JP2001307903A - 薄膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗器の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非フォトリソグラフィーを利用することによ
って、製造コストを削減できる薄膜抵抗器の製造方法を
提供する。 【解決手段】 薄膜抵抗器の製造方法において、絶縁基
板を提供する工程と、前記絶縁基板に非フォトリソグラ
フィーにより導体パターン層を形成する工程と、前記導
体パターン層と前記絶縁基板に、薄膜抵抗層を形成する
工程と、フォトリソグラフィーにより前記薄膜抵抗層を
パターニングする工程と、を有する。
って、製造コストを削減できる薄膜抵抗器の製造方法を
提供する。 【解決手段】 薄膜抵抗器の製造方法において、絶縁基
板を提供する工程と、前記絶縁基板に非フォトリソグラ
フィーにより導体パターン層を形成する工程と、前記導
体パターン層と前記絶縁基板に、薄膜抵抗層を形成する
工程と、フォトリソグラフィーにより前記薄膜抵抗層を
パターニングする工程と、を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜抵抗器の製造
方法に関するものであり、特に、非フォトリソグラフィ
ーを利用することによって、製造コストを削減できる薄
膜抵抗器の製造方法に関するものである。
方法に関するものであり、特に、非フォトリソグラフィ
ーを利用することによって、製造コストを削減できる薄
膜抵抗器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニク製品、例えば集
積回路マイクロエレクトロニク製品またはハイブリッド
回路マイクロエレクトロニク製品の製造技術において
は、受動電気回路素子として薄膜抵抗器がよく用いられ
ている。
積回路マイクロエレクトロニク製品またはハイブリッド
回路マイクロエレクトロニク製品の製造技術において
は、受動電気回路素子として薄膜抵抗器がよく用いられ
ている。
【０００３】以下、従来のハイブリッド回路マイクロエ
レクトロニク製品の製造に用いられる薄膜抵抗器の製造
方法を説明する。まず、絶縁基板、例えばガラス絶縁基
板またはセラミック絶縁基板に薄膜抵抗材料層と導体材
料層とを順次（順序）に形成する。その後、フォトリソ
グラフィーにより導体材料層と薄膜抵抗材料層と、を順
次にパターニングすることによって、導体層と抵抗層の
パターンを形成する。続いて、レーザトリミングによ
り、抵抗材料の抵抗値を設定してから、絶縁基板をカッ
トすることによって、複数の薄膜抵抗器をそれぞれ製造
する。
レクトロニク製品の製造に用いられる薄膜抵抗器の製造
方法を説明する。まず、絶縁基板、例えばガラス絶縁基
板またはセラミック絶縁基板に薄膜抵抗材料層と導体材
料層とを順次（順序）に形成する。その後、フォトリソ
グラフィーにより導体材料層と薄膜抵抗材料層と、を順
次にパターニングすることによって、導体層と抵抗層の
パターンを形成する。続いて、レーザトリミングによ
り、抵抗材料の抵抗値を設定してから、絶縁基板をカッ
トすることによって、複数の薄膜抵抗器をそれぞれ製造
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した従
来の製造方法には、下記のような問題点がある。例え
ば、フォトリソグラフィーの設備と材料が、かなり高価
なものであるため、薄膜抵抗器の製造コストはかなり高
くなる。また、フォトリソグラフィーにより導体層と抵
抗層とのパターンを形成する場合は、スピンコーテイン
グにより、レジストを塗布する。レジストの膜厚の均一
性を確保し、パターンを形成する際に正確にアライメン
トを行うために、表面フラットネス及び仕上げ度の高い
絶縁基板を使用する必要がある。このため、例えば純度
９９．６％の酸化アルミニウムの空白基板を研磨し、そ
の表面のフラットネスと仕上げ度を向上してから、絶縁
基板として使用されている。しかし、このような酸化ア
ルミニウムの空白基板には、従来の酸化アルミニウム基
板のスクライブけがきが設けられていないため、レーザ
カッテイングによりチップを剥離する必要があるので、
薄膜抵抗器の製造コストをさらに増加する。
来の製造方法には、下記のような問題点がある。例え
ば、フォトリソグラフィーの設備と材料が、かなり高価
なものであるため、薄膜抵抗器の製造コストはかなり高
くなる。また、フォトリソグラフィーにより導体層と抵
抗層とのパターンを形成する場合は、スピンコーテイン
グにより、レジストを塗布する。レジストの膜厚の均一
性を確保し、パターンを形成する際に正確にアライメン
トを行うために、表面フラットネス及び仕上げ度の高い
絶縁基板を使用する必要がある。このため、例えば純度
９９．６％の酸化アルミニウムの空白基板を研磨し、そ
の表面のフラットネスと仕上げ度を向上してから、絶縁
基板として使用されている。しかし、このような酸化ア
ルミニウムの空白基板には、従来の酸化アルミニウム基
板のスクライブけがきが設けられていないため、レーザ
カッテイングによりチップを剥離する必要があるので、
薄膜抵抗器の製造コストをさらに増加する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、上述の
問題を鑑みてなされたものであって、非フォトリソグラ
フィーを利用することによって、製造コストを削減でき
る薄膜抵抗器の製造方法を提供するものである。
問題を鑑みてなされたものであって、非フォトリソグラ
フィーを利用することによって、製造コストを削減でき
る薄膜抵抗器の製造方法を提供するものである。
【０００６】上記目的を達成するため、本発明は、絶縁
基板を提供する工程と、前記絶縁基板に非フォトリソグ
ラフィーにより導体パターン層を形成する工程と、前記
導体パターン層と前記絶縁基板に、薄膜抵抗層を形成す
る工程と、フォトリソグラフィーにより前記薄膜抵抗層
をパターニングする工程と、を有することを特徴とする
薄膜抵抗器の製造方法を提供する。ここで、スピンコー
テイングの代わりに、平坦でない基板表面に適用できる
ドライフィルムまたはスプレーコーテイングを使用する
ため、従来のスクライブけがきが設けられた酸化アルミ
ニウム基板を使用することができる。このため、低コス
トで簡単的な剥離工程でチップを剥離することができ
る。また、絶縁基板に導体パターン層を形成する前に、
予め絶縁基板に平坦層を形成することもできる。
基板を提供する工程と、前記絶縁基板に非フォトリソグ
ラフィーにより導体パターン層を形成する工程と、前記
導体パターン層と前記絶縁基板に、薄膜抵抗層を形成す
る工程と、フォトリソグラフィーにより前記薄膜抵抗層
をパターニングする工程と、を有することを特徴とする
薄膜抵抗器の製造方法を提供する。ここで、スピンコー
テイングの代わりに、平坦でない基板表面に適用できる
ドライフィルムまたはスプレーコーテイングを使用する
ため、従来のスクライブけがきが設けられた酸化アルミ
ニウム基板を使用することができる。このため、低コス
トで簡単的な剥離工程でチップを剥離することができ
る。また、絶縁基板に導体パターン層を形成する前に、
予め絶縁基板に平坦層を形成することもできる。
【０００７】上記非フォトリソグラフィーは、例えばス
クリーン印刷法である。上記導体パターン層の材料とし
て、例えば、銀、銀合金、金、金合金、銅、銅合金、パ
ラジウム、パラジウム合金、ニッケル、ニッケル合金の
いずれかである。また、薄膜抵抗層の材料として、例え
ば、窒化タンタル抵抗材料、二珪化タンタル抵抗材料、
タンタルークロム合金抵抗材料、ニッケルークロム合金
抵抗材料、珪化クロム抵抗材料、前記抵抗材料と原子番
号の高い金属の合金のいずれかである。薄膜抵抗層は、
例えば、加熱真空蒸着法、電子ビーム加熱真空蒸着法、
PＶＤ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法のいずれかの方
法により形成される。
クリーン印刷法である。上記導体パターン層の材料とし
て、例えば、銀、銀合金、金、金合金、銅、銅合金、パ
ラジウム、パラジウム合金、ニッケル、ニッケル合金の
いずれかである。また、薄膜抵抗層の材料として、例え
ば、窒化タンタル抵抗材料、二珪化タンタル抵抗材料、
タンタルークロム合金抵抗材料、ニッケルークロム合金
抵抗材料、珪化クロム抵抗材料、前記抵抗材料と原子番
号の高い金属の合金のいずれかである。薄膜抵抗層は、
例えば、加熱真空蒸着法、電子ビーム加熱真空蒸着法、
PＶＤ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法のいずれかの方
法により形成される。
【０００８】レーザトリミングによりパターニングされ
た薄膜抵抗層の抵抗値を調整することができる。また、
フォトリソグラフィーにより、薄膜抵抗層をパターニン
グすると同時に、パターニングする薄膜抵抗層の抵抗値
を調整することもできる。
た薄膜抵抗層の抵抗値を調整することができる。また、
フォトリソグラフィーにより、薄膜抵抗層をパターニン
グすると同時に、パターニングする薄膜抵抗層の抵抗値
を調整することもできる。
【０００９】本発明によれば、従来のフォトリソグラフ
ィーの代わりに、非フォトリソグラフィーを利用して薄
膜抵抗層を製造するので、薄膜抵抗器の製造コストを削
減できる。また、本発明において、従来のように純度９
９．６％の酸化アルミニウム基板を使用する必要がな
く、純度９６％の酸化アルミニウム基板を採用すればよ
いので、薄膜抵抗器の製造コストを大幅に削減できる。
ィーの代わりに、非フォトリソグラフィーを利用して薄
膜抵抗層を製造するので、薄膜抵抗器の製造コストを削
減できる。また、本発明において、従来のように純度９
９．６％の酸化アルミニウム基板を使用する必要がな
く、純度９６％の酸化アルミニウム基板を採用すればよ
いので、薄膜抵抗器の製造コストを大幅に削減できる。
【００１０】
【発明の好適な実施の形態】以下、図面を参照しなが
ら、本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
ら、本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１１】まず、図１に示すように、本発明の絶縁基
板１０には、スクライブけがき、例えば縦刻み線ｂ１，
ｂ２，ｂ３，ｂ４と横刻み線ａ１，ａ２，ａ３などが形
成されている。それらのスクライブけがきは、例えばカ
ットツールまたはレーザビームなど従来の方法により形
成される。本発明の絶縁基板１０として、例えば、ガラ
ス絶縁基板またはセラミック絶縁基板が使用される。
板１０には、スクライブけがき、例えば縦刻み線ｂ１，
ｂ２，ｂ３，ｂ４と横刻み線ａ１，ａ２，ａ３などが形
成されている。それらのスクライブけがきは、例えばカ
ットツールまたはレーザビームなど従来の方法により形
成される。本発明の絶縁基板１０として、例えば、ガラ
ス絶縁基板またはセラミック絶縁基板が使用される。
【００１２】次に、絶縁基板１０のピットを埋めるよう
に、図２に示すように、絶縁基板１０に平坦層１２を形
成する。平坦層１２は、例えば、加熱真空蒸着法や電子
ビーム加熱真空蒸着法やPＶＤ法、ＣＶＤ法、プラズマ
ＣＶＤ法などにより形成された二酸化珪素層またはシリ
コンナイトライド層を用いることができる。また、平坦
層１２は、スクリーン印刷により形成されたグレーズ層
を用いることもできる。その材料としては、例えば、酸
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタンなどであ
る。この工程は、必須（必要）とするものではないが、
この工程を加わえることによって、薄膜抵抗器の品質を
さらに向上することができる。また、グレーズ層が形成
された基板を直接に絶縁基板１０として使用することも
できる。
に、図２に示すように、絶縁基板１０に平坦層１２を形
成する。平坦層１２は、例えば、加熱真空蒸着法や電子
ビーム加熱真空蒸着法やPＶＤ法、ＣＶＤ法、プラズマ
ＣＶＤ法などにより形成された二酸化珪素層またはシリ
コンナイトライド層を用いることができる。また、平坦
層１２は、スクリーン印刷により形成されたグレーズ層
を用いることもできる。その材料としては、例えば、酸
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタンなどであ
る。この工程は、必須（必要）とするものではないが、
この工程を加わえることによって、薄膜抵抗器の品質を
さらに向上することができる。また、グレーズ層が形成
された基板を直接に絶縁基板１０として使用することも
できる。
【００１３】続いて、図３に示すように、平坦層１２
に、非フォトリソグラフィー、例えばスクリーン印刷法
により上導体パターン層１４を形成するとともに、絶縁
基板１０の裏面に、上導体パターン層１４と対応（対
向）する下導体パターン層１６を形成する。図３に示す
ように、上導体パターン層１４は、上導線１４ａ，１４
ｂ，１４ｃをそれぞれ含み、下導体パターン層１６は、
下導線１６ａ，１６ｂ，１６ｃをそれぞれ含む。上導体
パターン層１４と下導体パターン層１６の材料として、
銀、銀合金、金、金合金、銅、銅合金、パラジウム、パ
ラジウム合金、ニッケル、ニッケル合金のいずれかが使
用される。
に、非フォトリソグラフィー、例えばスクリーン印刷法
により上導体パターン層１４を形成するとともに、絶縁
基板１０の裏面に、上導体パターン層１４と対応（対
向）する下導体パターン層１６を形成する。図３に示す
ように、上導体パターン層１４は、上導線１４ａ，１４
ｂ，１４ｃをそれぞれ含み、下導体パターン層１６は、
下導線１６ａ，１６ｂ，１６ｃをそれぞれ含む。上導体
パターン層１４と下導体パターン層１６の材料として、
銀、銀合金、金、金合金、銅、銅合金、パラジウム、パ
ラジウム合金、ニッケル、ニッケル合金のいずれかが使
用される。
【００１４】続いて、図４に示すように、上導体パター
ン層１４と平坦層１２に、薄膜抵抗層１８を形成する。
薄膜抵抗層１８の材料として、例えば窒化タンタル抵抗
材料、二珪化タンタル抵抗材料、タンタルークロム合金
抵抗材料、ニッケルークロム合金抵抗材料、珪化クロム
抵抗材料、前述した抵抗材料と原子番号の高い金属との
合金のいずれかである。また、薄膜抵抗層１８は、例え
ば加熱真空蒸着法、電子ビーム加熱真空蒸着法、PＶＤ
法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法のいずれかの方法によ
り形成される。ここで、薄膜抵抗層１８の膜厚は、１０
０〜１０００Å（オングストローム）であるのが好まし
い。
ン層１４と平坦層１２に、薄膜抵抗層１８を形成する。
薄膜抵抗層１８の材料として、例えば窒化タンタル抵抗
材料、二珪化タンタル抵抗材料、タンタルークロム合金
抵抗材料、ニッケルークロム合金抵抗材料、珪化クロム
抵抗材料、前述した抵抗材料と原子番号の高い金属との
合金のいずれかである。また、薄膜抵抗層１８は、例え
ば加熱真空蒸着法、電子ビーム加熱真空蒸着法、PＶＤ
法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法のいずれかの方法によ
り形成される。ここで、薄膜抵抗層１８の膜厚は、１０
０〜１０００Å（オングストローム）であるのが好まし
い。
【００１５】その後、図５に示すように、ドライフィル
ムまたはスプレーコーテイングにより、レジストを塗布
してから、フォトリソグラフィにより薄膜抵抗層１８を
パターニングする。これにより、薄膜抵抗のパターン１
８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄが形成される。そして、
レーザトリミングにより薄膜抵抗のパターン１８ａ，１
８ｂ，１８ｃ，１８ｄを調整することで、スクライブけ
がき２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ
が形成される。図６と図７に示すように、抵抗値を精確
（正確）に制御することによって所要の抵抗値を有する
薄膜抵抗器が得られた。
ムまたはスプレーコーテイングにより、レジストを塗布
してから、フォトリソグラフィにより薄膜抵抗層１８を
パターニングする。これにより、薄膜抵抗のパターン１
８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄが形成される。そして、
レーザトリミングにより薄膜抵抗のパターン１８ａ，１
８ｂ，１８ｃ，１８ｄを調整することで、スクライブけ
がき２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ
が形成される。図６と図７に示すように、抵抗値を精確
（正確）に制御することによって所要の抵抗値を有する
薄膜抵抗器が得られた。
【００１６】それから、薄膜抵抗のパターン１８ａ，１
８ｂ，１８ｃ，１８ｄを封入するための保護層（図示せ
ず）を形成する。封入材料として、例えばエポキシ封入
剤、ウレタン封入剤、シリコン封入剤のいずれかであ
る。最後に、絶縁基板１０をスクライブけがきに沿って
カットすることによって複数の薄膜抵抗器が得られる。
８ｂ，１８ｃ，１８ｄを封入するための保護層（図示せ
ず）を形成する。封入材料として、例えばエポキシ封入
剤、ウレタン封入剤、シリコン封入剤のいずれかであ
る。最後に、絶縁基板１０をスクライブけがきに沿って
カットすることによって複数の薄膜抵抗器が得られる。
【００１７】以上、本発明の実施例を、図面を参照して
詳述してきたが、本発明は、この実施例に限られるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等
があっても本発明に含まれる。例えば、本発明では、ス
クライブけがき２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２２ａ，２２
ｂ，２２ｃは、レーザトリミングにより薄膜抵抗のパタ
ーン１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄを調整することに
より得られたが、マスクのパターンを変更することによ
って、薄膜抵抗のパターン１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１
８ｄを形成すると同時に、スクライブけがきを形成する
こともできる。
詳述してきたが、本発明は、この実施例に限られるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等
があっても本発明に含まれる。例えば、本発明では、ス
クライブけがき２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２２ａ，２２
ｂ，２２ｃは、レーザトリミングにより薄膜抵抗のパタ
ーン１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄを調整することに
より得られたが、マスクのパターンを変更することによ
って、薄膜抵抗のパターン１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１
８ｄを形成すると同時に、スクライブけがきを形成する
こともできる。
【００１8】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
従来のフォトリソグラフィーの代わりに、非フォトリソ
グラフィーを利用して薄膜抵抗層を製造するので、薄膜
抵抗器の製造コストを削減できる。また、本発明におい
ては、従来のように純度９９．６％の酸化アルミニウム
基板を使用する必要がなく、純度９６％の酸化アルミニ
ウム基板を採用すればよいので、薄膜抵抗器の製造コス
トをさらに削減できる。
従来のフォトリソグラフィーの代わりに、非フォトリソ
グラフィーを利用して薄膜抵抗層を製造するので、薄膜
抵抗器の製造コストを削減できる。また、本発明におい
ては、従来のように純度９９．６％の酸化アルミニウム
基板を使用する必要がなく、純度９６％の酸化アルミニ
ウム基板を採用すればよいので、薄膜抵抗器の製造コス
トをさらに削減できる。
【図１】本発明に使用されるスクライブけがきを有する
絶縁基板を示す斜視図である。
絶縁基板を示す斜視図である。
【図２】本発明の製造方法を工程順に説明するための断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の製造方法を工程順に説明するための断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の製造方法を工程順に説明するための断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の製造方法を工程順に説明するための断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の製造方法を工程順に説明するための断
面図である。
面図である。
【図７】図６の一部に対応する部分斜視図である。
【符号の説明】 １０ 絶縁基板 １２ 平坦層 １４ 上導体パターン層 １４ａ〜１４ｃ 上導線 １６ 下導体パターン層 １６ａ〜１６ｃ 下導線 １８ 薄膜抵抗層 １８ａ〜１８ｄ 薄膜抵抗のパターン ２０ａ〜２０ｃ スクライブけがき ２２ａ〜２２ｃ スクライブけがき ａ１〜ａ３ 横刻み線 ｂ１〜ｂ４ 縦刻み線
Claims (6)
- 【請求項１】絶縁基板を提供する工程と、 前記絶縁基板に非フォトリソグラフィーにより導体パタ
ーン層を形成する工程と、 前記導体パターン層と前記絶縁基板に、薄膜抵抗層を形
成する工程と、 フォトリソグラフィーにより前記薄膜抵抗層をパターニ
ングする工程と、を有することを特徴とする薄膜抵抗器
の製造方法。 - 【請求項２】前記絶縁基板に導体パターン層を形成する
前に、前記絶縁基板に平坦層を形成する工程を、更に有
することを特徴とする請求項１に記載の薄膜抵抗器の製
造方法。 - 【請求項３】前記非リソグラフィ法は、スクリーン印刷
法であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜抵抗器
の製造方法。 - 【請求項４】前記薄膜抵抗層をパターニングした後、レ
ーザトリミングにより抵抗値を調整すること工程を、更
に有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜抵抗器
の製造方法。 - 【請求項５】前記フォトリソグラフィーにより前記薄膜
抵抗層をパターニングすると同時に、パターニングする
前記薄膜抵抗層の抵抗値を調整することを特徴とする請
求項１に記載の薄膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項6】前記フォトリソグラフィーにより前記薄膜
抵抗層をパターニングする前に、ドライフィルムまたは
スプレーコーテイングにより、レジストを塗布すること
を特徴とする請求項１に記載の薄膜抵抗器の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| TW89106687 | 2000-04-11 | ||
| TW89106687 | 2000-04-11 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001307903A true JP2001307903A (ja) | 2001-11-02 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000289926A Pending JP2001307903A (ja) | 2000-04-11 | 2000-09-25 | 薄膜抵抗器の製造方法 |
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| JP (1) | JP2001307903A (ja) |
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| KR100862162B1 (ko) | 2006-12-13 | 2008-10-09 | 서수정 | 매립형의 전기 저항성 박막체 및 이의 증착 방법 |
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-
2000
- 2000-09-22 US US09/668,773 patent/US6365483B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-25 JP JP2000289926A patent/JP2001307903A/ja active Pending
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| US6365483B1 (en) | 2002-04-02 |
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