JP3240689B2 - 積層型半導体磁器組成物 - Google Patents
積層型半導体磁器組成物Info
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- JP3240689B2 JP3240689B2 JP17907092A JP17907092A JP3240689B2 JP 3240689 B2 JP3240689 B2 JP 3240689B2 JP 17907092 A JP17907092 A JP 17907092A JP 17907092 A JP17907092 A JP 17907092A JP 3240689 B2 JP3240689 B2 JP 3240689B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気抵抗値が温度によ
って変化する正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁
器に関し、特に内部電極にＮｉ系金属を採用して低温再
酸化処理を行う際の、オーミック性を損なうことなく抵
抗値を小さくできるようにした組成物の構成に関する。
って変化する正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁
器に関し、特に内部電極にＮｉ系金属を採用して低温再
酸化処理を行う際の、オーミック性を損なうことなく抵
抗値を小さくできるようにした組成物の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリ
ウム系半導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に
増加する特性を有しており、例えば回路の過電流保護素
子として、あるいはテレビのブラウン管枠の消磁用素子
等として広く利用されている。また、上記半導体磁器に
おいては、消費電力をできるだけ抑えるために低抵抗化
の要望が強く、このような要望に対応するものとして、
従来、特開平３-65559号公報に開示されたものがある。
これによれば、例えば室温における抵抗値が低く、かつ
キュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上がり幅の
大きい半導体磁器が得られる。しかし、上記従来公報に
よるディスク型の半導体磁器では、電極面積を大きくす
ることに限界があることから、抵抗値が１Ω以上とな
り、近年の低抵抗化には応えられない。
ウム系半導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に
増加する特性を有しており、例えば回路の過電流保護素
子として、あるいはテレビのブラウン管枠の消磁用素子
等として広く利用されている。また、上記半導体磁器に
おいては、消費電力をできるだけ抑えるために低抵抗化
の要望が強く、このような要望に対応するものとして、
従来、特開平３-65559号公報に開示されたものがある。
これによれば、例えば室温における抵抗値が低く、かつ
キュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上がり幅の
大きい半導体磁器が得られる。しかし、上記従来公報に
よるディスク型の半導体磁器では、電極面積を大きくす
ることに限界があることから、抵抗値が１Ω以上とな
り、近年の低抵抗化には応えられない。
【０００３】このようなディスク型に代わるものとし
て、従来、積層型の半導体磁器が提案されている。この
積層型半導体磁器は、半導体セラミック層と内部電極を
交互に積層してなる積層体を一体焼結して焼結体を形成
し、該焼結体の両端面に上記内部電極の一端面が接続さ
れる外部電極を形成して構成されている。この積層型半
導体磁器によれば、内部電極の電極面積を大幅に増やす
ことができ、それだけ低抵抗化を可能にでき、上述の要
請に応えられる。
て、従来、積層型の半導体磁器が提案されている。この
積層型半導体磁器は、半導体セラミック層と内部電極を
交互に積層してなる積層体を一体焼結して焼結体を形成
し、該焼結体の両端面に上記内部電極の一端面が接続さ
れる外部電極を形成して構成されている。この積層型半
導体磁器によれば、内部電極の電極面積を大幅に増やす
ことができ、それだけ低抵抗化を可能にでき、上述の要
請に応えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記積層型半
導体磁器に採用される内部電極には、セラミック層との
オーミック接触を得ながら、かつ焼成温度に対する耐熱
性に優れた金属を採用する必要がある。このような特質
を満足できる金属として、本件出願人は、先にＮｉ系合
金を提案した。ところで、このＮｉ系合金を採用する場
合、通常のディスク型と同様に大気中にて焼成すると電
極が酸化されてしまうという問題がある。従って、Ｎｉ
電極の酸化を回避するために、還元雰囲気中で一旦セラ
ミック層とＮｉ電極とを同時に焼成し、この後Ｎｉが酸
化されない程度の低温で再酸化処理を行うようにしてい
る。ところが、この再酸化処理を行う際に、オーミック
性が損なわれる場合があり、その結果抵抗値が上昇する
という問題があり、この点での改善が要請されている。
導体磁器に採用される内部電極には、セラミック層との
オーミック接触を得ながら、かつ焼成温度に対する耐熱
性に優れた金属を採用する必要がある。このような特質
を満足できる金属として、本件出願人は、先にＮｉ系合
金を提案した。ところで、このＮｉ系合金を採用する場
合、通常のディスク型と同様に大気中にて焼成すると電
極が酸化されてしまうという問題がある。従って、Ｎｉ
電極の酸化を回避するために、還元雰囲気中で一旦セラ
ミック層とＮｉ電極とを同時に焼成し、この後Ｎｉが酸
化されない程度の低温で再酸化処理を行うようにしてい
る。ところが、この再酸化処理を行う際に、オーミック
性が損なわれる場合があり、その結果抵抗値が上昇する
という問題があり、この点での改善が要請されている。
【０００５】本発明の目的は、内部電極にＮｉ系合金を
採用して低温再酸化処理を行う際の、オーミック接触を
損なうことなく抵抗値を小さくできる積層型半導体磁器
組成物を提供することにある。
採用して低温再酸化処理を行う際の、オーミック接触を
損なうことなく抵抗値を小さくできる積層型半導体磁器
組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上記再
酸化処理を行う際のオーミック接触を改善するために検
討したところ、半導体セラミック層を構成する組成物を
規定することによってオーミック接触を向上できること
に想到し、本発明を成したものである。
酸化処理を行う際のオーミック接触を改善するために検
討したところ、半導体セラミック層を構成する組成物を
規定することによってオーミック接触を向上できること
に想到し、本発明を成したものである。
【０００７】そこで本発明は、半導体セラミック層と内
部電極とを交互に積層してなる積層体を一体焼結し、該
焼結体の両端面に上記内部電極の一端面が接続される外
部電極を形成してなる正の抵抗温度特性を有する積層型
半導体磁器において、上記焼結体は、上記積層体を還元
性雰囲気中にて一体焼結し、さらに再酸化処理が施され
たものであり、上記半導体セラミック層はモル比Ｂａサ
イト／Ｔｉサイトが０．９９〜１．０５とされ、かつ上
記Ｂａサイトの一部がＣａに換算して５〜４０モル％の
範囲でＣａで置換されていることを特徴としている。
部電極とを交互に積層してなる積層体を一体焼結し、該
焼結体の両端面に上記内部電極の一端面が接続される外
部電極を形成してなる正の抵抗温度特性を有する積層型
半導体磁器において、上記焼結体は、上記積層体を還元
性雰囲気中にて一体焼結し、さらに再酸化処理が施され
たものであり、上記半導体セラミック層はモル比Ｂａサ
イト／Ｔｉサイトが０．９９〜１．０５とされ、かつ上
記Ｂａサイトの一部がＣａに換算して５〜４０モル％の
範囲でＣａで置換されていることを特徴としている。
【０００８】ここで、上記Ｂａ／Ｔｉモル比を限定した
のは、このモル比を0.99未満にすると低温で再酸化処理
を行った際に抵抗の立ち上がりが見られなくなるからで
あり、また上記モル比が1.05を越えると室温での比抵抗
が高くなるからである。また、Ｃａの置換量を限定した
のでは、この量が５モル％未満でも、40モル％を越えて
も、低温での再酸化処理を行った場合の抵抗の立ち上が
りが見られなくなるからである。
のは、このモル比を0.99未満にすると低温で再酸化処理
を行った際に抵抗の立ち上がりが見られなくなるからで
あり、また上記モル比が1.05を越えると室温での比抵抗
が高くなるからである。また、Ｃａの置換量を限定した
のでは、この量が５モル％未満でも、40モル％を越えて
も、低温での再酸化処理を行った場合の抵抗の立ち上が
りが見られなくなるからである。
【０００９】
【作用】本発明に係る積層型半導体磁器組成物によれ
ば、半導体セラミック層をモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイ
トが０．９９〜１．０５で、かつＢａサイトの一部がＣ
ａに置換されたものとし、この半導体セラミック層と内
部電極との積層体を還元性雰囲気で一体焼結しさらに再
酸化処理を施して焼結体としたので、還元焼成後に低温
の再酸化処理を行う場合であっても、ＰＴＣ特性を十分
に発現させることができ、半導体セラミック層とＮｉ系
合金とのオーミック接触を向上でき、その結果抵抗値を
小さくできるとともに、抵抗温度係数を向上できる。
ば、半導体セラミック層をモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイ
トが０．９９〜１．０５で、かつＢａサイトの一部がＣ
ａに置換されたものとし、この半導体セラミック層と内
部電極との積層体を還元性雰囲気で一体焼結しさらに再
酸化処理を施して焼結体としたので、還元焼成後に低温
の再酸化処理を行う場合であっても、ＰＴＣ特性を十分
に発現させることができ、半導体セラミック層とＮｉ系
合金とのオーミック接触を向上でき、その結果抵抗値を
小さくできるとともに、抵抗温度係数を向上できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例による積層型半導
体磁器組成物を説明するための図である。図において、
１は本実施例の積層型半導体磁器であり、これはチタン
酸バリウムを主成分とする半導体セラミック層２とＮｉ
−Ｐｄ合金からなる内部電極３とを交互に積層するとと
もに、これの上面，下面にダミー用セラミック層６を重
ねて積層体を形成し、該積層体を一体焼結して焼結体４
を形成して構成されている。この焼結体４は、上記積層
体を還元性雰囲気中にて高温焼成し、この後空気中にて
低温の再酸化処理を施すことによって形成されたもので
ある
る。図１及び図２は本発明の一実施例による積層型半導
体磁器組成物を説明するための図である。図において、
１は本実施例の積層型半導体磁器であり、これはチタン
酸バリウムを主成分とする半導体セラミック層２とＮｉ
−Ｐｄ合金からなる内部電極３とを交互に積層するとと
もに、これの上面，下面にダミー用セラミック層６を重
ねて積層体を形成し、該積層体を一体焼結して焼結体４
を形成して構成されている。この焼結体４は、上記積層
体を還元性雰囲気中にて高温焼成し、この後空気中にて
低温の再酸化処理を施すことによって形成されたもので
ある
【００１１】上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂには
上記各内部電極３の一端面３ａのみが交互に露出してお
り、他の端面は積層体の内側に位置して焼結体４内に埋
設されている。また、上記焼結体４の左, 右端面４ａ，
４ｂにはＡｇからなる外部電極５が被覆形成されてお
り、該外部電極５は上記内部電極３の一端面３ａに電気
的に接続されている。
上記各内部電極３の一端面３ａのみが交互に露出してお
り、他の端面は積層体の内側に位置して焼結体４内に埋
設されている。また、上記焼結体４の左, 右端面４ａ，
４ｂにはＡｇからなる外部電極５が被覆形成されてお
り、該外部電極５は上記内部電極３の一端面３ａに電気
的に接続されている。
【００１２】そして、半導体磁器１のセラミック層２，
６は、モル比Ｂａサイト／Ｔｉサイトが0.99〜1.05の範
囲内となっており、かつ上記Ｂａサイトの一部をＣａに
換算して５〜40モル％の範囲でＣａで置換してなる組成
物により構成されている。
６は、モル比Ｂａサイト／Ｔｉサイトが0.99〜1.05の範
囲内となっており、かつ上記Ｂａサイトの一部をＣａに
換算して５〜40モル％の範囲でＣａで置換してなる組成
物により構成されている。
【００１３】次に、上記半導体磁器１の一製造方法につ
いて説明する。まず、原料として、高純度のＢａＣ
Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3，ＳｉＯ2 を
準備し、これらの各原料を以下の組成となように調合す
る。 （Ｂａ0.998-X ＣａX Ｌａ0.002 ）m ＴｉＯ3 ＋0.01Ｓ
ｉＯ2 Ｘ＝0.02〜0.45 ｍ＝0.98〜1.06 上記原料を、純水，及びジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポット内に入れて５時間粉砕混合した後、乾
燥させて1150℃で２時間仮焼成する。
いて説明する。まず、原料として、高純度のＢａＣ
Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3，ＳｉＯ2 を
準備し、これらの各原料を以下の組成となように調合す
る。 （Ｂａ0.998-X ＣａX Ｌａ0.002 ）m ＴｉＯ3 ＋0.01Ｓ
ｉＯ2 Ｘ＝0.02〜0.45 ｍ＝0.98〜1.06 上記原料を、純水，及びジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポット内に入れて５時間粉砕混合した後、乾
燥させて1150℃で２時間仮焼成する。
【００１４】次いで、この仮焼成体を再度粉砕して仮焼
成粉を形成し、この仮焼成粉をポリエチレン製ポットに
入れ、これにジルコニアボール，可塑剤，溶液，有機バ
インダ及び分散剤を添加して16時間混合し、所定粘度の
スラリーを得る。このスラリーをドクターブレード法に
より、厚さ100 μm のセラミックグリーンシートに形成
し、このグリーンシートを短冊状に打ち抜いて多数の半
導体セラミック層２，６を形成する。
成粉を形成し、この仮焼成粉をポリエチレン製ポットに
入れ、これにジルコニアボール，可塑剤，溶液，有機バ
インダ及び分散剤を添加して16時間混合し、所定粘度の
スラリーを得る。このスラリーをドクターブレード法に
より、厚さ100 μm のセラミックグリーンシートに形成
し、このグリーンシートを短冊状に打ち抜いて多数の半
導体セラミック層２，６を形成する。
【００１５】次に、上記半導体セラミック層２の上面
に、Ｎｉ−Ｐｄ合金からなるペーストをスクリーン印刷
して内部電極３を形成する。この内部電極３はこれの一
端面３ａのみがセラミック層２の端縁まで延び、他の端
面は内側に位置するように形成する。
に、Ｎｉ−Ｐｄ合金からなるペーストをスクリーン印刷
して内部電極３を形成する。この内部電極３はこれの一
端面３ａのみがセラミック層２の端縁まで延び、他の端
面は内側に位置するように形成する。
【００１６】次いで、図２に示すように、上記セラミッ
ク層２と内部電極３とが交互に重なり、かつ該内部電極
３の一端面３ａがセラミック層２の左, 右端縁に交互に
露出するよう積層し、これの上面，下面にダミー用セラ
ミック層６を重ねる。これをプレスで積層方向に加圧，
圧着して積層体を形成し、該積層体をカッターで所定寸
法に仕上げる。これにより、上記各内部電極３の一端面
３ａのみが積層体の左, 右端面に露出し、残りの端面は
積層体内に封入されることとなる。
ク層２と内部電極３とが交互に重なり、かつ該内部電極
３の一端面３ａがセラミック層２の左, 右端縁に交互に
露出するよう積層し、これの上面，下面にダミー用セラ
ミック層６を重ねる。これをプレスで積層方向に加圧，
圧着して積層体を形成し、該積層体をカッターで所定寸
法に仕上げる。これにより、上記各内部電極３の一端面
３ａのみが積層体の左, 右端面に露出し、残りの端面は
積層体内に封入されることとなる。
【００１７】次に、上記積層体をＨ2 ／Ｎ2 ＝３％の還
元性雰囲気中にて1350℃で２時間加熱焼成した後、大気
中にて900 ℃で２時間焼成し、低温再酸化処理を施す。
これにより焼結体４を得る。最後に、この焼結体４の
左, 右端面４ａ，４ｂにＡｇペーストを塗布した後、焼
き付けて外部電極５を形成し、該外部電極５と上記内部
電極３の一端面３ａとを電気的に接続する。これにより
本実施例の正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器
１が製造される。
元性雰囲気中にて1350℃で２時間加熱焼成した後、大気
中にて900 ℃で２時間焼成し、低温再酸化処理を施す。
これにより焼結体４を得る。最後に、この焼結体４の
左, 右端面４ａ，４ｂにＡｇペーストを塗布した後、焼
き付けて外部電極５を形成し、該外部電極５と上記内部
電極３の一端面３ａとを電気的に接続する。これにより
本実施例の正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器
１が製造される。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１は、本実施例の半導体磁器１の効果を
確認するために行った特性試験の結果を示す。この試験
は、表に示すように、Ｂａ／Ｔｉ比を0.98〜1.06の範囲
で変化させるとともに、Ｃａの置換量を２〜45モル％の
範囲で変化させて本実施例方法により多数の試料を製造
した。そして、この各試料の常温(25 ℃) における抵抗
値（Ω) 、及び０〜250 ℃における抵抗変化率（ρ250/
ρ25）を測定して行った。
確認するために行った特性試験の結果を示す。この試験
は、表に示すように、Ｂａ／Ｔｉ比を0.98〜1.06の範囲
で変化させるとともに、Ｃａの置換量を２〜45モル％の
範囲で変化させて本実施例方法により多数の試料を製造
した。そして、この各試料の常温(25 ℃) における抵抗
値（Ω) 、及び０〜250 ℃における抵抗変化率（ρ250/
ρ25）を測定して行った。
【００２０】表１からも明らかなように、Ｂａ／Ｔｉ比
を0.98とした場合は、何れの試料も抵抗値は１Ω以下と
低いものの、抵抗変化率では0.3 〜0.8 と小さく抵抗の
立ち上がりが見られない。またＢａ／Ｔｉ比を1.06とし
た場合は、何れも室温抵抗値が１Ω以上と大きくなって
いる。また、Ｃａ量を２モル％,45 モル％とした場合
は、何れの試料も抵抗変化率が0.3 〜0.7 と小さく抵抗
の立ち上がりが見られない。これに対して、Ｂａ／Ｔｉ
比が0.99〜1.05で、かつＣａ量が２〜40モル％の本発明
範囲内の各試料では、何れも室温抵抗値は0.53〜0.94Ω
と１Ω以下となっており、しかも抵抗変化率は3.6 〜2
4.6と３以上となっている。このように本実施例によれ
ば、半導体磁器のモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイトを0.99
〜1.05とし、かつＢａサイトの一部をＣａに換算して５
〜40モル％の範囲でＣａに置換したので、低温再酸化処
理を行ってもセラミック層とのオーミック接触を損なう
ことなくＮｉ合金の採用を可能にでき、ひいては室温抵
抗値を１Ω以下に小さくできるとともに、抵抗変化率を
３以上に向上できることがわかる。
を0.98とした場合は、何れの試料も抵抗値は１Ω以下と
低いものの、抵抗変化率では0.3 〜0.8 と小さく抵抗の
立ち上がりが見られない。またＢａ／Ｔｉ比を1.06とし
た場合は、何れも室温抵抗値が１Ω以上と大きくなって
いる。また、Ｃａ量を２モル％,45 モル％とした場合
は、何れの試料も抵抗変化率が0.3 〜0.7 と小さく抵抗
の立ち上がりが見られない。これに対して、Ｂａ／Ｔｉ
比が0.99〜1.05で、かつＣａ量が２〜40モル％の本発明
範囲内の各試料では、何れも室温抵抗値は0.53〜0.94Ω
と１Ω以下となっており、しかも抵抗変化率は3.6 〜2
4.6と３以上となっている。このように本実施例によれ
ば、半導体磁器のモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイトを0.99
〜1.05とし、かつＢａサイトの一部をＣａに換算して５
〜40モル％の範囲でＣａに置換したので、低温再酸化処
理を行ってもセラミック層とのオーミック接触を損なう
ことなくＮｉ合金の採用を可能にでき、ひいては室温抵
抗値を１Ω以下に小さくできるとともに、抵抗変化率を
３以上に向上できることがわかる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明に係る積層型半導体
磁器組成物によれば、半導体セラミック層をモル比Ｂａ
サイト／Ｔｉサイトが０．９９〜１．０５で、かつＢａ
サイトの一部がＣａに換算して５〜４０モル％の範囲で
Ｃａで置換されたものとし、この半導体セラミック層と
内部電極との積層体を還元性雰囲気で一体焼結しさらに
再酸化処理を施して焼結体としたので、還元性雰囲気で
焼成した後、Ｎｉ合金を採用して低温再酸化処理を行う
場合でもＰＴＣ特性を十分に発現させることができ、オ
ーミック接触を損なうことなく抵抗値を小さくでき、か
つ抵抗温度係数を向上できる効果がある。
磁器組成物によれば、半導体セラミック層をモル比Ｂａ
サイト／Ｔｉサイトが０．９９〜１．０５で、かつＢａ
サイトの一部がＣａに換算して５〜４０モル％の範囲で
Ｃａで置換されたものとし、この半導体セラミック層と
内部電極との積層体を還元性雰囲気で一体焼結しさらに
再酸化処理を施して焼結体としたので、還元性雰囲気で
焼成した後、Ｎｉ合金を採用して低温再酸化処理を行う
場合でもＰＴＣ特性を十分に発現させることができ、オ
ーミック接触を損なうことなく抵抗値を小さくでき、か
つ抵抗温度係数を向上できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による積層型半導体磁器を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図２】上記実施例の半導体磁器の製造方法を示す分解
斜視図である。
斜視図である。
１ 積層型半導体磁器 ２ 半導体セラミック層 ３ 内部電極 ３ａ 一端面 ４ 焼結体 ５ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−11302（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−64902（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体セラミック層と内部電極とを交互
に積層してなる積層体を一体焼結し、該焼結体の両端面
に上記内部電極の一端面が接続される外部電極を形成し
てなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器にお
いて、上記焼結体は、上記積層体を還元性雰囲気中にて
一体焼結し、さらに再酸化処理が施されたものであり、
上記半導体セラミック層はモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイ
トが０．９９〜１．０５とされ、かつ上記Ｂａサイトの
一部がＣａに換算して５〜４０モル％の範囲でＣａで置
換されていることを特徴とする積層型半導体磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17907092A JP3240689B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 積層型半導体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17907092A JP3240689B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 積層型半導体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347203A JPH05347203A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3240689B2 true JP3240689B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=16059577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17907092A Expired - Lifetime JP3240689B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 積層型半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3240689B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102471164A (zh) * | 2009-07-01 | 2012-05-23 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP17907092A patent/JP3240689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102471164A (zh) * | 2009-07-01 | 2012-05-23 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05347203A (ja) | 1993-12-27 |
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