JPS6390805A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
- Publication number
- JPS6390805A JPS6390805A JP61236744A JP23674486A JPS6390805A JP S6390805 A JPS6390805 A JP S6390805A JP 61236744 A JP61236744 A JP 61236744A JP 23674486 A JP23674486 A JP 23674486A JP S6390805 A JPS6390805 A JP S6390805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bismuth
- sintered body
- phase
- varistor
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 33
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 30
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004780 2D liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的1
(産業上の利用分野)
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビスマスを
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
(従来の技術)
昨今、各種バリスタの開発はめざましいものがあり、中
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの秒バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの秒バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
マンガン、ニッケル、クロムなどを数種から10数種添
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
しかして、このようにして用いられるバリスタは、実用
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリング電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時はそ
の吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変化がきわ
めて少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841M公報に開示されたもの
がある。
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリング電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時はそ
の吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変化がきわ
めて少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841M公報に開示されたもの
がある。
特公昭53−21509号公報(以下前者と称す)に開
示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3のうち
10%以上eγ−B i 2 o3として含ませること
により直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対
しても安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにした
ものである。
示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3のうち
10%以上eγ−B i 2 o3として含ませること
により直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対
しても安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにした
ものである。
また特公昭60−38841号公報(以下後者と称す)
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にする
ことによって、きわめて苛酷な課電条件下においても長
時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なく、し
かも時間とともに減少するような特性をもつバリスタに
関するものである。
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にする
ことによって、きわめて苛酷な課電条件下においても長
時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なく、し
かも時間とともに減少するような特性をもつバリスタに
関するものである。
すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成条件など
によって焼結体にα−B ! 203相。
によって焼結体にα−B ! 203相。
β−Bi203相、γ−81203相の他にδ−Bi2
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−B+20
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi O相、β−B
i203相、δ−81203相がγ−81203相に変
態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはバ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(I[I)の液相を生じ、酸化亜鉛
の焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi2Q3相、
δ−Bi203相を含む焼結体をジャーナル・オブ・ア
ブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(197
6年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中におい
て700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化ビ
スマス(I[[)の90%以上をγ−Bi2O3相に相
変化させることによって安定なバリスタが得られること
を究明したものである。
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−B+20
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi O相、β−B
i203相、δ−81203相がγ−81203相に変
態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはバ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(I[I)の液相を生じ、酸化亜鉛
の焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi2Q3相、
δ−Bi203相を含む焼結体をジャーナル・オブ・ア
ブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(197
6年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中におい
て700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化ビ
スマス(I[[)の90%以上をγ−Bi2O3相に相
変化させることによって安定なバリスタが得られること
を究明したものである。
本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検討を重ね
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
β、δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−B + 203相に変態(相変化)し低電流領域で
電圧−電流(V−1>特性が低下する点がわかった。
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−B + 203相に変態(相変化)し低電流領域で
電圧−電流(V−1>特性が低下する点がわかった。
しかして本発明者らは焼結体を構成する酸化亜鉛を主成
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
i2O3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
i2O3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように安定なバリスタを得るため、添加物の種類
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望のはのγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域でのV−1特性の低下を防止することがで
きない。
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望のはのγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域でのV−1特性の低下を防止することがで
きない。
本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在するBi2O3相
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添加物とし
て少なくともストロンチウム、ビスマス、スズ、アンチ
モンを含み、該添加物中のストロンチウムとビスマス、
スズとビスマスの関係が Sr/B i=0.05〜0.05 〜0.5、Sn/B1−0.2 〜2.0の範囲で、ビ
スマスをB:203に換算して0.05〜1.0モル%
、アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル%含有してなる焼結体における酸化亜鉛を主成分と
する結晶粒子の粒界偏析部に、匍記焼結体中の全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物であるように構
成してなるものである。
て少なくともストロンチウム、ビスマス、スズ、アンチ
モンを含み、該添加物中のストロンチウムとビスマス、
スズとビスマスの関係が Sr/B i=0.05〜0.05 〜0.5、Sn/B1−0.2 〜2.0の範囲で、ビ
スマスをB:203に換算して0.05〜1.0モル%
、アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル%含有してなる焼結体における酸化亜鉛を主成分と
する結晶粒子の粒界偏析部に、匍記焼結体中の全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物であるように構
成してなるものである。
(作用)
以上のような構成になるバリスタによれば、焼結体中の
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物にすることによ
ってi ooo℃稈度まで変態しない熱的に安定な物質
として形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変
化するBi2O3相が極力少なくなり、低電流領域での
V−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得ること
のできない優れた非直線特性を得ることができる。
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物にすることによ
ってi ooo℃稈度まで変態しない熱的に安定な物質
として形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変
化するBi2O3相が極力少なくなり、低電流領域での
V−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得ること
のできない優れた非直線特性を得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として酸化
ビスマス(Bi、、03)、酸化ストロンチウム(Sr
O)、酸化スズ(Sn02)。
ビスマス(Bi、、03)、酸化ストロンチウム(Sr
O)、酸化スズ(Sn02)。
酸化アンチモン(Sb203’)、M化コバルト(Co
o)、M化りロム(Cr203 )、 酸化ニッケル(
Nip)、Fi!化マンガン(MnO)の酸化物の中か
ら少なくとも酸化ストロンチウム、酸化ビスマス、lW
l化スズ、酸化アンチモンを含み、該添加物中のストロ
ンチウムとごスマス、スズとビスマスの関係が Sn/8i=0.05〜0.05 〜0.5、Sn/8i=0.2〜2.○の範囲で、Bi
2O30,05〜1.0モル%。
o)、M化りロム(Cr203 )、 酸化ニッケル(
Nip)、Fi!化マンガン(MnO)の酸化物の中か
ら少なくとも酸化ストロンチウム、酸化ビスマス、lW
l化スズ、酸化アンチモンを含み、該添加物中のストロ
ンチウムとごスマス、スズとビスマスの関係が Sn/8i=0.05〜0.05 〜0.5、Sn/8i=0.2〜2.○の範囲で、Bi
2O30,05〜1.0モル%。
5bO0,05〜3.0モル%を含有するセラミック粉
末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメタリコ
ンなどを施し電極を形成してなるものである。
末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメタリコ
ンなどを施し電極を形成してなるものである。
表は添加物の種類および添加量(モル%)のちがいによ
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインビーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のバイロクロア型化合物に含まれるビスマス量と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によって測定し
たviooμA−VlmAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によって測定したv100μA−Vl面への
α、さらにはVl mA/mを示したちのである。
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインビーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のバイロクロア型化合物に含まれるビスマス量と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によって測定し
たviooμA−VlmAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によって測定したv100μA−Vl面への
α、さらにはVl mA/mを示したちのである。
なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径が14m
、厚さが1端で、電極訂径は13.4#である。
、厚さが1端で、電極訂径は13.4#である。
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくするため、第
1図〜第9図を参照して説明する。
1図〜第9図を参照して説明する。
第1図および第3図はSr/BiまたはSn/B i
ト非ti線性a (Vloo μA−V 1 rnA
)の関係を示すもので、第2図および第4図は3r/B
iまたはSn/Biとバイロクロア型化合物に含まれる
ビスマスはを示すもので、第1図および第2図における
Sn/Biは1.0、第3図および第4図におけるSr
/Biは0.25のときである。また第5図はバイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス渚と700℃のアニー
ルによるLC変動との関係を示すもので、第6図はバイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマス量と高温課電(1
05℃、DC2mA。
ト非ti線性a (Vloo μA−V 1 rnA
)の関係を示すもので、第2図および第4図は3r/B
iまたはSn/Biとバイロクロア型化合物に含まれる
ビスマスはを示すもので、第1図および第2図における
Sn/Biは1.0、第3図および第4図におけるSr
/Biは0.25のときである。また第5図はバイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス渚と700℃のアニー
ルによるLC変動との関係を示すもので、第6図はバイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマス量と高温課電(1
05℃、DC2mA。
1oooh)後によるLC変動との関係を示すものであ
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のVloOμA−V 1 mAの電圧−゛電
流特性を示すものであり、第8図および第9図は第7図
で用いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもので
、第8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700
℃)後である。
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のVloOμA−V 1 mAの電圧−゛電
流特性を示すものであり、第8図および第9図は第7図
で用いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもので
、第8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700
℃)後である。
前記表および第1図〜第4図から明らかなように、Sr
/BiおよびSn/Biが大きくなるほどバイロクロア
型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向を示
す中で、非直線性αが極大となるSr/BiおよびSn
/Biの範囲はSr/B i=0.05〜0.5、Sn
/B i =0.2〜2.0であることがわかる。すな
わち焼結体の粒界偏析部にバイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量の増加によってBi2O3が減少しすぐ
れた非直線性を示すが、Sr/B i 、Sn/B i
が上限を越して大きくなりすぎるとバイロクロア化する
反応ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによる
ものと推量される。また前記表はもとより第5図J3よ
び第6図から明らかなように、バイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量が50%以上となるものは熱履歴に
よる非直線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバ
リスタ特性を示している。さらに第7図から明らかなよ
うにバイロクロア型化合物が存在しない従来例のものは
低電流領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のも
のは電流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわず
かで漏れ電流がきわめて小さい結果を示した。しかして
、本発明によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮
する根拠については第8図および第9図によって明らか
なように、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にバイロク
ロア型化合物を含み、該バイロクロア型化合物に焼結体
中に含まれる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴
により相変化するBi2O3相を少なく抑制できること
によるものである。
/BiおよびSn/Biが大きくなるほどバイロクロア
型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向を示
す中で、非直線性αが極大となるSr/BiおよびSn
/Biの範囲はSr/B i=0.05〜0.5、Sn
/B i =0.2〜2.0であることがわかる。すな
わち焼結体の粒界偏析部にバイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量の増加によってBi2O3が減少しすぐ
れた非直線性を示すが、Sr/B i 、Sn/B i
が上限を越して大きくなりすぎるとバイロクロア化する
反応ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによる
ものと推量される。また前記表はもとより第5図J3よ
び第6図から明らかなように、バイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量が50%以上となるものは熱履歴に
よる非直線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバ
リスタ特性を示している。さらに第7図から明らかなよ
うにバイロクロア型化合物が存在しない従来例のものは
低電流領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のも
のは電流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわず
かで漏れ電流がきわめて小さい結果を示した。しかして
、本発明によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮
する根拠については第8図および第9図によって明らか
なように、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にバイロク
ロア型化合物を含み、該バイロクロア型化合物に焼結体
中に含まれる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴
により相変化するBi2O3相を少なく抑制できること
によるものである。
なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化ビスマス
として存在するものと推量される。
として存在するものと推量される。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、非直線性にすぐれ、
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
第1図はSr/Bi−α特性曲線図、第2図はSr/B
i−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相関
図、第3図はSn/Bi−α特性曲線図、第4図はSn
/Bi−バイロクロア型化合物に含まれるビスマスmの
相関図、第5図はバイロクロア型化合物に含まれるビス
マス聞−アニールによるΔLC/LC特性曲線図、第6
図はバイロクロア型化合物に含まれるビスマス量−高温
課電によるへLC/LC特性曲線図、第7図は電流−電
圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回折
グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラフで
ある。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 Sr/Bi 第 1 図 Sr/Bi 第 2 図 第 3 図 Sn/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマス吊 (%)第
5 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスa (%)第
6 図 電 流(1) 第 7 図 従 来 例 (ワラ) 05〜0.5、 *jlN(,9)2
θ(dea) !3D:5Dinel D!/:C1’/rOchlore 従 来 例 (ワ3) 実 施 例 (9) sp:5pinel oy:pyroch+ore
i−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相関
図、第3図はSn/Bi−α特性曲線図、第4図はSn
/Bi−バイロクロア型化合物に含まれるビスマスmの
相関図、第5図はバイロクロア型化合物に含まれるビス
マス聞−アニールによるΔLC/LC特性曲線図、第6
図はバイロクロア型化合物に含まれるビスマス量−高温
課電によるへLC/LC特性曲線図、第7図は電流−電
圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回折
グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラフで
ある。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 Sr/Bi 第 1 図 Sr/Bi 第 2 図 第 3 図 Sn/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマス吊 (%)第
5 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスa (%)第
6 図 電 流(1) 第 7 図 従 来 例 (ワラ) 05〜0.5、 *jlN(,9)2
θ(dea) !3D:5Dinel D!/:C1’/rOchlore 従 来 例 (ワ3) 実 施 例 (9) sp:5pinel oy:pyroch+ore
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛を主成分とし、少なくともストロンチウム、
ビスマス、スズ、アンチモンの添加物を含み、該添加物
中のストロンチウムとビスマス、スズとビスマスの関係
が Sr/Bi=0.05〜0.5、 Sn/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi_2O_3に換算して0.0
5〜1.0モル%、アンチモンを Sb_2O_3に換算して0.05〜3.0モル%含有
してなる焼結体における結晶粒子の粒界偏析部に、前記
焼結体中の全ビスマスの50%以上を化合したバイロク
ロア型化合物を含有したことを特徴とする電圧非直線抵
抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236744A JPS6390805A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236744A JPS6390805A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390805A true JPS6390805A (ja) | 1988-04-21 |
JPH0253931B2 JPH0253931B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=17005145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61236744A Granted JPS6390805A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6390805A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738134U (ja) * | 1992-04-23 | 1995-07-14 | 康雄 三次 | 雨傘ハット |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236744A patent/JPS6390805A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0253931B2 (ja) | 1990-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0353761B2 (ja) | ||
JPS6390805A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
EP0115149A1 (en) | Varistor and method for manufacturing the same | |
JP2510961B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS6390806A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS6390807A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS6390803A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS63312616A (ja) | 半導体磁器組成物 | |
JPS6390802A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JP2531586B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS63281405A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JP2625178B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
JP2830322B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
JP2000243608A (ja) | 酸化亜鉛バリスタとその製造方法 | |
JPS62268102A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS63281403A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS6390804A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS63281404A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JP2808777B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
JPS62286202A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JP2830321B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
JP2725357B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JP2737280B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JP2773309B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JPH07114162B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |