JPS63122101A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPS63122101A JPS63122101A JP61268324A JP26832486A JPS63122101A JP S63122101 A JPS63122101 A JP S63122101A JP 61268324 A JP61268324 A JP 61268324A JP 26832486 A JP26832486 A JP 26832486A JP S63122101 A JPS63122101 A JP S63122101A
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N chromium(III) oxide Inorganic materials O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 13
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は非常に高い非直線特性を有する酸化亜鉛を主成
分とする電圧非直線抵抗体(以下バリスタと称す)に関
する。
分とする電圧非直線抵抗体(以下バリスタと称す)に関
する。
(従来の技術)
昨今、各種バリスタの開発はめざましいものがあり、中
でも酸化亜鉛を主成分としたバリスタはすぐれた非直線
性、サージ吸収性および定電圧性などの安定性が認めら
れ、雷サージおよび定電圧に対する防護用バリスタまた
は定電圧バリスタとして汎用されている。
でも酸化亜鉛を主成分としたバリスタはすぐれた非直線
性、サージ吸収性および定電圧性などの安定性が認めら
れ、雷サージおよび定電圧に対する防護用バリスタまた
は定電圧バリスタとして汎用されている。
一般にこの種バリスタは、主成分としての酸化亜鉛に添
加物として1)液相焼結に必要な低融点酸化物としての
酸化ビスマス(B ! 203 )または酸化プラセオ
ジウムと、2)非直線性を高めるために必要な酸化コバ
ルト(Co□03)。
加物として1)液相焼結に必要な低融点酸化物としての
酸化ビスマス(B ! 203 )または酸化プラセオ
ジウムと、2)非直線性を高めるために必要な酸化コバ
ルト(Co□03)。
二酸化マンガン(MnO2)、FiI化ニッケル(Ni
p)、酸化アンチモン(Sb203)。
p)、酸化アンチモン(Sb203)。
酸化クロム(Cr203)、二酸化ケイ素(Si02)
などの酸化物を適宜添加涙金し、造粒成形した後110
0〜1400℃にて高温焼結してなる焼結体両面に銀ペ
ーストを印刷−焼付けするか、または電極金属をメタリ
コンするかなどの手段を経て電極を形成し実用に供して
いる。しかして前記焼結体は、酸化亜鉛粒子と、該酸化
亜鉛粒子の周囲をとりまく添加物によって形成される粒
界層からなり、非直線性は酸化亜鉛粒子と粒界層との界
面の物性に起因するものと考えられている。
などの酸化物を適宜添加涙金し、造粒成形した後110
0〜1400℃にて高温焼結してなる焼結体両面に銀ペ
ーストを印刷−焼付けするか、または電極金属をメタリ
コンするかなどの手段を経て電極を形成し実用に供して
いる。しかして前記焼結体は、酸化亜鉛粒子と、該酸化
亜鉛粒子の周囲をとりまく添加物によって形成される粒
界層からなり、非直線性は酸化亜鉛粒子と粒界層との界
面の物性に起因するものと考えられている。
しかしながら、上記構成になるバリスタは、焼結温度が
1100℃以上と高温であるため、酸化ビスマスまたは
酸化プラセオジウムなどの低融点酸化物の蒸発が生じ、
焼結時の雰囲気コントロールが困難であるのに加え、低
融点酸化物として酸化ビスマスを使用したものにおいて
酸化亜鉛粒子の粒界層に形成されるBi2O3相は添加
物の種類や仮焼条件および焼結条件によってα−Bi2
03相、β−Bi203相。
1100℃以上と高温であるため、酸化ビスマスまたは
酸化プラセオジウムなどの低融点酸化物の蒸発が生じ、
焼結時の雰囲気コントロールが困難であるのに加え、低
融点酸化物として酸化ビスマスを使用したものにおいて
酸化亜鉛粒子の粒界層に形成されるBi2O3相は添加
物の種類や仮焼条件および焼結条件によってα−Bi2
03相、β−Bi203相。
γ−Bi O相、δ−Bi203相の4種類の結晶相
をもち、該結晶相の分布度合によってバリスタ特性が異
なる性質を有しており、かつα、β、δそれぞれのBi
2O3相が焼結後の500〜600℃の比較的低温下で
の熱履歴、つまり電極焼付(゛)および使用中の電気エ
ネルギーによってγ−Bi2O3相に相変化を起こす性
ヱ1を有しているため、信頼性に問題があった。
をもち、該結晶相の分布度合によってバリスタ特性が異
なる性質を有しており、かつα、β、δそれぞれのBi
2O3相が焼結後の500〜600℃の比較的低温下で
の熱履歴、つまり電極焼付(゛)および使用中の電気エ
ネルギーによってγ−Bi2O3相に相変化を起こす性
ヱ1を有しているため、信頼性に問題があった。
また低融点酸化物として酸化ビスマスに変え酸化プラセ
オジウムを使用した場合、該酸化プラセオジウムは希土
類であるため非常に高価でバリスタとしてのコストを高
いものとしてしまう不具合をもっていた。
オジウムを使用した場合、該酸化プラセオジウムは希土
類であるため非常に高価でバリスタとしてのコストを高
いものとしてしまう不具合をもっていた。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように添加物としての液相焼結に必要な低融点酸
化物として酸化ビスマスを用いたものでは焼結時の雰囲
気コントロールが困難で、かつBi2O3相の相変化に
よる特性変動があり、また酸化プラセオジウムを用いた
ものは酸化ビスマス同様焼結時の雰囲気コントロールが
困難であるのに加えコストアップ要因となり、いずれに
しても添加物として低融点酸化物を用いるものでは実用
上大きな問題をかかえていた。
化物として酸化ビスマスを用いたものでは焼結時の雰囲
気コントロールが困難で、かつBi2O3相の相変化に
よる特性変動があり、また酸化プラセオジウムを用いた
ものは酸化ビスマス同様焼結時の雰囲気コントロールが
困難であるのに加えコストアップ要因となり、いずれに
しても添加物として低融点酸化物を用いるものでは実用
上大きな問題をかかえていた。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、作業性良好
にして高い非直線性が得られるバリスタを提供すること
を目的とするものである。
にして高い非直線性が得られるバリスタを提供すること
を目的とするものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明は、主成分としての酸化亜鉛にSrをSrOに換
算して0.05〜3.0モル%、CrをCr2O3に換
算して0.7≦Sr/Cr≦1.20の比率、で含むこ
とを特徴としたバリスタで、さらに上記組成に添加物と
してCo、Mn、N iのうち少なくとも1種をCoo
、MnO,N ioに換算して1種の範囲が0.05〜
3.0モル%含むことを特徴としたバリスタである。
算して0.05〜3.0モル%、CrをCr2O3に換
算して0.7≦Sr/Cr≦1.20の比率、で含むこ
とを特徴としたバリスタで、さらに上記組成に添加物と
してCo、Mn、N iのうち少なくとも1種をCoo
、MnO,N ioに換算して1種の範囲が0.05〜
3.0モル%含むことを特徴としたバリスタである。
(作用)
以上の構成からなるバリスタによればSrOが0.05
〜3.0モル%で、かつBrとCrの比率が0.7≦S
r/Cr≦1.20の比率において液相焼結に必要な低
融点酸化物としての酸化ビスマスまたは酸化プラセオジ
ウムに代わる同性質の鋤ぎをするが、3rおよびCrは
低融点酸化物でないため高温焼結時蒸発の心配はなく、
焼結時の雰囲気コントロールが必要でなく高い非直線特
性を発揮する。また酸化亜鉛粒子の粒界層には熱的に安
定なりロム酸ストロンチウム化合物が形成される結果、
熱履歴によって粒界層が変質することは全(なくなり、
熱履歴による非直線特性劣化の要因は解消される。
〜3.0モル%で、かつBrとCrの比率が0.7≦S
r/Cr≦1.20の比率において液相焼結に必要な低
融点酸化物としての酸化ビスマスまたは酸化プラセオジ
ウムに代わる同性質の鋤ぎをするが、3rおよびCrは
低融点酸化物でないため高温焼結時蒸発の心配はなく、
焼結時の雰囲気コントロールが必要でなく高い非直線特
性を発揮する。また酸化亜鉛粒子の粒界層には熱的に安
定なりロム酸ストロンチウム化合物が形成される結果、
熱履歴によって粒界層が変質することは全(なくなり、
熱履歴による非直線特性劣化の要因は解消される。
(実施例)
以下、本発明の一実施例につき詳細に説明する。
丈1」(ユニ
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)にストロンチウム(
Sr)とクロム(Or)を酸化ストロンチウム(SrO
)と酸化クロム(Cr203)に換算して含み、SrO
の添加Gが0.05〜3.0モル%のときCr2O3が
0.7≦Sr/Cr≦1.20の比率で含むセラミック
粉末を造粒成形し、1100〜1400℃の温度で焼成
し得た板状焼結体の両面に全屈焼付け、メッキ、メタリ
コンまたは蒸着などを施し電極を形成してなるものであ
る。第1図および第2図はSrOとCr2O3の含有関
係を示すもので、表1はsroとCr2O3の合右聞と
BrとCrの関係比のちがいによるアルミニウム蒸着電
極形成構造による非直線係数αとV 1 mA/Mを示
したものである。
Sr)とクロム(Or)を酸化ストロンチウム(SrO
)と酸化クロム(Cr203)に換算して含み、SrO
の添加Gが0.05〜3.0モル%のときCr2O3が
0.7≦Sr/Cr≦1.20の比率で含むセラミック
粉末を造粒成形し、1100〜1400℃の温度で焼成
し得た板状焼結体の両面に全屈焼付け、メッキ、メタリ
コンまたは蒸着などを施し電極を形成してなるものであ
る。第1図および第2図はSrOとCr2O3の含有関
係を示すもので、表1はsroとCr2O3の合右聞と
BrとCrの関係比のちがいによるアルミニウム蒸着電
極形成構造による非直線係数αとV 1 mA/Mを示
したものである。
なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径が145
IIl+、厚さが1a+で電極直径は13.4mである
。
IIl+、厚さが1a+で電極直径は13.4mである
。
第1図および第2図中の数字は試料Nαを示す。
以下余白
表 1
表1から明らかなように、参考例17.19゜21.2
3.25はSr/Cr>1.20で非直線係数α≦22
であり、参考例18.20゜22.24.26はSr/
Cr<0.7で非直線係数α≦24で、また参考例16
はSrO〈0.05モル%で非直線係数α=16、参考
例27はSrO>3.0モル%で非直線係数α=28で
、さらにSrOのみを1.75モル%添加した参考例2
8は非直線係数α=4と極端に非直線特性が劣り、C’
r203のみを1.0モル%添加した参考例29は単な
る抵抗体であった。
3.25はSr/Cr>1.20で非直線係数α≦22
であり、参考例18.20゜22.24.26はSr/
Cr<0.7で非直線係数α≦24で、また参考例16
はSrO〈0.05モル%で非直線係数α=16、参考
例27はSrO>3.0モル%で非直線係数α=28で
、さらにSrOのみを1.75モル%添加した参考例2
8は非直線係数α=4と極端に非直線特性が劣り、C’
r203のみを1.0モル%添加した参考例29は単な
る抵抗体であった。
これに対し実施例1〜15のものはいずれも非直線係数
α≧31′と高い非6線特性を示し、酸化亜鉛(ZnO
)を主成分としてSrOとCr2O3を含有したバリス
タにおいて高い非3.0モル%で、かつ1.20≧3r
/Cr10.7の比率の範囲であることがわかる。
α≧31′と高い非6線特性を示し、酸化亜鉛(ZnO
)を主成分としてSrOとCr2O3を含有したバリス
タにおいて高い非3.0モル%で、かつ1.20≧3r
/Cr10.7の比率の範囲であることがわかる。
実施例−■
上記実施例−1を前提に上記実施例−■の組成範囲内に
新たに(:、o、 Mn、N iをCOO。
新たに(:、o、 Mn、N iをCOO。
MnO,NiOに換算してそれぞれを単独に添加量(モ
ル%)を変えて添加した場合の添加物と添加量のちがい
による非直線係数αとV 1 mA/amを調べた結果
、表2に示すようになった。試料として用いた焼結体の
大ぎさおよび電極構成は実施例−工と同一とした。
ル%)を変えて添加した場合の添加物と添加量のちがい
による非直線係数αとV 1 mA/amを調べた結果
、表2に示すようになった。試料として用いた焼結体の
大ぎさおよび電極構成は実施例−工と同一とした。
以下余白
表2から明らかなようにCoo、MnO。
Nioをそれぞれ単独で0.05〜3.0モル%を添加
することにより、非直線係数αが41〜64とより高い
非直線係数を得ることができ、この範囲外ではCoo、
MnO,N i Oを入れてもα向上はせず意味がない
。
することにより、非直線係数αが41〜64とより高い
非直線係数を得ることができ、この範囲外ではCoo、
MnO,N i Oを入れてもα向上はせず意味がない
。
実施例−■
上記実施例−■を前提にCoo、MnO。
NiOの組合せ添加とその添加間(モル%)のちがいに
よる非直線係数αとV1mA/sを調べた結果、表3に
示すようになった。
よる非直線係数αとV1mA/sを調べた結果、表3に
示すようになった。
試料として用いた焼結体の大きさおよび電極構成は実施
例−■と同一とした。
例−■と同一とした。
以下余白
表3から明らかなようにCoo、MnO。
NiOを前記範囲内で複合添加することにより非直線係
数αが60〜75ときわめて高い値を示し、非直線特性
をさらに向上できることがわかる。
数αが60〜75ときわめて高い値を示し、非直線特性
をさらに向上できることがわかる。
また上記実施例で述べた本発明とBi2O3を含む従来
例の熱処理後700℃ 10分間における非直線係数α
を比較した結果、従来例のものはαが10〜20%の範
囲で大幅に低下するのに対し、本発明のものはαの変化
が数%ときわめて少なく熱的信頼性に富むことがわかっ
た。 しかして、以上のように熱的信頼性に富む根拠と
しては、従来例による焼結体を構成1゛るZnO粒子の
粒界層に存在するBi2O3相が熱処理下で相変化を起
こし、非直線特性を低下させるのに対し、本発明のもの
はZnO粒子の粒界層に熱的に安定なりロム酸ストロン
チウム化合物が形成されることによるものと考えられる
。
例の熱処理後700℃ 10分間における非直線係数α
を比較した結果、従来例のものはαが10〜20%の範
囲で大幅に低下するのに対し、本発明のものはαの変化
が数%ときわめて少なく熱的信頼性に富むことがわかっ
た。 しかして、以上のように熱的信頼性に富む根拠と
しては、従来例による焼結体を構成1゛るZnO粒子の
粒界層に存在するBi2O3相が熱処理下で相変化を起
こし、非直線特性を低下させるのに対し、本発明のもの
はZnO粒子の粒界層に熱的に安定なりロム酸ストロン
チウム化合物が形成されることによるものと考えられる
。
r発明の効果]
以上述べたJ:うに本発明によれば低融点酸化物を使用
しないため、焼結時の雰囲気コントロールが容易で高い
非直線初期特f1を右し、熱履歴によっても非直線特性
劣化の少ない信頼性に富むバリスタを得ることができる
。
しないため、焼結時の雰囲気コントロールが容易で高い
非直線初期特f1を右し、熱履歴によっても非直線特性
劣化の少ない信頼性に富むバリスタを得ることができる
。
第1図は添加物として用いるCr2O3ど、SrOの含
有比率関係図、第2図は第1図A部拡大図である。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 第1図 CrzO3(モル〃) 第2図
有比率関係図、第2図は第1図A部拡大図である。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 第1図 CrzO3(モル〃) 第2図
Claims (2)
- (1)主成分としての酸化亜鉛にBrとCrをSrOと
Cr_2O_3に換算して含有した電圧非直線抵抗体に
おいて、SrOの含有量が 0.05〜3.0モル%でBrとCr(7)関係が0.
7≦Sr/Cr≦1.20の比率であることを特徴とす
る電圧非直線抵抗体。 - (2)添加物としてCo、Mn、NiをCoO、MnO
、NiOに換算して少なくとも1種を1種の範囲が0.
05〜3.0モル%含むことを特徴とする特許請求の範
囲第(1)項記載の電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61268324A JPS63122101A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61268324A JPS63122101A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63122101A true JPS63122101A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17456958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61268324A Pending JPS63122101A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63122101A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283892A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 電圧非直線性抵抗体組成物および積層バリスタ |
JP2013131596A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Panasonic Corp | 電圧非直線性抵抗体組成物およびこれを用いた積層バリスタ |
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1986
- 1986-11-10 JP JP61268324A patent/JPS63122101A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283892A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 電圧非直線性抵抗体組成物および積層バリスタ |
JP2013131596A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Panasonic Corp | 電圧非直線性抵抗体組成物およびこれを用いた積層バリスタ |
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