コストを低減できるようにしたものに関す
る。
従来から、印加電圧に応じて抵抗偵が非直線的に変化す
る抵抗休業子として電圧非直線抵抗体（以下バリスタと
いう）がある、このようなバリスタとして、例えば半導
体セラミクスからなるバリスタ素子の両生面に１１極を
形成してなるディスク型バリスタ、あるいはバリスタ層
と内部電極とを交互に積層して一体焼結してなる積層型
バリスタがある。上記バリスタは、例えば電子回路に過
電圧が加わるのを防止するサージ吸収素子として採用さ
れている。
る抵抗休業子として電圧非直線抵抗体（以下バリスタと
いう）がある、このようなバリスタとして、例えば半導
体セラミクスからなるバリスタ素子の両生面に１１極を
形成してなるディスク型バリスタ、あるいはバリスタ層
と内部電極とを交互に積層して一体焼結してなる積層型
バリスタがある。上記バリスタは、例えば電子回路に過
電圧が加わるのを防止するサージ吸収素子として採用さ
れている。
このようなバリスタに採用されるセラミクス材料は、焼
成温度を１０００℃以上、特に１２００℃以上に設定し
た場合に所望のバリスタ特性が得られるように選定され
ている。このようなバリスタとして従来、例えば、Ｚｎ
ＯにＢ ｉｓ Ｏｓ 、Ｃｏｏ、Ｍｎｏ、ＴｉＯｘをそ
れぞれ０．５ｍｏｌ％添加してなるセラミクス材料を、
円板状に成形した後、１２００〜１４５０℃の範囲内で
焼成して焼結体を成形し、これに電極を形成してなるバ
リスタがある（特公昭４８−４２３１６号公１） 、こ
のバリスタによれば、素子の厚さ１日あたりで約２０Ｖ
のバリスタ電圧が、また３０以上の非直線係数αが得ら
れる。
成温度を１０００℃以上、特に１２００℃以上に設定し
た場合に所望のバリスタ特性が得られるように選定され
ている。このようなバリスタとして従来、例えば、Ｚｎ
ＯにＢ ｉｓ Ｏｓ 、Ｃｏｏ、Ｍｎｏ、ＴｉＯｘをそ
れぞれ０．５ｍｏｌ％添加してなるセラミクス材料を、
円板状に成形した後、１２００〜１４５０℃の範囲内で
焼成して焼結体を成形し、これに電極を形成してなるバ
リスタがある（特公昭４８−４２３１６号公１） 、こ
のバリスタによれば、素子の厚さ１日あたりで約２０Ｖ
のバリスタ電圧が、また３０以上の非直線係数αが得ら
れる。
ところで、上記従来のバリスタを製造する場合、セラミ
クス材料を１２００℃以上に加熱することから、この昇
温に要する電力等のエネルギーの消費量や加熱に要する
時間が製造コストを上昇させているという問題点がある
。また、上述したセラミクス材料により積層型バリスタ
を製造する場合は、焼成温度が１２００℃以上と高温で
あることから、内部電極に高融点からなる貴金属Ｐｔ、
Ｐｄを採用しなければならず、この点からも材料コスト
が上昇するという問題がある。ここで、コスト像域の観
点から上記焼成温度を、例えば９００℃程度に下げると
、バリスタ電圧が１００ＯＶ以上、非直線係数αが１０
以下に低下してしまいバリスタとしての特性を大幅に低
下させることからこのままでは低温化できない。
クス材料を１２００℃以上に加熱することから、この昇
温に要する電力等のエネルギーの消費量や加熱に要する
時間が製造コストを上昇させているという問題点がある
。また、上述したセラミクス材料により積層型バリスタ
を製造する場合は、焼成温度が１２００℃以上と高温で
あることから、内部電極に高融点からなる貴金属Ｐｔ、
Ｐｄを採用しなければならず、この点からも材料コスト
が上昇するという問題がある。ここで、コスト像域の観
点から上記焼成温度を、例えば９００℃程度に下げると
、バリスタ電圧が１００ＯＶ以上、非直線係数αが１０
以下に低下してしまいバリスタとしての特性を大幅に低
下させることからこのままでは低温化できない。
本発明は上記従来の状況に鑑みてなされたもので、バリ
スタの特性を悪化させることなく、焼成温度の低温化を
実現でき、ひいては製造コストを低減できるバリスタを
提供することを目的としている。
スタの特性を悪化させることなく、焼成温度の低温化を
実現でき、ひいては製造コストを低減できるバリスタを
提供することを目的としている。
本件発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を
重ねたところ、ＺｎＯを主成分とし、これに添加する副
成分を選定し、さらにこれらの添加量を限定してやれば
、焼成温度の低温化が実現できることを見出し、本発明
を成したものである。
重ねたところ、ＺｎＯを主成分とし、これに添加する副
成分を選定し、さらにこれらの添加量を限定してやれば
、焼成温度の低温化が実現できることを見出し、本発明
を成したものである。
ソコテ本発明は、Ｂｉｚｏｓを０．２〜５ ｓｏ １％
。
。
ＣｏｚＯｓを０．０１〜ｌＯａ＋ｏＩ１％、ＭｎＯを０
．１〜１０ｍｏ１％、Ｔｉ１ｔを０．１〜５ｍｏｊ！％
、Ｂ、０３を０．１〜１２ａｏ１％含み、残部ＺｎＯか
らなることを特徴とする電圧非直線抵抗体用磁器組成物
である。
．１〜１０ｍｏ１％、Ｔｉ１ｔを０．１〜５ｍｏｊ！％
、Ｂ、０３を０．１〜１２ａｏ１％含み、残部ＺｎＯか
らなることを特徴とする電圧非直線抵抗体用磁器組成物
である。
本発明に係るバリスタ用磁器組成物によれば、上述のよ
うにＺｎＯにビスマス９コバルト、マンガン、チタン、
硼素を所定量添加してなるセラミクス材料から構成した
ので、焼成温度を８００〜１０００℃に低くしながら、
バリスタ特性としてのバリスタ電圧、非直線係数を確保
できる。その結果、従来の１２００℃以上に昇温してい
た場合に比べ、電力等のエネルギーの消費量を削減でき
るとともに、焼成時間を短縮でき、製造コストを低減で
きる。
うにＺｎＯにビスマス９コバルト、マンガン、チタン、
硼素を所定量添加してなるセラミクス材料から構成した
ので、焼成温度を８００〜１０００℃に低くしながら、
バリスタ特性としてのバリスタ電圧、非直線係数を確保
できる。その結果、従来の１２００℃以上に昇温してい
た場合に比べ、電力等のエネルギーの消費量を削減でき
るとともに、焼成時間を短縮でき、製造コストを低減で
きる。
また本発明のバリスタ用磁器組成物により積層型バリス
タを構成すれば、上述のように焼成温度を８００〜９３
０℃と低くできるので、内部電極に従来のＰｔ、Ｐｄよ
うな高融点の貴金属を採用しなくて済み、安価なＡｇを
採用できるのでこの点からもコストを低減できる。
タを構成すれば、上述のように焼成温度を８００〜９３
０℃と低くできるので、内部電極に従来のＰｔ、Ｐｄよ
うな高融点の貴金属を採用しなくて済み、安価なＡｇを
採用できるのでこの点からもコストを低減できる。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１゜
本発明の一実施例としてディスク型バリスタの製造方法
について説明する。
について説明する。
まず、ＺｎＯ粉末に、Ｂ １１０ｓ 、 Ｃｏｔ Ｏｓ
、Ｍ ｎ Ｏｒ Ｔ ｉ Ｏｘ ＋ Ｂ ＊ Ｏｓ粉末
をそれぞれ０゜２〜５−ｏＩｌ ％、Ｏ，Ｏ１〜１０ｍ
ｏｊ ％ｌ０１１〜１Ｏ−ｏＩｌ ％ｌ００１〜５ｍ
ｏｊ１％、０．１〜１２ｍｏ１％混合してグリーンシー
トを形成し、これを１０鶴φＸ０．６ｍｔに打ち抜き円
板状に成形する０次に、この成形体を空気中で８００〜
１０００℃の温度に加熱焼成し、焼結体を得る。そして
、この焼結体にＡｇからなるペーストを焼き付けて電極
を形成し、ディスク型バリスタを得た。
、Ｍ ｎ Ｏｒ Ｔ ｉ Ｏｘ ＋ Ｂ ＊ Ｏｓ粉末
をそれぞれ０゜２〜５−ｏＩｌ ％、Ｏ，Ｏ１〜１０ｍ
ｏｊ ％ｌ０１１〜１Ｏ−ｏＩｌ ％ｌ００１〜５ｍ
ｏｊ１％、０．１〜１２ｍｏ１％混合してグリーンシー
トを形成し、これを１０鶴φＸ０．６ｍｔに打ち抜き円
板状に成形する０次に、この成形体を空気中で８００〜
１０００℃の温度に加熱焼成し、焼結体を得る。そして
、この焼結体にＡｇからなるペーストを焼き付けて電極
を形成し、ディスク型バリスタを得た。
次に、上記各添加物であるＢ ｉ ＠ Ｏｓ ＊ Ｃ０
ｘＯｓ 、 Ｍ ｎ Ｏ，Ｔ ｉ Ｏｓ 、 Ｂｔ
Ｏｓの各添加量を見出した実験について説明する。
ｘＯｓ 、 Ｍ ｎ Ｏ，Ｔ ｉ Ｏｓ 、 Ｂｔ
Ｏｓの各添加量を見出した実験について説明する。
この実験は、Ｂ １ｍ Ｏｓ ： １．５ ｍ０１１％
、Ｃ０１Ｏｓ ＋ ０．５ ｍａｉ１％ 、ＭｎＯ：
１．Ｏｓｏ１％、ＴｉＯｓ ＋ １．０ ｍｏｌｔ％＋
Ｂｔ Ｏｓ ： １．Ｏ５ｏｉ１％を含み、残りＺ
ｎＯからなるセラミクス材料を中心とし、このうち４種
の添加量は一定とし、他の１種の添加量のみを０．０１
〜１０ｍｏ １％の範囲で変化させた場合のＶＩＩ６Ｍ
＋ α値を測定した。なお、焼成温度は９００℃に設
定した。
、Ｃ０１Ｏｓ ＋ ０．５ ｍａｉ１％ 、ＭｎＯ：
１．Ｏｓｏ１％、ＴｉＯｓ ＋ １．０ ｍｏｌｔ％＋
Ｂｔ Ｏｓ ： １．Ｏ５ｏｉ１％を含み、残りＺ
ｎＯからなるセラミクス材料を中心とし、このうち４種
の添加量は一定とし、他の１種の添加量のみを０．０１
〜１０ｍｏ １％の範囲で変化させた場合のＶＩＩ６Ｍ
＋ α値を測定した。なお、焼成温度は９００℃に設
定した。
第１図ないし第５図は、それぞれｓｉ、ｏ、。
ＣＯｘ Ｏｓ ＋ Ｍｎ Ｏｒ Ｔ ｉ Ｏｘ ＋ Ｂ
ｔ Ｏｓの添加量と、バリスタ電圧■ｌａ＆＋ 非直線
係数αとの関係を示す特性図である。
ｔ Ｏｓの添加量と、バリスタ電圧■ｌａ＆＋ 非直線
係数αとの関係を示す特性図である。
各図から明らかなように、Ｂｌ＊Ｏｓが０．２〜５ ｓ
ｏ １４％（第１図参照） 、Ｃｏｔ Ｏｘが０．０１
〜１０ｍｏｊ％（第２図参照） 、ＭｎＯが０．１〜１
０ｓｏｊ！％（第３図参照）、Ｔｉ０ｍが０．１〜Ｓｍ
ｏ１％（第４図参照）、ＢｇＯｓが０．１〜１２ｍｏｊ
！％（第５図参照）のときに非直線係数（曲線α）、及
びバリスタ電圧（曲＆ＩＶ）とも所定の特性が得られて
いる。特に各添加量が１ｓｏｊ！％程度のとき優れた特
性が得られる。逆に、上記範囲を外れるとＶＩＳＡ、α
とも劣化しており、低温で焼成することのメリットが生
かせない、このことからも、各成分の添加量は上述した
範囲内が望ましい。
ｏ １４％（第１図参照） 、Ｃｏｔ Ｏｘが０．０１
〜１０ｍｏｊ％（第２図参照） 、ＭｎＯが０．１〜１
０ｓｏｊ！％（第３図参照）、Ｔｉ０ｍが０．１〜Ｓｍ
ｏ１％（第４図参照）、ＢｇＯｓが０．１〜１２ｍｏｊ
！％（第５図参照）のときに非直線係数（曲線α）、及
びバリスタ電圧（曲＆ＩＶ）とも所定の特性が得られて
いる。特に各添加量が１ｓｏｊ！％程度のとき優れた特
性が得られる。逆に、上記範囲を外れるとＶＩＳＡ、α
とも劣化しており、低温で焼成することのメリットが生
かせない、このことからも、各成分の添加量は上述した
範囲内が望ましい。
第６図は上記中心とした各添加量のバリスタ材料を採用
し、これの焼成温度を７００−１１００℃の範囲で変化
させた場合における焼成温度と、Ｖ、、４、αとの関係
を示す特性図である。
し、これの焼成温度を７００−１１００℃の範囲で変化
させた場合における焼成温度と、Ｖ、、４、αとの関係
を示す特性図である。
同図から明らかなように、上述した成分範囲内において
焼成温度を８００〜１０００℃の範囲内に設定した場合
に、ＶｌｌａＡ＋ αとも所定の値が得られることが
わかる。
焼成温度を８００〜１０００℃の範囲内に設定した場合
に、ＶｌｌａＡ＋ αとも所定の値が得られることが
わかる。
このように本実施例のディスク型バリスタによれば、Ｚ
ｎＯに上述した所定量のＢｉｔｏｓ、ｃ０！ Ｏｓ 、
ＭｎＯ，Ｔ ｉ Ｏｔ ｒ Ｂｔ Ｏｓを添加したの
で、これを８００〜１０００℃と低温で焼成しながら、
所定のバリスタ特性を確保でき、その結果、電力等のエ
ネルギーの消費を低減できるとともに、焼成時間を短縮
でき、製造コストを低減できる。
ｎＯに上述した所定量のＢｉｔｏｓ、ｃ０！ Ｏｓ 、
ＭｎＯ，Ｔ ｉ Ｏｔ ｒ Ｂｔ Ｏｓを添加したの
で、これを８００〜１０００℃と低温で焼成しながら、
所定のバリスタ特性を確保でき、その結果、電力等のエ
ネルギーの消費を低減できるとともに、焼成時間を短縮
でき、製造コストを低減できる。
第７図は、上記実施例材料により製造された試料と、従
来材料により製造された試料とを準備し、各試料に８×
２０μ！、１５００Ａのサージを印加した場合の電圧−
電流曲線を示す特性図であり、図中、曲線Ａは本実施例
試料、曲ｖＡＢは従来試料を示す。
来材料により製造された試料とを準備し、各試料に８×
２０μ！、１５００Ａのサージを印加した場合の電圧−
電流曲線を示す特性図であり、図中、曲線Ａは本実施例
試料、曲ｖＡＢは従来試料を示す。
なお、上記従来試料は、Ｚ ｎ Ｏ（９７，８＝ｏ １
％）、Ｂｌ ｔ ０ｓ（０，５ｍｏｌ ％） 、
Ｃｏｗ ０ｓ（０，５ｇｏｌ ％）、 Ｍ
ｎ Ｏ（０，５ｓｏ １ ％） 、 Ｓ ｂ
ｘ ０３（０，７ｓｏｌ ％）からなるセラミクス材
料に、ホウケイ酸亜鉛ガラスを１ｗｔ％混合した後、１
２００℃で焼成した。
％）、Ｂｌ ｔ ０ｓ（０，５ｍｏｌ ％） 、
Ｃｏｗ ０ｓ（０，５ｇｏｌ ％）、 Ｍ
ｎ Ｏ（０，５ｓｏ １ ％） 、 Ｓ ｂ
ｘ ０３（０，７ｓｏｌ ％）からなるセラミクス材
料に、ホウケイ酸亜鉛ガラスを１ｗｔ％混合した後、１
２００℃で焼成した。
同図からも明らかなように、本実施例試料（曲ＭＡ）は
、従来試料（曲線Ｂ）に比べて１０−’以下での低電流
領域における電圧−電流特性の劣化が小さいことがわか
る。このことはサージ吸収後の熱暴走の危険を小さくで
きる。
、従来試料（曲線Ｂ）に比べて１０−’以下での低電流
領域における電圧−電流特性の劣化が小さいことがわか
る。このことはサージ吸収後の熱暴走の危険を小さくで
きる。
実施例２゜
第８図及び第９図は本発明を積層型バリスタに適用した
例について説明するための図であり、本実施例では上記
第１実施例によるセラミクス材料を採用し、これをバリ
スタ層に適用した場合を例にとって説明する。
例について説明するための図であり、本実施例では上記
第１実施例によるセラミクス材料を採用し、これをバリ
スタ層に適用した場合を例にとって説明する。
上記積層型バリスタの製造方法について説明する。
■ まず、Ｚ ｎ Ｏ（９６，Ｏａｇｏ １２％）、Ｂ
ｉｔ ０３（１゜５ｓｏ Ｉｔ ％）＋Ｍｎ０（１，
Ｏｍｏｊ ％Ｌ Ｃｏ ＊ Ｏｓ （０，５ｍｏｌ
％）、Ｔ ｉ Ｏｘ （１，０ｓｏ １
％）＋ Ｂ ｔ Ｏｓ （１，５＋＋。
ｉｔ ０３（１゜５ｓｏ Ｉｔ ％）＋Ｍｎ０（１，
Ｏｍｏｊ ％Ｌ Ｃｏ ＊ Ｏｓ （０，５ｍｏｌ
％）、Ｔ ｉ Ｏｘ （１，０ｓｏ １
％）＋ Ｂ ｔ Ｏｓ （１，５＋＋。
１％）を混合してなるセラミクス材料に、有機バインダ
ーを混合してグリーンシートを形成する。
ーを混合してグリーンシートを形成する。
次に、このグリーンシートを矩形状に切断して複数のバ
リスタ層１１を形成する。
リスタ層１１を形成する。
■ 上記バリスタ層１１の上面に、Ａｇにフェス溶剤を
混合してなるペーストをパターン印刷して内部電極１２
を形成する。この場合、各内部電極１２の一端面１２ａ
だけがバリスタ層１１の外縁に延び、他の端面ば内側に
位置するようにする。
混合してなるペーストをパターン印刷して内部電極１２
を形成する。この場合、各内部電極１２の一端面１２ａ
だけがバリスタ層１１の外縁に延び、他の端面ば内側に
位置するようにする。
次に、内部電極１２とバリスタ層１１とが交互に重なる
ように順次積層し、これをプレスで加圧。
ように順次積層し、これをプレスで加圧。
圧着して積層体を形成する。
■ そして、上記積層体を空気中にて８００〜９３０℃
で３時間加熱焼成して、焼結体１３を得る。
で３時間加熱焼成して、焼結体１３を得る。
しかる後、上記焼結体１３の内部電極１２の一端面１２
ａが露出された左、右端面１３ａ、１３ｂにＡｇを主体
としたペーストを塗布した後、焼き付けて外部電極１４
を形成する。これにより、本実施例の積層型バリスタ１
０が製造される。
ａが露出された左、右端面１３ａ、１３ｂにＡｇを主体
としたペーストを塗布した後、焼き付けて外部電極１４
を形成する。これにより、本実施例の積層型バリスタ１
０が製造される。
このように本実施例の積層型バリスタ１０によれば、上
記第１実施例と同様の成分を添加したので、焼成温度を
８００〜９３０℃と低くしながら所定のバリスタ特性を
確保できる。また低温焼成で良いので、内部電極１２に
従来より安価なＡｇ を採用することができ、この積
層型バリスタ１０の場合は製造コスト、材料コストとも
低減できる。
記第１実施例と同様の成分を添加したので、焼成温度を
８００〜９３０℃と低くしながら所定のバリスタ特性を
確保できる。また低温焼成で良いので、内部電極１２に
従来より安価なＡｇ を採用することができ、この積
層型バリスタ１０の場合は製造コスト、材料コストとも
低減できる。
第１０図は焼成温度と、ｖ４＾、αとの関係を示す特性
図である。これは上記製造方法により得られた積層型バ
リスタ１０の焼成温度を８００〜９５０℃の範囲で変化
させた場合のＶｌｍＡＩ α値を測定した。
図である。これは上記製造方法により得られた積層型バ
リスタ１０の焼成温度を８００〜９５０℃の範囲で変化
させた場合のＶｌｍＡＩ α値を測定した。
同図からも明らかなように、焼成温度が９３０℃を越え
るとＶｌ、Ａが１００Ｖ以上と上昇し、またαが急激に
２０以下に低下しており、これにより焼成温度は８００
〜９３０℃の範囲内に限定する必要があることが判る。
るとＶｌ、Ａが１００Ｖ以上と上昇し、またαが急激に
２０以下に低下しており、これにより焼成温度は８００
〜９３０℃の範囲内に限定する必要があることが判る。
以上のように本発明に係るバリスタ用磁器組成物によれ
ば、Ｂ ｉｔ Ｏｘ 、Ｃｏｔ Ｏｓ 、Ｍｎ０Ｔ ｉ
Ｏｔ、Ｂｔ ０３をそれぞれ０．２〜５ｍｏｉ％、０
゜０１〜１０１Ｉ０１％、０．１〜１０ｍ０１％、０．
１〜５ｍｏｎ！％、０゜１〜１２ｇｏ １％含むＺｎＯ
を原料としたので、バリスタ特性を悪化させることなく
焼成温度を８００〜１０００℃の範囲に下げることがで
き、その結果製造コストを低減できる効果がある。
ば、Ｂ ｉｔ Ｏｘ 、Ｃｏｔ Ｏｓ 、Ｍｎ０Ｔ ｉ
Ｏｔ、Ｂｔ ０３をそれぞれ０．２〜５ｍｏｉ％、０
゜０１〜１０１Ｉ０１％、０．１〜１０ｍ０１％、０．
１〜５ｍｏｎ！％、０゜１〜１２ｇｏ １％含むＺｎＯ
を原料としたので、バリスタ特性を悪化させることなく
焼成温度を８００〜１０００℃の範囲に下げることがで
き、その結果製造コストを低減できる効果がある。
また、本発明のバリスタ用磁器組成物によれば、バリス
タ特性を悪化させることなく焼成温度を低温化でき、ま
たこの点から、積層型バリスタの内部電極にＡｇを採用
することができ、上記製造コストとともに材料コストも
低減できる効果がある。
タ特性を悪化させることなく焼成温度を低温化でき、ま
たこの点から、積層型バリスタの内部電極にＡｇを採用
することができ、上記製造コストとともに材料コストも
低減できる効果がある。
第１図ないし第７図は本発明の一実施例をディスク型バ
リスタに適用した例を説明するための図であり、第１図
ないし第５図はそれぞれ各成分の添加量とＶＩａＡ、α
との関係を示す特性図、第６図は焼成温度とＶＩＩＩＡ
＋ αとの関係を示す特性図、第７図は電流−電圧特
性図、第８図ないし第１０図は本発明を積層型バリスタ
に適用した例について説明するための図であり、第８図
及び第９図はそれぞれ分解斜視図、断面図、第１０図は
焼成温度とＶＩａＡとの関係を示す特性図である。 図において、ｌＯは積層型バリスタ（バリスタ）、１１
はバリスタ層、１２は内部電極、１３は焼結体（積層体
）である。
リスタに適用した例を説明するための図であり、第１図
ないし第５図はそれぞれ各成分の添加量とＶＩａＡ、α
との関係を示す特性図、第６図は焼成温度とＶＩＩＩＡ
＋ αとの関係を示す特性図、第７図は電流−電圧特
性図、第８図ないし第１０図は本発明を積層型バリスタ
に適用した例について説明するための図であり、第８図
及び第９図はそれぞれ分解斜視図、断面図、第１０図は
焼成温度とＶＩａＡとの関係を示す特性図である。 図において、ｌＯは積層型バリスタ（バリスタ）、１１
はバリスタ層、１２は内部電極、１３は焼結体（積層体
）である。
Claims (1)
- （１）ビスマス，コバルト，マンガン，チタン，硼素を
それぞれＢｉ＿２Ｏ＿３，Ｃｏ＿２Ｏ＿３，ＭｎＯ，Ｔ
ｉＯ＿２，Ｂ＿２Ｏ＿３の形で換算したとき、それぞれ
０．２〜５ｍｏｌ％，０．０１〜１０ｍｏｌ％，０．１
〜１０ｍｏｌ％，０．１〜５ｍｏｌ％，０．１〜１２ｍ
ｏｌ％からなり、残部がＺｎＯからなることを特徴とす
る電圧非直線抵抗体用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002390A JPH02184552A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002390A JPH02184552A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184552A true JPH02184552A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11527907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002390A Pending JPH02184552A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02184552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592140A (en) * | 1993-09-29 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Varistor formed of bismuth and antimony and method of manufacturing same |
| CN112225554A (zh) * | 2020-10-08 | 2021-01-15 | 烟台大学 | 一种可低温烧结的ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷及其制备方法 |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP1002390A patent/JPH02184552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592140A (en) * | 1993-09-29 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Varistor formed of bismuth and antimony and method of manufacturing same |
| CN112225554A (zh) * | 2020-10-08 | 2021-01-15 | 烟台大学 | 一种可低温烧结的ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷及其制备方法 |
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