JPH0253933B2 - - Google Patents
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- JPH0253933B2 JPH0253933B2 JP61236746A JP23674686A JPH0253933B2 JP H0253933 B2 JPH0253933 B2 JP H0253933B2 JP 61236746 A JP61236746 A JP 61236746A JP 23674686 A JP23674686 A JP 23674686A JP H0253933 B2 JPH0253933 B2 JP H0253933B2
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- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005204 segregation Methods 0.000 claims description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 31
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000004780 2D liquid chromatography Methods 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビ
スマスを含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体
(以下バリスタと称す)に関する。 (従来の技術) 昨今、各種バリスタの開発はめざましいものが
あり、中でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバ
リスタはその優れた非直線性,サージ吸収性およ
び定電圧性などの安定性が認められ、雷サージお
よび異常電圧に対する防護用バリスタまたは定電
圧バリスタとして広く用いられている。しかして
この種バリスタは、主成分としての酸化亜鉛に添
加物としてビスマス,コバルト,マンガン,ニツ
ケル,クロムなどを数種から10数種添加混合し、
造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペーストを
塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコ
ンするかなどの手段を経て電極を形成し実用に供
している。 しかして、このようにして用いられるバリスタ
は、実用上通常(正常)の電圧状態においてはア
イドリング電流(漏れ電流)が少なく、異常電
圧、雷サージ吸収時はその吸収能力が大きく、そ
の後の電気的特性の変化がきわめて少ないことが
要求されている。従来、このような要求に応える
技術として特公昭53−21509号公報、または特公
昭60−38841号公報に開示されたものがある。 特公昭53−21509号公報(以下前者と称す)に
開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10%以上をγ―Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流
に対しても安定で優れたバリスタ特性を発揮する
ようにしたものである。 また特公昭60−38841号公報(以下後者と称す)
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマ
スガラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量
%以上を体心立法晶系酸化ビスマス(γ―
Bi2O3)にすることによつて、きわめて苛酷な課
電条件下においても長時間経過後の漏れ電流の経
過変化がきわめて少なく、しかも時間とともに減
少するような特性をもつバリスタに関するもので
ある。 すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件,焼成
条件などによつて焼結体にα―Bi2O3相,β―
Bi2O3相,γ―Bi2O3相の他にδ―Bi2O3相が生成
され、また焼成した時点ではγ―Bi2O3相を含ま
ない焼結体でも電極焼付、または使用中の再加熱
下などの熱履歴を経るとα―Bi2O3相,β―
Bi2O3相,δ―Bi2O3相がγ―Bi2O3相に変態する
場合のγ―Bi2O3相が10%以上のときに安定なバ
リスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加し
て得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する
酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し、
いつたんはパイロクロア結晶相を形成し、ついで
分解してスピネル結晶相と酸化ビスマス()の
液相を生じ、酸化亜鉛の焼結が進化する過程で形
成されるβ―Bi2O3相,δ―Bi2O3相を含む焼結
体をジヤーナル・オブ・アプライズド・フイジツ
クス(日本国),15巻(1976年)1847頁に記載の
方法に準じて、大気中において700℃で再焼成す
ることによつて焼結体中の酸化ビスマス()の
90%以上をγ―Bi2O3相に相変化させることによ
つて安定なバリスタが得られることを究明したも
のである。 本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検
討を重ねた結果、上記従来技術として開示されて
いる前者,後者とも焼結体中に含まれるα,β,
δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが製
造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または
電極形成として熱履歴をともなわないメツキ,メ
タリコンのものでも実用時の電気エネルギーの累
積熱履歴によつてγ―Bi2O3相に変態(相変化)
し低電流領域で電圧−電流(―)特性が低下
する点がわかつた。しかして本発明者らは焼結体
を構成する酸化亜鉛を主成分とした結晶粒子の粒
界偏析部に熱に安定なビスマス化合物を生成させ
ることによつて粒界偏析部を構成するBi2O3相の
熱による相変化を少なくすることができる点に着
目し種々開発を進め本発明にいたつた。 (発明が解決しようとする問題点) 以上のように安定なバリスタを得るため、添加
物の種類や仮焼条件,焼成条件などによつて焼結
体中の結晶粒子の粒界偏析部に形成されるBi2O3
相中所望の量のγ―Bi2O3相を得たとしても、残
りのα,β,δそれぞれのBi2O3相がその後の熱
履歴、つまり電極焼付および使用中の電気エネル
ギーによつて相変化を起こし、低電流領域での
―特性の低下を防止することができない。 本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在する
Bi2O3相を減らすことによつて、非直線性に優れ
経時変化のないきわめて安定性の高いバリスタを
提供することを目的とするものである。 [発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添
加物として少なくともカルシウム,ビスマス,ス
ズ,アンチモンを含み、該添加物中のカルシウム
とビスマス,スズとビスマスの関係が Ca/Bi=0.05〜0.5, Sn/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル%,アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル%含有してなる焼結体における酸化亜鉛を主
成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をパイロクロア型化合
物であるように構成してなるものである。 (作用) 以上のような構成になるバリスタによれば、焼
結体中の結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析部
として全ビスマスの50%以上をパイロクロア型化
合物にすることによつて1000℃程度まで変態しな
い熱的に安定な物質として形成でき、熱履歴過程
でγ―Bi2O3相に相変化するBi2O3相が極力少な
くなり、低電流領域での―特性の低下はきわ
めて少なく、従来では得ることのできない優れた
非直線特性を得ることができる。 (実施例) 以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として
酸化ビスマス(Bi2O3),酸化カルシウム
(CaO),酸化スズ(SnO2),酸化アンチモン
(Sb2O3),酸化コバルト(CoO),酸化クロム
(Cr2O3),酸化ニツケル(NiO),酸化マンガン
(MnO)の酸化物の中から少なくとも酸化カルシ
ウム,酸化ビスマス,酸化スズ,酸化アンチモン
を含み、該添加物中のカルシウムとビスマス,ス
ズとビスマスの関係が Ca/Bi=0.05〜0.5, Sn/Bi=0.2〜2.0の範囲で、 Bi2O3 0.05〜1.0モル%, Sb2O3 0.05〜3.0モル%を含有するセラミツク
粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付,メツキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものであ
る。 表は添加物の種類および添加量(モル%)のち
がいによる銀焼付電極形成と同じ条件となる700
℃熱処理を施した焼結体のX線回折によるメイン
ピーク強度比から求めたZnO結晶粒子間を構成す
る粒界偏析部成分としてのパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と、焼結体自体の電気的特
性を把握するために熱履歴をともなわせないアル
ミニウムメタリコン電極形成によつて測定した
V100μA―V1mAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によつて測定したV100μA―V1mA
のα、さらにはV1mA/mmを示したものである。 なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径
が14mm、厚さが1mmで、電極直径は13.4mmであ
る。
スマスを含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体
(以下バリスタと称す)に関する。 (従来の技術) 昨今、各種バリスタの開発はめざましいものが
あり、中でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバ
リスタはその優れた非直線性,サージ吸収性およ
び定電圧性などの安定性が認められ、雷サージお
よび異常電圧に対する防護用バリスタまたは定電
圧バリスタとして広く用いられている。しかして
この種バリスタは、主成分としての酸化亜鉛に添
加物としてビスマス,コバルト,マンガン,ニツ
ケル,クロムなどを数種から10数種添加混合し、
造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペーストを
塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコ
ンするかなどの手段を経て電極を形成し実用に供
している。 しかして、このようにして用いられるバリスタ
は、実用上通常(正常)の電圧状態においてはア
イドリング電流(漏れ電流)が少なく、異常電
圧、雷サージ吸収時はその吸収能力が大きく、そ
の後の電気的特性の変化がきわめて少ないことが
要求されている。従来、このような要求に応える
技術として特公昭53−21509号公報、または特公
昭60−38841号公報に開示されたものがある。 特公昭53−21509号公報(以下前者と称す)に
開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10%以上をγ―Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流
に対しても安定で優れたバリスタ特性を発揮する
ようにしたものである。 また特公昭60−38841号公報(以下後者と称す)
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマ
スガラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量
%以上を体心立法晶系酸化ビスマス(γ―
Bi2O3)にすることによつて、きわめて苛酷な課
電条件下においても長時間経過後の漏れ電流の経
過変化がきわめて少なく、しかも時間とともに減
少するような特性をもつバリスタに関するもので
ある。 すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件,焼成
条件などによつて焼結体にα―Bi2O3相,β―
Bi2O3相,γ―Bi2O3相の他にδ―Bi2O3相が生成
され、また焼成した時点ではγ―Bi2O3相を含ま
ない焼結体でも電極焼付、または使用中の再加熱
下などの熱履歴を経るとα―Bi2O3相,β―
Bi2O3相,δ―Bi2O3相がγ―Bi2O3相に変態する
場合のγ―Bi2O3相が10%以上のときに安定なバ
リスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加し
て得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する
酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し、
いつたんはパイロクロア結晶相を形成し、ついで
分解してスピネル結晶相と酸化ビスマス()の
液相を生じ、酸化亜鉛の焼結が進化する過程で形
成されるβ―Bi2O3相,δ―Bi2O3相を含む焼結
体をジヤーナル・オブ・アプライズド・フイジツ
クス(日本国),15巻(1976年)1847頁に記載の
方法に準じて、大気中において700℃で再焼成す
ることによつて焼結体中の酸化ビスマス()の
90%以上をγ―Bi2O3相に相変化させることによ
つて安定なバリスタが得られることを究明したも
のである。 本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検
討を重ねた結果、上記従来技術として開示されて
いる前者,後者とも焼結体中に含まれるα,β,
δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが製
造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または
電極形成として熱履歴をともなわないメツキ,メ
タリコンのものでも実用時の電気エネルギーの累
積熱履歴によつてγ―Bi2O3相に変態(相変化)
し低電流領域で電圧−電流(―)特性が低下
する点がわかつた。しかして本発明者らは焼結体
を構成する酸化亜鉛を主成分とした結晶粒子の粒
界偏析部に熱に安定なビスマス化合物を生成させ
ることによつて粒界偏析部を構成するBi2O3相の
熱による相変化を少なくすることができる点に着
目し種々開発を進め本発明にいたつた。 (発明が解決しようとする問題点) 以上のように安定なバリスタを得るため、添加
物の種類や仮焼条件,焼成条件などによつて焼結
体中の結晶粒子の粒界偏析部に形成されるBi2O3
相中所望の量のγ―Bi2O3相を得たとしても、残
りのα,β,δそれぞれのBi2O3相がその後の熱
履歴、つまり電極焼付および使用中の電気エネル
ギーによつて相変化を起こし、低電流領域での
―特性の低下を防止することができない。 本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在する
Bi2O3相を減らすことによつて、非直線性に優れ
経時変化のないきわめて安定性の高いバリスタを
提供することを目的とするものである。 [発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添
加物として少なくともカルシウム,ビスマス,ス
ズ,アンチモンを含み、該添加物中のカルシウム
とビスマス,スズとビスマスの関係が Ca/Bi=0.05〜0.5, Sn/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル%,アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル%含有してなる焼結体における酸化亜鉛を主
成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をパイロクロア型化合
物であるように構成してなるものである。 (作用) 以上のような構成になるバリスタによれば、焼
結体中の結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析部
として全ビスマスの50%以上をパイロクロア型化
合物にすることによつて1000℃程度まで変態しな
い熱的に安定な物質として形成でき、熱履歴過程
でγ―Bi2O3相に相変化するBi2O3相が極力少な
くなり、低電流領域での―特性の低下はきわ
めて少なく、従来では得ることのできない優れた
非直線特性を得ることができる。 (実施例) 以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として
酸化ビスマス(Bi2O3),酸化カルシウム
(CaO),酸化スズ(SnO2),酸化アンチモン
(Sb2O3),酸化コバルト(CoO),酸化クロム
(Cr2O3),酸化ニツケル(NiO),酸化マンガン
(MnO)の酸化物の中から少なくとも酸化カルシ
ウム,酸化ビスマス,酸化スズ,酸化アンチモン
を含み、該添加物中のカルシウムとビスマス,ス
ズとビスマスの関係が Ca/Bi=0.05〜0.5, Sn/Bi=0.2〜2.0の範囲で、 Bi2O3 0.05〜1.0モル%, Sb2O3 0.05〜3.0モル%を含有するセラミツク
粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付,メツキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものであ
る。 表は添加物の種類および添加量(モル%)のち
がいによる銀焼付電極形成と同じ条件となる700
℃熱処理を施した焼結体のX線回折によるメイン
ピーク強度比から求めたZnO結晶粒子間を構成す
る粒界偏析部成分としてのパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と、焼結体自体の電気的特
性を把握するために熱履歴をともなわせないアル
ミニウムメタリコン電極形成によつて測定した
V100μA―V1mAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によつて測定したV100μA―V1mA
のα、さらにはV1mA/mmを示したものである。 なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径
が14mm、厚さが1mmで、電極直径は13.4mmであ
る。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくする
ため、第1図〜第9図を参照して説明する。第1
図および第3図はCa/BiまたSn/Biと非直線性
α(V100μA―V1mA)の関係を示すもので、第
2図および第4図はCa/BiまたはSn/Biとパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマス量を示すも
ので、第1図および第2図におけるSn/Biは
1.0、第3図および第4図におけるCa/Biは0.25
のときである。また第5図はパイロクロア型化合
物に含まれるビスマス量と700℃のアニールによ
るLC変動と関係を示すもので、第6図はパイロ
クロア型化合物に含まれるビスマス量と高温課電
(105℃,DC2mA,1000h)後によるLC変動との
関係を示すものである。なお、この試料はアルミ
ニウムメタリコン電極によるものである。さらに
第7図は前記表に示す実施例9と従来例73の
V100μA−V1mAの電圧−電流特性を示すもの
であり、第8図および第9図は第7図で用いたも
のと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第
8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700
℃)後である。 前記表および第1図〜第4図から明らかなよう
に、Ca/BiおよびSn/Biが大きくなるほどパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマスの割合が増
加する傾向を示す中で、非直線性αが極大となる
Ca/BiおよびSn/Biの範囲はCa/Bi=0.05〜
0.5,Sn/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。す
なわち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合
物に含まれるビスマス量の増加によつてBi2O3が
減少しすぐれた非直線性を示すが、Ca/Bi,
Sn/Biが上限を越して大きくなりすぎるとパイ
ロクロア化する反応ステージが早くなりすぎ、焼
結性を損うことによるものと推量される。また前
記表はもとより第5図および第6図から明らかな
ように、パイロクロア型化合物に含まれるビスマ
ス量が50%以上となるものは熱履歴による非直線
性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリス
タ特性を示している。さらに第7図から明らかな
ようにパイロクロア型化合物が存在しない従来例
のものは低電流領域での電圧低下が著しいのに対
し、本発明のものは電流が1μAという低電流領域
でも電圧降下はわずかで漏れ電流がきわめて小さ
い結果を示した。しかして、本発明によるものが
以上のようなすぐれた効果を発揮する根拠につい
ては第8図および第9図によつて明らかなよう
に、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にパイロク
ロア型化合物を含み、該パイロクロア型化合物に
焼結体中に含まれる全ビスマスの50%以上を含有
させ熱履歴により相変化するBi2O3相を少なく抑
制できることによるものである。 なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化
ビスマスとして存在するものと推量される。 [発明の効果] 以上述べたように本発明の構成によれば、非直
線性にすぐれ、かつ熱履歴に対して特性劣化のな
いきわめて安定した実用的価値の高いバリスタを
得ることができる。
ため、第1図〜第9図を参照して説明する。第1
図および第3図はCa/BiまたSn/Biと非直線性
α(V100μA―V1mA)の関係を示すもので、第
2図および第4図はCa/BiまたはSn/Biとパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマス量を示すも
ので、第1図および第2図におけるSn/Biは
1.0、第3図および第4図におけるCa/Biは0.25
のときである。また第5図はパイロクロア型化合
物に含まれるビスマス量と700℃のアニールによ
るLC変動と関係を示すもので、第6図はパイロ
クロア型化合物に含まれるビスマス量と高温課電
(105℃,DC2mA,1000h)後によるLC変動との
関係を示すものである。なお、この試料はアルミ
ニウムメタリコン電極によるものである。さらに
第7図は前記表に示す実施例9と従来例73の
V100μA−V1mAの電圧−電流特性を示すもの
であり、第8図および第9図は第7図で用いたも
のと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第
8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700
℃)後である。 前記表および第1図〜第4図から明らかなよう
に、Ca/BiおよびSn/Biが大きくなるほどパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマスの割合が増
加する傾向を示す中で、非直線性αが極大となる
Ca/BiおよびSn/Biの範囲はCa/Bi=0.05〜
0.5,Sn/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。す
なわち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合
物に含まれるビスマス量の増加によつてBi2O3が
減少しすぐれた非直線性を示すが、Ca/Bi,
Sn/Biが上限を越して大きくなりすぎるとパイ
ロクロア化する反応ステージが早くなりすぎ、焼
結性を損うことによるものと推量される。また前
記表はもとより第5図および第6図から明らかな
ように、パイロクロア型化合物に含まれるビスマ
ス量が50%以上となるものは熱履歴による非直線
性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリス
タ特性を示している。さらに第7図から明らかな
ようにパイロクロア型化合物が存在しない従来例
のものは低電流領域での電圧低下が著しいのに対
し、本発明のものは電流が1μAという低電流領域
でも電圧降下はわずかで漏れ電流がきわめて小さ
い結果を示した。しかして、本発明によるものが
以上のようなすぐれた効果を発揮する根拠につい
ては第8図および第9図によつて明らかなよう
に、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にパイロク
ロア型化合物を含み、該パイロクロア型化合物に
焼結体中に含まれる全ビスマスの50%以上を含有
させ熱履歴により相変化するBi2O3相を少なく抑
制できることによるものである。 なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化
ビスマスとして存在するものと推量される。 [発明の効果] 以上述べたように本発明の構成によれば、非直
線性にすぐれ、かつ熱履歴に対して特性劣化のな
いきわめて安定した実用的価値の高いバリスタを
得ることができる。
第1図はCa/Bi―α特性曲線図、第2図は
Ca/Bi―パイロクロア型化合物に含まれるビス
マス量の相関図、第3図はSn/Bi−α特性曲線
図、第4図はSn/Bi―パイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量の相関図、第5図はパイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス量―アニールに
よる△LC/LC特性曲線図、第6図はパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマス量−高温課電によ
る△LC/LC特性曲線図、第7図は電流−電圧比
特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回
折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折
グラフである。
Ca/Bi―パイロクロア型化合物に含まれるビス
マス量の相関図、第3図はSn/Bi−α特性曲線
図、第4図はSn/Bi―パイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量の相関図、第5図はパイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス量―アニールに
よる△LC/LC特性曲線図、第6図はパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマス量−高温課電によ
る△LC/LC特性曲線図、第7図は電流−電圧比
特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回
折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折
グラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛を主成分とし、少なくともカルシウ
ム,ビスマス,スズ,アンチモンの添加物を含
み、該添加物中のカルシウムとビスマス,スズと
ビスマスの関係が Ca/Bi=0.05〜0.5, Sn/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル%,アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル%含有してなる焼結体における結晶粒子の粒
界偏析部に、前記焼結体中の全ビスマスの50%以
上を化合したパイロクロア型化合物を含有したこ
とを特徴とする電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236746A JPS6390807A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61236746A JPS6390807A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390807A JPS6390807A (ja) | 1988-04-21 |
JPH0253933B2 true JPH0253933B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=17005175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61236746A Granted JPS6390807A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6390807A (ja) |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236746A patent/JPS6390807A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6390807A (ja) | 1988-04-21 |
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