JPH0253926B2 - - Google Patents
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- JPH0253926B2 JPH0253926B2 JP61112376A JP11237686A JPH0253926B2 JP H0253926 B2 JPH0253926 B2 JP H0253926B2 JP 61112376 A JP61112376 A JP 61112376A JP 11237686 A JP11237686 A JP 11237686A JP H0253926 B2 JPH0253926 B2 JP H0253926B2
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- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 30
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 238000005204 segregation Methods 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 39
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビ
スマスを含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体
（以下バリスタと称す）に関する。 （従来の技術） 昨今、各種バリスタの開発はめざましいものが
あり、中でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバ
リスタはその優れた非直線性、サージ吸収性およ
び定電圧性などの安定性が認められ、雷サージお
よび異常電圧に対する防護用バリスタまたは定電
圧バリスタとして広く用いられている。しかしこ
の種バリスタは、主成分としての酸化亜鉛に添加
物としてビスマス，コバルト，マンガン，ニツケ
ル，クロムなどを数種から10数種添加混合し、造
粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペーストを塗
布―焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供し
ている。 しかして、このようにして用いられるバリスタ
は、実用上通常（正常）の電圧状態においてはア
イドリング電流（漏れ電流）が少なく、異常電
圧、雷サージ吸収時はその吸収能力が大きく、そ
の後の電気的特性の変化がきわめて少ないことが
要求されている。従来、このような要求に応える
技術として特公昭53−21509号公報、または特公
昭60−38841号公報に開示されたものがある。 特公昭53−21509号公報（以下前者と称す）に
開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10％以上をγ―Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流
に対しても安定で優れたバリスタ特性を発揮する
ようにしたものである。 また特公昭60−38841号公報（以下後者と称す）
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマ
スガラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量
％以上を体心立法晶系酸化ビスマス（γ―
Bi2O3）にすることによつて、きわめて苛酷な課
電条件下においても長時間経過後の漏れ電流の経
過変化がきわめて少なく、しかも時間とともに減
少するような特性をもつバリスタに関するもので
ある。 すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成
条件などによつて焼結体にα―Bi2O3相，β―
Bi2O3相，γ―Bi2O3相の他にδ―Bi2O3相が生成
され、また焼成した時点ではγ―Bi2O3相を含ま
ない焼結体でも電極焼付、または使用中の再加熱
下などの熱履歴を経るとα―Bi2O3相，β―
Bi2O3相，δ―Bi2O3相がγ―Bi2O3相に変態する
場合のγ―Bi2O3相が10％以上のときに安定なバ
リスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加し
て得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する
酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し、
いつたんはパイロクロア結晶相を形成し、ついで
分解してスピネル結晶相と酸化ビスマス（）の
液相を生じ、酸化亜鉛の焼結が進化する過程で形
成されるβ―Bi2O3相，δ―Bi2O3相を含む焼結
体をジヤーナル・オブ・アプライズド・フイジツ
クス（日本国）、15巻（1976年）1847頁に記載の
方法に準じて、大気中において700℃で再焼成す
ることによつて焼結体中の酸化ビスマス（）の
90％以上をγ―Bi2O3相に相変化させることによ
つて安定なバリスタが得られることを究明したも
のである。 本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検
討を重ねた結果、上記従来技術として開示されて
いる前者、後者とも焼結体中に含まれるα，β，
δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが製
造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または
電極形成として熱履歴をともなわないメツキ、メ
タリコンのものでも実用時の電気エネルギーの累
積熱履歴によつてγ―Bi2O3相に変態（相変化）
し低電流領域で電圧―電流（―）特性が低下
する点がわかつた。しかして本発明者らは焼結体
を構成する酸化亜鉛を主成分とした結晶粒子の粒
界偏析部に熱に安定なビスマス化合物を生成させ
ることによつて粒界偏析部を構成するBi2O3相の
熱による相変化を少なくすることができる点に着
目し種々開発を進め本発明にいたつた。 （発明が解決しようとする問題点） 以上のように安定なバリスタを得るため、添加
物の種類や仮焼条件、焼成条件などによつて焼結
体中の結晶粒子の粒界偏析部に形成されるBi2O3
相中所望の量のγ―Bi2O3相を得たとしても、残
りのα，β，δそれぞれのBi2O3相がその後の熱
履歴、つまり電極焼付および使用中の電気エネル
ギーによつて相変化を起こし、低電流領域での
―特性が低下を防止することができない。 本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在する
Bi2O3相を減らしその後のあらゆる熱履歴にて相
変化があつても結果的にγ―Bi2O3相の量を10％
以下に抑えることによつて、非直線性に優れ低電
流領域を含めたあらゆる領域で経時変化のないき
わめて安定性の高いバリスタを提供することを目
的とするものである。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添
加物として少なくとも鉛、ビスマス，チタン，ア
ンチモンを含み、該添加物中の鉛とビスマス，チ
タンとビスマスの関係が Pb／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBiO2O3に換算して0.05〜
1.0モル％，アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜
3.0モル％含有してなる焼結体における酸化亜鉛
を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼
結体中の全ビスマスの50％以上をパイロクロア型
化合物であるように構成してなるものである。 （作用） 以上のような構成になるバリスタによれば、焼
結体中の結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析部
として全ビスマスの50％以上をパイロクロア型化
合物にすることによつて1000℃程度まで変態しな
い熱的に安定な物質として形成でき、熱履歴過程
でγ―Bi2O3相に相変化するBi2O3相が極力少な
くなり、熱履歴後のγ―Bi2O3相を10％以下とき
わめて少なくできるため、低電流領域での―
特性の低下はきわめて少なく、従来では得ること
のできない優れた非直線特性を得ることができ
る。 （実施例） 以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛（ZnO）に添加物として
酸化ビスマス（Bi2O3），酸化鉛（PbO），酸化チ
タン（TiO2），酸化アンチモン（Sb2O3），酸化コ
バルト（CoO），酸化クロム（Cr2O3），酸化ニツ
ケル（NiO），酸化マンガン（MnO）の酸化物の
中から少なくとも酸化鉛，酸化ビスマス，酸化チ
タン，酸化アンチモンを含み、該添加物中の鉛と
ビスマス，チタンとビスマスの関係が Pb／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0の範囲で、 Bi2O3 0.05〜1.0モル％， Sb2O3 0.05〜3.0モル％を含有するセラミツク
粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付、メツキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものであ
る。 表は添加物の種類および添加量（モル％）のち
がいによる銀焼付電極形成と同じ条件となる700
℃熱処理を施した焼結体のＸ線回折によるメイン
ピーク強度比から求めたZnO結晶粒子間を構成す
る粒界偏析部成分としてのパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量およびγ―Bi2O3量と、焼
結体自体の電気的特性を把握するために熱履歴を
ともなわせないアルミニウムメタリコン電極形成
によつて測定したV1μA―V1ｍＡのα、熱履歴
をともなう銀焼付電極形成によつて測定した
V1μA―V1ｍＡのα、さらにはV1ｍＡ／mmを示
したものである。 なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径
が14mm、厚さが１mmで、電極直径は13.4mmであ
る。
スマスを含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体
（以下バリスタと称す）に関する。 （従来の技術） 昨今、各種バリスタの開発はめざましいものが
あり、中でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバ
リスタはその優れた非直線性、サージ吸収性およ
び定電圧性などの安定性が認められ、雷サージお
よび異常電圧に対する防護用バリスタまたは定電
圧バリスタとして広く用いられている。しかしこ
の種バリスタは、主成分としての酸化亜鉛に添加
物としてビスマス，コバルト，マンガン，ニツケ
ル，クロムなどを数種から10数種添加混合し、造
粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペーストを塗
布―焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供し
ている。 しかして、このようにして用いられるバリスタ
は、実用上通常（正常）の電圧状態においてはア
イドリング電流（漏れ電流）が少なく、異常電
圧、雷サージ吸収時はその吸収能力が大きく、そ
の後の電気的特性の変化がきわめて少ないことが
要求されている。従来、このような要求に応える
技術として特公昭53−21509号公報、または特公
昭60−38841号公報に開示されたものがある。 特公昭53−21509号公報（以下前者と称す）に
開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10％以上をγ―Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流
に対しても安定で優れたバリスタ特性を発揮する
ようにしたものである。 また特公昭60−38841号公報（以下後者と称す）
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマ
スガラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量
％以上を体心立法晶系酸化ビスマス（γ―
Bi2O3）にすることによつて、きわめて苛酷な課
電条件下においても長時間経過後の漏れ電流の経
過変化がきわめて少なく、しかも時間とともに減
少するような特性をもつバリスタに関するもので
ある。 すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成
条件などによつて焼結体にα―Bi2O3相，β―
Bi2O3相，γ―Bi2O3相の他にδ―Bi2O3相が生成
され、また焼成した時点ではγ―Bi2O3相を含ま
ない焼結体でも電極焼付、または使用中の再加熱
下などの熱履歴を経るとα―Bi2O3相，β―
Bi2O3相，δ―Bi2O3相がγ―Bi2O3相に変態する
場合のγ―Bi2O3相が10％以上のときに安定なバ
リスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加し
て得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する
酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し、
いつたんはパイロクロア結晶相を形成し、ついで
分解してスピネル結晶相と酸化ビスマス（）の
液相を生じ、酸化亜鉛の焼結が進化する過程で形
成されるβ―Bi2O3相，δ―Bi2O3相を含む焼結
体をジヤーナル・オブ・アプライズド・フイジツ
クス（日本国）、15巻（1976年）1847頁に記載の
方法に準じて、大気中において700℃で再焼成す
ることによつて焼結体中の酸化ビスマス（）の
90％以上をγ―Bi2O3相に相変化させることによ
つて安定なバリスタが得られることを究明したも
のである。 本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検
討を重ねた結果、上記従来技術として開示されて
いる前者、後者とも焼結体中に含まれるα，β，
δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが製
造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または
電極形成として熱履歴をともなわないメツキ、メ
タリコンのものでも実用時の電気エネルギーの累
積熱履歴によつてγ―Bi2O3相に変態（相変化）
し低電流領域で電圧―電流（―）特性が低下
する点がわかつた。しかして本発明者らは焼結体
を構成する酸化亜鉛を主成分とした結晶粒子の粒
界偏析部に熱に安定なビスマス化合物を生成させ
ることによつて粒界偏析部を構成するBi2O3相の
熱による相変化を少なくすることができる点に着
目し種々開発を進め本発明にいたつた。 （発明が解決しようとする問題点） 以上のように安定なバリスタを得るため、添加
物の種類や仮焼条件、焼成条件などによつて焼結
体中の結晶粒子の粒界偏析部に形成されるBi2O3
相中所望の量のγ―Bi2O3相を得たとしても、残
りのα，β，δそれぞれのBi2O3相がその後の熱
履歴、つまり電極焼付および使用中の電気エネル
ギーによつて相変化を起こし、低電流領域での
―特性が低下を防止することができない。 本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在する
Bi2O3相を減らしその後のあらゆる熱履歴にて相
変化があつても結果的にγ―Bi2O3相の量を10％
以下に抑えることによつて、非直線性に優れ低電
流領域を含めたあらゆる領域で経時変化のないき
わめて安定性の高いバリスタを提供することを目
的とするものである。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添
加物として少なくとも鉛、ビスマス，チタン，ア
ンチモンを含み、該添加物中の鉛とビスマス，チ
タンとビスマスの関係が Pb／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBiO2O3に換算して0.05〜
1.0モル％，アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜
3.0モル％含有してなる焼結体における酸化亜鉛
を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼
結体中の全ビスマスの50％以上をパイロクロア型
化合物であるように構成してなるものである。 （作用） 以上のような構成になるバリスタによれば、焼
結体中の結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析部
として全ビスマスの50％以上をパイロクロア型化
合物にすることによつて1000℃程度まで変態しな
い熱的に安定な物質として形成でき、熱履歴過程
でγ―Bi2O3相に相変化するBi2O3相が極力少な
くなり、熱履歴後のγ―Bi2O3相を10％以下とき
わめて少なくできるため、低電流領域での―
特性の低下はきわめて少なく、従来では得ること
のできない優れた非直線特性を得ることができ
る。 （実施例） 以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛（ZnO）に添加物として
酸化ビスマス（Bi2O3），酸化鉛（PbO），酸化チ
タン（TiO2），酸化アンチモン（Sb2O3），酸化コ
バルト（CoO），酸化クロム（Cr2O3），酸化ニツ
ケル（NiO），酸化マンガン（MnO）の酸化物の
中から少なくとも酸化鉛，酸化ビスマス，酸化チ
タン，酸化アンチモンを含み、該添加物中の鉛と
ビスマス，チタンとビスマスの関係が Pb／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0の範囲で、 Bi2O3 0.05〜1.0モル％， Sb2O3 0.05〜3.0モル％を含有するセラミツク
粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付、メツキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものであ
る。 表は添加物の種類および添加量（モル％）のち
がいによる銀焼付電極形成と同じ条件となる700
℃熱処理を施した焼結体のＸ線回折によるメイン
ピーク強度比から求めたZnO結晶粒子間を構成す
る粒界偏析部成分としてのパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量およびγ―Bi2O3量と、焼
結体自体の電気的特性を把握するために熱履歴を
ともなわせないアルミニウムメタリコン電極形成
によつて測定したV1μA―V1ｍＡのα、熱履歴
をともなう銀焼付電極形成によつて測定した
V1μA―V1ｍＡのα、さらにはV1ｍＡ／mmを示
したものである。 なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径
が14mm、厚さが１mmで、電極直径は13.4mmであ
る。
【表】
【表】
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくする
ため、第１図〜第７図を参照して説明する。第１
図は焼結体のパイロクロア型化合物に含まれるビ
スマス量と非直線性α（V1μA―V11A）の関係を
示すもので、第２図はサージ（2500A，８×
20μsec50回後）印加後のパイロクロア型化合物中
に含まれるビスマス量と非直線性α（V1μA―
V11A）の関係を示すもので、第３図は高温課電
（90℃ DC1ｍＡ，1000時間）後のパイロクロア
型化合物中に含まれるビスマス量と非直線性α
（V1μA―V11A）の関係を示すものであり、第１
図〜第３図中ロは初期値（アルミニウムメタリコ
ン電極形成後）、イは熱処理（銀焼付電極形成）
後の値である。第４図は焼結体中のパイロクロア
型化合物中に含まれるビスマス量とγ―Bi2O3量
の相関を示すもので、第５図は前記表に示す実施
例（）と従来例(i)のV1μA―V11Aの電圧―電
流特性を示すものである。 前記表および第１図〜第３図から明らかなよう
に、パイロクロア型化合物中に含まれるビスマス
量が50％以下では熱履歴によつて非直線性α特性
が大幅にダウンするのに対し、本発明になるパイ
ロクロア型化合物中に含まれるビスマス量が50％
以上でγ―Bi2O3量が10％以下となるものは熱履
歴による非直線性α特性の変化がきわめて少な
く、優れたバリスタ特性が得られた。また第５図
から明らかなように、従来例すなわちパイロクロ
ア型化合物が存在しない焼結体によるものは、電
流が1μA―１ｍＡ／cm2に位置する低電流領域での
電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは電流
が1μA―１ｍＡ／cm2という低電流領域でも電圧低
下はわずかで漏れ電流がきわめて小さい結果を示
した。しかして、本発明によるものが以上のよう
な優れた効果を発揮する根拠については第６図お
よび第７図からも明らかなように、少なくとも焼
結体の結晶粒子間の粒界偏析部に介在する成分が
焼結体中に含まれる全ビスマスの50％以上がパイ
ロクロア型化合物となりγ―Bi2O3相はもとよ
り、熱履歴によつてγ―Bi2O3相に相変化するα
―Bi2O3相，β―Bi2O3相，δ―Bi2O3相を含めた
Bi2O3相がきわめて少なく、熱履歴後におけるγ
―Bi2O3相を10％以下に抑制できることによつて
達成できるものである。 なお、ビスマスの残部については低電流領域で
―特性に影響しないガラス化になるものと推
量される。第６図および第７図は第５図で用いた
ものと同一条件による試料のＸ線回折グラフを示
すもので、第６図は焼結体の熱処理前、第７図は
焼結体の熱処理（700℃）後である。 なお、上記実施例の添加物の他にインジウム，
ガリウム，アルミニウムなどの添加物のうち少な
くとも１種以上を微量（重量比率で５〜100ppm）
添加すれば酸化結晶粒子の比抵抗が下がつて高電
流領域の非直線性改善に大きく貢献できる利点を
有する。 ［発明の効果］ 以上述べたように本発明の構成によれば、焼結
体を構成する酸化亜鉛結晶粒子の粒界に介在する
結晶として焼結体中に含まれる全ビスマスの50％
以上をパイロクロア型化合物とすることによつて
熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した
バリスタを得ることができる。
ため、第１図〜第７図を参照して説明する。第１
図は焼結体のパイロクロア型化合物に含まれるビ
スマス量と非直線性α（V1μA―V11A）の関係を
示すもので、第２図はサージ（2500A，８×
20μsec50回後）印加後のパイロクロア型化合物中
に含まれるビスマス量と非直線性α（V1μA―
V11A）の関係を示すもので、第３図は高温課電
（90℃ DC1ｍＡ，1000時間）後のパイロクロア
型化合物中に含まれるビスマス量と非直線性α
（V1μA―V11A）の関係を示すものであり、第１
図〜第３図中ロは初期値（アルミニウムメタリコ
ン電極形成後）、イは熱処理（銀焼付電極形成）
後の値である。第４図は焼結体中のパイロクロア
型化合物中に含まれるビスマス量とγ―Bi2O3量
の相関を示すもので、第５図は前記表に示す実施
例（）と従来例(i)のV1μA―V11Aの電圧―電
流特性を示すものである。 前記表および第１図〜第３図から明らかなよう
に、パイロクロア型化合物中に含まれるビスマス
量が50％以下では熱履歴によつて非直線性α特性
が大幅にダウンするのに対し、本発明になるパイ
ロクロア型化合物中に含まれるビスマス量が50％
以上でγ―Bi2O3量が10％以下となるものは熱履
歴による非直線性α特性の変化がきわめて少な
く、優れたバリスタ特性が得られた。また第５図
から明らかなように、従来例すなわちパイロクロ
ア型化合物が存在しない焼結体によるものは、電
流が1μA―１ｍＡ／cm2に位置する低電流領域での
電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは電流
が1μA―１ｍＡ／cm2という低電流領域でも電圧低
下はわずかで漏れ電流がきわめて小さい結果を示
した。しかして、本発明によるものが以上のよう
な優れた効果を発揮する根拠については第６図お
よび第７図からも明らかなように、少なくとも焼
結体の結晶粒子間の粒界偏析部に介在する成分が
焼結体中に含まれる全ビスマスの50％以上がパイ
ロクロア型化合物となりγ―Bi2O3相はもとよ
り、熱履歴によつてγ―Bi2O3相に相変化するα
―Bi2O3相，β―Bi2O3相，δ―Bi2O3相を含めた
Bi2O3相がきわめて少なく、熱履歴後におけるγ
―Bi2O3相を10％以下に抑制できることによつて
達成できるものである。 なお、ビスマスの残部については低電流領域で
―特性に影響しないガラス化になるものと推
量される。第６図および第７図は第５図で用いた
ものと同一条件による試料のＸ線回折グラフを示
すもので、第６図は焼結体の熱処理前、第７図は
焼結体の熱処理（700℃）後である。 なお、上記実施例の添加物の他にインジウム，
ガリウム，アルミニウムなどの添加物のうち少な
くとも１種以上を微量（重量比率で５〜100ppm）
添加すれば酸化結晶粒子の比抵抗が下がつて高電
流領域の非直線性改善に大きく貢献できる利点を
有する。 ［発明の効果］ 以上述べたように本発明の構成によれば、焼結
体を構成する酸化亜鉛結晶粒子の粒界に介在する
結晶として焼結体中に含まれる全ビスマスの50％
以上をパイロクロア型化合物とすることによつて
熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した
バリスタを得ることができる。
第１図はパイロクロア型化合物中に含まれるビ
スマス量―α特性曲線図、第２図はサージ印加後
のパイロクロア型化合物中に含まれるビスマス量
―α特性曲線図、第３図は電力印加後のパイロク
ロア型化合物中に含まれるビスマス量―α特性曲
線図、第４図はパイロクロア型化合物中に含まれ
るビスマス量―γ―Bi2O3量の相関図、第５図は
電流―電圧の特性曲線図、第６図は熱処理前の焼
結体のＸ線回折グラフ、第７図は熱処理後の焼結
体のＸ線回折グラフである。
スマス量―α特性曲線図、第２図はサージ印加後
のパイロクロア型化合物中に含まれるビスマス量
―α特性曲線図、第３図は電力印加後のパイロク
ロア型化合物中に含まれるビスマス量―α特性曲
線図、第４図はパイロクロア型化合物中に含まれ
るビスマス量―γ―Bi2O3量の相関図、第５図は
電流―電圧の特性曲線図、第６図は熱処理前の焼
結体のＸ線回折グラフ、第７図は熱処理後の焼結
体のＸ線回折グラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化亜鉛を主成分とし、少なくとも鉛、ビス
マス，チタン，アンチモンの添加物を含み、該添
加物中の鉛とビスマス，チタンとビスマスの関係
が Pb／Bi＝0.05〜0.5， Ti／Bi＝0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル％，アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル％含有してなる焼結体における結晶粒子の粒
界偏析部に、前記焼結体中の全ビスマスの50％以
上を化合したパイロクロア型化合物を含有したこ
とを特徴とする電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112376A JPS62268102A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112376A JPS62268102A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62268102A JPS62268102A (ja) | 1987-11-20 |
| JPH0253926B2 true JPH0253926B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=14585131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61112376A Granted JPS62268102A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62268102A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2533597B2 (ja) * | 1988-01-28 | 1996-09-11 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP61112376A patent/JPS62268102A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62268102A (ja) | 1987-11-20 |
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