JPS6390806A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPS6390806A JPS6390806A JP61236745A JP23674586A JPS6390806A JP S6390806 A JPS6390806 A JP S6390806A JP 61236745 A JP61236745 A JP 61236745A JP 23674586 A JP23674586 A JP 23674586A JP S6390806 A JPS6390806 A JP S6390806A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビスマスを
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
(従来の技術)
昨今、各種バリスタの開発はめざましいものがあり、中
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
マンガン、ニッケル、クロムなどを数種から10数種添
加混合し、迄精成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
加混合し、迄精成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
しかして、このようにして用いられるバリスタは、実用
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリング電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時はそ
の吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変化がきわ
めて少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841号公報に開示されたもの
がある。
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリング電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時はそ
の吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変化がきわ
めて少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841号公報に開示されたもの
がある。
特公昭53−21509号公報(以下前者と称す)に開
示された技術は、焼結体中に含まれるB12O3のうち
10%以上をγ−Bi2O3として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
示された技術は、焼結体中に含まれるB12O3のうち
10%以上をγ−Bi2O3として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
また特公昭60−38841号公報(以下後者と称す)
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にする
ことによって、きわめて苛酷な課電条件下にJ3いても
長時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なく、
しかも時間とともに減少するような特性をもつバリスタ
に関するものである。
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)にする
ことによって、きわめて苛酷な課電条件下にJ3いても
長時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なく、
しかも時間とともに減少するような特性をもつバリスタ
に関するものである。
すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成条件など
によって焼結体にα−Bi203相。
によって焼結体にα−Bi203相。
β−Bi203相、γ−Bi2O3相の他にδ−8i2
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−Bi2O
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−81203相、β−B
i203相、δ−Bi O相がγ−Bi2O3相に変
態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはパ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(I[I)の液相を生じ、酸化亜鉛
の焼結が進行する過程で形成されるβ−3i203相、
δ−3i2Q3相を含む焼結体をジャーナル・オプ・ア
ブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(197
6年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中におい
て700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化ビ
スマス(I[I)の90%以上をγ−B+、、03相に
相変化させることによって安定なバリスタが得られるこ
とを究明したものである。
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−Bi2O
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−81203相、β−B
i203相、δ−Bi O相がγ−Bi2O3相に変
態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはパ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(I[I)の液相を生じ、酸化亜鉛
の焼結が進行する過程で形成されるβ−3i203相、
δ−3i2Q3相を含む焼結体をジャーナル・オプ・ア
ブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(197
6年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中におい
て700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化ビ
スマス(I[I)の90%以上をγ−B+、、03相に
相変化させることによって安定なバリスタが得られるこ
とを究明したものである。
本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検討を重ね
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
β、δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−81203相に変態(相変化)し低電流領域で電圧
−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−81203相に変態(相変化)し低電流領域で電圧
−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
しかして本発明者らは焼結体を構成する酸化亜鉛を主成
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
12o3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
12o3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように安定なバリスタを得るため、添加物の種類
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望の量のγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域でのV−1特性の低下を防止することがで
きない。
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望の量のγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域でのV−1特性の低下を防止することがで
きない。
本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在するBi2O3相
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添加物とし
て少なくとも鉛、ビスマス、スズ。
て少なくとも鉛、ビスマス、スズ。
アンチモンを含み、該添加物中の鉛とビスマス。
スズとビスマスの関係が
Pb/B i =0.05〜0.5゜
Sn/Bi=0.2 〜2.0
の範囲で、ビスマスをB12O3にFA搾して0.05
〜1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換It、4
0.05〜3.0−E/L/%含有してなる焼結体にお
ける酸化亜鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、
前記焼結体中の全ビスマスの50%以上をパイロクロア
型化合物であるように構成してなるものである。
〜1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換It、4
0.05〜3.0−E/L/%含有してなる焼結体にお
ける酸化亜鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、
前記焼結体中の全ビスマスの50%以上をパイロクロア
型化合物であるように構成してなるものである。
(作用)
以上のような構成になるバリスタによれば、焼結体中の
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をパイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
するBi2O3相が極力少なくなり、低電流領域でのV
−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることの
できない優れた非直線特性を得ることができる。
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をパイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
するBi2O3相が極力少なくなり、低電流領域でのV
−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることの
できない優れた非直線特性を得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実論例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として酸化
ビスマス(Bi O)、 R化鉛(PbO)、
酸化スズ(SnO)、 M化アンチモン(Sb O
)、 M化コバルト(Coo)、 酸化クロム(C
r203)。
ビスマス(Bi O)、 R化鉛(PbO)、
酸化スズ(SnO)、 M化アンチモン(Sb O
)、 M化コバルト(Coo)、 酸化クロム(C
r203)。
酸化ニッケル(Ni○)、酸化マンガン(MnO)の酸
化物の中から少なくとも酸化鉛。
化物の中から少なくとも酸化鉛。
酸化ビスマス、酸化スズ、酸化アンチモンを含み、該添
加物中の鉛とビスマス、スズとビスマスの関係が Pb/B i =0.05〜0.5゜ Sn/8 i =0.2〜2.0の範囲で、Bi O
0,05〜1.0モル%。
加物中の鉛とビスマス、スズとビスマスの関係が Pb/B i =0.05〜0.5゜ Sn/8 i =0.2〜2.0の範囲で、Bi O
0,05〜1.0モル%。
Sb203 0.05〜3.0モル%を含有するセラミ
ック粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼
成し、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものである。
ック粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼
成し、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものである。
表は添加物の種類および添加量(モル%)のちがいによ
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインビーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のパイロクロア型化合物に含まれるビスマス吊と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱緩歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によって測定し
たV100μA−VlmAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によってよ1定したVloo μA−Vl
mAのα、さらにはVl ff1A/mを示したもので
ある。
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインビーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のパイロクロア型化合物に含まれるビスマス吊と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱緩歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によって測定し
たV100μA−VlmAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によってよ1定したVloo μA−Vl
mAのα、さらにはVl ff1A/mを示したもので
ある。
なお、試料として用いた焼結体の人ささば直径が14m
!R2厚さが1Mで、電極直径は13.4mである。
!R2厚さが1Mで、電極直径は13.4mである。
つぎに前記衣に示した結果をわかりやすくずるため、第
1図〜第9図を参照して説明する。
1図〜第9図を参照して説明する。
第1図および第3図はPb/BiまたはSn/3iと非
直線性α(V 100μA−VlmA)の関係を示すも
ので、第2図および第4図はPb/BiまたはSn/B
iとパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量を示す
もので、第1図および第2図におけるSn/Biは1.
0、第3図および第4図におけるPb/Biは0.25
のときである。また第5図はパイロクロア型化合物に含
まれるビスマスmと700℃のアニールによるLC変動
との関係を示すもので、第6図はパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と高温課電(105℃、DC2m
A。
直線性α(V 100μA−VlmA)の関係を示すも
ので、第2図および第4図はPb/BiまたはSn/B
iとパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量を示す
もので、第1図および第2図におけるSn/Biは1.
0、第3図および第4図におけるPb/Biは0.25
のときである。また第5図はパイロクロア型化合物に含
まれるビスマスmと700℃のアニールによるLC変動
との関係を示すもので、第6図はパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と高温課電(105℃、DC2m
A。
100011)後によるLG変動との関係を示すもので
ある。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極に
よるものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9
と従来例73のV100μA−VlmAの電圧−電流特
性を示ザものであり、第8図および第9図は第7図で用
いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第
8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃)
後である。
ある。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極に
よるものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9
と従来例73のV100μA−VlmAの電圧−電流特
性を示ザものであり、第8図および第9図は第7図で用
いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第
8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃)
後である。
前記表および第1図〜第4図から明らかなように、Pb
/B iおよびSn/Biが大きくなるほどパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向を
示す中で、非直線性αが極大となるPb/Biおよび3
n/3iの範囲はPb/B i =0.05〜0.5゜
Sn/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。すな
わち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量の増加によってBi2O3が減少しすぐ
れた非直線性を示すが、pb/s +、sn/s tが
上限を越して大きくなりすぎるとパイロクロア化する反
応ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによるも
のと推量される。また前記表はもとより第5図および第
6図から明らかなように、パイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量が50%以上となるものは熱履歴による
非直線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリス
タ特性を示している。さらに第7図から明らかなように
パイロクロア型化合物が存在しない従来例のものは低電
流領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは
電流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわずかで
漏れ電流がきわめて小さい結果を示した。しかして、本
発明によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮する
根拠については第8図および第9図によって明らかなよ
うに、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にパイロクロア
型化合物を含み、該パイロクロア型化合物に焼結体中に
含まれる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴によ
り相変化するBi2O3相を少なく抑制できることによ
るものである。
/B iおよびSn/Biが大きくなるほどパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向を
示す中で、非直線性αが極大となるPb/Biおよび3
n/3iの範囲はPb/B i =0.05〜0.5゜
Sn/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。すな
わち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量の増加によってBi2O3が減少しすぐ
れた非直線性を示すが、pb/s +、sn/s tが
上限を越して大きくなりすぎるとパイロクロア化する反
応ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによるも
のと推量される。また前記表はもとより第5図および第
6図から明らかなように、パイロクロア型化合物に含ま
れるビスマス量が50%以上となるものは熱履歴による
非直線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリス
タ特性を示している。さらに第7図から明らかなように
パイロクロア型化合物が存在しない従来例のものは低電
流領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは
電流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわずかで
漏れ電流がきわめて小さい結果を示した。しかして、本
発明によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮する
根拠については第8図および第9図によって明らかなよ
うに、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にパイロクロア
型化合物を含み、該パイロクロア型化合物に焼結体中に
含まれる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴によ
り相変化するBi2O3相を少なく抑制できることによ
るものである。
なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化ビスマス
として存在するものと推はされる。
として存在するものと推はされる。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、非直線性にすぐれ、
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
第1図はPb/Bi−α特性曲線図、第2図はPb/B
i−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相関
図、第3図はSn/Bi−α特性曲線図、第4図はSn
/Bi−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の
相関図、第5図はパイロクロア型化合物に含まれるビス
マス蓬−アニールによるΔLC/LC特性曲線図、第6
図はパイロクロア型化合物に含まれるビスマスff1−
1:IAU課電によるΔLC/LC特性曲線図、第7図
は電流−電圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体
のX線回折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回
折グラフである。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 Pb/Bi 第 1 図 Pb/Bi 第 2 図 Sn/Bi 第 3 図 Sn/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマス旦 (%)第
5図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスF?!(%)
第 6 図 t 流 (1) 第 7 図 従 来 例 (7′5) 、。 実施例(9) 2θ((jeo) Dy:DVI”0CilOI’13 従 来 例 (ワ3) 実 施 例 (9) SD:5lnel
i−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相関
図、第3図はSn/Bi−α特性曲線図、第4図はSn
/Bi−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の
相関図、第5図はパイロクロア型化合物に含まれるビス
マス蓬−アニールによるΔLC/LC特性曲線図、第6
図はパイロクロア型化合物に含まれるビスマスff1−
1:IAU課電によるΔLC/LC特性曲線図、第7図
は電流−電圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体
のX線回折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回
折グラフである。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 Pb/Bi 第 1 図 Pb/Bi 第 2 図 Sn/Bi 第 3 図 Sn/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマス旦 (%)第
5図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスF?!(%)
第 6 図 t 流 (1) 第 7 図 従 来 例 (7′5) 、。 実施例(9) 2θ((jeo) Dy:DVI”0CilOI’13 従 来 例 (ワ3) 実 施 例 (9) SD:5lnel
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛を主成分とし、少なくとも鉛、ビスマス、ス
ズ、アンチモンの添加物を含み、該添加物中の鉛とビス
マス、スズとビスマスの関係が Pb/Bi=0.05〜0.5、 Sn/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi_2O_3に換算して0.0
5〜1.0モル%、アンチモンを Sb_2O_3に換算して0.05〜3.0モル%含有
してなる焼結体における結晶粒子の粒界偏析部に、前記
焼結体中の全ビスマスの50%以上を化合したバイロク
ロア型化合物を含有したことを特徴とする電圧非直線抵
抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236745A JPS6390806A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236745A JPS6390806A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390806A true JPS6390806A (ja) | 1988-04-21 |
JPH0253932B2 JPH0253932B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=17005158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61236745A Granted JPS6390806A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6390806A (ja) |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236745A patent/JPS6390806A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0253932B2 (ja) | 1990-11-20 |
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