JP3232850B2 - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化亜鉛を主成分とす
るバリスタの製造方法に関するものである。
るバリスタの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化亜鉛バリスタは、酸化亜鉛を主成分
とし、副成分としてコバルト、マンガン、アンチモンな
どを添加したものを成形し成形体を得ていた。次に、こ
の成形体を１１５０〜１３５０℃で焼成した後、電極ペ
ーストを焼結体の表面に塗布し、焼きつけたり、または
成形体と電極とを一体焼成してバリスタを得ていた。
とし、副成分としてコバルト、マンガン、アンチモンな
どを添加したものを成形し成形体を得ていた。次に、こ
の成形体を１１５０〜１３５０℃で焼成した後、電極ペ
ーストを焼結体の表面に塗布し、焼きつけたり、または
成形体と電極とを一体焼成してバリスタを得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成によると、バ
リスタ特性を安定化させるために添加するアンチモンな
どの副成分は著しく焼結を妨げ、焼結体密度を低下させ
るので、十分な特性を得ようとすると、焼成温度を高く
しなければならなかった。そのため、電極材料してＡｇ
等低融点の金属を用いた場合、成形体と電極との一体焼
成ができないという問題点を有していた。
リスタ特性を安定化させるために添加するアンチモンな
どの副成分は著しく焼結を妨げ、焼結体密度を低下させ
るので、十分な特性を得ようとすると、焼成温度を高く
しなければならなかった。そのため、電極材料してＡｇ
等低融点の金属を用いた場合、成形体と電極との一体焼
成ができないという問題点を有していた。
【０００４】本発明は、低温焼成可能なバリスタを提供
することを目的とするものである。
することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は主成分酸化亜鉛に副成分として、少なくと
もゲルマニウムをＧｅＯ 2 に換算して０．０１〜０．１
ｍｏｌ％、ビスマスをＢｉ 2 Ｏ 3 に換算して０．１〜４．
０ｍｏｌ％、アンチモンをＳｂ 2 Ｏ 3 に換算してＢｉ 2 Ｏ 3
との比が（Ｓｂ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％）／Ｂｉ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ
％））≦１．０となるように添加して成形体を作製する
第１の工程と、次に前記成形体表面に銀を主成分とする
電極ペーストを塗布する第２の工程と、その後前記成形
体と前記電極ペーストを一体焼成する第３の工程とを有
するものである。
に、本発明は主成分酸化亜鉛に副成分として、少なくと
もゲルマニウムをＧｅＯ 2 に換算して０．０１〜０．１
ｍｏｌ％、ビスマスをＢｉ 2 Ｏ 3 に換算して０．１〜４．
０ｍｏｌ％、アンチモンをＳｂ 2 Ｏ 3 に換算してＢｉ 2 Ｏ 3
との比が（Ｓｂ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％）／Ｂｉ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ
％））≦１．０となるように添加して成形体を作製する
第１の工程と、次に前記成形体表面に銀を主成分とする
電極ペーストを塗布する第２の工程と、その後前記成形
体と前記電極ペーストを一体焼成する第３の工程とを有
するものである。
【０００６】
【作用】この方法によると、ゲルマニウムが粒成長を助
けて焼結を促進させると思われる。その結果、成形体と
Ａｇを主成分とする電極と一体焼成することができる。
このように成形体と電極とが一体焼成できることによ
り、従来必要であった電極焼付工程が不要となり、工程
を削減できるため、生産性を向上させることができる。
けて焼結を促進させると思われる。その結果、成形体と
Ａｇを主成分とする電極と一体焼成することができる。
このように成形体と電極とが一体焼成できることによ
り、従来必要であった電極焼付工程が不要となり、工程
を削減できるため、生産性を向上させることができる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例におけるバリスタの
側面図である。
側面図である。
【０００８】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例
について説明する。
について説明する。
【０００９】まず、ＺｎＯに、Ｂｉ2Ｏ3（0.5mol%）、
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、ＧｅＯ2（0〜
0.1mol%）を混合後、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）
のような有機バインダを加えて造粒し、この造粒粉に１
ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力をかけて、直径１０ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍの円板状のバリスタ素子１を成形した。次
に、この成形体の上下両面に、Ａｇ粉末と有機ビヒクル
とからなる電極２ａ，２ｂペーストを塗布し、（表１）
に示す温度で焼成した。
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、ＧｅＯ2（0〜
0.1mol%）を混合後、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）
のような有機バインダを加えて造粒し、この造粒粉に１
ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力をかけて、直径１０ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍの円板状のバリスタ素子１を成形した。次
に、この成形体の上下両面に、Ａｇ粉末と有機ビヒクル
とからなる電極２ａ，２ｂペーストを塗布し、（表１）
に示す温度で焼成した。
【００１０】
【表１】
【００１１】（表１）にバリスタ素子１の焼成温度と焼
結体密度の関係を示す。焼結体密度は、低温での焼結に
おける最も大きな課題の一つである焼結性の目安とな
る。
結体密度の関係を示す。焼結体密度は、低温での焼結に
おける最も大きな課題の一つである焼結性の目安とな
る。
【００１２】（表１）より、バリスタ素子１の焼成温度
を上昇させていくにつれて、焼結体密度は大きくなって
いることがわかる。また、８００℃より低い焼成温度で
は、Ｂｉ2Ｏ3の融点より低いということもあり、十分に
焼結していないことがわかる。
を上昇させていくにつれて、焼結体密度は大きくなって
いることがわかる。また、８００℃より低い焼成温度で
は、Ｂｉ2Ｏ3の融点より低いということもあり、十分に
焼結していないことがわかる。
【００１３】なお、本実施例ではゲルマニウムの含有量
が０．０５ｍｏｌ％と０．１ｍｏｌ％の場合のみ示した
が、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲の含有量であれ
ば、焼結性の向上に効果的である。
が０．０５ｍｏｌ％と０．１ｍｏｌ％の場合のみ示した
が、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲の含有量であれ
ば、焼結性の向上に効果的である。
【００１４】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１５】まず、ＺｎＯに、Ｂｉ2Ｏ3（0.5mol%）、
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、ＧｅＯ2（0.05
mol%）を加え、さらに、Ｙ2Ｏ3（0〜1.0mol%）、Ｌｎ2
Ｏ3（Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm）（0〜1.0mol%）、Ｎｂ2Ｏ
5（0〜1.0mol%）の中から一種類加えて、混合後、例え
ばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のような有機バイン
ダを加えて造粒し、この造粒粉に１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧
力をかけて、直径１０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円板状の
バリスタ素子１を成形した。次に、この成形体の上下両
面に、Ａｇ粉末と有機ビヒクルとからなる電極２ａ，２
ｂペーストを塗布し、９３０℃で焼成して、バリスタを
得た。このバリスタ素子１のＹ2Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3およびＮ
ｂ2Ｏ5の含有量と焼結体密度との関係を（表２）、（表
３）に示す。
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、ＧｅＯ2（0.05
mol%）を加え、さらに、Ｙ2Ｏ3（0〜1.0mol%）、Ｌｎ2
Ｏ3（Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm）（0〜1.0mol%）、Ｎｂ2Ｏ
5（0〜1.0mol%）の中から一種類加えて、混合後、例え
ばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のような有機バイン
ダを加えて造粒し、この造粒粉に１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧
力をかけて、直径１０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円板状の
バリスタ素子１を成形した。次に、この成形体の上下両
面に、Ａｇ粉末と有機ビヒクルとからなる電極２ａ，２
ｂペーストを塗布し、９３０℃で焼成して、バリスタを
得た。このバリスタ素子１のＹ2Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3およびＮ
ｂ2Ｏ5の含有量と焼結体密度との関係を（表２）、（表
３）に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】（表２）、（表３）よりＹ2Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3
およびＮｂ2Ｏ5の含有量を増加させていくにつれて、焼
結体密度は増加していき、最大値を越えるとまた小さく
なる傾向にあることがわかる。焼結体密度が最大値とな
るのは、それぞれ０．０５〜０．１ｍｏｌ％含有させた
場合であるが、０．０１〜０．５ｍｏｌ％の範囲であれ
ば焼結性の優れたバリスタが得ることができる。
およびＮｂ2Ｏ5の含有量を増加させていくにつれて、焼
結体密度は増加していき、最大値を越えるとまた小さく
なる傾向にあることがわかる。焼結体密度が最大値とな
るのは、それぞれ０．０５〜０．１ｍｏｌ％含有させた
場合であるが、０．０１〜０．５ｍｏｌ％の範囲であれ
ば焼結性の優れたバリスタが得ることができる。
【００１９】なお、本実施例においては、酸化ランタノ
イドとして、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ
2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3の場合のみ示したが、他のランタノイド
（Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｙｂ、Ｌｕ）の酸化物を用いたとしても同様の効果が得
られる。また、イットリウム、ランタノイドそれぞれ一
種類のみ含有させた場合を示したが、２種類以上含有さ
せる場合も、その含有量の合計が０．０１〜０．５ｍｏ
ｌ％であれば、本実施例と同様の効果が得られる。さら
に、バリスタの焼成温度は、９３０℃の場合のみ示した
が、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）の融点より低
い温度（８００〜９６０℃）であれば構わない。また、
本実施例ではゲルマニウムの含有量を０．０５ｍｏｌ％
としたが、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲であれば構
わない。
イドとして、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ
2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3の場合のみ示したが、他のランタノイド
（Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｙｂ、Ｌｕ）の酸化物を用いたとしても同様の効果が得
られる。また、イットリウム、ランタノイドそれぞれ一
種類のみ含有させた場合を示したが、２種類以上含有さ
せる場合も、その含有量の合計が０．０１〜０．５ｍｏ
ｌ％であれば、本実施例と同様の効果が得られる。さら
に、バリスタの焼成温度は、９３０℃の場合のみ示した
が、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）の融点より低
い温度（８００〜９６０℃）であれば構わない。また、
本実施例ではゲルマニウムの含有量を０．０５ｍｏｌ％
としたが、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲であれば構
わない。
【００２０】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。
について説明する。
【００２１】まず、ＺｎＯに、Ｂｉ2Ｏ3（0.5mol%）、
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、ＧｅＯ2（0.05
mol%）を加え、さらにＳｎＯ2（0〜0.1mol%）、ＰｂＯ
（0〜1.0mol%）の中から一種類を加えて、実施例２と同
様にしてバリスタを得た。
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、ＧｅＯ2（0.05
mol%）を加え、さらにＳｎＯ2（0〜0.1mol%）、ＰｂＯ
（0〜1.0mol%）の中から一種類を加えて、実施例２と同
様にしてバリスタを得た。
【００２２】このようにして得たバリスタ素子１のＳｎ
Ｏ2、ＰｂＯの含有量と
Ｏ2、ＰｂＯの含有量と
【００２３】
【外１】
【００２４】の関係を（表４）に示す。
【００２５】
【表４】
【００２６】ここで、電圧比は非直線性の尺度で、電流
が１ｍＡ流れたときの電圧Ｖ1mAと電流が１０μＡ流れ
たときの
が１ｍＡ流れたときの電圧Ｖ1mAと電流が１０μＡ流れ
たときの
【００２７】
【外２】
【００２８】との比とする。（表４）から、ＳｎＯ2、
ＰｂＯの含有量が増加するにつれて、電圧比特性は良好
となり、ある最良の値を境にまた悪化を始めているのが
わかる。最良の値はＳｎＯ2、ＰｂＯともに、０．１ｍ
ｏｌ％の場合であるが、０．０１〜０．５ｍｏｌ％の含
有量であれば、電圧比特性に効果的である。
ＰｂＯの含有量が増加するにつれて、電圧比特性は良好
となり、ある最良の値を境にまた悪化を始めているのが
わかる。最良の値はＳｎＯ2、ＰｂＯともに、０．１ｍ
ｏｌ％の場合であるが、０．０１〜０．５ｍｏｌ％の含
有量であれば、電圧比特性に効果的である。
【００２９】なお、本実施例においては、ＳｎＯ2、Ｐ
ｂＯそれぞれ単独で含有させた場合のみ示したが、両方
を含有させた場合、その含有量の合計が０．０１〜０．
５ｍｏｌ％の時、本実施例と同様の効果が得られる。さ
らに、バリスタの焼成温度は９３０℃の場合のみ示した
が、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）の融点より低
い温度（８００〜９６０℃）であれば構わない。本実施
例ではゲルマニウムの含有量を０．０５ｍｏｌ％とした
が、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲であれば構わな
い。
ｂＯそれぞれ単独で含有させた場合のみ示したが、両方
を含有させた場合、その含有量の合計が０．０１〜０．
５ｍｏｌ％の時、本実施例と同様の効果が得られる。さ
らに、バリスタの焼成温度は９３０℃の場合のみ示した
が、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）の融点より低
い温度（８００〜９６０℃）であれば構わない。本実施
例ではゲルマニウムの含有量を０．０５ｍｏｌ％とした
が、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲であれば構わな
い。
【００３０】（実施例４）以下、第４の実施例について
説明する。
説明する。
【００３１】まず、ＺｎＯに、Ｂｉ2Ｏ3（0.5mol%）、
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、ＧｅＯ2（0.05
mol%）を加え、さらに、Ｃｒ2Ｏ3（0〜1.0mol%）、Ｐ2
Ｏ5（0〜1.0mol%）の内どちらか一種類加えて、実施例
２と同様にして、バリスタを得た。このバリスタ素子１
のＣｒ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5の含有量と制限電圧比との関係を
（表５）に示す。
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、ＧｅＯ2（0.05
mol%）を加え、さらに、Ｃｒ2Ｏ3（0〜1.0mol%）、Ｐ2
Ｏ5（0〜1.0mol%）の内どちらか一種類加えて、実施例
２と同様にして、バリスタを得た。このバリスタ素子１
のＣｒ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5の含有量と制限電圧比との関係を
（表５）に示す。
【００３２】
【表５】
【００３３】ここで制限電圧比は、高電流領域でのバリ
スタ特性の尺度で、サージ電流（本実施例では２５Ａと
する）が流れたときの電圧Ｖ25AとＶ1mAとの比とする。
（表５）より、Ｃｒ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5の含有量を増加させて
いくと、制限電圧比は良好になっていき、ある点を境に
して、悪化していくことがわかる。制限電圧比の最良の
値は、Ｃｒ2Ｏ3では、０．０５〜０．１ｍｏｌ％、Ｐ2
Ｏ5では、０．１ｍｏｌ％含有させた場合であるが、Ｃ
ｒ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5の両方とも含有量がそれぞれ０．０１〜
０．５ｍｏｌ％の時、制限電圧比に効果的である。
スタ特性の尺度で、サージ電流（本実施例では２５Ａと
する）が流れたときの電圧Ｖ25AとＶ1mAとの比とする。
（表５）より、Ｃｒ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5の含有量を増加させて
いくと、制限電圧比は良好になっていき、ある点を境に
して、悪化していくことがわかる。制限電圧比の最良の
値は、Ｃｒ2Ｏ3では、０．０５〜０．１ｍｏｌ％、Ｐ2
Ｏ5では、０．１ｍｏｌ％含有させた場合であるが、Ｃ
ｒ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5の両方とも含有量がそれぞれ０．０１〜
０．５ｍｏｌ％の時、制限電圧比に効果的である。
【００３４】なお、バリスタの焼成温度は９３０℃の場
合のみ示したが、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）
の融点より低い温度（８００〜９６０℃）であれば構わ
ない。また、本実施例ではゲルマニウムの含有量を０．
０５ｍｏｌ％としたが、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範
囲であれば構わない。
合のみ示したが、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）
の融点より低い温度（８００〜９６０℃）であれば構わ
ない。また、本実施例ではゲルマニウムの含有量を０．
０５ｍｏｌ％としたが、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範
囲であれば構わない。
【００３５】（実施例１）〜（実施例４）においては、
ビスマスをＢｉ2Ｏ3に換算して、０．５ｍｏｌ％含有さ
せた場合のみ示したが、ビスマスをＢｉ2Ｏ3に換算して
０．１〜４．０ｍｏｌ％、アンチモンをＳｂ2Ｏ3に換算
してＢｉ2Ｏ3との比が（Ｓｂ 2Ｏ3（ｍｏｌ％）／Ｂｉ2
Ｏ3（ｍｏｌ％））≦１．０となるように含有させるの
であれば構わない。
ビスマスをＢｉ2Ｏ3に換算して、０．５ｍｏｌ％含有さ
せた場合のみ示したが、ビスマスをＢｉ2Ｏ3に換算して
０．１〜４．０ｍｏｌ％、アンチモンをＳｂ2Ｏ3に換算
してＢｉ2Ｏ3との比が（Ｓｂ 2Ｏ3（ｍｏｌ％）／Ｂｉ2
Ｏ3（ｍｏｌ％））≦１．０となるように含有させるの
であれば構わない。
【００３６】また、本発明のバリスタ素子の材料を用い
て、積層型のバリスタを形成したとしても同様の効果が
得られる。
て、積層型のバリスタを形成したとしても同様の効果が
得られる。
【００３７】
【発明の効果】以上本発明によると、ゲルマニウムが粒
成長を助けて焼結を促進させると思われる。その結果、
成形体とＡｇを主成分とする電極と一体焼成することが
できる。このように成形体と電極とが一体焼成できるこ
とにより、従来必要であった電極焼付工程が不要とな
り、工程を削減できるため、生産性を向上させることが
できる。
成長を助けて焼結を促進させると思われる。その結果、
成形体とＡｇを主成分とする電極と一体焼成することが
できる。このように成形体と電極とが一体焼成できるこ
とにより、従来必要であった電極焼付工程が不要とな
り、工程を削減できるため、生産性を向上させることが
できる。
【００３８】その結果、低温で焼成しても、優れたバリ
スタ特性を有するバリスタを得ることができる。また、
このバリスタは電極にＡｇ等の低融点の金属を用いたと
しても、成形体と電極とを一体焼成することができる。
そのため、電極焼き付けの工程が不要となり、工程を削
減でき、生産性が向上する。
スタ特性を有するバリスタを得ることができる。また、
このバリスタは電極にＡｇ等の低融点の金属を用いたと
しても、成形体と電極とを一体焼成することができる。
そのため、電極焼き付けの工程が不要となり、工程を削
減でき、生産性が向上する。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの側面図
１ バリスタ素子 ２ａ 電極 ２ｂ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−169203（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−67995（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−108297（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−108296（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (6)
- 【請求項１】 主成分酸化亜鉛に副成分として、少なく
ともゲルマニウムをＧｅＯ 2 に換算して０．０１〜０．
１ｍｏｌ％、ビスマスをＢｉ 2 Ｏ 3 に換算して０．１〜
４．０ｍｏｌ％、アンチモンをＳｂ 2 Ｏ 3 に換算してＢｉ
2 Ｏ 3 との比が（Ｓｂ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％）／Ｂｉ 2 Ｏ 3 （ｍｏ
ｌ％））≦１．０となるように添加して成形体を作製す
る第１の工程と、次に前記成形体表面に銀を主成分とす
る電極ペーストを塗布する第２の工程と、その後前記成
形体と前記電極ペーストを一体焼成する第３の工程とを
有するバリスタの製造方法。 - 【請求項２】 成形体の副成分として、ニオブをＮｂ 2
Ｏ 5 に換算して０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求
項１に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項３】 成形体の副成分として、イットリウム
と、ランタノイドとを、それぞれＹ 2 Ｏ 3 、Ｌｎ 2 Ｏ 3 （ラ
ンタノイドをＬｎと表す。）に換算して、少なくとも一
種類０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求項１に記載
のバリスタの製造方法。 - 【請求項４】 成形体の副成分として、錫と鉛をそれぞ
れＳｎＯ 2 とＰｂＯに換算して、少なくとも一種類０．
０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求項１に記載のバリス
タの製造方法。 - 【請求項５】 成形体の副成分として、リンをＰ 2 Ｏ 5 に
換算して、０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求項１
に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項６】 成形体の副成分として、クロムをＣｒ 2
Ｏ 3 に換算して０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求
項１に記載のバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01517094A JP3232850B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01517094A JP3232850B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226305A JPH07226305A (ja) | 1995-08-22 |
| JP3232850B2 true JP3232850B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=11881340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01517094A Expired - Fee Related JP3232850B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3232850B2 (ja) |
-
1994
- 1994-02-09 JP JP01517094A patent/JP3232850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07226305A (ja) | 1995-08-22 |
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