JPH08138902A - チップ抵抗器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低い抵抗値および小さいＴＣＲを有する、高
精度のチップ抵抗器を提供することを目的とする。 【構成】 基板１と、この基板１の少なくとも片面に形
成したＣｕ−Ｎｉ合金からなる抵抗層３と、基板１の対
向する一対の両端部に抵抗層３と接続するように設けた
端面電極５とを有し、抵抗層３はＣｕおよびＮｉを含有
するめっき層を高温で熱処理することにより形成し、端
面電極５は、低温の金属薄膜堆積技術により形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子回路に広く使用さ
れるチップ抵抗器に関し、特に、抵抗値の低い領域で抵
抗温度係数の小さい、高精度のチップ抵抗器およびその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化に伴い、電子部品の実
装面積を縮小するために、表面実装部品への要求が高ま
っている。その中で、チップ抵抗器に対しても、従来用
いられている半固定ボリュームの代替として、高精度の
チップ抵抗器が要求されている。特に、電源回路に用い
られる、低抵抗であり、かつ抵抗温度係数の小さなチッ
プ抵抗器への要求が高まっている。

【０００３】従来のチップ抵抗器の製造方法の一例につ
いて図面に基づいて説明する。図６は、従来の角形チッ
プ抵抗器の構造の一例を示す断面図である。まず、９６
％アルミナからなるチップ状のアルミナ基板２１の上面
と裏面に、それぞれ上面電極２２と裏面電極２３とを形
成する。次にアルミナ基板２１の上面の一部に、上記上
面電極と接続するように、抵抗体２４を形成する。この
抵抗体２４を完全に覆うように、ホウケイ酸鉛系ガラス
からなる保護膜２５を形成する。一般的には、上記保護
膜２５は、スクリーン印刷によりパターン形成を行った
後、６００℃〜８５０℃という高温で焼成することによ
り形成される。次に上記アルミナ基板２１の端面部に、
上面電極２２と裏面電極２３とを接続するように、Ａｇ
系の厚膜でなる端面電極２６を形成する。この端面電極
２６は、一般に６００℃付近の高温で焼成することによ
り形成される。最後に、はんだ付けを行うときの信頼性
を確保するために、上記端面電極２６を覆うようにＮｉ
めっき膜２７を、電気めっきにより形成し、そしてはん
だめっき膜２８をこのＮｉめっき膜２７を覆うように形
成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような製造方法
で製造される従来のチップ抵抗器においては、抵抗体と
なる導電粒子として、一般に、酸化ルテニウムを主成分
とする厚膜グレーズ抵抗体材料が用いられている。酸化
ルテニウムのみからなる抵抗体材料では、抵抗値の温度
変化を示す抵抗温度係数（以下、ＴＣＲという）を、金
属酸化物などのＴＣＲ調整剤を添加することにより、±
５０ｐｐｍ／℃程度以内という低い値にすることが可能
である。しかし、このような抵抗体材料を用いた場合、
酸化ルテニウムの比抵抗値が高いため、１Ω以下の低い
抵抗値を有するチップ抵抗器を形成することができな
い。そのため、低い抵抗値を有するチップ抵抗器を得る
ためには、ＡｇまたはＰｄなどの金属粉末を酸化ルテニ
ウムに添加することにより、抵抗値を１Ω以下の領域に
コントロールすることが行われている。

【０００５】ＡｇまたはＰｄなどの金属粉末は＋６００
〜＋１０００ｐｐｍ／℃程度の高いＴＣＲ値を有してい
る。従って、上記のようにＡｇまたはＰｄを添加するこ
とにより抵抗値が１Ω以下の領域になるように調製され
た抵抗体の場合、抵抗体材料中のＡｇまたはＰｄの含有
率が高いために、得られる抵抗体のＴＣＲ値は、金属粉
末（すなわちＡｇまたはＰｄ）自身が有する＋６００〜
＋１０００ｐｐｍ／℃となる。すなわち、この場合、Ｔ
ＣＲ調製剤によるＴＣＲ値のコントロールは不可能であ
った。

【０００６】上記のように、従来の製造方法では、低い
抵抗値を有するチップ抵抗器を製造することは可能であ
ったが、低い抵抗値を有しながら同時に小さいＴＣＲを
有する高精度のチップ抵抗器を製造することはできなか
った。

【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、その目的とするところは、低い抵抗値と小さいＴ
ＣＲとを同時に有するチップ抵抗器を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、抵抗値のドリフトおよびＴＣ
Ｒの変動の少ないチップ抵抗器を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、このようなチップ抵抗器を
製造する方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ抵抗器
は、絶縁基板と、この絶縁基板の少なくとも片面に形成
したＣｕ−Ｎｉ合金からなる抵抗層と、前記絶縁基板の
対向する一対の両端部に前記抵抗層と接続するように設
けた端面電極とを有するものである。

【０００９】

【作用】このような構成によって、低い抵抗値を有しな
がら同時に小さいＴＣＲを有する高精度のチップ抵抗器
が得られる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の一実施例におけるチップ抵抗
器について図面を参照しながら説明する。

【００１１】（実施例１）図１は本実施例のチップ抵抗
器の断面図を示す。このチップ抵抗器においては、方形
の基板１の片面に、スクリーン印刷などの厚膜技術によ
りめっき下地層２を形成する。次にこのめっき下地層２
の上にＣｕ−Ｎｉ合金からなる抵抗層３を形成し、そし
てこの抵抗層３の一部を覆うように保護層４を形成す
る。次に基板１の対向する一対の両端部をコ字状に覆
い、かつ、抵抗層３の保護層４で覆われていない部分と
接続するように、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、プラズマＣＶＤなどの薄膜堆積技術により、端面電
極５を形成する。さらにこの端面電極５を覆うＮｉめっ
き膜６を形成し、このＮｉめっき膜６上にはんだめっき
膜７を形成する。

【００１２】次に、図２の工程図に従って、このチップ
抵抗器の具体的な製造方法を説明する。まずアルミナか
らなる基板１を用意する。次に、この基板の片面にめっ
き下地層２を形成する。このめっき下地層２は、Ｐｄを
含有するめっき活性化用ペーストをスクリーン印刷法に
より基板１上に印刷し、そしてベルト式連続焼成炉でピ
ーク温度４００℃、ピーク保持時間５分で焼成すること
により形成される。形成されためっき下地層２は、アル
ミナ基板１の表面の凹凸部に入り込んだ、膜厚１μｍ以
下の非常に薄い金属皮膜である。このめっき下地層２
は、次の無電解めっき工程においてめっき成長の核とな
るとともに、Ｃｕ−Ｎｉ合金からなる抵抗層３と基板１
との密着性を高める働きをする。

【００１３】次にＰｄを含有するめっき下地層上２に、
無電解めっき法によりＮｉめっき層を形成する。次に上
記無電解Ｎｉめっき層上に、電気めっき法によりＣｕめ
っき（シアン化銅めっき）およびＮｉめっきを交互に複
数回繰り返して、ＣｕとＮｉの積層めっき層を形成す
る。この電気めっき工程は、Ｎｉめっきは必ずＣｕめっ
きの後に行い、そして最外層は必ずＮｉめっきとなるよ
うに行う。ここで、無電解めっき法によりＮｉめっき層
を形成する代わりに、無電解めっき法でＣｕめっき層を
形成してもよい。その場合は次の電気めっき工程はＮｉ
めっきからはじめて上記のようにＣｕめっきとＮｉめっ
きとを交互に複数回繰り返す。いずれの場合でも最外層
はＮｉめっき層となるように行う。なおＣｕ電気めっき
としてシアン化銅めっき以外の、他の任意の公知の種類
のＣｕめっきを用いることができる。上記工程において
電気めっき法によりＣｕめっき層とＮｉめっき層とを形
成する代わりに、無電解めっき法によっても同様にＣｕ
めっき層およびＮｉめっき層を形成し得る。ただし、無
電解めっき法の場合めっき層の成長が遅いため、高い生
産性のためには電気めっき法が好ましい。

【００１４】次に、熱処理により、上記のＣｕとＮｉの
積層めっき層をＣｕ−Ｎｉ合金化することにより、Ｃｕ
−Ｎｉ合金からなる抵抗層３を形成する。この熱処理
は、上記積層めっき層が形成された基板を、８００℃に
設定した熱処理炉に２時間放置することにより行う。こ
のとき抵抗層３の酸化を防止するために、グリーンガス
（水素１０％を含む窒素ガス）を炉に供給する。この高
温の熱処理により、Ｃｕめっき層とＮｉめっき層とから
Ｃｕ−Ｎｉ合金抵抗層３が形成される。図４Ａおよび図
４ＢにＣｕめっき層とＮｉめっき層とからＣｕ−Ｎｉ合
金抵抗層３が形成されるプロセスを示す模式図を示す。
図４Ａは基板１上に形成された熱処理前のＣｕとＮｉの
積層めっき層を表し、図４Ｂは熱処理後のＣｕ−Ｎｉ合
金抵抗層３を表す。Ｎｉ無電解めっき層３１、Ｃｕめっ
き層３２、およびＮｉめっき層３３は熱処理によって合
金化し、Ｃｕ−Ｎｉ合金抵抗層３となる。さらに、抵抗
層３を形成した後、目的の抵抗値を得るために、レーザ
ートリミングにより、抵抗層３の抵抗値の修正を行う。

【００１５】Ｃｕ−Ｎｉ合金の金属組成と、抵抗値およ
びＴＣＲは相関関係がある。従って、図３に示すよう
に、Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＣｕとＮｉの比率を変えること
により、ＴＣＲをコントロールすることが可能である。
図３に示すように、Ｃｕ：Ｎｉが６０：４０（重量比）
のときにＴＣＲが最小になる。ＴＣＲの小さい高精度の
チップ抵抗器を得るために望ましいＣｕ−Ｎｉ合金抵抗
層３中のＣｕとＮｉの比率は、５５：４４〜６５：３５
であり、本実施例ではＣｕ：Ｎｉを６０：４０となるよ
うにする。このような合金膜を得るために、上記の、Ｃ
ｕめっき層とＮｉめっき層の積層めっき層を形成する工
程において、ＣｕとＮｉの比率がほぼ６０：４０となる
ように、めっき時間、めっき電流、めっき回数などのめ
っき条件を設定する。図３に示すように、抵抗値もＣｕ
とＮｉの比率により変化する。しかし、抵抗値は抵抗層
の膜厚を変えることによりコントロールできるので、す
なわち膜厚が厚いほど抵抗値は低くなるので、低い抵抗
値でかつＴＣＲが小さい抵抗層を得ることができる。さ
らに、上記のようにレーザートリミングなどの手段によ
り抵抗値を調製できる。

【００１６】上記の工程により、所望の抵抗値およびＴ
ＣＲを有するＣｕ−Ｎｉ合金抵抗層３が形成される。従
って、これ以降の工程では抵抗特性に影響を与えるよう
な高温工程がないことが必要である。従って、以下に示
すような低温プロセスにより、これ以降の工程を行う。
まず、図２に示すように、抵抗値を修正した後の抵抗層
３の一部に、耐湿性および耐熱性に優れたエポキシ系樹
脂のペーストをスクリーン印刷し、そして２００℃のＢ
ＯＸ乾燥機で、３０分間乾燥し、上記樹脂を硬化するこ
とにより保護層４を形成する。次に、基板１の対向する
一対の両端部をコ字状に覆い、かつ抵抗層３の保護層４
に覆われていない露出された部分と接続するように、端
面電極５を形成する。この端面電極５は、基板１を２０
０℃で１０分間加熱した後、Ｃｕ−Ｎｉ合金抵抗層３と
の密着性のよいＮｉ−Ｃｒのターゲット（Ｎｉ：Ｃｒ＝
１：１）を用いて、スパッタリングにより金属薄膜を堆
積することにより形成される。この端面電極５は、上記
のＮｉ−Ｃｒ以外に、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ以外のＣｒ合
金、Ｔｉ、Ｎｉなどの金属で形成されてもよい。この端
面電極は、スパッタリングの他に、高温での熱処理を必
要としない任意の方法により形成し得る。特にこの端面
電極は金属薄膜で形成されることが好ましく、この金属
薄膜はスパッタリングの他に、イオンプレーティング、
プラズマＣＶＤなどの、高温、すなわち約３００℃以上
での熱処理を必要としない薄膜堆積技術により形成し得
る。本明細書中では、このような薄膜体積技術を、低温
での薄膜堆積技術とも言う。

【００１７】最後に、電極部のはんだ付けを行う際の信
頼性を確保するために、端面電極５を覆うように電気め
っきによりＮｉめっき膜６を形成し、そしてこのＮｉめ
っき膜６を覆うように電気めっきによりはんだめっき膜
７を形成し、本発明による角形チップ抵抗器を製造す
る。

【００１８】以上の構成により製造されたチップ抵抗器
は、約２０ｍΩから約２００ｍΩという低い抵抗を有し
ながら、約＋３０ｐｐｍ／℃という低いＴＣＲを有する
高精度な製品であった。

【００１９】（実施例２）以下に、本発明の第２の実施
例について説明する。この実施例２において、実施例１
の製造方法と異なる点は、めっき下地層２およびＣｕ−
Ｎｉ合金抵抗層３の形成方法である。以下、図５の工程
図に従って、具体的な製造方法を説明する。まずアルミ
ナからなる基板１に表面処理を施し、その表面を一様に
粗化する。この表面処理によって、後の工程で形成する
Ｃｕ−Ｎｉ合金抵抗層３が、めっき下地層２を通して、
基板１に強固に密着される（すなわちアンカー効果が得
られる）。この表面処理は、アルミナ基板１をフッ酸お
よび硝酸の混合液に浸漬することにより行う。次に、後
の工程で抵抗層３を形成する部分にのみめっき下地層２
を形成するために、それ以外の部分に耐めっき性レジス
トペーストをスクリーン印刷法により印刷し、そして硬
化する。次に、このレジストを有する基板１をＰｄを含
有するめっき活性化溶液に浸漬することにより、めっき
下地層２を形成する。このＰｄは、基板１の表面の凹凸
部に入り込み、次の無電解めっき工程においてめっき成
長の核となる。

【００２０】次にめっき下地層２上に、無電解めっき法
によりＮｉめっき層またはＣｕめっき層を形成する。こ
の無電解めっき層上に、電気めっき法により、Ｃｕ−Ｎ
ｉ合金めっき層を形成する。本実施例においては、ピロ
リン酸浴によるＣｕ−Ｎｉ合金めっきを行い、この浴中
のＣｕとＮｉの比率は、Ｃｕ−Ｎｉ合金めっき層におけ
るＣｕとＮｉの比率がほぼ６０：４０となるように調製
する。めっき層の膜厚を調整するためにめっき時間、め
っき電流などのめっき条件を設定し、所望の抵抗値を得
る。次に得られたＣｕ−Ｎｉ合金めっき層を完全に合金
化させてＣｕ−Ｎｉ合金抵抗層３を得るとともに、抵抗
特性（特にＴＣＲ）を安定化させるために、熱処理を行
う。この熱処理は、上記合金めっき層が形成された基板
を、８００℃に設定した熱処理炉に１時間放置すること
により行う。このとき抵抗層３の酸化を防止するため
に、グリーンガス（水素１０％を含む窒素ガス）を炉に
供給する。

【００２１】以下、実施例１の方法と同様に、抵抗値修
正、保護層印刷および硬化、端面電極のスパッタリン
グ、電気Ｎｉめっき、および電気はんだめっきの各工程
を行い、本発明による角形チップ抵抗器を製造する。以
上の工程により製造された角形チップ抵抗器は、実施例
１で製造されたチップ抵抗器と同様に、約２０ｍΩから
約２００ｍΩという低い抵抗を有しながら、約＋３０ｐ
ｐｍ／℃という低いＴＣＲを有する高精度な製品であっ
た。

【００２２】本実施例においては、ＣｕおよびＮｉを含
有するめっき層をＣｕ−Ｎｉ合金めっきにより形成し
た。このことにより、ＣｕめっきおよびＮｉめっきを交
互に複数回繰り返してＣｕとＮｉとの積層めっき層を形
成する実施例１の場合と比べて、めっき層の膨れやめく
れが発生しにくくなり、抵抗層３と基板１との密着性が
より良好となる。これは、めっき層間の内部応力、特に
Ｎｉめっき層における内部応力の発生が低減されるため
である。

【００２３】上記実施例１および２では、個片状のチッ
プ抵抗器の製造工程を説明したが、一般的には、生産性
を向上させるために、縦横方向に複数の分割用スリット
が形成されたシート状のアルミナ基板を使用して、複数
のチップを同時に生産する。この場合、端面電極を形成
する前の工程として、基板の端面部を露出されるための
一次分割工程が付加され、さらに端面電極を形成した後
に、個片状のチップ抵抗器とするための二次分割工程が
付加される。

【００２４】上記実施例においては、アルミナ基板を用
いたが、窒化アルミニウムなどのアルミナ以外の公知の
絶縁材料からなる基板を用いることも可能である。

【００２５】さらに、上記実施例１および２において
は、抵抗層３を形成する方法が異なる以外に、それぞれ
めっき下地層２を形成する方法が異なるが、実施例１に
おけるめっき下地層２の形成方法（すなわち活性化ペー
ストを用いる方法）を実施例２における抵抗層３の形成
方法に適用することも可能であるし、その逆に、実施例
２におけるめっき下地層２の形成方法（すなわち活性化
溶液を用いる方法）を、実施例１における抵抗層３の形
成方法に適用することも可能である。あるいは、上記の
実施例で説明しためっき下地層の形成方法の他にも、無
電解めっき法に適用できる任意の公知の下地層形成方
法、すなわち基板の表面処理方法を用いることができ
る。無電解めっき形成の核としては、上記のＰｄ以外に
もＡｇ，Ａｕなどを用い得る。また、上記実施例では、
基材の抵抗層を形成する面に電極を形成しなかったが、
このような電極を形成することも可能である。例えば、
ＭＯ（メタルオーガニック）金ペーストを使用して、基
材上にスクリーン印刷を行い、そして８５０℃程度で焼
成して、非常に薄い金系の金属皮膜を形成して電極を形
成した後、実施例１の方法に従って活性化ペーストを用
いてめっき下地層を形成し、以下実施例１または２の方
法に従ってチップ抵抗器を形成することができる。この
ように基材の抵抗層を形成する面にも電極を形成するこ
とにより、さらに抵抗値の精度を高めることが可能とな
る。

【００２６】さらに、上記実施例においては、保護層４
はエポキシ系樹脂により形成したが、高温の熱処理を必
要としない任意の公知の材料を使用することができる。
保護層を形成するための熱処理は、必要な場合には、３
００℃以下が好ましく、より好ましくは２００℃以下で
ある。

【００２７】上記実施例においては、電極部のはんだ付
けの際の信頼性を確保するために、Ｎｉめっき膜６およ
びはんだめっき膜７を形成したが、Ｎｉめっき膜６を形
成せずに直接はんだめっき膜７を形成することも可能で
ある。

【００２８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、Ｃｕ−Ｎｉ合金により抵抗層を形成すること
により、低い抵抗値、好ましくは１Ω以下の抵抗値を有
し、かつ小さいＴＣＲ、好ましくは±５０ｐｐｍ／℃以
内のＴＣＲを有する、高精度のチップ抵抗器が製造され
る。このチップ抵抗器は、従来の厚膜チップ抵抗器の生
産設備である、焼成炉、めっき設備などをほぼそのまま
使用できるので、量産が容易であり、かつ安価に製造す
ることができる。

【００２９】さらに、本発明によれば、端面電極を高温
での熱処理を必要としない薄膜堆積技術により形成する
ので、抵抗値のドリフトやＴＣＲの変動の少ない、高精
度のチップ抵抗器が得られる。また、Ｃｕ−Ｎｉ合金め
っきを形成した後、高温で熱処理することにより、極め
て均一な組成のＣｕ−Ｎｉ合金の抵抗層が基板と密着性
よく形成されるので、抵抗値特性の優れたチップ抵抗器
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例および第２の実施例にお
ける角形チップ抵抗器の構造を示す断面図

【図２】本発明の第１の実施例における角形チップ抵抗
器の製造方法を示す工程図

【図３】Ｃｕ−Ｎｉ合金抵抗層のＮｉ含有率と抵抗値お
よびＴＣＲとの関係を示すグラフ

【図４】本発明の第１の実施例における角形チップ抵抗
器の製造において、Ｃｕめっき層とＮｉめっき層とから
Ｃｕ−Ｎｉ合金抵抗層が形成されるプロセスを示す模式
図

【図５】本発明の第２の実施例における角形チップ抵抗
器の製造方法を示す工程図

【図６】従来の角形チップ抵抗器の構造を示す断面図

【符号の説明】 １ 基板 ２ めっき下地層 ３ 抵抗層 ４ 保護層 ５ 端面電極 ６ Ｎｉめっき膜 ７ はんだめっき膜 ３１ Ｎｉ無電解めっき層 ３２ Ｃｕめっき層 ３３ Ｎｉめっき層

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、この絶縁基板の少なくとも
   片面に形成したＣｕ−Ｎｉ合金からなる抵抗層と、前記
   絶縁基板の対向する一対の両端部に前記抵抗層と接続す
   るように設けた端面電極とを有するチップ抵抗器。
2. 【請求項２】 抵抗層が、ＣｕおよびＮｉを含有するめ
   っき層を熱処理することにより形成されるＣｕ−Ｎｉ合
   金からなることを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗
   器。
3. 【請求項３】 抵抗層が、ＣｕとＮｉとの重量比が５
   ５：４５〜６５：３５のＣｕ−Ｎｉ合金からなることを
   特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器。
4. 【請求項４】 抵抗層が、ＣｕとＮｉとの重量比が６
   ０：４０のＣｕ−Ｎｉ合金からなることを特徴とする請
   求項３記載のチップ抵抗器。
5. 【請求項５】 端面電極が、ＣｒまたはＣｒ合金または
   ＴｉまたはＮｉからなり低温での薄膜堆積技術によって
   形成される金属薄膜であることを特徴とする請求項１記
   載のチップ抵抗器。
6. 【請求項６】 端面電極が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる金
   属薄膜であることを特徴とする請求項５記載のチップ抵
   抗器。
7. 【請求項７】 端面電極が、絶縁基板の対向する一対の
   両端部をコ字状に囲むように設けられたことを特徴とす
   る請求項１記載のチップ抵抗器。
8. 【請求項８】 抵抗層上の少なくとも端面電極に覆われ
   ていない部分に設けられた保護層を有することを特徴と
   する請求項１記載のチップ抵抗器。
9. 【請求項９】 絶縁基板の少なくとも片面にめっき下地
   層を形成する工程と、このめっき下地層上にＣｕおよび
   Ｎｉを含有するめっき層を形成する工程と、前記Ｃｕお
   よびＮｉを含有するめっき層に熱処理を施し、抵抗層を
   形成する工程と、前記絶縁基板の対向する一対の両端部
   に前記抵抗層と接続するように低温で金属薄膜を堆積し
   て、端面電極を形成する工程とを有することを特徴とす
   るチップ抵抗器の製造方法。
10. 【請求項１０】 ＣｕおよびＮｉを含有するめっき層
    が、ＣｕめっきおよびＮｉめっきを交互に複数回繰り返
    すことにより形成されることを特徴とする請求項９記載
    のチップ抵抗器の製造方法。
11. 【請求項１１】 ＣｕおよびＮｉを含有するめっき層
    が、下地層上に、Ｃｕめっき層またはＮｉめっき層から
    なる第１のめっき層を形成し、この第１のめっき層上に
    Ｃｕ−Ｎｉ合金を含有する第２のめっき層を形成するこ
    とにより形成されることを特徴とする請求項９記載のチ
    ップ抵抗器の製造方法。
12. 【請求項１２】 抵抗層がＣｕとＮｉとの重量比が５
    ５：４５〜６５：４５のＣｕ−Ｎｉ合金からなるよう
    に、ＣｕおよびＮｉを含有するめっき層を形成すること
    を特徴とする請求項９記載のチップ抵抗器の製造方法。
13. 【請求項１３】 抵抗層がＣｕとＮｉとの重量比が６
    ０：４０のＣｕ−Ｎｉ合金からなるように、Ｃｕおよび
    Ｎｉを含有するめっき層を形成することを特徴とする請
    求項１２記載のチップ抵抗器の製造方法。
14. 【請求項１４】 端面電極が、ＣｒまたはＣｒ合金また
    はＴｉまたはＮｉからなることを特徴とする請求項９記
    載のチップ抵抗器の製造方法。
15. 【請求項１５】 端面電極が、Ｎｉ−Ｃｒ合金から形成
    される金属薄膜であることを特徴とする請求項１４記載
    のチップ抵抗器の製造方法。
16. 【請求項１６】 金属薄膜が、スパッタリングまたはイ
    オンプレーティングまたはプラズマＣＶＤにより堆積さ
    れることを特徴とする請求項９記載のチップ抵抗器の製
    造方法。
17. 【請求項１７】 端面電極が、絶縁基板の対向する一つ
    の両端部をコ字状に囲むように形成されることを特徴と
    する請求項９記載のチップ抵抗器の製造方法。
18. 【請求項１８】 抵抗層上に保護層を形成する工程を有
    することを特徴とする請求項９記載のチップ抵抗器の製
    造方法。