JPS6390803A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPS6390803A JPS6390803A JP61236742A JP23674286A JPS6390803A JP S6390803 A JPS6390803 A JP S6390803A JP 61236742 A JP61236742 A JP 61236742A JP 23674286 A JP23674286 A JP 23674286A JP S6390803 A JPS6390803 A JP S6390803A
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- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 32
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 29
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 8
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- MSBGPEACXKBQSX-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl) carbonochloridate Chemical compound FC1=CC=C(OC(Cl)=O)C=C1 MSBGPEACXKBQSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018663 Mn O Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- -1 dosmuth Chemical compound 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビスマスを
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
(従来の技術)
昨今、各種バリスタの開発はめざましいものがあり、中
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
マンガン、ニッケル、クロムなどを数種から10数種添
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ぺ〜ス
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ぺ〜ス
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
しかして、このようにして用いられるバリスタは、実用
上通常(正常)の電圧状態にJ3いてはアイドリング電
流(311iれ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸
収時はその吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変
化がきわめて少ないことが要求されている。従来、この
ような要求に応える技術として特公昭53−21509
号公報、または特公昭60−38841号公報に開示さ
れたものがある。
上通常(正常)の電圧状態にJ3いてはアイドリング電
流(311iれ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸
収時はその吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変
化がきわめて少ないことが要求されている。従来、この
ような要求に応える技術として特公昭53−21509
号公報、または特公昭60−38841号公報に開示さ
れたものがある。
特公昭53−21509号公報(以下前者と称す)に開
示された技術は、焼結体中に含まれるBi Oのうち
10%以上をγ−Bi203として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
示された技術は、焼結体中に含まれるBi Oのうち
10%以上をγ−Bi203として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
また特公昭60−38841号公報(以下後者と称す)
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にする
ことによって、きわめて苛酷なa+電条件下においても
長時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なく、
しかも時間とともに減少するような特性をもつバリスタ
に関するものである。
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にする
ことによって、きわめて苛酷なa+電条件下においても
長時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なく、
しかも時間とともに減少するような特性をもつバリスタ
に関するものである。
すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成条件など
によって焼結体にα−Bi203相。
によって焼結体にα−Bi203相。
β−Bi203相、γ−Bi2O3相の他にδ−Bi2
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−Bf20
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi O相、β−B
i203相、 δ−B i 203 相カγ−B i
203 相ニ変態する場合のγ−Bi2O3相が10%
以上のとぎに安定なバリスタが得られることを究明した
ものである。後者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラス
を添加して得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成す
る酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し
、いったんはバイロクロア結晶相を形成し、ついで分解
してスピネル結晶相と酸化ビスマス(III)の液相を
生じ、酸化亜鉛の焼結が進行する過程で形成されるβ−
3i2Q3相、δ−13i2Q3相を含む焼結体をジャ
ーナル・オプ・アブライズド・フィジックス(日本国)
、15巻(1976年)1847頁に記載の方法に準じ
て、大気中において700℃で再焼成することによって
焼結体中の酸化ビスマス(DI)の90%以上をγ−B
i2O3相に相変化させることによって安定なバリスタ
が得られることを究明したものである。
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−Bf20
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi O相、β−B
i203相、 δ−B i 203 相カγ−B i
203 相ニ変態する場合のγ−Bi2O3相が10%
以上のとぎに安定なバリスタが得られることを究明した
ものである。後者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラス
を添加して得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成す
る酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し
、いったんはバイロクロア結晶相を形成し、ついで分解
してスピネル結晶相と酸化ビスマス(III)の液相を
生じ、酸化亜鉛の焼結が進行する過程で形成されるβ−
3i2Q3相、δ−13i2Q3相を含む焼結体をジャ
ーナル・オプ・アブライズド・フィジックス(日本国)
、15巻(1976年)1847頁に記載の方法に準じ
て、大気中において700℃で再焼成することによって
焼結体中の酸化ビスマス(DI)の90%以上をγ−B
i2O3相に相変化させることによって安定なバリスタ
が得られることを究明したものである。
本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検討を重ね
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
β、δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが
製造工程中の熱履歴、すなわら電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−B i 203相に変態(相変化)し低電流領域で
電圧−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
製造工程中の熱履歴、すなわら電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−B i 203相に変態(相変化)し低電流領域で
電圧−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
しかして本発明者らは焼結体を構成する酸化亜鉛を主成
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
i2O3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
i2O3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように安定なバリスタを得るため、添加物の種類
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi O相中所望の量のγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域でのV−1特性の低下を防止することがで
きない。
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi O相中所望の量のγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域でのV−1特性の低下を防止することがで
きない。
本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在するBi2O3相
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添加物とし
て少なくともカルシウム、ビスマス。
て少なくともカルシウム、ビスマス。
チタン、アンチモンを含み、該添加物中のカルシウムと
ビスマス、チタンとビスマスの関係がCa/B i =
0.05〜0.5゜ r;/5i−o、2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜
1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換算して0.
05〜3.0モル%含有してなる焼結体における酸化亜
鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をバイロクロア型化合物で
あるように構成してなるものである。
ビスマス、チタンとビスマスの関係がCa/B i =
0.05〜0.5゜ r;/5i−o、2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜
1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換算して0.
05〜3.0モル%含有してなる焼結体における酸化亜
鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をバイロクロア型化合物で
あるように構成してなるものである。
(作用)
以上のような構成になるバリスタによれば、焼結体中の
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
するBi2O3相が極力少なくなり、低電流領域での■
−I特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることの
できない優れた非直線特性を得ることができる。
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
するBi2O3相が極力少なくなり、低電流領域での■
−I特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることの
できない優れた非直線特性を得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として酸化
ビスマス(B t2o3)、l化カルシウム(Cab)
、酸化チタン(TiO2)、M化アンチモン(Sb20
3)、酸化コバルト(Coo)、酸化クロム(Cr20
3 )、M化ニッケル(NiO)、酸化マンガン(Mn
O)の酸化物の中から少なくとも酸化カルシウム。
ビスマス(B t2o3)、l化カルシウム(Cab)
、酸化チタン(TiO2)、M化アンチモン(Sb20
3)、酸化コバルト(Coo)、酸化クロム(Cr20
3 )、M化ニッケル(NiO)、酸化マンガン(Mn
O)の酸化物の中から少なくとも酸化カルシウム。
酸化ビスマス、M化チタン、M化アンチモンを含み、該
添加物中のカルシウムとどスマス、チタンとビスマスの
関係が Ca/B i =0.05〜0.5゜ Ti/Bi=0.2〜2,0の範囲で、Bi OO,
05〜1.0モル%。
添加物中のカルシウムとどスマス、チタンとビスマスの
関係が Ca/B i =0.05〜0.5゜ Ti/Bi=0.2〜2,0の範囲で、Bi OO,
05〜1.0モル%。
Sb203 0.05〜3.0モル%を含有するセラミ
ック粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼
成し、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものである。
ック粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼
成し、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものである。
表は添加物の種類および添加量(モル%)のちがいによ
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインピーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のバイロクロア型化合物に含まれるビスマス社と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によッテ測定L
りVloo tlA−Vl ?7LA17)+2、熱履
歴をともなう銀焼付電極形成によって測定したVloo
μA−V1 mA、のα、さらにはV1rrLA/I
Mを示したものである。
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインピーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のバイロクロア型化合物に含まれるビスマス社と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によッテ測定L
りVloo tlA−Vl ?7LA17)+2、熱履
歴をともなう銀焼付電極形成によって測定したVloo
μA−V1 mA、のα、さらにはV1rrLA/I
Mを示したものである。
なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径が14N
R,厚さが1Mで、電極直径は13.4ffill+で
ある。
R,厚さが1Mで、電極直径は13.4ffill+で
ある。
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくするため、第
1図〜第9図を参照して説明する。
1図〜第9図を参照して説明する。
第1図および第3図はCa/B iまたはTi/Biと
非直線性a (Vloo μA−V 177LA )
(1)関係を示すもので、第2図および第4図はCa/
BiまたはTi/ Biとバイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量を示すもので、第1図および第2図にお
ける”z/Biは1.0、第3図および第4図における
Ca/B iは0.25のときである。また第5図はバ
イロクロア型化合物に含まれるビスマス量と700℃の
7ニールによるLC変動との関係を示すもので、第6図
はバイロクロア型化合物に含まれるビスマス量と高温課
電(105℃、DC2yrtA。
非直線性a (Vloo μA−V 177LA )
(1)関係を示すもので、第2図および第4図はCa/
BiまたはTi/ Biとバイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量を示すもので、第1図および第2図にお
ける”z/Biは1.0、第3図および第4図における
Ca/B iは0.25のときである。また第5図はバ
イロクロア型化合物に含まれるビスマス量と700℃の
7ニールによるLC変動との関係を示すもので、第6図
はバイロクロア型化合物に含まれるビスマス量と高温課
電(105℃、DC2yrtA。
1000h)IによるLC変動との関係を示すものであ
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のV100μA−V177LAの電圧−電流
特性を示すものであり、第8図および第9図は第7図で
用いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、
第8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃
)後である。
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のV100μA−V177LAの電圧−電流
特性を示すものであり、第8図および第9図は第7図で
用いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、
第8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃
)後である。
前記表および第1図〜第4図から明らかなように、Ca
/8 iおよびrr/arが大きくなるほどバイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向を
示す中で、非直線性αが極大となるCa/B iおよび
Ti/3iの範囲はCa/B i=0.05〜0.5゜
Ti/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。すな
わち焼結体の粒界偏析部にバイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量の増加によってBi2O3が減少しすぐ
れた非直線性を示ずが、Ca/Bi、Ti/Biが上限
を越して大きくなりすぎるとバイロクロア化する反応ス
テージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによるものと
推量される。また前記表はもとより第5図および第6図
から明らかなように、バイロクロア型化合物に含まれる
ビスマス量が50%以上となるものは熱履歴による非直
線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリスタ特
性を示している。さらに第7図から明らかなようにバイ
ロクロア型化合物が存在しない従来例のものは低電流領
域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは電流
が1μAという低電流領域でも電圧降下はわずかで漏れ
電流がきわめて小さい結果を示した。しかして、本発明
によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮する根拠
については第8図および第9図によって明らかなように
、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にバイロクロア型化
合物を含み、該バイロクロア型化合物に焼結体中に含ま
れる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴により相
変化するBi2O3相を少なく抑制できることによるも
のである。
/8 iおよびrr/arが大きくなるほどバイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向を
示す中で、非直線性αが極大となるCa/B iおよび
Ti/3iの範囲はCa/B i=0.05〜0.5゜
Ti/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。すな
わち焼結体の粒界偏析部にバイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量の増加によってBi2O3が減少しすぐ
れた非直線性を示ずが、Ca/Bi、Ti/Biが上限
を越して大きくなりすぎるとバイロクロア化する反応ス
テージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによるものと
推量される。また前記表はもとより第5図および第6図
から明らかなように、バイロクロア型化合物に含まれる
ビスマス量が50%以上となるものは熱履歴による非直
線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリスタ特
性を示している。さらに第7図から明らかなようにバイ
ロクロア型化合物が存在しない従来例のものは低電流領
域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは電流
が1μAという低電流領域でも電圧降下はわずかで漏れ
電流がきわめて小さい結果を示した。しかして、本発明
によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮する根拠
については第8図および第9図によって明らかなように
、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にバイロクロア型化
合物を含み、該バイロクロア型化合物に焼結体中に含ま
れる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴により相
変化するBi2O3相を少なく抑制できることによるも
のである。
なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化ビスマス
として存在するものと推硲される。
として存在するものと推硲される。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、非直線性にすぐれ、
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
第1図はCa/Bi−α特性曲線図、第2図はca/s
t−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相関
図、第3図はTi/Bi−α特性曲線図、第4図はTt
/st−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の
相関図、第5図はバイロクロア型化合物に含まれるビス
マス藷−アニールによるΔLC/LC特性曲線図、第6
図はバイロクロア型化合物に含まれるビスマス俗−高温
課電によるΔLC/LC特性曲線図、第7図は電流−電
圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回折
グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラフで
ある。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 ca、”s を 第 1 図 Ca/B i 第 2 図 ■+/a+ 第 3 図 Ti/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスは (%)第
5 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスa (%)第
6 図 N 流 (1) 第 7 図 従 来 例 ()う) 実 施 例 (9) 、s。 2θ(dea) Dy:DYrOChlOre 従 来 例 (73) 実 施 例 (9) Sp:5pIneI DV:D/rOchlore
t−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相関
図、第3図はTi/Bi−α特性曲線図、第4図はTt
/st−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の
相関図、第5図はバイロクロア型化合物に含まれるビス
マス藷−アニールによるΔLC/LC特性曲線図、第6
図はバイロクロア型化合物に含まれるビスマス俗−高温
課電によるΔLC/LC特性曲線図、第7図は電流−電
圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回折
グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラフで
ある。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 ca、”s を 第 1 図 Ca/B i 第 2 図 ■+/a+ 第 3 図 Ti/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスは (%)第
5 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスa (%)第
6 図 N 流 (1) 第 7 図 従 来 例 ()う) 実 施 例 (9) 、s。 2θ(dea) Dy:DYrOChlOre 従 来 例 (73) 実 施 例 (9) Sp:5pIneI DV:D/rOchlore
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛を主成分とし、少なくともカルシウム、ビス
マス、チタン、アンチモンの添加物を含み、該添加物中
のカルシウムとビスマス、チタンとビスマスの関係が Ca/Bi=0.05〜0.5、 Ti/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi_2O_3に換算して0.0
5〜1.0モル%、アンチモンを Sb_2O_3に換算して0.05〜3.0モル%含有
してなる焼結体における結晶粒子の粒界偏析部に、前記
焼結体中の全ビスマスの50%以上を化合したバイロク
ロア型化合物を含有したことを特徴とする電圧非直線抵
抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236742A JPS6390803A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236742A JPS6390803A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390803A true JPS6390803A (ja) | 1988-04-21 |
JPH0253929B2 JPH0253929B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=17005115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61236742A Granted JPS6390803A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6390803A (ja) |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236742A patent/JPS6390803A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0253929B2 (ja) | 1990-11-20 |
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