JPS6390804A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPS6390804A JPS6390804A JP61236743A JP23674386A JPS6390804A JP S6390804 A JPS6390804 A JP S6390804A JP 61236743 A JP61236743 A JP 61236743A JP 23674386 A JP23674386 A JP 23674386A JP S6390804 A JPS6390804 A JP S6390804A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビスマスを
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体く以下バリスタ
と称す)に関する。
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体く以下バリスタ
と称す)に関する。
(従来の技術)
昨今、各秤バリスタの開発はめざましいものがあり、中
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
マンガン、ニッケル、クロムなどを数種から10数種添
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
しかして、このようにして用いられるバリスタは、実用
上通常(正常)の電圧状態に43いてはアイドリング電
流(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時は
その吸収能力が大きく、その後あ電気的特性の変化がき
わめて少ないことが要求されている。従来、このような
要求に応える技術として特公昭53−21509号公報
、または特公昭60−38841号公報に開示されたも
のがある。
上通常(正常)の電圧状態に43いてはアイドリング電
流(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時は
その吸収能力が大きく、その後あ電気的特性の変化がき
わめて少ないことが要求されている。従来、このような
要求に応える技術として特公昭53−21509号公報
、または特公昭60−38841号公報に開示されたも
のがある。
特公昭53−21509@公報(以下前者と称す)に開
示された技術は、焼結体中に含まれるBi Oのうち
10%以上をγ−Bi203として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
示された技術は、焼結体中に含まれるBi Oのうち
10%以上をγ−Bi203として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
また特公昭60−38841号公報(以下後者と称す)
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90Φ吊%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にする
ことによって、きわめて苛酷な課電条件下においても長
時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なり、シ
かも時間とともに減少するような特性をもつバリスタに
関するものである。
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90Φ吊%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にする
ことによって、きわめて苛酷な課電条件下においても長
時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なり、シ
かも時間とともに減少するような特性をもつバリスタに
関するものである。
すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成条件など
によって焼結体にα−Bi203相。
によって焼結体にα−Bi203相。
β−Bi O相、γ−Bi2O3相の他にδ−Bi2
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−Bi2O
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi O相、β−B
i203相、δ−Bi O相がγ−Bi2O3相に変
態する場合のγ−81203相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはバ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(III)の液相を生じ、酸化亜鉛
の焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi2Q3相、
δ−13i2Q3相を含む焼結体をジャーナル・オブ・
アブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(19
76年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中にお
いて700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化
ビスマス(III)の90%以上をγ−81203相に
相変化させることによって安定なバリスタが得られるこ
とを究明したものである。
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−Bi2O
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi O相、β−B
i203相、δ−Bi O相がγ−Bi2O3相に変
態する場合のγ−81203相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはバ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(III)の液相を生じ、酸化亜鉛
の焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi2Q3相、
δ−13i2Q3相を含む焼結体をジャーナル・オブ・
アブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(19
76年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中にお
いて700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化
ビスマス(III)の90%以上をγ−81203相に
相変化させることによって安定なバリスタが得られるこ
とを究明したものである。
本発明者らは以上に述べた技術を@提に種々検討を重ね
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
β、δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが
製造工程中の熱履歴、すなわら電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用詩の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−B i 20 相に変態(相変化)し低電流領域で
電圧−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
製造工程中の熱履歴、すなわら電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用詩の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−B i 20 相に変態(相変化)し低電流領域で
電圧−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
しかして本発明者らは焼結体を構成り°る酸化曲鉛を主
成分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス
化合物を生成させることによって粒界偏析部を構成する
Bi2O3相の熱による相変化を少なくすることができ
る点に着目し種々間発を進め本発明にいたった。
成分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス
化合物を生成させることによって粒界偏析部を構成する
Bi2O3相の熱による相変化を少なくすることができ
る点に着目し種々間発を進め本発明にいたった。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように安定なバリスタを得るため、添加物の種類
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるB12O3相中所望+7)t
mc7)γ−B i 2 o3相ヲ得たとしても、残り
のα、β、δそれぞれのBi2O3相がその後の熱履歴
、つまり電極焼付および使用中の電気エネルギーによっ
て相変化を起こし、低電流領域でのV−1特性の低下を
防止することができない。
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるB12O3相中所望+7)t
mc7)γ−B i 2 o3相ヲ得たとしても、残り
のα、β、δそれぞれのBi2O3相がその後の熱履歴
、つまり電極焼付および使用中の電気エネルギーによっ
て相変化を起こし、低電流領域でのV−1特性の低下を
防止することができない。
本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在するBi2O3相
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
ぎわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
ぎわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添加物とし
て少なくともストロンチウム、ビスマス、チタン、アン
チモンを含み、該添加物中のストロンチウムとビスマス
、チタンとビスマスの関係が Sr/Bi=0.05〜0.5゜ Ti/Bi=0.2 〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に!!に算して0.0
5〜1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換算して
0.05〜3.0モル%含有してなる焼結体における酸
化亜鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼
結体中の全ビスマスの50%以上をバイロクロア型化合
物であるように構成してなるものである。
て少なくともストロンチウム、ビスマス、チタン、アン
チモンを含み、該添加物中のストロンチウムとビスマス
、チタンとビスマスの関係が Sr/Bi=0.05〜0.5゜ Ti/Bi=0.2 〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に!!に算して0.0
5〜1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換算して
0.05〜3.0モル%含有してなる焼結体における酸
化亜鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼
結体中の全ビスマスの50%以上をバイロクロア型化合
物であるように構成してなるものである。
(作用)
以上のような構成になるバリスタによれば、焼結体中の
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
するB i 203相が極力少なくなり、低電流領域で
のV−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得るこ
とのできない優れた非直線特性を得ることができる。
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
するB i 203相が極力少なくなり、低電流領域で
のV−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得るこ
とのできない優れた非直線特性を得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例につき詳細に説用する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として酸化
ビスマス(Bi203)、酸化ストロンチウム(SrO
)、酸化チタン(Ti02)。
ビスマス(Bi203)、酸化ストロンチウム(SrO
)、酸化チタン(Ti02)。
酸化アンチモン(Sb203)2M化コバルト(Coo
)、M化りロム(Cr203)、酸化ニッケル(Nip
)、M化マンガン(MnO)の酸化物の中から少なくと
も酸化ストロンチウム、M化ビスマス、M化チタン、M
化アンチモンを含み、該添加物中のストロンチウムとビ
スマス、チタンとビスマスの関係が Sr/B i =0.05〜0.5゜ Ti/B1−0.2〜2.0の範囲で、Bi2O30,
05〜1.0モル%。
)、M化りロム(Cr203)、酸化ニッケル(Nip
)、M化マンガン(MnO)の酸化物の中から少なくと
も酸化ストロンチウム、M化ビスマス、M化チタン、M
化アンチモンを含み、該添加物中のストロンチウムとビ
スマス、チタンとビスマスの関係が Sr/B i =0.05〜0.5゜ Ti/B1−0.2〜2.0の範囲で、Bi2O30,
05〜1.0モル%。
5bOO,05〜3.0モル%を含有するセラミック粉
末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメタリコ
ンなどを施し電極を形成してなるものである。
末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメタリコ
ンなどを施し電極を形成してなるものである。
表は添加物の種類および添加量(モル%)のちがいによ
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を論
した焼結体のX線回折によるメインビーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のバイロクロア型化合物に含まれるビスマス吊と、焼結
体自体の電気的特性を把握丈るために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成ニヨッテ測定し
た■100μA−v1TrLAのα、熱履歴をともなう
銀焼付電極形成によって測定したVloo LIA−V
l mAのα、さらにはVI TrLA/mを示したも
のである。
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を論
した焼結体のX線回折によるメインビーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のバイロクロア型化合物に含まれるビスマス吊と、焼結
体自体の電気的特性を把握丈るために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成ニヨッテ測定し
た■100μA−v1TrLAのα、熱履歴をともなう
銀焼付電極形成によって測定したVloo LIA−V
l mAのα、さらにはVI TrLA/mを示したも
のである。
なお、試料として用いた焼結体の大ぎさは直径が14M
、厚さが1Mで、電極直径は13.4mである。
、厚さが1Mで、電極直径は13.4mである。
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくするため、第
1図〜第9図を参照して説明する。
1図〜第9図を参照して説明する。
第1図および第3図はSr/BiまたはTi/3iと非
直線性cx (Vloo uA−V 17rLA )の
関係を示すもので、第2図および第4図はSr/Biま
たはTi/Biとバイロクロア型化合物に含まれるビス
マス量を示すもので、第1図および第2図におけるTi
/Biは1.0、第3図および第4図におけるSr/B
iは0.25のときである。また第5図はバイロクロア
型化合物に含まれるビスマス量と700℃のアニールに
よるLG変動との関係を示すもので、第6図はバイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス量ど高温課電(105
℃、DC2mA。
直線性cx (Vloo uA−V 17rLA )の
関係を示すもので、第2図および第4図はSr/Biま
たはTi/Biとバイロクロア型化合物に含まれるビス
マス量を示すもので、第1図および第2図におけるTi
/Biは1.0、第3図および第4図におけるSr/B
iは0.25のときである。また第5図はバイロクロア
型化合物に含まれるビスマス量と700℃のアニールに
よるLG変動との関係を示すもので、第6図はバイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス量ど高温課電(105
℃、DC2mA。
1000h)後によるLC変動との関係を示すものであ
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のV100μA−VlmAの電圧−電流特性
を示すしのであり、第8図および第9図は第7図で用い
たものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第8
図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃)後
である。
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のV100μA−VlmAの電圧−電流特性
を示すしのであり、第8図および第9図は第7図で用い
たものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第8
図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃)後
である。
前記表および第1図〜第4図から明らかなように、Sr
/BiおよびTi/Biが大きくなるほどバイロクロア
型化合物に含まれるビスマスの割合が贈加する傾向を示
す中で、非直線性αが極大となるSr/BiおよびTi
/Biの範囲はSr/8 i=0.05〜0.5゜Ti
/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。すなわち
焼結体の粒界偏析部にバイロクロア型化合物に含まれる
ビスマス但の増加によってBi2O3が減少しすぐれた
非直線性を示すが、Sr/Bi、Ti/Biが上限を越
して大きくなりすぎるとバイロクロア化する反応ステー
ジが早くなりすぎ、焼結性を損うことによるものと推量
される。また前記表はもとより第5図および第6図から
明らかなように、バイロクロア型化合物に含まれるビス
マスωが50%以上となるものは熱層歴による非直線性
α特性の変化がぎわめて少なくすぐれたバリスタ特性を
示している。さらに第7図から明らかなようにバイロク
ロア型化合物が存在しない従来例のものは低電流領域で
の電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは電流が1
μAという低電流領域でも電圧降下はわずかで漏れ電流
がきわめて小さい結果を示した。しかして、本発明によ
るものが以上のようなすぐれた効果を発揮する根拠につ
いては第8図および第9図によって明らかなように、焼
結体の結晶粒子間の粒界偏析部にバイロクロア型化合物
を含み、該バイロクロア型化合物に焼結体中に含まれる
全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴により相変化
する81203相を少なく抑制できることによるもので
ある。
/BiおよびTi/Biが大きくなるほどバイロクロア
型化合物に含まれるビスマスの割合が贈加する傾向を示
す中で、非直線性αが極大となるSr/BiおよびTi
/Biの範囲はSr/8 i=0.05〜0.5゜Ti
/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。すなわち
焼結体の粒界偏析部にバイロクロア型化合物に含まれる
ビスマス但の増加によってBi2O3が減少しすぐれた
非直線性を示すが、Sr/Bi、Ti/Biが上限を越
して大きくなりすぎるとバイロクロア化する反応ステー
ジが早くなりすぎ、焼結性を損うことによるものと推量
される。また前記表はもとより第5図および第6図から
明らかなように、バイロクロア型化合物に含まれるビス
マスωが50%以上となるものは熱層歴による非直線性
α特性の変化がぎわめて少なくすぐれたバリスタ特性を
示している。さらに第7図から明らかなようにバイロク
ロア型化合物が存在しない従来例のものは低電流領域で
の電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは電流が1
μAという低電流領域でも電圧降下はわずかで漏れ電流
がきわめて小さい結果を示した。しかして、本発明によ
るものが以上のようなすぐれた効果を発揮する根拠につ
いては第8図および第9図によって明らかなように、焼
結体の結晶粒子間の粒界偏析部にバイロクロア型化合物
を含み、該バイロクロア型化合物に焼結体中に含まれる
全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴により相変化
する81203相を少なく抑制できることによるもので
ある。
なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化ビスマス
として存在するものと推量される。
として存在するものと推量される。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、非直線性にすぐれ、
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
第1図はSr/Bi−α特性曲線図、第2図はSr/B
i−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス口の相関
図、第3図はTi/Bi−α特性曲線図、第4図はTi
/Bi−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス向の
相関図、第5図はバイロクロア型化合物に含まれるビス
マス聞−7ニールによるΔLC/LG特性曲線図、第6
図はバイOりOア型化合物に含まれるビスマス偵−a温
し!!電によるへLC/LC特性曲線図、第7図は電流
−電圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線
回折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラ
フである。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 Sr/Bi 第 1 図 Sr/Bi 第 2 口 Ti/Bi 第 3 図 Ti/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスffi (%
)第 5 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスa (%)第
6図 N 流 (1) 第 7 図 従 来 例 (ワろ) 実 施 例 (9) p 2θ(dea) ρy:oyroch+ore 従 来 例 (73) 実 施 例 (9)
i−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス口の相関
図、第3図はTi/Bi−α特性曲線図、第4図はTi
/Bi−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス向の
相関図、第5図はバイロクロア型化合物に含まれるビス
マス聞−7ニールによるΔLC/LG特性曲線図、第6
図はバイOりOア型化合物に含まれるビスマス偵−a温
し!!電によるへLC/LC特性曲線図、第7図は電流
−電圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線
回折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラ
フである。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 Sr/Bi 第 1 図 Sr/Bi 第 2 口 Ti/Bi 第 3 図 Ti/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスffi (%
)第 5 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスa (%)第
6図 N 流 (1) 第 7 図 従 来 例 (ワろ) 実 施 例 (9) p 2θ(dea) ρy:oyroch+ore 従 来 例 (73) 実 施 例 (9)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛を主成分とし、少なくともストロンチウム、
ビスマス、チタン、アンチモンの添加物を含み、該添加
物中のストロンチウムとビスマス、チタンとビスマスの
関係が Sr/Bi=0.05〜0.5、 Ti/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi_2O_3に換算して0.0
5〜1.0モル%、アンチモンを Sb_2O_3に換算して0.05〜3.0モル%含有
してなる焼結体における結晶粒子の粒界偏析部に、前記
焼結体中の全ビスマスの50%以上を化合したバイロク
ロア型化合物を含有したことを特徴とする電圧非直線抵
抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236743A JPS6390804A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236743A JPS6390804A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390804A true JPS6390804A (ja) | 1988-04-21 |
JPH0253930B2 JPH0253930B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=17005131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61236743A Granted JPS6390804A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6390804A (ja) |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236743A patent/JPS6390804A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0253930B2 (ja) | 1990-11-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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