JPH0253929B2 - - Google Patents
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- JPH0253929B2 JPH0253929B2 JP61236742A JP23674286A JPH0253929B2 JP H0253929 B2 JPH0253929 B2 JP H0253929B2 JP 61236742 A JP61236742 A JP 61236742A JP 23674286 A JP23674286 A JP 23674286A JP H0253929 B2 JPH0253929 B2 JP H0253929B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Description
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビ
スマスを含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体
（以下バリスタと称す）に関する。 （従来の技術） 昨今、各種バリスタの開発はめざましいものが
あり、中でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバ
リスタはその優れた非直線性、サージ吸収性およ
び定電圧性などの安定性が認められ、雷サージお
よび異常電圧に対する防護用バリスタまたは定電
圧バリスタとして広く用いられている。しかしこ
の種バリスタは、主成分としての酸化亜鉛に添加
物としてビスマス，コバルト，マンガン，ニツケ
ル，クロムなどを数種から10数種添加混合し、造
粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペーストを塗
布―焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供し
ている。 しかして、このようにして用いられるバリスタ
は、実用上通常（正常）の電圧状態においてはア
イドリング電流（漏れ電流）が少なく、異常電
圧、雷サージ吸収時はその吸収能力が大きく、そ
の後の電気的特性の変化がきわめて少ないことが
要求されている。従来、このような要求に応える
技術として特公昭53−21509号公報、または特公
昭60−38841号公報に開示されたものがある。 特公昭53−21509号公報（以下前者と称す）に
開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10％以上をγ―Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流
に対しても安定で優れたバリスタ特性を発揮する
ようにしたものである。 また特公昭60−38841号公報（以下後者と称す）
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマ
スガラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量
％以上を体心立法晶系酸化ビスマス（γ―
Bi2O3）にすることによつて、きわめて苛酷な課
電条件下においても長時間経過後の漏れ電流の経
過変化がきわめて少なく、しかも時間とともに減
少するような特性をもつバリスタに関するもので
ある。 すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成
条件などによつて焼結体にα―Bi2O3相，β―
Bi2O3相，γ―Bi2O3相の他にδ―Bi2O3相が生成
され、また焼成した時点ではγ―Bi2O3相を含ま
ない焼結体でも電極焼付、または使用中の再加熱
下などの熱履歴を経るとα―Bi2O3相，β―
Bi2O3相，δ―Bi2O3相がγ―Bi2O3相に変態する
場合のγ―Bi2O3相が10％以上のときに安定なバ
リスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加し
て得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する
酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し、
いつたんはパイロクロア結晶相を形成し、ついで
分解してスピネル結晶相と酸化ビスマス（）の
液相を生じ、酸化亜鉛の焼結が進化する過程で形
成されるβ―Bi2O3相，δ―Bi2O3相を含む焼結
体をジヤーナル・オブ・アプライズド・フイジツ
クス（日本国）、15巻（1976年）1847頁に記載の
方法に準じて、大気中において700℃で再焼成す
ることによつて焼結体中の酸化ビスマス（）の
90％以上をγ―Bi2O3相に相変化させることによ
つて安定なバリスタが得られることを究明したも
のである。 本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検
討を重ねた結果、上記従来技術として開示されて
いる前者、後者とも焼結体中に含まれるα，β，
δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが製
造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または
電極形成として熱履歴をともなわないメツキ、メ
タリコンのものでも実用時の電気エネルギーの累
積熱履歴によつてγ―Bi2O3相に変態（相変化）
し低電流領域で電圧―電流（―）特性が低下
する点がわかつた。しかして本発明者らは焼結体
を構成する酸化亜鉛を主成分とした結晶粒子の粒
界偏析部に熱に安定なビスマス化合物を生成させ
ることによつて粒界偏析部を構成するBi2O3の相
の熱による相変化を少なくすることができる点に
着目し種々開発を進め本発明にいたつた。 （発明が解決しようとする問題点） 以上のように安定なバリスタを得るため、添加
物の種類や仮焼条件、焼成条件などによつて焼結
体中の結晶粒子の粒界偏析部に形成されるBi2O3
相中所望の量のγ―Bi2O3相を得たとしても、残
りのα，β，δそれぞれのBi2O3相がその後の熱
履歴、つまり電極焼付および使用中の電気エネル
ギーによつて相変化を起こし、低電流領域での
―特性の低下を防止することができない。 本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在する
Bi2O3相を減らすことによつて、非直線性に優れ
経時変化のないきわめて安定性の高いバリスタを
提供することを目的とするものである。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添
加物として少なくともカルシウム，ビスマス，チ
タン，アンチモンを含み、該添加物中のカルシウ
ムとビスマス，チタンとビスマスの関係が Ca／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル％，アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル％含有してなる焼結体における酸化亜鉛を主
成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50％以上をパイロクロア型化合
物であるように構成してなるものである。 （作用） 以上のような構成になるバリスタによれば、焼
結体中の結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析部
として全ビスマスの50％以上をパイロクロア型化
合物にすることによつて1000℃程度まで変態しな
い熱的に安定な物質として形成でき、熱履歴過程
でγ―Bi2O3相に相変化するBi2O3相が極力少な
くなり、低電流領域での―特性の低下はきわ
めて少なく、従来では得ることのできない優れた
非直線特性を得ることができる。 （実施例） 以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛（ZnO）に添加物として
酸化ビスマス（Bi2O3），酸化カルシウム
（CaO），酸化チタン（TiO2），酸化アンチモン
（Sb2O3），酸化コバルト（CoO），酸化クロム
（Cr2O3），酸化ニツケル（NiO），酸化マンガン
（MnO）の酸化物の中から少なくとも酸化カルシ
ウム，酸化ビスマス，酸化チタン，酸化アンチモ
ンを含み、該添加物中のカルシウムとビスマス，
チタンとビスマスの関係が Ca／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0の範囲で、 Bi2O3 0.05〜1.0モル％， Sb2O3 0.05〜3.0モル％を含有するセラミツク
粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付、メツキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものであ
る。 表は添加物の種類および添加量（モル％）のち
がいによる銀焼付電極形成と同じ条件となる700
℃熱処理を施した焼結体のＸ線回折によるメイン
ピーク強度比から求めたZnO結晶粒子間を構成す
る粒界偏析部成分としてのパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と、焼結体自体の電気的特
性を把持するために熱履歴をともなわせないアル
ミニウムメタリコン電極形成によつて測定した
V100μA―V1ｍＡのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によつて測定したV100μA―V1ｍＡ
のα、さらにはV1ｍＡ／mmを示したものである。 なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径
が14mm、厚さが１mmで、電極直径は13.4mmであ
る。
スマスを含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体
（以下バリスタと称す）に関する。 （従来の技術） 昨今、各種バリスタの開発はめざましいものが
あり、中でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバ
リスタはその優れた非直線性、サージ吸収性およ
び定電圧性などの安定性が認められ、雷サージお
よび異常電圧に対する防護用バリスタまたは定電
圧バリスタとして広く用いられている。しかしこ
の種バリスタは、主成分としての酸化亜鉛に添加
物としてビスマス，コバルト，マンガン，ニツケ
ル，クロムなどを数種から10数種添加混合し、造
粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペーストを塗
布―焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供し
ている。 しかして、このようにして用いられるバリスタ
は、実用上通常（正常）の電圧状態においてはア
イドリング電流（漏れ電流）が少なく、異常電
圧、雷サージ吸収時はその吸収能力が大きく、そ
の後の電気的特性の変化がきわめて少ないことが
要求されている。従来、このような要求に応える
技術として特公昭53−21509号公報、または特公
昭60−38841号公報に開示されたものがある。 特公昭53−21509号公報（以下前者と称す）に
開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10％以上をγ―Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流
に対しても安定で優れたバリスタ特性を発揮する
ようにしたものである。 また特公昭60−38841号公報（以下後者と称す）
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマ
スガラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量
％以上を体心立法晶系酸化ビスマス（γ―
Bi2O3）にすることによつて、きわめて苛酷な課
電条件下においても長時間経過後の漏れ電流の経
過変化がきわめて少なく、しかも時間とともに減
少するような特性をもつバリスタに関するもので
ある。 すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成
条件などによつて焼結体にα―Bi2O3相，β―
Bi2O3相，γ―Bi2O3相の他にδ―Bi2O3相が生成
され、また焼成した時点ではγ―Bi2O3相を含ま
ない焼結体でも電極焼付、または使用中の再加熱
下などの熱履歴を経るとα―Bi2O3相，β―
Bi2O3相，δ―Bi2O3相がγ―Bi2O3相に変態する
場合のγ―Bi2O3相が10％以上のときに安定なバ
リスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加し
て得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する
酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し、
いつたんはパイロクロア結晶相を形成し、ついで
分解してスピネル結晶相と酸化ビスマス（）の
液相を生じ、酸化亜鉛の焼結が進化する過程で形
成されるβ―Bi2O3相，δ―Bi2O3相を含む焼結
体をジヤーナル・オブ・アプライズド・フイジツ
クス（日本国）、15巻（1976年）1847頁に記載の
方法に準じて、大気中において700℃で再焼成す
ることによつて焼結体中の酸化ビスマス（）の
90％以上をγ―Bi2O3相に相変化させることによ
つて安定なバリスタが得られることを究明したも
のである。 本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検
討を重ねた結果、上記従来技術として開示されて
いる前者、後者とも焼結体中に含まれるα，β，
δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが製
造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または
電極形成として熱履歴をともなわないメツキ、メ
タリコンのものでも実用時の電気エネルギーの累
積熱履歴によつてγ―Bi2O3相に変態（相変化）
し低電流領域で電圧―電流（―）特性が低下
する点がわかつた。しかして本発明者らは焼結体
を構成する酸化亜鉛を主成分とした結晶粒子の粒
界偏析部に熱に安定なビスマス化合物を生成させ
ることによつて粒界偏析部を構成するBi2O3の相
の熱による相変化を少なくすることができる点に
着目し種々開発を進め本発明にいたつた。 （発明が解決しようとする問題点） 以上のように安定なバリスタを得るため、添加
物の種類や仮焼条件、焼成条件などによつて焼結
体中の結晶粒子の粒界偏析部に形成されるBi2O3
相中所望の量のγ―Bi2O3相を得たとしても、残
りのα，β，δそれぞれのBi2O3相がその後の熱
履歴、つまり電極焼付および使用中の電気エネル
ギーによつて相変化を起こし、低電流領域での
―特性の低下を防止することができない。 本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在する
Bi2O3相を減らすことによつて、非直線性に優れ
経時変化のないきわめて安定性の高いバリスタを
提供することを目的とするものである。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添
加物として少なくともカルシウム，ビスマス，チ
タン，アンチモンを含み、該添加物中のカルシウ
ムとビスマス，チタンとビスマスの関係が Ca／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル％，アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル％含有してなる焼結体における酸化亜鉛を主
成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50％以上をパイロクロア型化合
物であるように構成してなるものである。 （作用） 以上のような構成になるバリスタによれば、焼
結体中の結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析部
として全ビスマスの50％以上をパイロクロア型化
合物にすることによつて1000℃程度まで変態しな
い熱的に安定な物質として形成でき、熱履歴過程
でγ―Bi2O3相に相変化するBi2O3相が極力少な
くなり、低電流領域での―特性の低下はきわ
めて少なく、従来では得ることのできない優れた
非直線特性を得ることができる。 （実施例） 以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛（ZnO）に添加物として
酸化ビスマス（Bi2O3），酸化カルシウム
（CaO），酸化チタン（TiO2），酸化アンチモン
（Sb2O3），酸化コバルト（CoO），酸化クロム
（Cr2O3），酸化ニツケル（NiO），酸化マンガン
（MnO）の酸化物の中から少なくとも酸化カルシ
ウム，酸化ビスマス，酸化チタン，酸化アンチモ
ンを含み、該添加物中のカルシウムとビスマス，
チタンとビスマスの関係が Ca／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0の範囲で、 Bi2O3 0.05〜1.0モル％， Sb2O3 0.05〜3.0モル％を含有するセラミツク
粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付、メツキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものであ
る。 表は添加物の種類および添加量（モル％）のち
がいによる銀焼付電極形成と同じ条件となる700
℃熱処理を施した焼結体のＸ線回折によるメイン
ピーク強度比から求めたZnO結晶粒子間を構成す
る粒界偏析部成分としてのパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と、焼結体自体の電気的特
性を把持するために熱履歴をともなわせないアル
ミニウムメタリコン電極形成によつて測定した
V100μA―V1ｍＡのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によつて測定したV100μA―V1ｍＡ
のα、さらにはV1ｍＡ／mmを示したものである。 なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径
が14mm、厚さが１mmで、電極直径は13.4mmであ
る。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくする
ため、第１図〜第９図を参照して説明する。第１
図および第３図はCa／BiまたTi／Biと非直線性
α（V100μA―V1ｍＡ）の関係を示すもので、第
２図および第４図はCa／BiまたはTi／Biとパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマス量を示すも
ので、第１図および第２図におけるTi／Biは1.0、
第３図および第４図におけるCa／Biは0.25のと
きである。また第５図はパイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量と700℃のアニールによるLC
変動との関係を示すもので、第６図はパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマス量と高温課電
（105℃、DC2ｍＡ，1000h）後によるLC変動との
関係を示すものである。なお、この試料はアルミ
ニウムメタリコン電極によるものである。さらに
第７図は前記表に示す実施例９と従来例73の
V100μA―V1ｍＡの電圧―電流特性を示すもの
であり、第８図および第９図は第７図で用いたも
のと同一試料のＸ線回折グラフを示すもので、第
８図は熱処理前、第９図は焼結体の熱処理（700
℃）後である。 前記表および第１図〜第４図から明らかなよう
に、Ca／BiおよびTi／Biが大きくなるほどパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマスの割合が増
加する傾向を示す中で、非直線性αが極大となる
Ca／BiおよびTi／Biの範囲はCa／Bi＝0.05〜
0.5，Ti／Bi＝0.2〜2.0であることがわかる。すな
わち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量の増加によつてBi2O3が減
少しすぐれた非直線性を示すが、Ca／Bi，Ti／
Biが上限を越して大きくなりすぎるとパイロク
ロア化する反応ステージが早くなりすぎ、焼結性
を損うことによるものと推量される。また前記表
はもとより第５図および第６図から明らかなよう
に、パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量
が50％以上となるものは熱履歴による非直線性α
特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリスタ特
性を示している。さらに第７図から明らかなよう
にパイロクロア型化合物が存在しない従来例のも
のは低電流領域での電圧低下が著しいのに対し、
本発明のものは電流が1μAという低電流領域でも
電圧降下はわずかで漏れ電流がきわめて小さい結
果を示した。しかして、本発明によるものが以上
のようなすぐれた効果を発揮する根拠については
第８図および第９図によつて明らかなように、焼
結体の結晶粒子の粒界偏析部にパイロクロア型化
合物を含み、該パイロクロア型化合物に焼結体中
に含まれる全ビスマスの50％以上を含有させ熱履
歴により相変化するBi2O3相を少なく抑制できる
ことによるものである。 なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化
ビスマスとして存在するものと推量される。 ［発明の効果］ 以上述べたように本発明の構成によれば、非直
線性にすぐれ、かつ熱履歴に対して特性劣化のな
いきわめて安定した実用的価値の高いバリスタを
得ることができる。
ため、第１図〜第９図を参照して説明する。第１
図および第３図はCa／BiまたTi／Biと非直線性
α（V100μA―V1ｍＡ）の関係を示すもので、第
２図および第４図はCa／BiまたはTi／Biとパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマス量を示すも
ので、第１図および第２図におけるTi／Biは1.0、
第３図および第４図におけるCa／Biは0.25のと
きである。また第５図はパイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量と700℃のアニールによるLC
変動との関係を示すもので、第６図はパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマス量と高温課電
（105℃、DC2ｍＡ，1000h）後によるLC変動との
関係を示すものである。なお、この試料はアルミ
ニウムメタリコン電極によるものである。さらに
第７図は前記表に示す実施例９と従来例73の
V100μA―V1ｍＡの電圧―電流特性を示すもの
であり、第８図および第９図は第７図で用いたも
のと同一試料のＸ線回折グラフを示すもので、第
８図は熱処理前、第９図は焼結体の熱処理（700
℃）後である。 前記表および第１図〜第４図から明らかなよう
に、Ca／BiおよびTi／Biが大きくなるほどパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマスの割合が増
加する傾向を示す中で、非直線性αが極大となる
Ca／BiおよびTi／Biの範囲はCa／Bi＝0.05〜
0.5，Ti／Bi＝0.2〜2.0であることがわかる。すな
わち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量の増加によつてBi2O3が減
少しすぐれた非直線性を示すが、Ca／Bi，Ti／
Biが上限を越して大きくなりすぎるとパイロク
ロア化する反応ステージが早くなりすぎ、焼結性
を損うことによるものと推量される。また前記表
はもとより第５図および第６図から明らかなよう
に、パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量
が50％以上となるものは熱履歴による非直線性α
特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリスタ特
性を示している。さらに第７図から明らかなよう
にパイロクロア型化合物が存在しない従来例のも
のは低電流領域での電圧低下が著しいのに対し、
本発明のものは電流が1μAという低電流領域でも
電圧降下はわずかで漏れ電流がきわめて小さい結
果を示した。しかして、本発明によるものが以上
のようなすぐれた効果を発揮する根拠については
第８図および第９図によつて明らかなように、焼
結体の結晶粒子の粒界偏析部にパイロクロア型化
合物を含み、該パイロクロア型化合物に焼結体中
に含まれる全ビスマスの50％以上を含有させ熱履
歴により相変化するBi2O3相を少なく抑制できる
ことによるものである。 なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化
ビスマスとして存在するものと推量される。 ［発明の効果］ 以上述べたように本発明の構成によれば、非直
線性にすぐれ、かつ熱履歴に対して特性劣化のな
いきわめて安定した実用的価値の高いバリスタを
得ることができる。
第１図はCa／Bi―α特性曲線図、第２図は
Ca／Bi―パイロクロア型化合物に含まれるビス
マス量の相関図、第３図はTi／Bi―α特性曲線
図、第４図はTi／Bi―パイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量の相関図、第５図はパイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス量―アニールに
よる△LC／LC特性曲線図、第６図はパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマス量―高温課電によ
る△LC／LC特性曲線図、第７図は電流―電圧比
特性曲線図、第８図は熱処理前の焼結体のＸ線回
折グラフ、第９図は熱処理後の焼結体のＸ線回折
グラフである。
Ca／Bi―パイロクロア型化合物に含まれるビス
マス量の相関図、第３図はTi／Bi―α特性曲線
図、第４図はTi／Bi―パイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量の相関図、第５図はパイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス量―アニールに
よる△LC／LC特性曲線図、第６図はパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマス量―高温課電によ
る△LC／LC特性曲線図、第７図は電流―電圧比
特性曲線図、第８図は熱処理前の焼結体のＸ線回
折グラフ、第９図は熱処理後の焼結体のＸ線回折
グラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化亜鉛を主成分とし、少なくともカルシウ
ム，ビスマス，チタン，アンチモンの添加物を含
み、該添加物中のカルシウムとビスマス，チタン
とビスマスの関係が Ca／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル％，アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル％含有してなる焼結体における結晶粒子の粒
界偏析部に、前記焼結体中の全ビスマスの50％以
上を化合したパイロクロア型化合物を含有したこ
とを特徴とする電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236742A JPS6390803A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236742A JPS6390803A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390803A JPS6390803A (ja) | 1988-04-21 |
| JPH0253929B2 true JPH0253929B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=17005115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61236742A Granted JPS6390803A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390803A (ja) |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236742A patent/JPS6390803A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6390803A (ja) | 1988-04-21 |
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Legal Events
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