JPS63281404A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPS63281404A JPS63281404A JP62117431A JP11743187A JPS63281404A JP S63281404 A JPS63281404 A JP S63281404A JP 62117431 A JP62117431 A JP 62117431A JP 11743187 A JP11743187 A JP 11743187A JP S63281404 A JPS63281404 A JP S63281404A
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目゛的]
(産業上の利用分野)
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビスマスを
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
(従来の技術)
昨今、各種バリスタの開発はめざましいものがあり、中
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
マンガン、ニッケル、クロムなどを数種から10数種添
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
しかして、このようにして用いられるバリスタは、実用
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリング電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時はそ
の吸収能力が大ぎく、その後の電気的特性の変化がきわ
めて少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841号公報に開示されたもの
がある。
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリング電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時はそ
の吸収能力が大ぎく、その後の電気的特性の変化がきわ
めて少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841号公報に開示されたもの
がある。
特公昭53−21509号公報(以下前当と称?+−>
に開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10%以上をγ−Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対し
ても安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたも
のである。
に開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10%以上をγ−Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対し
ても安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたも
のである。
また特公昭6.0−38841号公報(以下後者と称す
)に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガ
ラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量%以
上を体心立法晶系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にす
ることによって、きわめて苛酷な課電条件ボにおいても
長R間軽過後の漏れ電流の!詩変化がきわめて少なく、
しかも時間とともに減少覆るような特性をもつバリスタ
に関するものである。
)に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガ
ラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量%以
上を体心立法晶系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にす
ることによって、きわめて苛酷な課電条件ボにおいても
長R間軽過後の漏れ電流の!詩変化がきわめて少なく、
しかも時間とともに減少覆るような特性をもつバリスタ
に関するものである。
すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成条件など
によって焼結体にα−Bi203相。
によって焼結体にα−Bi203相。
β−Bi203相、γ−B1203相の他にδ−Bi2
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−8120
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi203相、β−B
i203相、δ−B1203相がγ−B1203相に変
態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはパ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(I[[)の液相を生じ、酸化亜鉛
の焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi203相、
δ−Bi203相を含む焼結体をジャーナル・オブ・ア
ブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(197
6年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中におい
て700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化ビ
スマス(I[[)の90%以上を −γ−Bi2O
3相に相変化さぜることによって安定なバリスタが得ら
れることを究明したものである。
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−8120
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi203相、β−B
i203相、δ−B1203相がγ−B1203相に変
態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはパ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(I[[)の液相を生じ、酸化亜鉛
の焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi203相、
δ−Bi203相を含む焼結体をジャーナル・オブ・ア
ブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(197
6年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中におい
て700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化ビ
スマス(I[[)の90%以上を −γ−Bi2O
3相に相変化さぜることによって安定なバリスタが得ら
れることを究明したものである。
本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検討を重ね
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
β、δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−B i 203相に変態(相変化)し低電流領域で
電圧−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−B i 203相に変態(相変化)し低電流領域で
電圧−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
しかして本発明者らは焼結体を構成する酸化亜鉛を主成
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
i2O3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。・ (発明が解決しようとする問題点) 以上のように安定なバリスタを得るため、添加物の種類
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望の量のγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのB + 203相がその後の熱履歴、つまり電極
焼付および使用中の電気エネルギーによって相変化を起
こし、低電流領域でのV−I特性の低下を防止すること
ができない。
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
i2O3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。・ (発明が解決しようとする問題点) 以上のように安定なバリスタを得るため、添加物の種類
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望の量のγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのB + 203相がその後の熱履歴、つまり電極
焼付および使用中の電気エネルギーによって相変化を起
こし、低電流領域でのV−I特性の低下を防止すること
ができない。
本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在するB ! 20
3相を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化の
ないきわめて安定性の高いバリスタを提供することを目
的とするものである。
3相を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化の
ないきわめて安定性の高いバリスタを提供することを目
的とするものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するだめの手段)
本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添加物とし
て少なくとも鉛、ビスマス、タンタル、アンチモンを含
み、該添加物中の鉛とビスマス、タンタルとビスマスの
関係が Pb/B i =0.05〜0.5゜ Ta/Bi=0.2 〜2.0 の範囲で、ビスマスを81203に換算して0.05〜
1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換算して0.
05〜3.0モル%含有してなる焼結体における酸化亜
鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をパイロクロア型化合物で
あるように構成してなるものである。
て少なくとも鉛、ビスマス、タンタル、アンチモンを含
み、該添加物中の鉛とビスマス、タンタルとビスマスの
関係が Pb/B i =0.05〜0.5゜ Ta/Bi=0.2 〜2.0 の範囲で、ビスマスを81203に換算して0.05〜
1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換算して0.
05〜3.0モル%含有してなる焼結体における酸化亜
鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をパイロクロア型化合物で
あるように構成してなるものである。
(作用)
以上のような構成になるバリスタによれば、焼結体中の
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をパイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
するB12O3相が極力少なくなり、低電流領域でのV
−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることの
できない優れた非直線特性を得ることができる。
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をパイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
するB12O3相が極力少なくなり、低電流領域でのV
−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることの
できない優れた非直線特性を得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として酸化
ビスマス(Bi203)、Iff化鉛(PbO)、酸化
タンタル(Ta205)、酸化アンチモン(Sb203
)、酸化コバルト(Coo)、酸化クロム(Cr203
)、酸化ニッケル(NiO)、酸化マンガン(MnO)
の酸化物の中から少なくとも酸化鉛、iw化ビスマス、
酸化タンタル、酸化アンチモンを含み、該添加物中の鉛
とビスマス、タンタルとビスマスの関係が Pb/B i=0.05〜0.5゜ Ta/B i=0.2〜2.0の範囲で、Bi2O30
,05〜1.0モル%。
ビスマス(Bi203)、Iff化鉛(PbO)、酸化
タンタル(Ta205)、酸化アンチモン(Sb203
)、酸化コバルト(Coo)、酸化クロム(Cr203
)、酸化ニッケル(NiO)、酸化マンガン(MnO)
の酸化物の中から少なくとも酸化鉛、iw化ビスマス、
酸化タンタル、酸化アンチモンを含み、該添加物中の鉛
とビスマス、タンタルとビスマスの関係が Pb/B i=0.05〜0.5゜ Ta/B i=0.2〜2.0の範囲で、Bi2O30
,05〜1.0モル%。
Sb203 0.05〜3.0モル%を含有するセラミ
ック粉末を造粒成形しi、ooo〜1300℃の温度で
焼成し、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたは
メタリコンなどを施し電極を形成してなるものである。
ック粉末を造粒成形しi、ooo〜1300℃の温度で
焼成し、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたは
メタリコンなどを施し電極を形成してなるものである。
表は添加物の種類および添加量(モル%)のちがいによ
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインピーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によって測定し
たVloo ttA−Vl mAのα、熱履歴をともな
う銀焼付電極形成によって測定したVloo uA−V
l mAのα、さらにはVl mA/rrvnを示した
ものである。
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインピーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によって測定し
たVloo ttA−Vl mAのα、熱履歴をともな
う銀焼付電極形成によって測定したVloo uA−V
l mAのα、さらにはVl mA/rrvnを示した
ものである。
なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径が14M
、厚さが1Nnで、電極直径は13.4mである。
、厚さが1Nnで、電極直径は13.4mである。
つぎに前記表に示した結果をわかりやツ<覆るため、第
1図〜第9図を参照して説明する。
1図〜第9図を参照して説明する。
第1図および第3図はPb/BiまたはTa/B1と非
直線性α(v100μA−vlTrLA)の関係を示寸
もので、第2図および第4図はpb/BiまたはTa/
Biとパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量を示
すもので、第1図および第2図におけるTa/Biは1
.0、第3図および第4図におりるPb/Biは0.2
5のときである。また第5図はパイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量と700℃のアニールによるLC変
動との関係を示づもので、第6図はパイロクロア型化合
物に含まれるビスマス量と高温課電(105℃、DC2
mA。
直線性α(v100μA−vlTrLA)の関係を示寸
もので、第2図および第4図はpb/BiまたはTa/
Biとパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量を示
すもので、第1図および第2図におけるTa/Biは1
.0、第3図および第4図におりるPb/Biは0.2
5のときである。また第5図はパイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量と700℃のアニールによるLC変
動との関係を示づもので、第6図はパイロクロア型化合
物に含まれるビスマス量と高温課電(105℃、DC2
mA。
1000h)後によるLC変動との関係を示すものであ
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のV1μA−VlomAの電圧−電流特性を
示すものであり、第8図および第9図は第7図で用いた
ものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第8図
は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃)後で
ある。
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のV1μA−VlomAの電圧−電流特性を
示すものであり、第8図および第9図は第7図で用いた
ものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第8図
は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃)後で
ある。
′ 前記表および第1図〜第4図から明らかなように、
Pb/BiおよびTa/Biが大きくなるほどパイロク
ロア型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向
を示す中で、非直線性αが極大となるPb/Biおよび
Ta/Biの範囲はPb/B i=0.05〜0.5゜
Ta/B i =0.2〜2.0であルコとがわかる。
Pb/BiおよびTa/Biが大きくなるほどパイロク
ロア型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向
を示す中で、非直線性αが極大となるPb/Biおよび
Ta/Biの範囲はPb/B i=0.05〜0.5゜
Ta/B i =0.2〜2.0であルコとがわかる。
すなわち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量の増加によってBi2O3が減少し
すぐれた非直線性を示すが、Pb/B i 、Ta/B
iが上限を越シテ大きくなりすぎるとパイロクロア化
する反応ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことに
よるものと推量される。また前記表はもとより第5図お
よび第6図から明らかなように、パイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量が50%以上となるものは熱履歴
による非直線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれた
バリスタ特性を示している。さらに第7図から明らかな
ようにパイロクロア型化合物が存在しない従来例のもの
は低電流領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明の
ものは電流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわ
ずかで漏れ電流がきわめで小さい結果を示した。しかし
て、本発明によるものが以上のようなすぐれた効果を発
揮する根拠については第8図および第9図によって明ら
かなように、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にパイロ
クロア型化合物を含み、該パイロクロア型化合物に焼結
体中に含まれる全ごスマスの50%以上を含有さV熱履
歴により相変化するB12o3相を少なく抑制できるこ
とによるものである。
含まれるビスマス量の増加によってBi2O3が減少し
すぐれた非直線性を示すが、Pb/B i 、Ta/B
iが上限を越シテ大きくなりすぎるとパイロクロア化
する反応ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことに
よるものと推量される。また前記表はもとより第5図お
よび第6図から明らかなように、パイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量が50%以上となるものは熱履歴
による非直線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれた
バリスタ特性を示している。さらに第7図から明らかな
ようにパイロクロア型化合物が存在しない従来例のもの
は低電流領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明の
ものは電流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわ
ずかで漏れ電流がきわめで小さい結果を示した。しかし
て、本発明によるものが以上のようなすぐれた効果を発
揮する根拠については第8図および第9図によって明ら
かなように、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にパイロ
クロア型化合物を含み、該パイロクロア型化合物に焼結
体中に含まれる全ごスマスの50%以上を含有さV熱履
歴により相変化するB12o3相を少なく抑制できるこ
とによるものである。
なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化ビスマス
として存在するものと推はされる。
として存在するものと推はされる。
U発明の効果j
以上述べたように本発明によれば、非直線性にすぐれ、
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
第1図はPb/B i−α特性曲線図、第2図はPb/
Bi−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相
関図、第3図はTa/Bi−α特性曲線図、第4図はT
a/Bi−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量
の相関図、第5図はパイロクロア型化合物に含まれるビ
スマス量−アニールによる△LC/LC特性曲線図、第
6図はパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量−高
温課電によるへLC/LC特性曲線図、第7図は電流−
電圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回
折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラフ
である。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 (V77flΔ−V77 ootΔ) X)(%>
V!rtとγ月9せf昼コ)伶髪qY而/口60ハl
0.40.81.21.62.02.42.8Ta/B
i 第 3 図 パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量 (%)第
5 図
Bi−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相
関図、第3図はTa/Bi−α特性曲線図、第4図はT
a/Bi−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量
の相関図、第5図はパイロクロア型化合物に含まれるビ
スマス量−アニールによる△LC/LC特性曲線図、第
6図はパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量−高
温課電によるへLC/LC特性曲線図、第7図は電流−
電圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回
折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラフ
である。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 (V77flΔ−V77 ootΔ) X)(%>
V!rtとγ月9せf昼コ)伶髪qY而/口60ハl
0.40.81.21.62.02.42.8Ta/B
i 第 3 図 パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量 (%)第
5 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛を主成分とし、少なくとも鉛、ビスマス、タン
タル、アンチモンの添加物を含み、該添加物中の鉛とビ
スマス、タンタルとビスマスの関係が Pb/Bi=0.05〜0.5、 Ta/Bi−0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi_2O_3に換算して0.0
5〜1.0モル%、アンチモンを Sb_2O_3に換算して0.05〜3.0モル%含有
してなる焼結体における結晶粒子の粒界偏析部に、前記
焼結体中の全ビスマスの50%以上を化合したパイロク
ロア型化合物を含有したことを特徴とする電圧非直線抵
抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62117431A JPS63281404A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62117431A JPS63281404A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63281404A true JPS63281404A (ja) | 1988-11-17 |
JPH0379848B2 JPH0379848B2 (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14711476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62117431A Granted JPS63281404A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63281404A (ja) |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP62117431A patent/JPS63281404A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0379848B2 (ja) | 1991-12-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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