JPH02276203A - 積層型サーミスタの製造方法 - Google Patents
積層型サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH02276203A JPH02276203A JP9824589A JP9824589A JPH02276203A JP H02276203 A JPH02276203 A JP H02276203A JP 9824589 A JP9824589 A JP 9824589A JP 9824589 A JP9824589 A JP 9824589A JP H02276203 A JPH02276203 A JP H02276203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- dried
- cut
- conducted
- green sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- ZJRWDIJRKKXMNW-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;cobalt Chemical compound [Co].OC(O)=O ZJRWDIJRKKXMNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 229910000001 cobalt(II) carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229910017539 Cu-Li Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、素体の構成金属元素がＣｏ、Ｃｕ。
Ｌｉからなる積層型サーミスタに関するものである。
従来の技術
一般に負特性のサーミスタ（以下サーミスタと称する。
）は、セラミックの温度上昇に伴い、抵抗値が減少する
性質を有している。今、温度をＴ、抵抗値をＲとすると
、その間には、下記の関Ｒ＝ Ｒｏ ｅ ｘ ｐ
Ｂ （Ｔ Ｔ。）ここで、Ｒｏ！！Ｔｏ［Ｋ］におけ
るサーミスタの抵抗であり、Ｔｏ［Ｋ］は基準となる任
意の温度である。また、Ｒは温度Ｔ ［Ｋ］のときの抵
抗値であり、Ｂはサーミスタ定数［Ｋ］である。
性質を有している。今、温度をＴ、抵抗値をＲとすると
、その間には、下記の関Ｒ＝ Ｒｏ ｅ ｘ ｐ
Ｂ （Ｔ Ｔ。）ここで、Ｒｏ！！Ｔｏ［Ｋ］におけ
るサーミスタの抵抗であり、Ｔｏ［Ｋ］は基準となる任
意の温度である。また、Ｒは温度Ｔ ［Ｋ］のときの抵
抗値であり、Ｂはサーミスタ定数［Ｋ］である。
この性質を利用して、サーミスタは、温度センサ、液面
計などの各種センサや温度補償回路やサージ防止回路に
用いられてきた。そして、これらに用いるセラミックス
の形状もディスク型、ビード型、ワッシャ型など、多く
の種類がある。
計などの各種センサや温度補償回路やサージ防止回路に
用いられてきた。そして、これらに用いるセラミックス
の形状もディスク型、ビード型、ワッシャ型など、多く
の種類がある。
その中で積層型は広い電極面積を有するため、高比抵抗
の材料でも低抵抗の素子に応用できる利点がある構造と
して、従来から多くの材料で用いられてきた。
の材料でも低抵抗の素子に応用できる利点がある構造と
して、従来から多くの材料で用いられてきた。
発明が解決しようとする課題
サーミスタの電気特性である比抵抗、Ｂ定数は材料系に
よって大体決定されるが、現在市販されているサーミス
タでは、高Ｂ定数を有する材料は同時に高比抵抗でもあ
り、積層型にした場合でも素子の低抵抗化には限界があ
り、低抵抗で高Ｂ定数を必要とする水温計などには使用
することができないという問題があった。
よって大体決定されるが、現在市販されているサーミス
タでは、高Ｂ定数を有する材料は同時に高比抵抗でもあ
り、積層型にした場合でも素子の低抵抗化には限界があ
り、低抵抗で高Ｂ定数を必要とする水温計などには使用
することができないという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、低抵抗で
高Ｂ定数のサーミスタを得ることを目的とするものであ
る。
高Ｂ定数のサーミスタを得ることを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、素体が金属酸化
物の焼結混合体からなり、その構成金属元素がＣｏ、Ｃ
ｕ、Ｌｉから構成され、内部に両端面から交互に他方の
端面近傍に向い伸びた内部を有し、かつ両端面に上記内
部電極と電気的に接続された外部電極を具備してなるも
のである。
物の焼結混合体からなり、その構成金属元素がＣｏ、Ｃ
ｕ、Ｌｉから構成され、内部に両端面から交互に他方の
端面近傍に向い伸びた内部を有し、かつ両端面に上記内
部電極と電気的に接続された外部電極を具備してなるも
のである。
作用
上記材料を用いて積層構造にすることにより、高Ｂ定数
でかつ従来にない低抵抗のサーミスタ素子を得ることが
できる。
でかつ従来にない低抵抗のサーミスタ素子を得ることが
できる。
実施例
以下に本発明の一実施例について説明する。
市販のＣ０ＣＯ３（７３，０〜９９．４原子％）、Ｃｕ
Ｏ（０，１〜７．０原子％）、及びＬｉ２Ｃ（ｈ（０
，５〜２０．０原子％）を合計１００原子％になるよう
に配合、混合し、乾燥後、７００〜９００℃で仮焼を行
う。次に、その仮焼粉をボールで湿式粉砕を行い、乾燥
する。このようにして得られたサーミスタ粉末に対し、
バインダー、可塑剤、分散剤、有機溶剤を加えスラリー
化し、ドクタブレード法により任意の厚みのグリーンシ
ートを形成する。これを所定の大きさに切断し、内部電
極としてＰｄ、Ｐｔ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｐｔ−Ａｇのうち一
種を印刷塗布、乾燥したものを必要に応じて数枚重ね、
最後に圧着を行う。それを所定の大きさに切断する。こ
のようにして得た素子はパイングアウドを行った後、Ｎ
２ガスフロー中で１０００〜１２００℃で焼成を行う。
Ｏ（０，１〜７．０原子％）、及びＬｉ２Ｃ（ｈ（０
，５〜２０．０原子％）を合計１００原子％になるよう
に配合、混合し、乾燥後、７００〜９００℃で仮焼を行
う。次に、その仮焼粉をボールで湿式粉砕を行い、乾燥
する。このようにして得られたサーミスタ粉末に対し、
バインダー、可塑剤、分散剤、有機溶剤を加えスラリー
化し、ドクタブレード法により任意の厚みのグリーンシ
ートを形成する。これを所定の大きさに切断し、内部電
極としてＰｄ、Ｐｔ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｐｔ−Ａｇのうち一
種を印刷塗布、乾燥したものを必要に応じて数枚重ね、
最後に圧着を行う。それを所定の大きさに切断する。こ
のようにして得た素子はパイングアウドを行った後、Ｎ
２ガスフロー中で１０００〜１２００℃で焼成を行う。
次いで素子の面取りを行った後、Ａｇで外部電極を形成
し、６００℃で焼付けを行う。
し、６００℃で焼付けを行う。
第１図はこのようにして得られた積層型サーミスタを示
し、ｌはＣｏ−Ｃｕ−Ｌｉ系サーミスタ、２は内部電極
、３は外部電極である。
し、ｌはＣｏ−Ｃｕ−Ｌｉ系サーミスタ、２は内部電極
、３は外部電極である。
第１表にはＣｏ−Ｃｕ−Ｌｉ系材料と市販の高Ｂ定数サ
ーミスタの比抵抗、Ｂ定数を示し、第２表には上記工程
によって作製された素子の抵抗値を示す。
ーミスタの比抵抗、Ｂ定数を示し、第２表には上記工程
によって作製された素子の抵抗値を示す。
く第１表〉
る。Ｊ
第２表からも解るように従来の市販品だと低抵抗化にも
限界があり、シート厚が２０μｍ以下になると、製造上
非常に困難なものとなる。また、積層数を増やし、総置
極面積を大きくして低抵抗化を図れるが、形状的に太き
（なり不適当である。これに対し、本発明にかかるＣｏ
−Ｃｕ−Ｌｉ系のサーミスタは、十分に低抵抗化が図れ
ていることが解る。
限界があり、シート厚が２０μｍ以下になると、製造上
非常に困難なものとなる。また、積層数を増やし、総置
極面積を大きくして低抵抗化を図れるが、形状的に太き
（なり不適当である。これに対し、本発明にかかるＣｏ
−Ｃｕ−Ｌｉ系のサーミスタは、十分に低抵抗化が図れ
ていることが解る。
発明の効果
以上のように、本発明は構成金属元素がｃｏ。
Ｃｕ、Ｌｉである酸化物系サーミスタを用いて、積層構
造にすることにより、従来材料では得られない低抵抗で
高Ｂ定数の素子を得ることができる。この発明は水温計
なとのセンサに用いて大きな効果をもち、その工業的価
値は大なるものである。
造にすることにより、従来材料では得られない低抵抗で
高Ｂ定数の素子を得ることができる。この発明は水温計
なとのセンサに用いて大きな効果をもち、その工業的価
値は大なるものである。
第１図は本発明の一実施例による積層型サーミスタを示
す断面図である。 １・・・・・・Ｃｏ−Ｃｕ−Ｌｉ系サーミスタ、２・・
・・・・内部電極、３・・・・・・外部電極。
す断面図である。 １・・・・・・Ｃｏ−Ｃｕ−Ｌｉ系サーミスタ、２・・
・・・・内部電極、３・・・・・・外部電極。
Claims (1)
- 素体が金属酸化物の焼結混合体からなり、その構成金
属元素がＣｏ，Ｃｕ，Ｌｉから構成され、内部に両端面
から交互に他方の端面近傍に向い伸びた内部電極を有し
、かつ両端面に上記内部電極と電気的に接続された外部
電極を具備してなる積層型サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9824589A JPH02276203A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 積層型サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9824589A JPH02276203A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 積層型サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276203A true JPH02276203A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14214576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9824589A Pending JPH02276203A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 積層型サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02276203A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082314A1 (de) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Epcos Ag | Elektrisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung |
| US6588094B2 (en) * | 1998-10-13 | 2003-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing thermistor chips |
| WO2006085507A1 (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面実装型負特性サーミスタ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236103A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | 日本電気株式会社 | 金属酸化物チツプバリスタ |
| JPS62137804A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPS63110703A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
| JPS63296301A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
| JPS63296304A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP9824589A patent/JPH02276203A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236103A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | 日本電気株式会社 | 金属酸化物チツプバリスタ |
| JPS62137804A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPS63110703A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
| JPS63296301A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
| JPS63296304A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6588094B2 (en) * | 1998-10-13 | 2003-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing thermistor chips |
| WO2001082314A1 (de) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Epcos Ag | Elektrisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung |
| WO2006085507A1 (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面実装型負特性サーミスタ |
| JP2008177611A (ja) * | 2005-02-08 | 2008-07-31 | Murata Mfg Co Ltd | 表面実装型負特性サーミスタ |
| US7548149B2 (en) | 2005-02-08 | 2009-06-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-mount negative-characteristic thermistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3711857B2 (ja) | 負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物及び負特性サーミスタ | |
| TWI222086B (en) | Manufacturing method of laminated ceramic electronic device | |
| JPH06302403A (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| JP3064659B2 (ja) | 積層型セラミック素子の製造方法 | |
| JP3438736B2 (ja) | 積層型半導体磁器の製造方法 | |
| JPH02276203A (ja) | 積層型サーミスタの製造方法 | |
| JP2013197447A (ja) | 積層バリスタの製造方法 | |
| JP2001006902A (ja) | 積層型半導体セラミック電子部品 | |
| JP3319471B2 (ja) | 正特性サーミスタ用積層型半導体磁器及びその製造方法 | |
| JPH11307312A (ja) | 積層型バリスタおよびその製造方法 | |
| JP2727626B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2976250B2 (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
| JPH11340090A (ja) | 粒界絶縁型積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH0214501A (ja) | 電圧非直線抵抗器 | |
| JP2002043103A (ja) | 積層型半導体セラミック素子およびその製造方法 | |
| JP2705221B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| KR20010062320A (ko) | 모놀리식 반도체 세라믹 전자부품 | |
| JPH0536503A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JP4144080B2 (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| JP2666605B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
| JP3245933B2 (ja) | 抵抗体 | |
| JPH0714702A (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 | |
| JP3245946B2 (ja) | 抵抗体 | |
| JP2707706B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JPS63219115A (ja) | 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 |