JP3438736B2 - 積層型半導体磁器の製造方法 - Google Patents
積層型半導体磁器の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気抵抗値が温度によ
って変化する正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁
器の製造方法に関し、特に内部電極にＮｉ系金属を採用
する際に、オーミック接触を損なうことなく低温再酸化
処理を行うことができ、ひいては比抵抗を小さくできる
とともに、抵抗温度係数を向上できるようにした積層型
半導体磁器の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリ
ウム系半導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に
増加する特性を有しており、例えば回路の過電流保護素
子として、あるいはテレビのブラウン管枠の消磁用素子
等として広く利用されている。また、上記半導体磁器に
おいては、消費電力をできるだけ抑えるために低抵抗化
の要望が強く、このような要望に対応するものとして、
従来、特開平３-65559号公報に提案されたものがある。
これによれば、例えば室温における抵抗値が低く、かつ
キュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上がり幅の
大きい半導体磁器が得られる。しかし、上記従来公報に
よる単板型の半導体磁器では、電極面積を大きくするこ
とに限界があることから、抵抗値が１Ω以上となり、近
年の低抵抗化には応えられない。 【０００３】このような単板型に代わるものとして、従
来、積層型の半導体磁器が提案されている。この積層型
半導体磁器は、半導体セラミック層と内部電極を交互に
積層してなる積層体を一体焼結して焼結体を形成してな
るもので、この積層型半導体磁器によれば、内部電極の
電極面積を大幅に増やすことができ、それだけ低抵抗化
を可能にでき、上述の要請に応えられる。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記内部電
極にはオーミック性，及び焼成時の耐熱性に優れた金属
を採用する必要がある。このような金属として、Ｎｉ，
あるいはＮｉ系合金が有効である。しかし、このＮｉ金
属を内部電極として採用する場合、通常の単板型と同様
に大気中にて焼成すると電極が酸化されてしまうという
問題がある。従って、Ｎｉ金属の酸化を回避するため
に、還元雰囲気中で一旦セラミック層とＮｉ電極とを同
時に焼成し、この後Ｎｉが酸化されない程度の低温で再
酸化処理を行うようにしている。ところが、この再酸化
処理を行う際に、セラミック層と内部電極とのオーミッ
ク接触が得られない場合があり、その結果抵抗値が上昇
したり，抵抗温度係数が悪化したりするという問題があ
り、この点での改善が要請されている。 【０００５】本発明の目的は、内部電極にＮｉ系金属を
採用して、Ｎｉが酸化されない程度の低温再酸化処理を
行う際の、オーミック接触を損なうことなく抵抗値を小
さくできる積層型半導体磁器の製造方法を提供すること
にある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上記再
酸化処理を行う際のオーミック接触を改善するために検
討したところ、半導体磁器を構成するセラミックの組成
物を規定することによってオーミック接触を向上でき、
ひいては低抵抗化を実現できることに想到し、本発明を
成したものである。 【０００７】そこで本発明は、半導体セラミック層とＮ
ｉ系金属からなる内部電極とを交互に積層してなる正の
抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器の製造方法にお
いて、前記半導体セラミック層のＢａサイト／Ｔｉサイ
トのモル比を０．９９〜１．０５とし、上記Ｂａサイト
の一部をＣａに換算して５〜４０モル％の範囲でＣａで
置換するとともに、マンガンをＭｎに換算して０．００
５〜１モル％の範囲で含有したものとなるセラミックグ
リーンシートの上面に、前記内部電極となるペーストを
印刷したものを積層して積層体を形成し、前記積層体を
還元性雰囲気中にて一体焼結した後、内部電極に含まれ
るＮｉ系金属が酸化されない程度の低温で再酸化処理を
施すことを特徴とする。 【０００８】ここで、上記Ｂａ／Ｔｉモル比を限定した
のは、このモル比を0.99未満にすると低温で再酸化処理
を行った際に抵抗の立ち上がりが見られなくなるからで
あり、また上記モル比が1.05を越えると室温での比抵抗
が高くなるからである。また、Ｃａの置換量を限定した
のは、この量が５モル％未満でも、40モル％を越えて
も、低温での再酸化処理を行った場合の抵抗の立ち上が
りが見られなくなるからである。さらに、上記Ｍｎの含
有量を限定したのは、0.005 モル％未満では抵抗の立ち
上がりが見られなくなり、１モル％を越えると室温比抵
抗が高くなるからである。 【０００９】 【作用】本発明に係る積層型半導体磁器の製造方法によ
れば、半導体セラミック層のＢａサイト／Ｔｉサイトの
モル比を０．９９〜１．０５とし、かつＢａサイトの一
部をＣａに置換するとともに、所定量のＭｎを添加した
ので、Ｎｉ系金属を用いて低温の再酸化処理を行う際
の、半導体セラミック層と内部電極とのオーミック接触
を向上でき、その結果抵抗値を小さくできるとともに、
抵抗温度係数を向上できる。 【００１０】 【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例による積層型半導
体磁器の製造方法を説明するための図である。図におい
て、１は本実施例の積層型半導体磁器である。この半導
体磁器１は直方体状のもので、チタン酸バリウムを主成
分とする半導体セラミック層２とＮｉ−Ｐｄ合金からな
る内部電極３とを交互に積層するとともに、これの最上
部、最下部にダミーとしてのセラミック層６を重ねて積
層体を形成し、該積層体を一体焼結して焼結体を還元性
雰囲気中にて高温焼成し、この後空気中にてＮｉが酸化
されてない程度の低温の再酸化処理を施すことによって
形成されたものである。 【００１１】上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂには
上記各内部電極３の一端面３ａのみが交互に露出してお
り、他の端面はセラミックス層２の内側に位置して焼結
体４内に埋設されている。また、上記焼結体４の左, 右
端面４ａ，４ｂにはＡｇからなる外部電極５が被覆形成
されており、該外部電極５は上記内部電極３の一端面３
ａに電気的に接続されている。 【００１２】そして、半導体磁器１のセラミック層２，
６は、モル比Ｂａサイト／Ｔｉサイトが0.99〜1.05の範
囲内となっており、また上記Ｂａサイトの一部をＣａに
換算して５〜40モル％の範囲でＣａで置換するととも
に、上記半導体磁器にマンガンをＭｎに換算して0.005
〜１モル％の範囲で含有してなる組成物により構成され
ている。 【００１３】次に、上記半導体磁器１の一製造方法につ
いて説明する。まず、原料として、高純度のＢａＣ
Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3，ＭｎＯ2 ，
ＳｉＯ2 を準備し、これらの各原料を以下の組成となよ
うに調合する。 （Ｂａ0.998-X ＣａX Ｌａ0.002 ）m ＴｉＯ3 ＋y Ｍｎ
Ｏ2 ＋0.01ＳｉＯ2 Ｘ＝0.02〜0.45 Ｙ＝0.00002 〜0.015 ｍ＝0.98〜1.06 上記原料を、純水，及びジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポット内に入れて５時間粉砕混合した後、乾
燥させて1150℃で２時間仮焼成する。 【００１４】次いで、この仮焼成体を再度粉砕して仮焼
成粉を形成し、この仮焼成粉をポリエチレン製ポットに
入れ、これにジルコニアボール，可塑剤，溶液，有機バ
インダ及び分散剤を添加して16時間混合し、所定粘度の
スラリーを得る。このスラリーをドクターブレード法に
より、厚さ100 μm のセラミックグリーンシートに形成
し、このグリーンシートを短冊状に打ち抜いて多数の半
導体セラミック層２，６を形成する。 【００１５】次に、上記半導体セラミック層２の上面
に、Ｎｉ−Ｐｄ合金からなるペーストをスクリーン印刷
して内部電極３を形成する。この内部電極３はこれの一
端面３ａのみがセラミック層２の端縁まで延び、他の端
面は内側に位置するように形成する。 【００１６】次いで、図２に示すように、上記セラミッ
ク層２と内部電極３とが交互に重なり、かつ該内部電極
３の一端面３ａがセラミック層２の左, 右端縁に交互に
露出するよう積層し、これの上面，下面にダミー用セラ
ミック層６を重ねる。これをプレスで積層方向に加圧，
圧着して積層体を形成し、該積層体をカッターで切断
し、これにより縦2.3mm ×横2.0mm の寸法に仕上げる。
これにより、上記各内部電極３の一端面３ａのみが積層
体の左, 右端面に露出し、残りの端面は積層体内に封入
されることとなる。 【００１７】次に、上記積層体をＨ2／Ｎ2＝３％の還元
性雰囲気中にて１３５０℃で２時間加熱焼成した後、大
気中にて８００℃で２時間加熱してＮｉ系金属が酸化さ
れない程度の低温で低温再酸化処理を施す。これにより
焼結体４を得る。最後に、この焼結体４の左、右端面４
ａ，４ｂにＡｇペーストを塗布した後、焼き付けて外部
電極５を形成し、該外部電極５と上記内部電極３の一端
面３ａとを電気的に接続する。これにより本実施例の正
の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器１が製造され
る。 【００１８】 【表１】【００１９】表１は、本実施例の半導体磁器１の効果を
確認するために行った特性試験の結果を示す。この試験
は、表に示すように、Ｂａ／Ｔｉ比を0.98〜1.06の範囲
で変化させた。またＣａの置換量を２〜45モル％の範囲
で変化させるとともに、Ｍｎの添加量を0.002 〜1.5 モ
ル％の範囲で変化させて上述の方法により多数の試料を
製造した。そして、この各試料の常温(25 ℃) における
比抵抗値（Ω) 、及び０〜250 ℃における抵抗変化率
（ρ250/ρ25）を測定して行った。なお、表中、＊印は
本発明の範囲外を示す。 【００２０】表１からも明らかなように、Ｂａ／Ｔｉ比
を0.98とした場合は、抵抗値は0.4Ω以下と低いもの
の、抵抗変化率では0.5 ％と小さく抵抗の立ち上がりが
見られない。またＢａ／Ｔｉ比を1.06とした場合は、室
温抵抗値が2.01Ω以上と大きくなっている。さらに、Ｃ
ａ量を２モル％, 及び45モル％とした場合は、各試料と
も抵抗変化率が0.2 ％,0.8％と小さく抵抗の立ち上がり
が見られない。さらにまた、Ｍｎ量を0.002 モル％とす
ると抵抗の立ち上がりがなく、逆に1.5 モル％を越える
と室温での比抵抗値が3.32Ωと大きくなっている。 【００２１】これに対して、Ｂａ／Ｔｉ比が０．９９〜
１．０５で、Ｃａ量が２〜４０モル％で、かつＭｎ量が
０．００５〜１モル％の本発明範囲内の各試料では、何
れも室温での比抵抗値は０．４３〜０．９１Ωと１Ω以
下となっており、しかも抵抗変化率は８．６〜８６．７
％と向上している。このように本実施例によれば、半導
体セラミック層の組成を上述のように構成することによ
り、Ｎｉ合金を用いてＮｉ系金属が酸化されない程度の
低温で再酸化処理を行ってもオーミック接触を確実に確
保でき、抵抗温度特性を大幅に向上できることがわか
る。 【００２２】 【発明の効果】以上のように本発明に係る積層型半導体
磁器の製造方法によれば、前記半導体セラミック層のＢ
ａサイト／Ｔｉサイトのモル比を０．９９〜１．０５と
し、上記Ｂａサイトの一部をＣａに換算して５〜４０モ
ル％の範囲でＣａで置換するとともに、マンガンをＭｎ
に換算して０．００５〜１モル％の範囲で含有したもの
となるセラミックグリーンシートの上面に、前記内部電
極となるペーストを印刷したものを積層して積層体を形
成し、前記積層体を還元性雰囲気中にて一体焼結した
後、内部電極に含まれるＮｉ系金属が酸化されない程度
の低温で再酸化処理を施したので、オーミック接触が得
られるＮｉ合金の採用を可能にでき、ひいては比抵抗、
抵抗温度係数を向上できる効果がある。
って変化する正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁
器の製造方法に関し、特に内部電極にＮｉ系金属を採用
する際に、オーミック接触を損なうことなく低温再酸化
処理を行うことができ、ひいては比抵抗を小さくできる
とともに、抵抗温度係数を向上できるようにした積層型
半導体磁器の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリ
ウム系半導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に
増加する特性を有しており、例えば回路の過電流保護素
子として、あるいはテレビのブラウン管枠の消磁用素子
等として広く利用されている。また、上記半導体磁器に
おいては、消費電力をできるだけ抑えるために低抵抗化
の要望が強く、このような要望に対応するものとして、
従来、特開平３-65559号公報に提案されたものがある。
これによれば、例えば室温における抵抗値が低く、かつ
キュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上がり幅の
大きい半導体磁器が得られる。しかし、上記従来公報に
よる単板型の半導体磁器では、電極面積を大きくするこ
とに限界があることから、抵抗値が１Ω以上となり、近
年の低抵抗化には応えられない。 【０００３】このような単板型に代わるものとして、従
来、積層型の半導体磁器が提案されている。この積層型
半導体磁器は、半導体セラミック層と内部電極を交互に
積層してなる積層体を一体焼結して焼結体を形成してな
るもので、この積層型半導体磁器によれば、内部電極の
電極面積を大幅に増やすことができ、それだけ低抵抗化
を可能にでき、上述の要請に応えられる。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記内部電
極にはオーミック性，及び焼成時の耐熱性に優れた金属
を採用する必要がある。このような金属として、Ｎｉ，
あるいはＮｉ系合金が有効である。しかし、このＮｉ金
属を内部電極として採用する場合、通常の単板型と同様
に大気中にて焼成すると電極が酸化されてしまうという
問題がある。従って、Ｎｉ金属の酸化を回避するため
に、還元雰囲気中で一旦セラミック層とＮｉ電極とを同
時に焼成し、この後Ｎｉが酸化されない程度の低温で再
酸化処理を行うようにしている。ところが、この再酸化
処理を行う際に、セラミック層と内部電極とのオーミッ
ク接触が得られない場合があり、その結果抵抗値が上昇
したり，抵抗温度係数が悪化したりするという問題があ
り、この点での改善が要請されている。 【０００５】本発明の目的は、内部電極にＮｉ系金属を
採用して、Ｎｉが酸化されない程度の低温再酸化処理を
行う際の、オーミック接触を損なうことなく抵抗値を小
さくできる積層型半導体磁器の製造方法を提供すること
にある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上記再
酸化処理を行う際のオーミック接触を改善するために検
討したところ、半導体磁器を構成するセラミックの組成
物を規定することによってオーミック接触を向上でき、
ひいては低抵抗化を実現できることに想到し、本発明を
成したものである。 【０００７】そこで本発明は、半導体セラミック層とＮ
ｉ系金属からなる内部電極とを交互に積層してなる正の
抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器の製造方法にお
いて、前記半導体セラミック層のＢａサイト／Ｔｉサイ
トのモル比を０．９９〜１．０５とし、上記Ｂａサイト
の一部をＣａに換算して５〜４０モル％の範囲でＣａで
置換するとともに、マンガンをＭｎに換算して０．００
５〜１モル％の範囲で含有したものとなるセラミックグ
リーンシートの上面に、前記内部電極となるペーストを
印刷したものを積層して積層体を形成し、前記積層体を
還元性雰囲気中にて一体焼結した後、内部電極に含まれ
るＮｉ系金属が酸化されない程度の低温で再酸化処理を
施すことを特徴とする。 【０００８】ここで、上記Ｂａ／Ｔｉモル比を限定した
のは、このモル比を0.99未満にすると低温で再酸化処理
を行った際に抵抗の立ち上がりが見られなくなるからで
あり、また上記モル比が1.05を越えると室温での比抵抗
が高くなるからである。また、Ｃａの置換量を限定した
のは、この量が５モル％未満でも、40モル％を越えて
も、低温での再酸化処理を行った場合の抵抗の立ち上が
りが見られなくなるからである。さらに、上記Ｍｎの含
有量を限定したのは、0.005 モル％未満では抵抗の立ち
上がりが見られなくなり、１モル％を越えると室温比抵
抗が高くなるからである。 【０００９】 【作用】本発明に係る積層型半導体磁器の製造方法によ
れば、半導体セラミック層のＢａサイト／Ｔｉサイトの
モル比を０．９９〜１．０５とし、かつＢａサイトの一
部をＣａに置換するとともに、所定量のＭｎを添加した
ので、Ｎｉ系金属を用いて低温の再酸化処理を行う際
の、半導体セラミック層と内部電極とのオーミック接触
を向上でき、その結果抵抗値を小さくできるとともに、
抵抗温度係数を向上できる。 【００１０】 【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例による積層型半導
体磁器の製造方法を説明するための図である。図におい
て、１は本実施例の積層型半導体磁器である。この半導
体磁器１は直方体状のもので、チタン酸バリウムを主成
分とする半導体セラミック層２とＮｉ−Ｐｄ合金からな
る内部電極３とを交互に積層するとともに、これの最上
部、最下部にダミーとしてのセラミック層６を重ねて積
層体を形成し、該積層体を一体焼結して焼結体を還元性
雰囲気中にて高温焼成し、この後空気中にてＮｉが酸化
されてない程度の低温の再酸化処理を施すことによって
形成されたものである。 【００１１】上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂには
上記各内部電極３の一端面３ａのみが交互に露出してお
り、他の端面はセラミックス層２の内側に位置して焼結
体４内に埋設されている。また、上記焼結体４の左, 右
端面４ａ，４ｂにはＡｇからなる外部電極５が被覆形成
されており、該外部電極５は上記内部電極３の一端面３
ａに電気的に接続されている。 【００１２】そして、半導体磁器１のセラミック層２，
６は、モル比Ｂａサイト／Ｔｉサイトが0.99〜1.05の範
囲内となっており、また上記Ｂａサイトの一部をＣａに
換算して５〜40モル％の範囲でＣａで置換するととも
に、上記半導体磁器にマンガンをＭｎに換算して0.005
〜１モル％の範囲で含有してなる組成物により構成され
ている。 【００１３】次に、上記半導体磁器１の一製造方法につ
いて説明する。まず、原料として、高純度のＢａＣ
Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3，ＭｎＯ2 ，
ＳｉＯ2 を準備し、これらの各原料を以下の組成となよ
うに調合する。 （Ｂａ0.998-X ＣａX Ｌａ0.002 ）m ＴｉＯ3 ＋y Ｍｎ
Ｏ2 ＋0.01ＳｉＯ2 Ｘ＝0.02〜0.45 Ｙ＝0.00002 〜0.015 ｍ＝0.98〜1.06 上記原料を、純水，及びジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポット内に入れて５時間粉砕混合した後、乾
燥させて1150℃で２時間仮焼成する。 【００１４】次いで、この仮焼成体を再度粉砕して仮焼
成粉を形成し、この仮焼成粉をポリエチレン製ポットに
入れ、これにジルコニアボール，可塑剤，溶液，有機バ
インダ及び分散剤を添加して16時間混合し、所定粘度の
スラリーを得る。このスラリーをドクターブレード法に
より、厚さ100 μm のセラミックグリーンシートに形成
し、このグリーンシートを短冊状に打ち抜いて多数の半
導体セラミック層２，６を形成する。 【００１５】次に、上記半導体セラミック層２の上面
に、Ｎｉ−Ｐｄ合金からなるペーストをスクリーン印刷
して内部電極３を形成する。この内部電極３はこれの一
端面３ａのみがセラミック層２の端縁まで延び、他の端
面は内側に位置するように形成する。 【００１６】次いで、図２に示すように、上記セラミッ
ク層２と内部電極３とが交互に重なり、かつ該内部電極
３の一端面３ａがセラミック層２の左, 右端縁に交互に
露出するよう積層し、これの上面，下面にダミー用セラ
ミック層６を重ねる。これをプレスで積層方向に加圧，
圧着して積層体を形成し、該積層体をカッターで切断
し、これにより縦2.3mm ×横2.0mm の寸法に仕上げる。
これにより、上記各内部電極３の一端面３ａのみが積層
体の左, 右端面に露出し、残りの端面は積層体内に封入
されることとなる。 【００１７】次に、上記積層体をＨ2／Ｎ2＝３％の還元
性雰囲気中にて１３５０℃で２時間加熱焼成した後、大
気中にて８００℃で２時間加熱してＮｉ系金属が酸化さ
れない程度の低温で低温再酸化処理を施す。これにより
焼結体４を得る。最後に、この焼結体４の左、右端面４
ａ，４ｂにＡｇペーストを塗布した後、焼き付けて外部
電極５を形成し、該外部電極５と上記内部電極３の一端
面３ａとを電気的に接続する。これにより本実施例の正
の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器１が製造され
る。 【００１８】 【表１】【００１９】表１は、本実施例の半導体磁器１の効果を
確認するために行った特性試験の結果を示す。この試験
は、表に示すように、Ｂａ／Ｔｉ比を0.98〜1.06の範囲
で変化させた。またＣａの置換量を２〜45モル％の範囲
で変化させるとともに、Ｍｎの添加量を0.002 〜1.5 モ
ル％の範囲で変化させて上述の方法により多数の試料を
製造した。そして、この各試料の常温(25 ℃) における
比抵抗値（Ω) 、及び０〜250 ℃における抵抗変化率
（ρ250/ρ25）を測定して行った。なお、表中、＊印は
本発明の範囲外を示す。 【００２０】表１からも明らかなように、Ｂａ／Ｔｉ比
を0.98とした場合は、抵抗値は0.4Ω以下と低いもの
の、抵抗変化率では0.5 ％と小さく抵抗の立ち上がりが
見られない。またＢａ／Ｔｉ比を1.06とした場合は、室
温抵抗値が2.01Ω以上と大きくなっている。さらに、Ｃ
ａ量を２モル％, 及び45モル％とした場合は、各試料と
も抵抗変化率が0.2 ％,0.8％と小さく抵抗の立ち上がり
が見られない。さらにまた、Ｍｎ量を0.002 モル％とす
ると抵抗の立ち上がりがなく、逆に1.5 モル％を越える
と室温での比抵抗値が3.32Ωと大きくなっている。 【００２１】これに対して、Ｂａ／Ｔｉ比が０．９９〜
１．０５で、Ｃａ量が２〜４０モル％で、かつＭｎ量が
０．００５〜１モル％の本発明範囲内の各試料では、何
れも室温での比抵抗値は０．４３〜０．９１Ωと１Ω以
下となっており、しかも抵抗変化率は８．６〜８６．７
％と向上している。このように本実施例によれば、半導
体セラミック層の組成を上述のように構成することによ
り、Ｎｉ合金を用いてＮｉ系金属が酸化されない程度の
低温で再酸化処理を行ってもオーミック接触を確実に確
保でき、抵抗温度特性を大幅に向上できることがわか
る。 【００２２】 【発明の効果】以上のように本発明に係る積層型半導体
磁器の製造方法によれば、前記半導体セラミック層のＢ
ａサイト／Ｔｉサイトのモル比を０．９９〜１．０５と
し、上記Ｂａサイトの一部をＣａに換算して５〜４０モ
ル％の範囲でＣａで置換するとともに、マンガンをＭｎ
に換算して０．００５〜１モル％の範囲で含有したもの
となるセラミックグリーンシートの上面に、前記内部電
極となるペーストを印刷したものを積層して積層体を形
成し、前記積層体を還元性雰囲気中にて一体焼結した
後、内部電極に含まれるＮｉ系金属が酸化されない程度
の低温で再酸化処理を施したので、オーミック接触が得
られるＮｉ合金の採用を可能にでき、ひいては比抵抗、
抵抗温度係数を向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による積層型半導体磁器を説
明するための断面図である。 【図２】上記実施例の半導体磁器の製造方法を示す分解
斜視図である。 【符号の説明】 １ 積層型半導体磁器 ２ 半導体セラミック層 ３ 内部電極
明するための断面図である。 【図２】上記実施例の半導体磁器の製造方法を示す分解
斜視図である。 【符号の説明】 １ 積層型半導体磁器 ２ 半導体セラミック層 ３ 内部電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭57−64902（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−15301（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】半導体セラミック層とＮｉ系金属からなる
内部電極とを交互に積層してなる正の抵抗温度特性を有
する積層型半導体磁器の製造方法において、前記半導体
セラミック層のＢａサイト／Ｔｉサイトのモル比を０．
９９〜１．０５とし、上記Ｂａサイトの一部をＣａに換
算して５〜４０モル％の範囲でＣａで置換するととも
に、マンガンをＭｎに換算して０．００５〜１モル％の
範囲で含有したものとなるセラミックグリーンシートの
上面に、前記内部電極となるペーストを印刷したものを
積層して積層体を形成し、前記積層体を還元性雰囲気中
にて一体焼結した後、内部電極に含まれるＮｉ系金属が
酸化されない程度の低温で再酸化処理を施すことを特徴
とする積層型半導体磁器の製造方法。
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