JP3246229B2 - チップ状電子部品およびその製造方法 - Google Patents
チップ状電子部品およびその製造方法Info
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- JP3246229B2 JP3246229B2 JP25505894A JP25505894A JP3246229B2 JP 3246229 B2 JP3246229 B2 JP 3246229B2 JP 25505894 A JP25505894 A JP 25505894A JP 25505894 A JP25505894 A JP 25505894A JP 3246229 B2 JP3246229 B2 JP 3246229B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度配線回路に用いら
れるチップ状電子部品およびその製造方法に関するもの
である。
れるチップ状電子部品およびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化に対する要
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、電子部品には非常に小型なチップ状電子部品
が多く用いられるようになってきた。
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、電子部品には非常に小型なチップ状電子部品
が多く用いられるようになってきた。
【０００３】従来のチップ状電子部品の内、最も出荷数
量の多い角形チップ抵抗器に関して説明する。
量の多い角形チップ抵抗器に関して説明する。
【０００４】従来の厚膜タイプの角形チップ抵抗器の構
造の一例を図４、図５に示す。図４は斜視図、図５は断
面図である。
造の一例を図４、図５に示す。図４は斜視図、図５は断
面図である。
【０００５】従来の角形チップ抵抗器は９６アルミナ基
板１０上に形成された一対の銀系厚膜電極による一対の
上面電極層１１と、前記上面電極層１１と接続するよう
に形成されたルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層１２
と、前記抵抗層１２を完全に覆うガラスによる保護層１
４と、前記上面電極層１１の一部と重なる銀系厚膜の側
面電極層１３とからなっている。なお、上面電極層１１
と側面電極層１３の露出部分にははんだ付け性を確保す
るためにＮｉメッキ層１５とはんだメッキ層１６を形成
している。
板１０上に形成された一対の銀系厚膜電極による一対の
上面電極層１１と、前記上面電極層１１と接続するよう
に形成されたルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層１２
と、前記抵抗層１２を完全に覆うガラスによる保護層１
４と、前記上面電極層１１の一部と重なる銀系厚膜の側
面電極層１３とからなっている。なお、上面電極層１１
と側面電極層１３の露出部分にははんだ付け性を確保す
るためにＮｉメッキ層１５とはんだメッキ層１６を形成
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この角形チッ
プ抵抗器の側面電極は銀系厚膜ペーストを約６００℃程
度の温度で焼成し形成するため、側面電極形成以前に調
整された側面電極間の抵抗値が抵抗層１２の熱影響によ
り変化する。この抵抗値の変化は近年市場が大きくなっ
ている精密（±１％，±０．５％）級の角形チップ抵抗
器の製造歩留を悪化する主要因となっている。
プ抵抗器の側面電極は銀系厚膜ペーストを約６００℃程
度の温度で焼成し形成するため、側面電極形成以前に調
整された側面電極間の抵抗値が抵抗層１２の熱影響によ
り変化する。この抵抗値の変化は近年市場が大きくなっ
ている精密（±１％，±０．５％）級の角形チップ抵抗
器の製造歩留を悪化する主要因となっている。
【０００７】一般に側面電極形成時の温度を下げるため
には、銀系厚膜材料の低温化、樹脂系電極の採用、スパ
ッタ電極の採用が考えられてきた。しかし、（１）銀系
厚膜材料の低温化には銀系厚膜材料中のガラス材料のガ
ラス転移点を下げる必要があり、ガラス転移点を下げる
ことによりガラス材料の耐酸性が低下し、Ｎｉメッキ中
にメッキ液の酸により強度が大幅に劣化してしまう。
（２）樹脂系電極は耐熱性に乏しく、角形チップ抵抗器
が実装される保証温度（２７０℃ １０秒）で強度が劣
化してしまう。（３）スパッタ工程は生産性に乏しいと
ともに設備費用が膨大となり、製造原価が増加するとい
った欠点を有しているため、一部の高価格の薄膜チップ
抵抗器以外ほとんど導入されていない。
には、銀系厚膜材料の低温化、樹脂系電極の採用、スパ
ッタ電極の採用が考えられてきた。しかし、（１）銀系
厚膜材料の低温化には銀系厚膜材料中のガラス材料のガ
ラス転移点を下げる必要があり、ガラス転移点を下げる
ことによりガラス材料の耐酸性が低下し、Ｎｉメッキ中
にメッキ液の酸により強度が大幅に劣化してしまう。
（２）樹脂系電極は耐熱性に乏しく、角形チップ抵抗器
が実装される保証温度（２７０℃ １０秒）で強度が劣
化してしまう。（３）スパッタ工程は生産性に乏しいと
ともに設備費用が膨大となり、製造原価が増加するとい
った欠点を有しているため、一部の高価格の薄膜チップ
抵抗器以外ほとんど導入されていない。
【０００８】同様にチップコンデンサ等のチップ状電子
部品においても、低温プロセス化による電気特性値の工
程変化の低減は強く望まれているが同様の問題で実用化
が進んでいない。
部品においても、低温プロセス化による電気特性値の工
程変化の低減は強く望まれているが同様の問題で実用化
が進んでいない。
【０００９】本発明はこのような課題を解決するもの
で、側面電極間の抵抗値が変化しない低温度（２００℃
〜４００℃）で耐酸性、耐熱性に優れた側面電極層を形
成し、製造歩留を向上することにより、高性能なチップ
状電子部品を安価に提供することを目的とする。
で、側面電極間の抵抗値が変化しない低温度（２００℃
〜４００℃）で耐酸性、耐熱性に優れた側面電極層を形
成し、製造歩留を向上することにより、高性能なチップ
状電子部品を安価に提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、電子部品の本体の一面あるいは複数面に
外部電極を被着形成し、この外部電極を銀と鉛の混合し
た微粒子を溶剤中に分散させた溶液を塗布・熱処理する
ことにより形成した０．１μｍ〜２μｍの厚みの側面電
極層と、この側面電極層の上に第２層としてＮｉメッキ
層、第３層としてはんだメッキ層を施して構成され、側
面電極層は粒径０．００５μｍ〜０．０３μｍの銀と鉛
の混合した微粒子を溶剤中に分散させた溶液を塗布し、
２００〜４００℃の温度で熱処理することにより製造さ
れる。
に本発明では、電子部品の本体の一面あるいは複数面に
外部電極を被着形成し、この外部電極を銀と鉛の混合し
た微粒子を溶剤中に分散させた溶液を塗布・熱処理する
ことにより形成した０．１μｍ〜２μｍの厚みの側面電
極層と、この側面電極層の上に第２層としてＮｉメッキ
層、第３層としてはんだメッキ層を施して構成され、側
面電極層は粒径０．００５μｍ〜０．０３μｍの銀と鉛
の混合した微粒子を溶剤中に分散させた溶液を塗布し、
２００〜４００℃の温度で熱処理することにより製造さ
れる。
【００１１】
【作用】以上のように側面電極層は粒径０．００５μｍ
〜０．０３μｍの銀と鉛の混合した微粒子を溶剤中に分
散させた溶液を塗布し、２００〜４００℃の温度で熱処
理することにより、溶剤が飛散するとともに微粒子が絶
縁基板上に均一に広がり、加熱により安定した膜を形成
する（モデルとしては薄膜スパッタに近い膜形成状態と
なり、絶縁基板と側面電極層は共有結合により接合して
いると考える）。これにより側面電極間の抵抗値が変化
しない低温度で耐酸性、耐熱性に優れた側面電極層を形
成し、製造歩留を向上することにより、高性能な（例え
ば精密抵抗値の（±１％、±０．５％）角形チップ抵抗
器）チップ状電子部品を安価で提供することができる。
〜０．０３μｍの銀と鉛の混合した微粒子を溶剤中に分
散させた溶液を塗布し、２００〜４００℃の温度で熱処
理することにより、溶剤が飛散するとともに微粒子が絶
縁基板上に均一に広がり、加熱により安定した膜を形成
する（モデルとしては薄膜スパッタに近い膜形成状態と
なり、絶縁基板と側面電極層は共有結合により接合して
いると考える）。これにより側面電極間の抵抗値が変化
しない低温度で耐酸性、耐熱性に優れた側面電極層を形
成し、製造歩留を向上することにより、高性能な（例え
ば精密抵抗値の（±１％、±０．５％）角形チップ抵抗
器）チップ状電子部品を安価で提供することができる。
【００１２】
【実施例】以下、チップ状電子部品の内、最も出荷数量
の多い角形チップ抵抗器を例にして実施例を説明する。
の多い角形チップ抵抗器を例にして実施例を説明する。
【００１３】図１は本発明の実施例を示す斜視図であ
り、図２は断面図である。図１において、本発明の角形
チップ抵抗器は、９６アルミナ基板１と、前記９６アル
ミナ基板１の一方の面上の銀系厚膜の一対の上面電極層
２と、他方の面上の裏面電極層５と、前記上面電極層２
の一部に重なるルテニウム系厚膜の抵抗層４と、前記抵
抗層４を完全に覆う樹脂による保護層６と、前記上面電
極層２の一部および裏面電極層５の一部に重なる厚さ
０．１μｍ〜２μｍの銀系の一対の側面電極層３と、上
面電極層２と側面電極層３の露出部分に形成されたＮｉ
メッキ層７とはんだメッキ層８より構成されている。
り、図２は断面図である。図１において、本発明の角形
チップ抵抗器は、９６アルミナ基板１と、前記９６アル
ミナ基板１の一方の面上の銀系厚膜の一対の上面電極層
２と、他方の面上の裏面電極層５と、前記上面電極層２
の一部に重なるルテニウム系厚膜の抵抗層４と、前記抵
抗層４を完全に覆う樹脂による保護層６と、前記上面電
極層２の一部および裏面電極層５の一部に重なる厚さ
０．１μｍ〜２μｍの銀系の一対の側面電極層３と、上
面電極層２と側面電極層３の露出部分に形成されたＮｉ
メッキ層７とはんだメッキ層８より構成されている。
【００１４】次に、図１に示した本発明の実施例の製造
方法について説明する。まず、耐熱性および絶縁性に優
れた９６アルミナ基板１を受け入れる。このアルミナ基
板１には短冊状および個片状に分割するために、分割溝
（グリーンシート時に金型成形）が形成されている。次
に、前記９６アルミナ基板１の表面に厚膜銀ペーストを
スクリーン印刷・乾燥し、裏面にも厚膜銀ペーストをス
クリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成炉によって８
５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ ４５
分のプロファイルによって焼成し上面電極層２および裏
面電極層５を形成した。次に、上面電極層２の一部に重
なるようにＲｕＯ2を主成分とする厚膜抵抗ペーストを
スクリーン印刷し、ベルト式連続焼成炉により８５０℃
の温度でピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ ４５分のプロ
ファイルによって焼成して抵抗層４を形成した。
方法について説明する。まず、耐熱性および絶縁性に優
れた９６アルミナ基板１を受け入れる。このアルミナ基
板１には短冊状および個片状に分割するために、分割溝
（グリーンシート時に金型成形）が形成されている。次
に、前記９６アルミナ基板１の表面に厚膜銀ペーストを
スクリーン印刷・乾燥し、裏面にも厚膜銀ペーストをス
クリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成炉によって８
５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ ４５
分のプロファイルによって焼成し上面電極層２および裏
面電極層５を形成した。次に、上面電極層２の一部に重
なるようにＲｕＯ2を主成分とする厚膜抵抗ペーストを
スクリーン印刷し、ベルト式連続焼成炉により８５０℃
の温度でピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ ４５分のプロ
ファイルによって焼成して抵抗層４を形成した。
【００１５】次に、前記上面電極層２間の前記抵抗層４
の抵抗値を揃えるために、レーザー光によって前記抵抗
層４の一部を破壊し抵抗値修正（Ｌカット、３０mm／
秒、１２ｋHz、５Ｗ）を行った。続いて、前記抵抗層４
を完全に覆うようにエポキシ系樹脂ペーストをスクリー
ン印刷し、ベルト式連続硬化炉によって２００℃の温度
で、ピーク時間３０分、ＩＮ−ＯＵＴ ５０分の焼成プ
ロファイルによって硬化し保護層６を形成した。
の抵抗値を揃えるために、レーザー光によって前記抵抗
層４の一部を破壊し抵抗値修正（Ｌカット、３０mm／
秒、１２ｋHz、５Ｗ）を行った。続いて、前記抵抗層４
を完全に覆うようにエポキシ系樹脂ペーストをスクリー
ン印刷し、ベルト式連続硬化炉によって２００℃の温度
で、ピーク時間３０分、ＩＮ−ＯＵＴ ５０分の焼成プ
ロファイルによって硬化し保護層６を形成した。
【００１６】次に、側面電極を形成するための準備工程
として、側面電極を露出させるためにアルミナ基板１を
短冊状に分割し、短冊状アルミナ基板を得た。前記短冊
状アルミナ基板の側面に、前記上面電極層２の一部およ
び前記裏面電極層５の一部に回り込むように、粒径０．
００５μｍ〜０．０３μｍの銀と鉛の混合した金属微粒
子（鉛含有率は７〜９％）をαテルピネオール溶剤中に
分散させた溶液をローラーにより塗布し、ベルト式連続
硬化炉によって３００℃の温度で、ピーク時間１５分、
ＩＮ−ＯＵＴ ６０分の温度プロファイルによって熱処
理を行い厚み約１μｍの側面電極層３を形成した（２０
０℃未満の温度では安定した膜が形成されず、４００℃
以上では銀が粒成長してしまい均一な膜が得られな
い）。
として、側面電極を露出させるためにアルミナ基板１を
短冊状に分割し、短冊状アルミナ基板を得た。前記短冊
状アルミナ基板の側面に、前記上面電極層２の一部およ
び前記裏面電極層５の一部に回り込むように、粒径０．
００５μｍ〜０．０３μｍの銀と鉛の混合した金属微粒
子（鉛含有率は７〜９％）をαテルピネオール溶剤中に
分散させた溶液をローラーにより塗布し、ベルト式連続
硬化炉によって３００℃の温度で、ピーク時間１５分、
ＩＮ−ＯＵＴ ６０分の温度プロファイルによって熱処
理を行い厚み約１μｍの側面電極層３を形成した（２０
０℃未満の温度では安定した膜が形成されず、４００℃
以上では銀が粒成長してしまい均一な膜が得られな
い）。
【００１７】次に、電極メッキの準備工程として、前記
端面電極層３を形成済みの短冊状アルミナ基板を個片状
に分割する二次基板分割を行い、個片状アルミナ基板を
得た。そして最後に、露出している上面電極層２と側面
電極層３上に電解メッキによってＮｉメッキ層７とはん
だメッキ層８を形成した。
端面電極層３を形成済みの短冊状アルミナ基板を個片状
に分割する二次基板分割を行い、個片状アルミナ基板を
得た。そして最後に、露出している上面電極層２と側面
電極層３上に電解メッキによってＮｉメッキ層７とはん
だメッキ層８を形成した。
【００１８】以上の工程により、本発明の実施例による
角形チップ抵抗器を試作した。この本発明の実施例によ
る角形チップ抵抗器と従来の角形チップ抵抗器のたわみ
強度試験（ＪＩＳ−Ｃ５２０２の試験法による）を実施
した。その結果を図３に示す。また、それぞれの角形チ
ップ抵抗器の抵抗値分布（出荷抵抗値選別前）を測定し
た結果を（表１）に示す。
角形チップ抵抗器を試作した。この本発明の実施例によ
る角形チップ抵抗器と従来の角形チップ抵抗器のたわみ
強度試験（ＪＩＳ−Ｃ５２０２の試験法による）を実施
した。その結果を図３に示す。また、それぞれの角形チ
ップ抵抗器の抵抗値分布（出荷抵抗値選別前）を測定し
た結果を（表１）に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】図３により本発明品は、従来よりも低温度
で側面電極層を形成しているにも関わらず、従来品とほ
ぼ同等のたわみ強度を有していることが分かる。上面電
極層２および裏面電極層５に回り込んだ金属微粒子は、
上面電極層２および裏面電極層５の銀と合金層を形成す
る。これにより強い強度が得られたと推測する。また、
（表１）より、本発明品は従来品に比べ優れた抵抗値分
布を有することがわかる。
で側面電極層を形成しているにも関わらず、従来品とほ
ぼ同等のたわみ強度を有していることが分かる。上面電
極層２および裏面電極層５に回り込んだ金属微粒子は、
上面電極層２および裏面電極層５の銀と合金層を形成す
る。これにより強い強度が得られたと推測する。また、
（表１）より、本発明品は従来品に比べ優れた抵抗値分
布を有することがわかる。
【００２１】なお、この実施例において微粒子はαテル
ピネオール中に分散させたが、これは溶剤が均一に分散
すればよく溶剤を限定するものではない。また、保護層
６としてエポキシ系樹脂を用いたが、ガラスを保護層と
して用いた場合でも
ピネオール中に分散させたが、これは溶剤が均一に分散
すればよく溶剤を限定するものではない。また、保護層
６としてエポキシ系樹脂を用いたが、ガラスを保護層と
して用いた場合でも
【００２２】
【外１】
【００２３】は０．５％程度になり効果を確認している
（この場合にはレーザートリミング前にプリコートガラ
スの印刷・焼成が必要となる）。
（この場合にはレーザートリミング前にプリコートガラ
スの印刷・焼成が必要となる）。
【００２４】また、実施例では銀系厚膜の裏面電極層５
を用いたが、さほど強度的に必要としない部品（例えば
チップコンデンサ）では用いなくても良い。
を用いたが、さほど強度的に必要としない部品（例えば
チップコンデンサ）では用いなくても良い。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
のチップ状電子部品は、電子部品本体の上面電極層の一
部に銀と鉛の混合した微粒子を溶剤中に分散させた溶液
を塗布・熱処理することにより形成した厚さ０．１μｍ
〜２μｍの銀系の一対の側面電極層と、前記上面電極層
と前記抵抗層と前記側面電極層の前記保護層に覆われな
い部分に形成されたＮｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層
を完全に覆うはんだメッキ層より構成され、側面電極層
は粒径０．００５μｍ〜０．０３μｍの銀と鉛の混合し
た微粒子を溶剤中に分散させた溶液を塗布し、２００〜
４００℃の温度で熱処理することにより形成するので、
高性能な（例えば精密抵抗値の（±１％、±０．５％）
角形チップ抵抗器）チップ状電子部品を安価で提供する
ことができるといった優れた効果を有する。
のチップ状電子部品は、電子部品本体の上面電極層の一
部に銀と鉛の混合した微粒子を溶剤中に分散させた溶液
を塗布・熱処理することにより形成した厚さ０．１μｍ
〜２μｍの銀系の一対の側面電極層と、前記上面電極層
と前記抵抗層と前記側面電極層の前記保護層に覆われな
い部分に形成されたＮｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層
を完全に覆うはんだメッキ層より構成され、側面電極層
は粒径０．００５μｍ〜０．０３μｍの銀と鉛の混合し
た微粒子を溶剤中に分散させた溶液を塗布し、２００〜
４００℃の温度で熱処理することにより形成するので、
高性能な（例えば精密抵抗値の（±１％、±０．５％）
角形チップ抵抗器）チップ状電子部品を安価で提供する
ことができるといった優れた効果を有する。
【図１】本発明の一実施例のチップ状電子部品としての
角形チップ抵抗器の構造を示す斜視図
角形チップ抵抗器の構造を示す斜視図
【図２】本発明の一実施例の角形チップ抵抗器の構造を
示す断面図
示す断面図
【図３】本発明の実施例と従来品のたわみ強度比較図
【図４】従来の角形チップ抵抗器の構造を示す斜視図
【図５】従来の角形チップ抵抗器の構造を示す断面図
１ ９６アルミナ基板 ２ 上面電極層 ３ 側面電極層 ４ 抵抗層 ５ 裏面電極層 ６ 保護層 ７ Ｎｉメッキ層 ８ はんだメッキ層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−294007（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−145109（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 1/00 - 17/30
Claims (5)
- 【請求項１】 電子部品本体の一面あるいは複数面に外
部電極を被着形成し、この外部電極を、銀と鉛の混合し
た微粒子を溶剤中に分散させた溶液を塗布・熱処理する
ことにより形成した０．１μｍ〜２μｍの厚みの側面電
極層と、この側面電極層の上に第２層としてＮｉメッキ
層、第三層としてはんだメッキ層を施して構成したチッ
プ状電子部品。 - 【請求項２】 銀と鉛の混合した微粒子が、Ａｇに対し
てＰｂが７〜９ｗｔ％含んだＡｇとＰｂの混合系の微粒
子である請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項３】 側面電極は０．００５μｍ〜０．０３μ
ｍの銀と鉛の混合した微粒子を溶剤中に分散させた溶液
を塗布し、２００℃〜４００℃の温度で熱処理すること
により形成する請求項１記載のチップ状電子部品の製造
方法。 - 【請求項４】 絶縁性のセラミック基板と、前記セラミ
ック基板上の一方の面の長手方向に形成された銀系の一
対の上面電極層と、他方の面上に形成された銀系の一対
の裏面電極層と、前記一対の上面電極層の一部に重なる
抵抗層と、前記抵抗層を完全に覆う保護層と、前記上面
電極層および前記裏面電極層の一部に銀と鉛の混合した
微粒子を溶剤中に分散させた溶液を塗布・熱処理するこ
とにより形成した厚さ０．１μｍ〜２μｍの一対の側面
電極層と、前記上面電極と前記裏面電極層と前記側面電
極層の少なくとも前記保護膜に覆われない部分に形成さ
れたＮｉメッキ層と前記Ｎｉメッキ層を完全に覆うはん
だメッキ層より構成されたチップ状電子部品。 - 【請求項５】 側面電極層は粒径０．００５μｍ〜０．
０３μｍの銀と鉛の混合した微粒子を溶剤中に分散させ
た溶液を上面電極層の一部および裏面電極層の一部に回
り込むように塗布し、２００℃〜４００℃の温度で熱処
理することにより形成する請求項４記載のチップ状電子
部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25505894A JP3246229B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | チップ状電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25505894A JP3246229B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | チップ状電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124706A JPH08124706A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3246229B2 true JP3246229B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=17273566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25505894A Expired - Fee Related JP3246229B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | チップ状電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3246229B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5258707B2 (ja) | 2009-08-26 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP5774650B2 (ja) * | 2013-08-13 | 2015-09-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
-
1994
- 1994-10-20 JP JP25505894A patent/JP3246229B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08124706A (ja) | 1996-05-17 |
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