JP3245946B2 - 抵抗体 - Google Patents
抵抗体Info
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- JP3245946B2 JP3245946B2 JP10043092A JP10043092A JP3245946B2 JP 3245946 B2 JP3245946 B2 JP 3245946B2 JP 10043092 A JP10043092 A JP 10043092A JP 10043092 A JP10043092 A JP 10043092A JP 3245946 B2 JP3245946 B2 JP 3245946B2
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- Japan
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- resistance
- resistor
- mol
- film
- sintered body
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗特性のばらつきを
防止でき、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できると
ともに、電力容量を大きくできるようにした抵抗体に関
する。
防止でき、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できると
ともに、電力容量を大きくできるようにした抵抗体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、Ｒｕ酸化物，又はＲｕ化合物
を主体としたサーメット抵抗体は精度の優れた抵抗素子
として広く用いられている。このような抵抗体は、例え
ばアルミナ基板の表面に、上記Ｒｕ酸化物等からなる抵
抗ペーストを印刷して厚膜の抵抗膜を形成し、これを80
0 〜900 ℃で焼き付ける。そして上記アルミナ基板の抵
抗膜の表面にガラスペーストを塗布した後、焼き付けて
ガラス膜を形成し、これにより湿度等に対する耐環境性
を向上するようにしている。
を主体としたサーメット抵抗体は精度の優れた抵抗素子
として広く用いられている。このような抵抗体は、例え
ばアルミナ基板の表面に、上記Ｒｕ酸化物等からなる抵
抗ペーストを印刷して厚膜の抵抗膜を形成し、これを80
0 〜900 ℃で焼き付ける。そして上記アルミナ基板の抵
抗膜の表面にガラスペーストを塗布した後、焼き付けて
ガラス膜を形成し、これにより湿度等に対する耐環境性
を向上するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の抵抗体では、抵抗膜にガラス膜をコーティングする
ことから抵抗値が変化し易く、特性にばらつきが生じ易
いという問題がある。また上記ガラス膜にピンホールが
生じる場合があり、この結果湿度の高い雰囲気中では水
分等が侵入して抵抗特性を悪化させるという問題もあ
る。さらに上記従来の抵抗体では、アルミナ基板，抵抗
膜，及びガラス膜の熱膨張率がそれぞれ異なることか
ら、抵抗膜の基板への密着性が低く、その結果大きな電
力容量が得られないという問題点がある。
来の抵抗体では、抵抗膜にガラス膜をコーティングする
ことから抵抗値が変化し易く、特性にばらつきが生じ易
いという問題がある。また上記ガラス膜にピンホールが
生じる場合があり、この結果湿度の高い雰囲気中では水
分等が侵入して抵抗特性を悪化させるという問題もあ
る。さらに上記従来の抵抗体では、アルミナ基板，抵抗
膜，及びガラス膜の熱膨張率がそれぞれ異なることか
ら、抵抗膜の基板への密着性が低く、その結果大きな電
力容量が得られないという問題点がある。
【０００４】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、抵抗特性のばらつきを回避でき、かつ湿度に
対する耐環境性を向上できるとともに、大きな電力容量
が得られる抵抗体を提供することを目的としている。
たもので、抵抗特性のばらつきを回避でき、かつ湿度に
対する耐環境性を向上できるとともに、大きな電力容量
が得られる抵抗体を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、セラミ
クス焼結体の内部に少なくとも１つの抵抗膜を埋設して
なり、かつ上記焼結体が、ＺｎＯを主成分とし、これに
Ｂｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，ＭｎをそれぞれＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2
Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＭｎＯの酸化物に換算して0.1〜10mol
％,0.05 〜５mol ％，０〜５mol ％，０〜３mol ％含有
していることを特徴とする抵抗体である。
クス焼結体の内部に少なくとも１つの抵抗膜を埋設して
なり、かつ上記焼結体が、ＺｎＯを主成分とし、これに
Ｂｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，ＭｎをそれぞれＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2
Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＭｎＯの酸化物に換算して0.1〜10mol
％,0.05 〜５mol ％，０〜５mol ％，０〜３mol ％含有
していることを特徴とする抵抗体である。
【０００６】ここで、上記各副成分の添加量を限定した
理由について説明する。Ｂｉを上記範囲内で添加すると
電力容量は向上するが、単独では焼結体との反応や焼結
体の絶縁性が不充分となって抵抗値の直線性が悪化す
る。一方、上記ＢｉとともにＳｂを添加すると、Ｂｉ量
が少なくても焼結が進み、かつ焼結体の粒子の成長を抑
制して絶縁性を向上させることから、抵抗値の直線性が
向上する。しかし上記Ｓｂ量が0.05mol ％未満では焼結
せず、また５mol ％を越えると抵抗膜との反応によって
抵抗値が上昇し、特性のばらつきが大きくなり易い。
理由について説明する。Ｂｉを上記範囲内で添加すると
電力容量は向上するが、単独では焼結体との反応や焼結
体の絶縁性が不充分となって抵抗値の直線性が悪化す
る。一方、上記ＢｉとともにＳｂを添加すると、Ｂｉ量
が少なくても焼結が進み、かつ焼結体の粒子の成長を抑
制して絶縁性を向上させることから、抵抗値の直線性が
向上する。しかし上記Ｓｂ量が0.05mol ％未満では焼結
せず、また５mol ％を越えると抵抗膜との反応によって
抵抗値が上昇し、特性のばらつきが大きくなり易い。
【０００７】Ｃｏ，Ｍｎは、抵抗膜とは反応しないこと
から抵抗値を上昇させることはなく、必ずしも添加する
必要はないが、抵抗の直線性を向上させるためには添加
するのが望ましい。しかし上記Ｃｏ，Ｍｎの添加量がそ
れぞれ５mol ％，３mol ％を越えると抵抗膜と反応し易
くなり、抵抗の直線性を悪化させたり，抵抗値を上昇さ
せたりする。
から抵抗値を上昇させることはなく、必ずしも添加する
必要はないが、抵抗の直線性を向上させるためには添加
するのが望ましい。しかし上記Ｃｏ，Ｍｎの添加量がそ
れぞれ５mol ％，３mol ％を越えると抵抗膜と反応し易
くなり、抵抗の直線性を悪化させたり，抵抗値を上昇さ
せたりする。
【０００８】また、上記抵抗体を形成するには、複数の
セラミクスシートをこれの間に上記抵抗膜を介在させて
積層し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結し、これに
より焼結体を形成することとなる。
セラミクスシートをこれの間に上記抵抗膜を介在させて
積層し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結し、これに
より焼結体を形成することとなる。
【０００９】
【作用】本発明に係る抵抗体によれば、焼結体の内部に
抵抗膜を埋設し、該抵抗膜の周囲をセラミクスで覆った
ので、従来のガラスコーティングを不要にでき、それだ
け抵抗値の変化による特性のばらつきを回避できる。ま
たピンホールの問題も解消できることから、湿度等に対
する耐環境性を改善でき、この点からも抵抗特性の悪化
を回避できる。さらに、ＺｎＯを主成分とし、これにＢ
ｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，Ｍｎの酸化物を所定量添加したので、
これにより抵抗膜と焼結体との密着性を向上でき、しか
も抵抗膜の周囲は同一の焼結体で囲まれることから、放
熱性を向上でき、かつ熱膨張率の差による歪も少なくで
き、それだけ大きな電力容量を得ることができるととも
に、抵抗値の直線性を向上できる。
抵抗膜を埋設し、該抵抗膜の周囲をセラミクスで覆った
ので、従来のガラスコーティングを不要にでき、それだ
け抵抗値の変化による特性のばらつきを回避できる。ま
たピンホールの問題も解消できることから、湿度等に対
する耐環境性を改善でき、この点からも抵抗特性の悪化
を回避できる。さらに、ＺｎＯを主成分とし、これにＢ
ｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，Ｍｎの酸化物を所定量添加したので、
これにより抵抗膜と焼結体との密着性を向上でき、しか
も抵抗膜の周囲は同一の焼結体で囲まれることから、放
熱性を向上でき、かつ熱膨張率の差による歪も少なくで
き、それだけ大きな電力容量を得ることができるととも
に、抵抗値の直線性を向上できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例による抵抗体を説
明するための図である。図において、１は本実施例の抵
抗体である。この抵抗体１は略直方体状のセラミクス焼
結体３からなり、この焼結体３の内部にはＲｕ酸化物，
又はその化合物からなる抵抗膜４が埋設されている。こ
の抵抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂは上記焼結体３の
左, 右側面３ａ，３ｂに露出しており、残りの他の端面
は焼結体３内に封入されている。また、上記焼結体３の
左, 右側面３ａ，３ｂにはＡｇ−Ｐｄからなる外部電極
５が被覆形成されており、該外部電極５は上記抵抗膜４
の各端面４ａ，４ｂに接続されている。
る。図１及び図２は本発明の一実施例による抵抗体を説
明するための図である。図において、１は本実施例の抵
抗体である。この抵抗体１は略直方体状のセラミクス焼
結体３からなり、この焼結体３の内部にはＲｕ酸化物，
又はその化合物からなる抵抗膜４が埋設されている。こ
の抵抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂは上記焼結体３の
左, 右側面３ａ，３ｂに露出しており、残りの他の端面
は焼結体３内に封入されている。また、上記焼結体３の
左, 右側面３ａ，３ｂにはＡｇ−Ｐｄからなる外部電極
５が被覆形成されており、該外部電極５は上記抵抗膜４
の各端面４ａ，４ｂに接続されている。
【００１１】また、上記焼結体３は、複数のセラミクス
シート２を積層して構成されており、これは１枚のセラ
ミクスシート２の上面に上記抵抗膜４をパターン形成
し、この抵抗膜４が形成されたセラミクスシート２に残
りのセラミクスシート２をサンドイッチ状に重ね合わせ
て積層体を形成し、該積層体を一体焼結して形成された
ものである。
シート２を積層して構成されており、これは１枚のセラ
ミクスシート２の上面に上記抵抗膜４をパターン形成
し、この抵抗膜４が形成されたセラミクスシート２に残
りのセラミクスシート２をサンドイッチ状に重ね合わせ
て積層体を形成し、該積層体を一体焼結して形成された
ものである。
【００１２】そして、上記焼結体３を構成する各セラミ
ックシート２は、ＺｎＯを主成分とし、これに副成分と
してＢｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，Ｍｎを添加してなるセラミック
材料により構成されている。また、上記各副成分の添加
量はＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3，ＣｏＯ，ＭｎＯの酸化物
に換算してそれぞれ0.1 〜10mol ％,0.05 〜５mol ％，
０〜５mol ％，０〜３mol ％の範囲内となっている。
ックシート２は、ＺｎＯを主成分とし、これに副成分と
してＢｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，Ｍｎを添加してなるセラミック
材料により構成されている。また、上記各副成分の添加
量はＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3，ＣｏＯ，ＭｎＯの酸化物
に換算してそれぞれ0.1 〜10mol ％,0.05 〜５mol ％，
０〜５mol ％，０〜３mol ％の範囲内となっている。
【００１３】次に本実施例の作用効果について説明す
る。本実施例の抵抗体１によれば、焼結体３内に抵抗膜
４を埋設したので、この抵抗膜４の周囲はセラミクスで
覆われていることから、従来のガラスコーティングを不
要にでき、それだけ抵抗値の変化による特性のばらつき
を回避できる。またピンホールの問題も解消できること
から、湿度等に対する耐環境性を改善でき、抵抗特性の
悪化を回避できる。
る。本実施例の抵抗体１によれば、焼結体３内に抵抗膜
４を埋設したので、この抵抗膜４の周囲はセラミクスで
覆われていることから、従来のガラスコーティングを不
要にでき、それだけ抵抗値の変化による特性のばらつき
を回避できる。またピンホールの問題も解消できること
から、湿度等に対する耐環境性を改善でき、抵抗特性の
悪化を回避できる。
【００１４】また、上記焼結体３に、ＺｎＯを主成分と
し、これに副成分としてＢｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，Ｍｎの酸化
物を添加してなるセラミクス材料を採用したので、焼結
温度を低温化でき、これにより得られた抵抗膜４は焼結
体３との密着性が良く、しかも抵抗膜４の周囲は上記セ
ラミクス材料で囲まれていることから、放熱性を向上で
き、かつ熱膨張率の差による歪も少なくでき、それだけ
電力容量を向上できる。ちなみに、従来の抵抗素子では
100mW 程度であったのに対して、本実施例の抵抗体１で
は、従来素子の体積に比較して小型化を図りながら10倍
以上の電力容量が得られる。さらにまた上記各副成分を
添加したことにより抵抗値の直線性を向上できる。
し、これに副成分としてＢｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，Ｍｎの酸化
物を添加してなるセラミクス材料を採用したので、焼結
温度を低温化でき、これにより得られた抵抗膜４は焼結
体３との密着性が良く、しかも抵抗膜４の周囲は上記セ
ラミクス材料で囲まれていることから、放熱性を向上で
き、かつ熱膨張率の差による歪も少なくでき、それだけ
電力容量を向上できる。ちなみに、従来の抵抗素子では
100mW 程度であったのに対して、本実施例の抵抗体１で
は、従来素子の体積に比較して小型化を図りながら10倍
以上の電力容量が得られる。さらにまた上記各副成分を
添加したことにより抵抗値の直線性を向上できる。
【００１５】さらに、本実施例では、従来のガラスペー
ストを塗布した後、焼き付ける工程を不要にできること
から、その分だけ製造コストを低減できる。さらにまた
抵抗膜の積層化が可能となることから、同一パターン，
同一工程で抵抗値の異なる各種の抵抗膜を自由に設定で
きる。
ストを塗布した後、焼き付ける工程を不要にできること
から、その分だけ製造コストを低減できる。さらにまた
抵抗膜の積層化が可能となることから、同一パターン，
同一工程で抵抗値の異なる各種の抵抗膜を自由に設定で
きる。
【００１６】次に本実施例の抵抗体１の一製造方法につ
いて説明する。まず、ＺｎＯを主成分とし、これにＢ
ｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，ＭｎをＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｃｏ
Ｏ，ＭｎＯ酸化物に換算してそれぞれ0.1 〜10mol ％,
0.05 〜５mol ％，０〜５mol ％，０〜３mol ％となる
よう配合してセラミクス粉末を形成する。この粉末に純
水を加えてボールミルで粉砕混合してスラリーを形成す
る。
いて説明する。まず、ＺｎＯを主成分とし、これにＢ
ｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，ＭｎをＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｃｏ
Ｏ，ＭｎＯ酸化物に換算してそれぞれ0.1 〜10mol ％,
0.05 〜５mol ％，０〜５mol ％，０〜３mol ％となる
よう配合してセラミクス粉末を形成する。この粉末に純
水を加えてボールミルで粉砕混合してスラリーを形成す
る。
【００１７】次に、上記スラリーを蒸発乾燥させて、75
0 ℃で２時間仮焼成する。この仮焼成物を粗粉砕し、こ
れに純水を加えてボールミルで微粉砕してセラミクス原
料を形成する。次いで、この原料に、エチルアルコール
及びトルエンを６：４の割合で混合した溶媒を加えてボ
ールミルで混合してスラリーを形成する。
0 ℃で２時間仮焼成する。この仮焼成物を粗粉砕し、こ
れに純水を加えてボールミルで微粉砕してセラミクス原
料を形成する。次いで、この原料に、エチルアルコール
及びトルエンを６：４の割合で混合した溶媒を加えてボ
ールミルで混合してスラリーを形成する。
【００１８】上記スラリーをドクタブレード法により、
厚さ70μm のグリーンシートを形成し、このグリーシー
トを乾燥させた後、所定の大きさにカットして矩形状の
セラミクスシート２を多数枚形成する。
厚さ70μm のグリーンシートを形成し、このグリーシー
トを乾燥させた後、所定の大きさにカットして矩形状の
セラミクスシート２を多数枚形成する。
【００１９】次に、ＲｕＯ2 ：Ｒｕ2 Ｐｂ2 Ｏ7 ：Ｒｕ
2 Ｂｉ2 Ｏ7 ＝６：２：２mol 比で配合してなる組成物
に、ビヒクルを加えて抵抗ペーストを形成する。この抵
抗ペーストを上記１枚のセラミクスシート２の上面に印
刷して抵抗膜４を形成する。この場合、上記抵抗膜４の
左, 右端面４ａ，４ｂがセラミックシート２の左, 右外
縁に位置し、残り他の端面はシート２の内側に位置する
よう形成する。
2 Ｂｉ2 Ｏ7 ＝６：２：２mol 比で配合してなる組成物
に、ビヒクルを加えて抵抗ペーストを形成する。この抵
抗ペーストを上記１枚のセラミクスシート２の上面に印
刷して抵抗膜４を形成する。この場合、上記抵抗膜４の
左, 右端面４ａ，４ｂがセラミックシート２の左, 右外
縁に位置し、残り他の端面はシート２の内側に位置する
よう形成する。
【００２０】次いで、上記抵抗膜４が形成されたセラミ
クスシート２の上面，及び下面に複数枚のセラミクスシ
ート２を重ね合わせて積層し、これに２t/cm2 の圧力を
加えて圧着し、これにより積層体を形成する。次に、こ
の積層体を所定の大きさにカットし、これを400 ℃に加
熱してバインダーを飛散させた後、930 ℃に昇温加熱し
て３時間焼成して焼結体３を形成する。
クスシート２の上面，及び下面に複数枚のセラミクスシ
ート２を重ね合わせて積層し、これに２t/cm2 の圧力を
加えて圧着し、これにより積層体を形成する。次に、こ
の積層体を所定の大きさにカットし、これを400 ℃に加
熱してバインダーを飛散させた後、930 ℃に昇温加熱し
て３時間焼成して焼結体３を形成する。
【００２１】これにより得られた焼結体３をバレル研磨
した後、これの左, 右側面３ａ，３ｂにＡｇ：Ｐｄ＝
７：３wt比からなる電極ペーストを塗布し、これを850
℃で10分間焼き付けて外部電極５を形成し、該外部電極
５と抵抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂとを電気的に接続
する。これにより本実施例の抵抗体１が製造される。
した後、これの左, 右側面３ａ，３ｂにＡｇ：Ｐｄ＝
７：３wt比からなる電極ペーストを塗布し、これを850
℃で10分間焼き付けて外部電極５を形成し、該外部電極
５と抵抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂとを電気的に接続
する。これにより本実施例の抵抗体１が製造される。
【００２２】
【表１】
【００２３】次に本実施例の抵抗体１の効果を確認する
ために行った試験について説明する。この試験は、表１
に示すように、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量を0.1 〜30.0mol
％，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＭｎＯの添加量をそれぞれ0.
03〜10.0mol ％の範囲で変化させて上記製造方法により
多数の試料No. １〜No. ５２を作成し、この各試料の抵
抗値（Ω），３ＣＶ（３σ／平均×100 ％) ，電力容量
（mW) ，及び抵抗値の直線性（α）を測定して行った。
なお、直線性はα＝１/log( Ｒ1mA / Ｒ0.1mA ）により
求めた。また、表中、＊印は本発明の請求範囲外を示
す。
ために行った試験について説明する。この試験は、表１
に示すように、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量を0.1 〜30.0mol
％，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＭｎＯの添加量をそれぞれ0.
03〜10.0mol ％の範囲で変化させて上記製造方法により
多数の試料No. １〜No. ５２を作成し、この各試料の抵
抗値（Ω），３ＣＶ（３σ／平均×100 ％) ，電力容量
（mW) ，及び抵抗値の直線性（α）を測定して行った。
なお、直線性はα＝１/log( Ｒ1mA / Ｒ0.1mA ）により
求めた。また、表中、＊印は本発明の請求範囲外を示
す。
【００２４】
【表２】
【００２５】表２はその結果を示す。同表からも明らか
なように、Ｂｉ2 Ｏ3 のみ添加してなる各試料No. １〜
７の場合は、焼結できず抵抗体として使用できなかった
り，焼結できても抵抗値の直線性が1.51以上と悪化して
おり、単独では焼結体との反応や焼結体の絶縁性が不充
分となっている。また、Ｓｂ2 Ｏ3 の添加量が0.03mol
％未満の各試料No. ８，３５，４１，４７の場合は、セ
ラミクスの焼結が進んでおらず抵抗体として使用できな
い。一方、上記添加量が10mol ％を越える試料No. １６
の場合は、抵抗値が3.4MΩと上昇しており、しかも抵抗
がばらつき, 電力容量が低下している。さらに、ＣｏＯ
の添加量が10mol ％, 及びＭｎＯの添加量が５mol ％を
越える各試料No. ２５，３３，３４の場合は、抵抗値が
上昇したり，直線性が悪化している。
なように、Ｂｉ2 Ｏ3 のみ添加してなる各試料No. １〜
７の場合は、焼結できず抵抗体として使用できなかった
り，焼結できても抵抗値の直線性が1.51以上と悪化して
おり、単独では焼結体との反応や焼結体の絶縁性が不充
分となっている。また、Ｓｂ2 Ｏ3 の添加量が0.03mol
％未満の各試料No. ８，３５，４１，４７の場合は、セ
ラミクスの焼結が進んでおらず抵抗体として使用できな
い。一方、上記添加量が10mol ％を越える試料No. １６
の場合は、抵抗値が3.4MΩと上昇しており、しかも抵抗
がばらつき, 電力容量が低下している。さらに、ＣｏＯ
の添加量が10mol ％, 及びＭｎＯの添加量が５mol ％を
越える各試料No. ２５，３３，３４の場合は、抵抗値が
上昇したり，直線性が悪化している。
【００２６】これに対して、添加量が本発明範囲内の各
試料No. ９〜１５，１７〜２４，２６〜３２，３６〜４
０，４２〜４６，４８〜５２の場合は、抵抗値が0.41K
〜11.3K Ωと低く、ばらつきが10〜32％と小さくなって
いる。しかも電力容量は760〜1860mWと大幅に向上して
おり、抵抗値の直線性は1.00〜1.35とこの点においても
向上していることがわかる。
試料No. ９〜１５，１７〜２４，２６〜３２，３６〜４
０，４２〜４６，４８〜５２の場合は、抵抗値が0.41K
〜11.3K Ωと低く、ばらつきが10〜32％と小さくなって
いる。しかも電力容量は760〜1860mWと大幅に向上して
おり、抵抗値の直線性は1.00〜1.35とこの点においても
向上していることがわかる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明に係る抵抗体によれ
ば、焼結体の内部に抵抗膜を埋設し、かつ焼結体に、Ｚ
ｎＯを主成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｃ
ｏＯ，ＭｎＯの酸化物をそれぞれ0.1 〜10mol ％,0.05
〜５mol ％，０〜５mol ％，０〜３mol ％含有してなる
セラミクス材料を採用したので、抵抗値の変化による特
性のばらつきを回避でき、かつ湿度等に対する耐環境性
を向上できる効果があるとともに、電力容量，及び抵抗
値の直線性を向上できる効果がある。
ば、焼結体の内部に抵抗膜を埋設し、かつ焼結体に、Ｚ
ｎＯを主成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｃ
ｏＯ，ＭｎＯの酸化物をそれぞれ0.1 〜10mol ％,0.05
〜５mol ％，０〜５mol ％，０〜３mol ％含有してなる
セラミクス材料を採用したので、抵抗値の変化による特
性のばらつきを回避でき、かつ湿度等に対する耐環境性
を向上できる効果があるとともに、電力容量，及び抵抗
値の直線性を向上できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による抵抗体を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図２】上記実施例の抵抗体の製造方法を示す分解斜視
図である。
図である。
１ 抵抗体 ３ 焼結体 ４ 抵抗膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 広次 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭63−37601（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−47001（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−24402（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130502（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミクス焼結体の内部に少なくとも１
つの抵抗膜を埋設してなり、かつ上記焼結体が、ＺｎＯ
を主成分とし、これにＢｉ，Ｓｂ，Ｃｏ，Ｍｎをそれぞ
れＢｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＭｎＯの酸化物に
換算して0.1〜10mol ％,0.05 〜５mol ％，０〜５mol
％，０〜３mol ％含有していることを特徴とする抵抗
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043092A JP3245946B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 抵抗体 |
| US08/014,362 US5355112A (en) | 1992-02-07 | 1993-02-05 | Fixed resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043092A JP3245946B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275214A JPH05275214A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3245946B2 true JP3245946B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=14273743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10043092A Expired - Fee Related JP3245946B2 (ja) | 1992-02-07 | 1992-03-25 | 抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3245946B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5321570B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2013-10-23 | Ｔｄｋ株式会社 | チップバリスタ |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP10043092A patent/JP3245946B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05275214A (ja) | 1993-10-22 |
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