JP3232849B2 - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化亜鉛を主成分とす
るバリスタの製造方法に関するものである。
るバリスタの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化亜鉛バリスタは、酸化亜鉛を主成分
とし、副成分としてコバルト、マンガン、アンチモンな
どを添加したものを成形し成形体を得ていた。次に、こ
の成形体を１１５０〜１３５０℃で焼成した後、電極ペ
ーストを焼結体の表面に塗布し、焼き付けたり、または
成形体と電極とを一体焼成してバリスタを得ていた。
とし、副成分としてコバルト、マンガン、アンチモンな
どを添加したものを成形し成形体を得ていた。次に、こ
の成形体を１１５０〜１３５０℃で焼成した後、電極ペ
ーストを焼結体の表面に塗布し、焼き付けたり、または
成形体と電極とを一体焼成してバリスタを得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成によると、バ
リスタ特性を安定化させるために添加するアンチモンな
どの副成分は著しく焼結を妨げ、焼結体密度を低下させ
るので、十分な特性を得ようとすると、焼成温度を高く
しなければならなかった。そのため、電極材料としてＡ
ｇ等低融点の金属を用いた場合、成形体と電極との一体
焼成ができないという問題点を有していた。
リスタ特性を安定化させるために添加するアンチモンな
どの副成分は著しく焼結を妨げ、焼結体密度を低下させ
るので、十分な特性を得ようとすると、焼成温度を高く
しなければならなかった。そのため、電極材料としてＡ
ｇ等低融点の金属を用いた場合、成形体と電極との一体
焼成ができないという問題点を有していた。
【０００４】本発明は、低温焼成可能なバリスタを提供
することを目的とするものである。
することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は主成分酸化亜鉛に副成分として、少なくと
も硼素をＢ 2 Ｏ 3 に換算して０．０１〜０．１ｍｏｌ％、
ビスマスをＢｉ 2 Ｏ 3 に換算して０．１〜４．０ｍｏｌ
％、アンチモンをＳｂ 2 Ｏ 3 に換算してＢｉ 2 Ｏ 3 との比が
（Ｓｂ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％）／Ｂｉ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％））≦
１．０となるように添加して成形体を作製する第１の工
程と、次に前記成形体表面に銀を主成分とする電極ペー
ストを塗布する第２の工程と、その後前記成形体と前記
電極ペーストを一体焼成する第３の工程とを有するもの
である。
に、本発明は主成分酸化亜鉛に副成分として、少なくと
も硼素をＢ 2 Ｏ 3 に換算して０．０１〜０．１ｍｏｌ％、
ビスマスをＢｉ 2 Ｏ 3 に換算して０．１〜４．０ｍｏｌ
％、アンチモンをＳｂ 2 Ｏ 3 に換算してＢｉ 2 Ｏ 3 との比が
（Ｓｂ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％）／Ｂｉ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％））≦
１．０となるように添加して成形体を作製する第１の工
程と、次に前記成形体表面に銀を主成分とする電極ペー
ストを塗布する第２の工程と、その後前記成形体と前記
電極ペーストを一体焼成する第３の工程とを有するもの
である。
【０００６】
【作用】この方法によると、焼成時硼素が液相焼結を促
進すると思われる。その結果、成形体とＡｇを主成分と
する電極と一体焼成することができる。このように成形
体と電極とが一体焼成できることにより、従来必要であ
った電極焼付工程が不要となり、工程を削減できるた
め、生産性を向上させることができる。
進すると思われる。その結果、成形体とＡｇを主成分と
する電極と一体焼成することができる。このように成形
体と電極とが一体焼成できることにより、従来必要であ
った電極焼付工程が不要となり、工程を削減できるた
め、生産性を向上させることができる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例におけるバリスタの
側面図である。
側面図である。
【０００８】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例
について説明する。
について説明する。
【０００９】まず、ＺｎＯに、Ｂｉ2Ｏ3（0.5mol%）、
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、Ｂ2Ｏ3（0〜0.
1mol%）を混合後、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）のような有機バインダを加えて造粒し、この造粒粉
に１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力をかけて、直径１０ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍの円板状のバリスタ素子１を成形した。次
に、この成形体の上下両面に、Ａｇ粉末と有機ビヒクル
とからなる電極２ａ，２ｂペーストを塗布し、（表１）
に示す温度で焼成した。
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、Ｂ2Ｏ3（0〜0.
1mol%）を混合後、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）のような有機バインダを加えて造粒し、この造粒粉
に１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力をかけて、直径１０ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍの円板状のバリスタ素子１を成形した。次
に、この成形体の上下両面に、Ａｇ粉末と有機ビヒクル
とからなる電極２ａ，２ｂペーストを塗布し、（表１）
に示す温度で焼成した。
【００１０】
【表１】
【００１１】（表１）にバリスタ素子１の焼成温度と焼
結体密度の関係を示す。焼結体密度は、低温での焼結に
おける最も大きな課題の一つである焼結性の目安とな
る。
結体密度の関係を示す。焼結体密度は、低温での焼結に
おける最も大きな課題の一つである焼結性の目安とな
る。
【００１２】（表１）より、バリスタ素子１の焼成温度
を上昇させていくにつれて、焼結体密度は大きくなって
いることがわかる。また、８００℃より低い焼成温度で
は、Ｂｉ2Ｏ3の融点より低いということもあり、十分に
焼結していないことがわかる。
を上昇させていくにつれて、焼結体密度は大きくなって
いることがわかる。また、８００℃より低い焼成温度で
は、Ｂｉ2Ｏ3の融点より低いということもあり、十分に
焼結していないことがわかる。
【００１３】なお、本実施例ではＢ2Ｏ3の含有量が０．
０５ｍｏｌ％と０．１ｍｏｌ％の場合のみ示したが、
０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲であれば、燃焼性の向
上に効果がある。
０５ｍｏｌ％と０．１ｍｏｌ％の場合のみ示したが、
０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲であれば、燃焼性の向
上に効果がある。
【００１４】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１５】まず、ＺｎＯに、Ｂｉ2Ｏ3（0.5mol%）、
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、Ｂ2Ｏ3（0.05m
ol%）を加え、さらに、Ｙ2Ｏ3（0〜1.0mol%）、Ｌｎ2Ｏ
3（Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm）（0〜1.0mol%）、Ｃｒ2Ｏ3（0
〜1.0mol%）の中から一種類を加え、混合後、例えばＰ
ＶＡ（ポリビニルアルコール）のような有機バインダを
加えて造粒した。この造粒粉に１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力
をかけて、直径１０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円板状のバ
リスタ素子１を成形した。次に、この成形体の上下両面
に、Ａｇ粉末と有機ビヒクルとからなる電極２ａ，２ｂ
ペーストを塗布し、９３０℃で焼成してバリスタを得
た。このバリスタ素子１のＹ2Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3およびＣｒ
2Ｏ3の含有量と制限電圧比との関係を、（表２）、（表
３）に示す。
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、Ｂ2Ｏ3（0.05m
ol%）を加え、さらに、Ｙ2Ｏ3（0〜1.0mol%）、Ｌｎ2Ｏ
3（Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm）（0〜1.0mol%）、Ｃｒ2Ｏ3（0
〜1.0mol%）の中から一種類を加え、混合後、例えばＰ
ＶＡ（ポリビニルアルコール）のような有機バインダを
加えて造粒した。この造粒粉に１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力
をかけて、直径１０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円板状のバ
リスタ素子１を成形した。次に、この成形体の上下両面
に、Ａｇ粉末と有機ビヒクルとからなる電極２ａ，２ｂ
ペーストを塗布し、９３０℃で焼成してバリスタを得
た。このバリスタ素子１のＹ2Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3およびＣｒ
2Ｏ3の含有量と制限電圧比との関係を、（表２）、（表
３）に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】ここで制限電圧比は、高電圧領域でのバリ
スタ特性の尺度で、サージ電流（本実施例では２５Ａと
する）が流れたときの電圧Ｖ25AとＶ1mAとの比とする。
（表２）、（表３）より、Ｙ2Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3およびＣｒ
2Ｏ3の含有量を増加させていくと、制限電圧比特性は良
好になっていき、含有量が０．０５〜０．５ｍｏｌ％の
時に最良の値となっているが、０．０１〜０．５ｍｏｌ
％の含有量であれば効果がみられる。
スタ特性の尺度で、サージ電流（本実施例では２５Ａと
する）が流れたときの電圧Ｖ25AとＶ1mAとの比とする。
（表２）、（表３）より、Ｙ2Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3およびＣｒ
2Ｏ3の含有量を増加させていくと、制限電圧比特性は良
好になっていき、含有量が０．０５〜０．５ｍｏｌ％の
時に最良の値となっているが、０．０１〜０．５ｍｏｌ
％の含有量であれば効果がみられる。
【００１９】なお、本実施例においては、酸化ランタノ
イドとして、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ
2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3の場合のみ示したが、他のランタノイド
（Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｙｂ、Ｌｕ）の酸化物を０．０１〜０．５ｍｏｌ％含有
させたとしても、同様の効果が得られる。また、イット
リウム、ランタノイドそれぞれ一種類のみ含有させた場
合を示したが、この中から２種類以上含有させる場合、
その含有量の合計が０．０１〜０．５ｍｏｌ％であれ
ば、本実施例と同様の効果が得られる。また、バリスタ
の焼成温度は９３０℃の場合のみ示したが、Ｂｉ2Ｏ3の
融点より高く、銀（電極）の融点より低い温度（８００
〜９６０℃）であれば構わない。さらに、本実施例では
Ｂ2Ｏ3の含有量を０．０５ｍｏｌ％としたが、０．０１
〜０．１ｍｏｌ％の範囲の含有量であれば構わない。
イドとして、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ
2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3の場合のみ示したが、他のランタノイド
（Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｙｂ、Ｌｕ）の酸化物を０．０１〜０．５ｍｏｌ％含有
させたとしても、同様の効果が得られる。また、イット
リウム、ランタノイドそれぞれ一種類のみ含有させた場
合を示したが、この中から２種類以上含有させる場合、
その含有量の合計が０．０１〜０．５ｍｏｌ％であれ
ば、本実施例と同様の効果が得られる。また、バリスタ
の焼成温度は９３０℃の場合のみ示したが、Ｂｉ2Ｏ3の
融点より高く、銀（電極）の融点より低い温度（８００
〜９６０℃）であれば構わない。さらに、本実施例では
Ｂ2Ｏ3の含有量を０．０５ｍｏｌ％としたが、０．０１
〜０．１ｍｏｌ％の範囲の含有量であれば構わない。
【００２０】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。
について説明する。
【００２１】まず、ＺｎＯに、Ｂｉ2Ｏ3（0.5mol%）、
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、Ｂ2Ｏ3（0.05m
ol%）を加え、さらにＳｎＯ2（0〜1.0mol%）、ＰｂＯ
（0〜1.0mol%）、ＮｉＯ（0〜2.0mol%）、Ｐ2Ｏ5（0〜
1.0mol%）の中からいずれか一種類加えて、実施例２と
同様にして、バリスタを得た。
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、Ｂ2Ｏ3（0.05m
ol%）を加え、さらにＳｎＯ2（0〜1.0mol%）、ＰｂＯ
（0〜1.0mol%）、ＮｉＯ（0〜2.0mol%）、Ｐ2Ｏ5（0〜
1.0mol%）の中からいずれか一種類加えて、実施例２と
同様にして、バリスタを得た。
【００２２】このバリスタ素子１のＳｎＯ2、ＰｂＯ、
ＮｉＯ、Ｐ2Ｏ5の含有量とサージ電流による破壊値との
関係を（表４）に示す。
ＮｉＯ、Ｐ2Ｏ5の含有量とサージ電流による破壊値との
関係を（表４）に示す。
【００２３】
【表４】
【００２４】ここで、サージ電流波形は８＊２０μＳで
ある。（表４）より、ＳｎＯ2、ＰｂＯ、ＮｉＯ、Ｐ2Ｏ
5の含有量が増加していくにつれて、サージ電流耐量も
増加していき、ＳｎＯ2では０．０５〜０．１ｍｏｌ
％、ＰｂＯでは、０．０１ｍｏｌ％、ＮｉＯでは、０．
５ｍｏｌ％、Ｐ2Ｏ5では、０．１〜０．５ｍｏｌ％の
時、最良の値を取ることがわかる。しかし、ＳｎＯ 2、
ＰｂＯ、Ｐ2Ｏ5は０．０１〜０．５ｍｏｌ％、ＮｉＯは
０．０１〜１．０ｍｏｌ％の含有量であれば、サージ電
流耐量特性に効果がみられる。
ある。（表４）より、ＳｎＯ2、ＰｂＯ、ＮｉＯ、Ｐ2Ｏ
5の含有量が増加していくにつれて、サージ電流耐量も
増加していき、ＳｎＯ2では０．０５〜０．１ｍｏｌ
％、ＰｂＯでは、０．０１ｍｏｌ％、ＮｉＯでは、０．
５ｍｏｌ％、Ｐ2Ｏ5では、０．１〜０．５ｍｏｌ％の
時、最良の値を取ることがわかる。しかし、ＳｎＯ 2、
ＰｂＯ、Ｐ2Ｏ5は０．０１〜０．５ｍｏｌ％、ＮｉＯは
０．０１〜１．０ｍｏｌ％の含有量であれば、サージ電
流耐量特性に効果がみられる。
【００２５】なお、バリスタの焼成温度は９３０℃の場
合のみ示したが、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）
の融点より低い温度（８００〜９６０℃）であれば構わ
ない。また、本実施例ではＢ2Ｏ3の含有量を０．０５ｍ
ｏｌ％としたが、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲の含
有量であれば構わない。さらに、ＳｎＯ2、ＰｂＯを単
独で含有させた場合のみ示したが、両方を含有させる場
合、その含有量の合計が０．０１〜０．５ｍｏｌ％の範
囲であれば、本実施例と同様の効果がみられる。
合のみ示したが、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）
の融点より低い温度（８００〜９６０℃）であれば構わ
ない。また、本実施例ではＢ2Ｏ3の含有量を０．０５ｍ
ｏｌ％としたが、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲の含
有量であれば構わない。さらに、ＳｎＯ2、ＰｂＯを単
独で含有させた場合のみ示したが、両方を含有させる場
合、その含有量の合計が０．０１〜０．５ｍｏｌ％の範
囲であれば、本実施例と同様の効果がみられる。
【００２６】（実施例４）以下、第４の実施例について
説明する。
説明する。
【００２７】まず、ＺｎＯに、Ｂｉ2Ｏ3（0.5mol%）、
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、Ｂ2Ｏ3（0.05m
ol%）、Ｎｂ2Ｏ5（0〜1.0mol%）を加え、実施例２と同
様にして、バリスタを得た。このバリスタ素子１のＮｂ
2Ｏ5の含有量と、２５℃におけるバリスタ電圧に対する
１２５℃におけるバリスタ電圧の変化率との関係を（表
５）に示す。
Ｃｏ2Ｏ3（0.5mol%）、ＭｎＯ2（0.15mol%）、Ｓｂ2Ｏ3
（0.25mol%）、Ａｌ2Ｏ3（0.005mol%）、Ｂ2Ｏ3（0.05m
ol%）、Ｎｂ2Ｏ5（0〜1.0mol%）を加え、実施例２と同
様にして、バリスタを得た。このバリスタ素子１のＮｂ
2Ｏ5の含有量と、２５℃におけるバリスタ電圧に対する
１２５℃におけるバリスタ電圧の変化率との関係を（表
５）に示す。
【００２８】
【表５】
【００２９】（表５）より、Ｎｂ2Ｏ5の含有量が増加し
ていくにつれて、バリスタ電圧の変化率は小さくなって
いることがわかる。このようにＮｂ2Ｏ5の含有量が０．
０１〜０．５ｍｏｌ％の時、温度特性に優れたバリスタ
が得られる。
ていくにつれて、バリスタ電圧の変化率は小さくなって
いることがわかる。このようにＮｂ2Ｏ5の含有量が０．
０１〜０．５ｍｏｌ％の時、温度特性に優れたバリスタ
が得られる。
【００３０】なお、バリスタの焼成温度は９３０℃の場
合のみ示したが、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）
の融点より低い温度（８００〜９６０℃）であれば構わ
ない。また、本実施例ではＢ2Ｏ3の含有量を０．０５ｍ
ｏｌ％としたが、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲の含
有量であれば構わない。
合のみ示したが、Ｂｉ2Ｏ3の融点より高く、銀（電極）
の融点より低い温度（８００〜９６０℃）であれば構わ
ない。また、本実施例ではＢ2Ｏ3の含有量を０．０５ｍ
ｏｌ％としたが、０．０１〜０．１ｍｏｌ％の範囲の含
有量であれば構わない。
【００３１】（実施例１）〜（実施例４）においては、
ビスマスをＢｉ2Ｏ3に換算して、０．５ｍｏｌ％添加の
場合のみ示したが、ビスマスをＢｉ2Ｏ3に換算して０．
１〜４．０ｍｏｌ％、アンチモンをＳｂ2Ｏ3に換算して
Ｂｉ2Ｏ3との比が（Ｓｂ2Ｏ3（ｍｏｌ％）／Ｂｉ2Ｏ
3（ｍｏｌ％））≦１．０となるように含有させるので
あれば構わない。
ビスマスをＢｉ2Ｏ3に換算して、０．５ｍｏｌ％添加の
場合のみ示したが、ビスマスをＢｉ2Ｏ3に換算して０．
１〜４．０ｍｏｌ％、アンチモンをＳｂ2Ｏ3に換算して
Ｂｉ2Ｏ3との比が（Ｓｂ2Ｏ3（ｍｏｌ％）／Ｂｉ2Ｏ
3（ｍｏｌ％））≦１．０となるように含有させるので
あれば構わない。
【００３２】また、本発明のバリスタ素子の材料を用い
て、積層型のバリスタを形成したとしても同様の効果が
得られる。
て、積層型のバリスタを形成したとしても同様の効果が
得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上本発明によると、焼成時硼素が液相
焼結を促進すると思われる。その結果、成形体とＡｇを
主成分とする電極と一体焼成することができる。このよ
うに成形体と電極とが一体焼成できることにより、従来
必要であった電極焼付工程が不要となり、工程を削減で
きるため、生産性を向上させることができる。
焼結を促進すると思われる。その結果、成形体とＡｇを
主成分とする電極と一体焼成することができる。このよ
うに成形体と電極とが一体焼成できることにより、従来
必要であった電極焼付工程が不要となり、工程を削減で
きるため、生産性を向上させることができる。
【００３４】その結果、低温で焼成しても、優れたバリ
スタ特性を有するバリスタを得ることができる。また、
このバリスタは電極にＡｇ等融点の低い金属を用いたと
しても、成形体と電極とを一体焼成することができる。
そのため、電極焼き付けの工程が不要となり、工程を削
減でき、生産性が向上する。
スタ特性を有するバリスタを得ることができる。また、
このバリスタは電極にＡｇ等融点の低い金属を用いたと
しても、成形体と電極とを一体焼成することができる。
そのため、電極焼き付けの工程が不要となり、工程を削
減でき、生産性が向上する。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの側面図
１ バリスタ素子 ２ａ 電極 ２ｂ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−76504（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−67995（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−108297（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−108296（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (7)
- 【請求項１】 主成分酸化亜鉛に副成分として、少なく
とも硼素をＢ 2 Ｏ 3 に換算して０．０１〜０．１ｍｏｌ
％、ビスマスをＢｉ 2 Ｏ 3 に換算して０．１〜４．０ｍｏ
ｌ％、アンチモンをＳｂ 2 Ｏ 3 に換算してＢｉ 2 Ｏ 3 との比
が（Ｓｂ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％）／Ｂｉ 2 Ｏ 3 （ｍｏｌ％））≦
１．０となるように添加して成形体を作製する第１の工
程と、次に前記成形体表面に銀を主成分とする電極ペー
ストを塗布する第２の工程と、その後前記成形体と前記
電極ペーストを一体焼成する第３の工程とを有するバリ
スタの製造方法。 - 【請求項２】 成形体の副成分として、イットリウム
と、ランタノイドとを、それぞれＹ 2 Ｏ 3 、Ｌｎ 2 Ｏ 3 （ラ
ンタノイドをＬｎと表す。）に換算して、少なくとも一
種類０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求項１に記載
のバリスタの製造方法。 - 【請求項３】 成形体の副成分として、クロムをＣｒ 2
Ｏ 3 に換算して０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求
項１に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項４】 成形体の副成分として、錫と鉛をそれぞ
れＳｎＯ 2 とＰｂＯに換算して、少なくとも一種類０．
０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求項１に記載のバリス
タの製造方法。 - 【請求項５】 成形体の副成分として、ニッケルをＮｉ
Ｏに換算して０．０１〜１．０ｍｏｌ％添加する請求項
１に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項６】 成形体の副成分として、リンをＰ 2 Ｏ 5 に
換算して、０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求項１
に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項７】 成形体の副成分として、ニオブをＮｂ 2
Ｏ 5 に換算して０．０１〜０．５ｍｏｌ％添加する請求
項１に記載のバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01516994A JP3232849B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01516994A JP3232849B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226304A JPH07226304A (ja) | 1995-08-22 |
| JP3232849B2 true JP3232849B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=11881310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01516994A Expired - Fee Related JP3232849B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3232849B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009023847A1 (de) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | Epcos Ag | Varistorkeramik, Vielschichtbauelement umfassend die Varistorkeramik, Herstellungsverfahren für die Varistorkeramik |
-
1994
- 1994-02-09 JP JP01516994A patent/JP3232849B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07226304A (ja) | 1995-08-22 |
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