JP2863710B2 - 金属皮膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
金属皮膜抵抗器の製造方法Info
- Publication number
- JP2863710B2 JP2863710B2 JP6310952A JP31095294A JP2863710B2 JP 2863710 B2 JP2863710 B2 JP 2863710B2 JP 6310952 A JP6310952 A JP 6310952A JP 31095294 A JP31095294 A JP 31095294A JP 2863710 B2 JP2863710 B2 JP 2863710B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- plating
- copper
- nickel
- film resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属皮膜抵抗器の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属皮膜抵抗器は、各種電化製品や計測
器に使用されている。そして、近年高抵抗から１０ｍΩ
程度の低抵抗領域にまで及ぶ精密抵抗、すなわち抵抗温
度係数が優れ、抵抗値許容差±１％程度の特性が要求さ
れている。従来、金属皮膜抵抗器において、高抵抗領域
から低抵抗領域にまで適用することができ、かつ抵抗温
度係数が優れたものとして、金属皮膜に銅−ニッケル合
金皮膜を用いたものがある。この抵抗器は、磁器基体に
銅とニッケルを交互に電析させ、幾層にも膜を積層させ
た後、８００℃程度の高温度で熱処理して銅−ニッケル
合金皮膜を形成することにより製造されていた。また、
特に抵抗温度係数の優れた超精密級の金属皮膜抵抗器と
して、ニッケル−クロムの蒸着皮膜を用いたものがあ
り、これは抵抗温度係数±１０ｐｐｍ／℃、抵抗値許容
差±１％の特性を有している。
器に使用されている。そして、近年高抵抗から１０ｍΩ
程度の低抵抗領域にまで及ぶ精密抵抗、すなわち抵抗温
度係数が優れ、抵抗値許容差±１％程度の特性が要求さ
れている。従来、金属皮膜抵抗器において、高抵抗領域
から低抵抗領域にまで適用することができ、かつ抵抗温
度係数が優れたものとして、金属皮膜に銅−ニッケル合
金皮膜を用いたものがある。この抵抗器は、磁器基体に
銅とニッケルを交互に電析させ、幾層にも膜を積層させ
た後、８００℃程度の高温度で熱処理して銅−ニッケル
合金皮膜を形成することにより製造されていた。また、
特に抵抗温度係数の優れた超精密級の金属皮膜抵抗器と
して、ニッケル−クロムの蒸着皮膜を用いたものがあ
り、これは抵抗温度係数±１０ｐｐｍ／℃、抵抗値許容
差±１％の特性を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前者の銅−ニッケル合
金皮膜を用いるものは、電析させた銅とニッケルを合金
化するために約８００℃という高温の熱処理が必要であ
り、そのため抵抗値が変化し、また大量の電力が必要で
コスト高となる欠点を有している。また、得られる抵抗
器の抵抗温度係数は±２５０ｐｐｍ／℃と悪い。後者の
超精密級金属皮膜抵抗器は、ニッケル−クロム皮膜を蒸
着により形成するため、厚膜形成が困難であり、従っ
て、抵抗値が１００〜１００ｋΩと高抵抗領域の抵抗器
しか作成できない。
金皮膜を用いるものは、電析させた銅とニッケルを合金
化するために約８００℃という高温の熱処理が必要であ
り、そのため抵抗値が変化し、また大量の電力が必要で
コスト高となる欠点を有している。また、得られる抵抗
器の抵抗温度係数は±２５０ｐｐｍ／℃と悪い。後者の
超精密級金属皮膜抵抗器は、ニッケル−クロム皮膜を蒸
着により形成するため、厚膜形成が困難であり、従っ
て、抵抗値が１００〜１００ｋΩと高抵抗領域の抵抗器
しか作成できない。
【０００４】従って、本発明は、高抵抗領域から低抵抗
領域まで適用可能で、抵抗温度係数の小さい優れた特性
の金属皮膜抵抗器を提供することを目的とする。
領域まで適用可能で、抵抗温度係数の小さい優れた特性
の金属皮膜抵抗器を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、銅塩とニッケ
ル塩を含むピロリン酸浴による電解めっき法により銅と
ニッケルを共析させることにより、銅−ニッケル合金皮
膜を形成し、これを抵抗器の金属皮膜抵抗体とするもの
である。ここに用いるピロリン酸浴としては、ＣｕＳＯ
4・５Ｈ2Ｏ；０．００５〜０．０３０モル／ｌ、ＮｉＳ
Ｏ4・６Ｈ2Ｏ；０．０７〜０．３０モル／１、Ｋ4Ｐ2Ｏ
7；０．２０〜０．５０モル／１、ｐＨ；６〜８が好ま
しい。また、浴温度は２０〜４０℃、電流密度はバレル
めっきの場合０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、シートめっきの
場合０．１〜１００Ａ／ｄｍ2が適当である。
ル塩を含むピロリン酸浴による電解めっき法により銅と
ニッケルを共析させることにより、銅−ニッケル合金皮
膜を形成し、これを抵抗器の金属皮膜抵抗体とするもの
である。ここに用いるピロリン酸浴としては、ＣｕＳＯ
4・５Ｈ2Ｏ；０．００５〜０．０３０モル／ｌ、ＮｉＳ
Ｏ4・６Ｈ2Ｏ；０．０７〜０．３０モル／１、Ｋ4Ｐ2Ｏ
7；０．２０〜０．５０モル／１、ｐＨ；６〜８が好ま
しい。また、浴温度は２０〜４０℃、電流密度はバレル
めっきの場合０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、シートめっきの
場合０．１〜１００Ａ／ｄｍ2が適当である。
【０００６】本発明はまた、陽極にニッケルと銅を用
い、めっき電流を陽極のニッケルと銅とに一定の比率で
分配してめっき浴中のニッケルと銅の濃度比をほぼ一定
にしてめっきすることを特徴とする。さらに、本発明
は、前記の銅−ニッケル合金めっき皮膜を窒素雰囲気中
において５００℃以上の温度で熱処理する工程を有す
る。
い、めっき電流を陽極のニッケルと銅とに一定の比率で
分配してめっき浴中のニッケルと銅の濃度比をほぼ一定
にしてめっきすることを特徴とする。さらに、本発明
は、前記の銅−ニッケル合金めっき皮膜を窒素雰囲気中
において５００℃以上の温度で熱処理する工程を有す
る。
【０００７】
【作用】上記のピロリン酸浴は、銅−ニッケル合金めっ
き皮膜の厚付けが可能であり、低抵抗領域の抵抗器を容
易に得ることができる。また、めっき条件を適切にする
ことにより、物性のよい合金めっき皮膜が得られる。さ
らに、電流効率が高く、浴安定性に優れている。また、
排水処理も比較的容易である。
き皮膜の厚付けが可能であり、低抵抗領域の抵抗器を容
易に得ることができる。また、めっき条件を適切にする
ことにより、物性のよい合金めっき皮膜が得られる。さ
らに、電流効率が高く、浴安定性に優れている。また、
排水処理も比較的容易である。
【０００８】浴のｐＨは、得られるめっき皮膜のニッケ
ル含有率および膜厚に影響を与える。浴のｐＨが高くな
ると、めっき皮膜中のニッケル含有率および膜厚が増加
する。ｐＨを低くすると、めっき皮膜のニッケル含有率
が低下するのは、浴中の銅イオンの安定度がｐＨによっ
て影響され、錯化剤であるピロリン酸がニッケルに配位
し難しくなるためと考えられる。また、ｐＨが高いとこ
ろでは、ニッケルの水酸化物の生成により膜厚の増加が
あり、ｐＨが低いところでは、水素発生による電流効率
およびめっき皮膜の密着性の低下が生じる。
ル含有率および膜厚に影響を与える。浴のｐＨが高くな
ると、めっき皮膜中のニッケル含有率および膜厚が増加
する。ｐＨを低くすると、めっき皮膜のニッケル含有率
が低下するのは、浴中の銅イオンの安定度がｐＨによっ
て影響され、錯化剤であるピロリン酸がニッケルに配位
し難しくなるためと考えられる。また、ｐＨが高いとこ
ろでは、ニッケルの水酸化物の生成により膜厚の増加が
あり、ｐＨが低いところでは、水素発生による電流効率
およびめっき皮膜の密着性の低下が生じる。
【０００９】さらに詳しく説明すると、ｐＨ６で得た皮
膜は、ＳＥＭ写真からクラックの多い表面を有し、ＥＳ
ＣＡにより酸化ニッケルと金属ニッケルの混在するのが
認められる。また、ｐＨ９で得た皮膜は、水酸化ニッケ
ルと金属ニッケルの混在するのが認められる。これらの
皮膜は、水素雰囲気中において６００℃〜８００℃で熱
処理すると酸素はほとんど消滅し、抵抗温度係数は低下
する。
膜は、ＳＥＭ写真からクラックの多い表面を有し、ＥＳ
ＣＡにより酸化ニッケルと金属ニッケルの混在するのが
認められる。また、ｐＨ９で得た皮膜は、水酸化ニッケ
ルと金属ニッケルの混在するのが認められる。これらの
皮膜は、水素雰囲気中において６００℃〜８００℃で熱
処理すると酸素はほとんど消滅し、抵抗温度係数は低下
する。
【００１０】一方、ｐＨ７および８で得た皮膜は、ＥＳ
ＣＡ分析からは上記のような酸化ニッケルや水酸化ニッ
ケルは観察されず、金属ニッケルのピークに近い波形が
得られる。このようにｐＨ７〜８で得た皮膜が良質であ
る。そして、ｐＨ７で得た皮膜は、ニッケル含有率約５
０％で、抵抗温度係数が最も小さい値を示す。すなわ
ち、ｐＨ７で得た皮膜は、熱処理せずに抵抗温度係数±
２００ｐｐｍ／℃以下であり、５００℃の熱処理で約±
５０ｐｐｍ／℃以下となり、６００℃の熱処理でほぼ０
となる。熱処理の雰囲気は、水素でも不活性ガスでもよ
く、窒素を用いるのが最も経済的である。熱処理の時間
は、５００℃において２５分程度でよい。熱処理温度に
ついては、６００℃を越えると、金属皮膜抵抗器同士が
くっついたり、金属皮膜がふくれたりするおそれがある
ので、６００℃以下５００℃以上の範囲が好ましい。
ＣＡ分析からは上記のような酸化ニッケルや水酸化ニッ
ケルは観察されず、金属ニッケルのピークに近い波形が
得られる。このようにｐＨ７〜８で得た皮膜が良質であ
る。そして、ｐＨ７で得た皮膜は、ニッケル含有率約５
０％で、抵抗温度係数が最も小さい値を示す。すなわ
ち、ｐＨ７で得た皮膜は、熱処理せずに抵抗温度係数±
２００ｐｐｍ／℃以下であり、５００℃の熱処理で約±
５０ｐｐｍ／℃以下となり、６００℃の熱処理でほぼ０
となる。熱処理の雰囲気は、水素でも不活性ガスでもよ
く、窒素を用いるのが最も経済的である。熱処理の時間
は、５００℃において２５分程度でよい。熱処理温度に
ついては、６００℃を越えると、金属皮膜抵抗器同士が
くっついたり、金属皮膜がふくれたりするおそれがある
ので、６００℃以下５００℃以上の範囲が好ましい。
【００１１】得られるめっき皮膜のニッケル含有率は、
前記のようにめっき浴のｐＨによって影響を受けるが、
めっき時間の進行とともにニッケル含有率は上昇する。
ニッケル含有率３５〜６０％の範囲が好ましい。ニッケ
ル含有率を一定にするには、陽極にニッケルと銅を用
い、めっき電流を陽極のニッケルと銅とに一定の比率で
分配してめっき浴中のニッケルと銅の濃度比をほぼ一定
にしてめっきするのがよい。この場合、銅はニッケルに
比して析出しやすいので、後記実施例に示すように、め
っき浴の銅の濃度をニッケルのそれより小さくし、かつ
陽極のニッケルと銅に分配する電流の比をめっき浴中の
ニッケルと銅のモル比にほぼ対応させるのが好ましい。
前記のようにめっき浴のｐＨによって影響を受けるが、
めっき時間の進行とともにニッケル含有率は上昇する。
ニッケル含有率３５〜６０％の範囲が好ましい。ニッケ
ル含有率を一定にするには、陽極にニッケルと銅を用
い、めっき電流を陽極のニッケルと銅とに一定の比率で
分配してめっき浴中のニッケルと銅の濃度比をほぼ一定
にしてめっきするのがよい。この場合、銅はニッケルに
比して析出しやすいので、後記実施例に示すように、め
っき浴の銅の濃度をニッケルのそれより小さくし、かつ
陽極のニッケルと銅に分配する電流の比をめっき浴中の
ニッケルと銅のモル比にほぼ対応させるのが好ましい。
【００１２】上記の本発明の方法において、好ましいめ
っき条件は次のとおりである。 電流密度；０．１〜１０Ａ／ｄｍ2（バレルめっきの場
合） ０．１〜１００Ａ／ｄｍ2（シートめっきの場合） 基板上にシート状にめっき皮膜をつける場合には、基板
と陽極との間隔を２０ｍｍ以下にし、その間を液の流速
４ｍ／ｓｅｃ程度の速度で循環させることにより、高電
流密度のめっきをおこなうことができる。従って、電流
密度範囲は、０．１〜１００Ａ／ｄｍ2となる。
っき条件は次のとおりである。 電流密度；０．１〜１０Ａ／ｄｍ2（バレルめっきの場
合） ０．１〜１００Ａ／ｄｍ2（シートめっきの場合） 基板上にシート状にめっき皮膜をつける場合には、基板
と陽極との間隔を２０ｍｍ以下にし、その間を液の流速
４ｍ／ｓｅｃ程度の速度で循環させることにより、高電
流密度のめっきをおこなうことができる。従って、電流
密度範囲は、０．１〜１００Ａ／ｄｍ2となる。
【００１３】本発明のピロリン酸浴の電解により得られ
る銅−ニッケル合金皮膜は、銅比率４５〜６０％で、め
っき直後から銅とニッケルが合金化していることから、
熱処理なしで抵抗温度係数が±２００ｐｐｍ／℃、５０
０〜６００℃程度の熱処理により±５０ｐｐｍ／℃のも
のを容易に得ることができる。また、後記実施例に示す
ようなサイズの基体を用いた場合、１０ｍΩ程度の低抵
抗領域から、図２のように金属皮膜に溝切りをすること
により、１０Ω程度の高抵抗領域の抵抗器を得ることが
できる。
る銅−ニッケル合金皮膜は、銅比率４５〜６０％で、め
っき直後から銅とニッケルが合金化していることから、
熱処理なしで抵抗温度係数が±２００ｐｐｍ／℃、５０
０〜６００℃程度の熱処理により±５０ｐｐｍ／℃のも
のを容易に得ることができる。また、後記実施例に示す
ようなサイズの基体を用いた場合、１０ｍΩ程度の低抵
抗領域から、図２のように金属皮膜に溝切りをすること
により、１０Ω程度の高抵抗領域の抵抗器を得ることが
できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 ［実施例１］直径３ｍｍ、長さ１１ｍｍの円柱状の１Ｗ
型抵抗碍子体をサンプルとし、以下の条件でエッチン
グ、活性化処理、および下地めっきとしての無電解ニッ
ケル−リン合金めっき処理をする。
型抵抗碍子体をサンプルとし、以下の条件でエッチン
グ、活性化処理、および下地めっきとしての無電解ニッ
ケル−リン合金めっき処理をする。
【００１５】（１） エッチング フッ酸 １５０ｃｃ／ｌ 硝酸 ５０ｃｃ／ｌ 温度；常温、処理時間；２分間
【００１６】（２） 活性化処理 センシタイジング ＳｎＣｌ2 １０ｇ／ｌ 塩酸 ４０ｃｃ／ｌ 温度；常温、処理時間；２分間 アクチベイチング ＰｄＣｌ2 ０．２５ｇ／ｌ 塩酸 ２．５ｃｃ／ｌ 温度；常温、処理時間；２分間 以上のセンタイジングとアクチベイチングを２回繰り返
す。
す。
【００１７】（３） 下地めっき ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ３０ｇ／ｌ ＮａＨ2ＰＯ2・Ｈ2Ｏ １０ｇ／ｌ クエン酸ナトリウム （Ｎａ3Ｃ6Ｈ5Ｏ7・２Ｈ2Ｏ） １０ｇ／ｌ 温度；８５℃、処理時間；５分間
【００１８】以上の前処理をしたサンプル１０００個を
バレルに入れ、下記の浴組成のメッキ浴量５リットル、
浴温度３０℃、バレル回転数８ｒｐｍとし、陽極に白金
めっきしたチタンを用い、めっき電流３Ａで８時間電解
めっきする。なお、めっき浴のｐＨの調整は、高くする
ときは水酸化カリウムを、また低くするときは硫酸をそ
れぞれ用いる。 めっき浴組成 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ０．０１モル／ｌ ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ０．０９モル／ｌ Ｋ4Ｐ2Ｏ7 ０．３０モル／ｌ ｐＨ ６〜９
バレルに入れ、下記の浴組成のメッキ浴量５リットル、
浴温度３０℃、バレル回転数８ｒｐｍとし、陽極に白金
めっきしたチタンを用い、めっき電流３Ａで８時間電解
めっきする。なお、めっき浴のｐＨの調整は、高くする
ときは水酸化カリウムを、また低くするときは硫酸をそ
れぞれ用いる。 めっき浴組成 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ０．０１モル／ｌ ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ０．０９モル／ｌ Ｋ4Ｐ2Ｏ7 ０．３０モル／ｌ ｐＨ ６〜９
【００１９】上記のめっきにより銅−ニッケル合金めっ
き皮膜を形成した後、熱処理しないもの、および水素と
窒素との体積比１：９の混合ガス雰囲気中において２０
０℃、４００℃、６００℃、８００℃の各温度で２５分
間熱処理したものをそれぞれ金属皮膜抵抗器として特性
を測定する。
き皮膜を形成した後、熱処理しないもの、および水素と
窒素との体積比１：９の混合ガス雰囲気中において２０
０℃、４００℃、６００℃、８００℃の各温度で２５分
間熱処理したものをそれぞれ金属皮膜抵抗器として特性
を測定する。
【００２０】図１は、以上のようにして得られた金属皮
膜抵抗器を示す。１は前記の碍子からなる基体、２は下
地めっき皮膜およびその表面に形成された銅−ニッケル
合金めっき皮膜を表す。３は鉄素地に約１μｍの銅めっ
きと約２μｍの半田めっきをしたキャップで、リード４
を半田付けしてあり、上記めっき皮膜２を有する基体１
の端部を圧入により接合している。図２は、皮膜２に溝
５を形成することによって、抵抗値を約５Ωに増加させ
た抵抗温度係数（以下、ＴＣＲで表す）測定用の抵抗器
を示す。なお、以下に述べるＴＣＲは、２５℃と１２５
℃における抵抗値から求めたものである。
膜抵抗器を示す。１は前記の碍子からなる基体、２は下
地めっき皮膜およびその表面に形成された銅−ニッケル
合金めっき皮膜を表す。３は鉄素地に約１μｍの銅めっ
きと約２μｍの半田めっきをしたキャップで、リード４
を半田付けしてあり、上記めっき皮膜２を有する基体１
の端部を圧入により接合している。図２は、皮膜２に溝
５を形成することによって、抵抗値を約５Ωに増加させ
た抵抗温度係数（以下、ＴＣＲで表す）測定用の抵抗器
を示す。なお、以下に述べるＴＣＲは、２５℃と１２５
℃における抵抗値から求めたものである。
【００２１】図３は、上記めっき浴のｐＨおよびめっき
皮膜の熱処理温度と得られた抵抗器のＴＣＲとの関係を
示し、図４は同じくめっき浴のｐＨおよびめっき皮膜の
熱処理温度と得られた抵抗器の抵抗値との関係を示す。
図３から明らかなように、浴のｐＨを６〜８とし、皮膜
の熱処理温度を約６００℃とすると、ＴＣＲ±１００ｐ
ｐｍ／℃の特性を得ることができる。特に浴のｐＨを７
とすると、熱処理温度６００℃以上でＴＣＲ±１０ｐｐ
ｍ／℃の特性を得ることができる。
皮膜の熱処理温度と得られた抵抗器のＴＣＲとの関係を
示し、図４は同じくめっき浴のｐＨおよびめっき皮膜の
熱処理温度と得られた抵抗器の抵抗値との関係を示す。
図３から明らかなように、浴のｐＨを６〜８とし、皮膜
の熱処理温度を約６００℃とすると、ＴＣＲ±１００ｐ
ｐｍ／℃の特性を得ることができる。特に浴のｐＨを７
とすると、熱処理温度６００℃以上でＴＣＲ±１０ｐｐ
ｍ／℃の特性を得ることができる。
【００２２】抵抗温度計係数ではｐＨ６〜８のものが優
れていたが、この条件で得られたものの抵抗値について
は、図４のように、ｐＨ７〜９のものが熱処理温度６０
０℃以上で僅かに変化するだけであるのに対し、ｐＨ６
のものは大きく変化している。これらの結果から、優れ
た抵抗温度係数および低抵抗値が得られる条件はｐＨ７
〜８である。
れていたが、この条件で得られたものの抵抗値について
は、図４のように、ｐＨ７〜９のものが熱処理温度６０
０℃以上で僅かに変化するだけであるのに対し、ｐＨ６
のものは大きく変化している。これらの結果から、優れ
た抵抗温度係数および低抵抗値が得られる条件はｐＨ７
〜８である。
【００２３】［比較例］実施例１と同様にエッチング、
活性化処理および下地めっきの前処理をしたサンプル１
０００個について、めっき浴量５リットル、バレル回転
数８ｒｐｍとして、下記の条件で銅めっきとニッケルめ
っきを各４回ずつ重ねめっきをする。
活性化処理および下地めっきの前処理をしたサンプル１
０００個について、めっき浴量５リットル、バレル回転
数８ｒｐｍとして、下記の条件で銅めっきとニッケルめ
っきを各４回ずつ重ねめっきをする。
【００２４】（１） 銅めっき めっき浴組成 ＣｕＣＮ ５０ｇ／ｌ ＮａＣＮ １０ｇ／ｌ ｐＨ １２．５ 浴温度 ６０℃ 陽極 銅板 めっき電流値 ２Ａ めっき時間 ３０分
【００２５】（２） ニッケルめっき めっき浴組成 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ２８０ｇ／ｌ ＮｉＣｌ2 ５０ｇ／ｌ ｐＨ ４ 浴温度 ５０℃ 陽極 ニッケル板 めっき電流値 ２Ａ めっき時間 ４０分
【００２６】上記のようにして、銅めっき皮膜とニッケ
ルめっき皮膜を交互に形成した後、熱処理しないもの、
および水素と窒素との体積比１：９の混合ガス雰囲気中
において２００℃、４００℃、６００℃、８００℃の各
温度で２５分間熱処理したものについて特性を測定す
る。
ルめっき皮膜を交互に形成した後、熱処理しないもの、
および水素と窒素との体積比１：９の混合ガス雰囲気中
において２００℃、４００℃、６００℃、８００℃の各
温度で２５分間熱処理したものについて特性を測定す
る。
【００２７】図５は、本発明の実施例（実施例１におい
てめっき浴のｐＨを７とする）と比較例について、めっ
き皮膜の熱処理温度とＴＣＲとの関係を示す。また、図
６は、同じく本発明の実施例と比較例について、めっき
皮膜の熱処理温度と抵抗値との関係を示す。これらの図
から明らかなように、本発明によれば、熱処理なしでＴ
ＣＲ±２００ｐｐｍ／℃以下のものを得ることができる
が、比較例では、同様の特性のものを得るには８００℃
程度の熱処理を必要とする。また、比較例では、ＴＣＲ
を小さくするため高温度で熱処理すると、抵抗値が上昇
する。
てめっき浴のｐＨを７とする）と比較例について、めっ
き皮膜の熱処理温度とＴＣＲとの関係を示す。また、図
６は、同じく本発明の実施例と比較例について、めっき
皮膜の熱処理温度と抵抗値との関係を示す。これらの図
から明らかなように、本発明によれば、熱処理なしでＴ
ＣＲ±２００ｐｐｍ／℃以下のものを得ることができる
が、比較例では、同様の特性のものを得るには８００℃
程度の熱処理を必要とする。また、比較例では、ＴＣＲ
を小さくするため高温度で熱処理すると、抵抗値が上昇
する。
【００２８】［実施例２］めっき浴のｐＨを７、めっき
電流値を２〜４Ａとした他は実施例１と同じ条件で銅−
ニッケル合金めっき皮膜を形成し、次に実施例１と同じ
水素と窒素の混合ガス雰囲気中において８００℃で２５
分間熱処理する。図７に、めっき電流値およびめっき時
間と得られた抵抗器の抵抗値との関係を示す。また、図
８に、めっき電流値およびめっき時間と得られためっき
皮膜の膜厚との関係を示す。低い抵抗値を得るために
は、めっき時間を長くするか電流値を大きくして、めっ
き皮膜の膜厚を大きくすればよい。
電流値を２〜４Ａとした他は実施例１と同じ条件で銅−
ニッケル合金めっき皮膜を形成し、次に実施例１と同じ
水素と窒素の混合ガス雰囲気中において８００℃で２５
分間熱処理する。図７に、めっき電流値およびめっき時
間と得られた抵抗器の抵抗値との関係を示す。また、図
８に、めっき電流値およびめっき時間と得られためっき
皮膜の膜厚との関係を示す。低い抵抗値を得るために
は、めっき時間を長くするか電流値を大きくして、めっ
き皮膜の膜厚を大きくすればよい。
【００２９】［実施例３］めっき浴中の金属濃度を変え
た場合のめっき時間と得られた抵抗器の抵抗値との関係
を図９に示す。ａは、めっき浴のｐＨを７、めっき電流
値を４Ａとした他は実施例１と同じ条件で銅ーニッケル
合金めっき皮膜を形成し、次に実施例１と同じ条件で熱
処理をした場合である。また、ｂは、めっき浴のニッケ
ル塩および銅塩をａの２倍とした他はａと同じとした場
合である。
た場合のめっき時間と得られた抵抗器の抵抗値との関係
を図９に示す。ａは、めっき浴のｐＨを７、めっき電流
値を４Ａとした他は実施例１と同じ条件で銅ーニッケル
合金めっき皮膜を形成し、次に実施例１と同じ条件で熱
処理をした場合である。また、ｂは、めっき浴のニッケ
ル塩および銅塩をａの２倍とした他はａと同じとした場
合である。
【００３０】［実施例４］めっき電流値を２．５Ａとす
る他は実施例２と同じ条件で銅−ニッケル合金めっき皮
膜を形成し、次に実施例２と同じ条件で熱処理をする。
図１０にめっき時間と得られた抵抗器のＴＣＲおよび抵
抗値との関係を示し、図１１に同じくめっき時間と得ら
れた銅−ニッケル合金めっき皮膜の銅およびニッケルの
比率との関係を示す。なお、銅、ニッケルの比率の算出
に際しては、下地めっき皮膜のニッケル分は差し引いて
ある（以下、同じ）。これらの図から、銅−ニッケル合
金めっき皮膜の銅比率４５〜６５％の範囲で抵抗温度係
数±１００ｐｐｍ／℃のものが得られる。図１２は、め
っき時間と、めっき浴中の銅、ニッケルの濃度および銅
含有率（銅、ニッケル中に占める銅の割合）との関係を
示す。めっきの初期段階では、銅含有率の高いめっき皮
膜が得られるが、めっき時間とともにめっき浴中の銅イ
オン濃度が下がるため、めっき皮膜の銅比率は低下して
いく。
る他は実施例２と同じ条件で銅−ニッケル合金めっき皮
膜を形成し、次に実施例２と同じ条件で熱処理をする。
図１０にめっき時間と得られた抵抗器のＴＣＲおよび抵
抗値との関係を示し、図１１に同じくめっき時間と得ら
れた銅−ニッケル合金めっき皮膜の銅およびニッケルの
比率との関係を示す。なお、銅、ニッケルの比率の算出
に際しては、下地めっき皮膜のニッケル分は差し引いて
ある（以下、同じ）。これらの図から、銅−ニッケル合
金めっき皮膜の銅比率４５〜６５％の範囲で抵抗温度係
数±１００ｐｐｍ／℃のものが得られる。図１２は、め
っき時間と、めっき浴中の銅、ニッケルの濃度および銅
含有率（銅、ニッケル中に占める銅の割合）との関係を
示す。めっきの初期段階では、銅含有率の高いめっき皮
膜が得られるが、めっき時間とともにめっき浴中の銅イ
オン濃度が下がるため、めっき皮膜の銅比率は低下して
いく。
【００３１】［実施例５］めっき浴のｐＨを７として実
施例１と同じ条件で銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成
し、次に実施例１と同じ水素−窒素混合ガス雰囲気中ま
たは窒素雰囲気中において２５分間熱処理をする。図１
３に、熱処理温度と得られた抵抗器のＴＣＲとの関係を
示す。熱処理雰囲気は、窒素単独としても水素を含む窒
素中と同様の特性が得られる。また、熱処理温度を５０
０℃以上にすることにより、ＴＣＲ±５０ｐｐｍ／℃以
下のものが得られる。
施例１と同じ条件で銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成
し、次に実施例１と同じ水素−窒素混合ガス雰囲気中ま
たは窒素雰囲気中において２５分間熱処理をする。図１
３に、熱処理温度と得られた抵抗器のＴＣＲとの関係を
示す。熱処理雰囲気は、窒素単独としても水素を含む窒
素中と同様の特性が得られる。また、熱処理温度を５０
０℃以上にすることにより、ＴＣＲ±５０ｐｐｍ／℃以
下のものが得られる。
【００３２】［実施例６］以上の実施例では、めっき浴
に銅、ニッケルを補給しないため、めっき時間とともに
浴中の金属濃度が減少する。従って、得られるめっき皮
膜中の銅とニッケルの比率が変動し、ＴＣＲが安定しな
い。そこで、本実施例では、浴中の金属濃度を一定にす
るため、陽極に白金めっきしたチタン板の代わりにニッ
ケル板と銅板を用いる。そして、めっき電流値を３Ａと
し、２．７Ａをニッケル板に、０．３Ａを銅板に各々流
れるように分配する。このめっき電流の分配比は、めっ
き浴中のニッケルと銅のモル比に対応する。この他は実
施例２と同じ条件で銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成
し、次に実施例２と同じ条件で熱処理をする。
に銅、ニッケルを補給しないため、めっき時間とともに
浴中の金属濃度が減少する。従って、得られるめっき皮
膜中の銅とニッケルの比率が変動し、ＴＣＲが安定しな
い。そこで、本実施例では、浴中の金属濃度を一定にす
るため、陽極に白金めっきしたチタン板の代わりにニッ
ケル板と銅板を用いる。そして、めっき電流値を３Ａと
し、２．７Ａをニッケル板に、０．３Ａを銅板に各々流
れるように分配する。このめっき電流の分配比は、めっ
き浴中のニッケルと銅のモル比に対応する。この他は実
施例２と同じ条件で銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成
し、次に実施例２と同じ条件で熱処理をする。
【００３３】図１４にめっき時間と得られためっき皮膜
のニッケルおよび銅含有率との関係を示し、図１５に同
じくめっき時間と得られた抵抗器のＴＣＲおよび抵抗値
との関係を示す。陽極にニッケルと銅を用いることによ
り、得られるめっき皮膜のニッケルと銅の比率は約５
５：４５とほぼ一定した値となり、また、ＴＣＲもめっ
きの初期段階を除きほぼ±５０ｐｐｍ／℃程度以下とな
る。
のニッケルおよび銅含有率との関係を示し、図１５に同
じくめっき時間と得られた抵抗器のＴＣＲおよび抵抗値
との関係を示す。陽極にニッケルと銅を用いることによ
り、得られるめっき皮膜のニッケルと銅の比率は約５
５：４５とほぼ一定した値となり、また、ＴＣＲもめっ
きの初期段階を除きほぼ±５０ｐｐｍ／℃程度以下とな
る。
【００３４】以上の実施例では、円筒形の抵抗器につい
て説明した。図１および図２では、示していないが、金
属皮膜の酸化防止のため、少なくとも金属皮膜を覆うよ
うに、通常はキャップ端子の部分まで、エポキシ樹脂な
どの保護膜を形成するのが好ましい。本発明は、円筒形
のみでなく角形のチップ固定抵抗器など金属皮膜を抵抗
体とする抵抗器に適用できることはいうまでもない。以
下に角形のチップ固定抵抗器に適用した例を説明する。
て説明した。図１および図２では、示していないが、金
属皮膜の酸化防止のため、少なくとも金属皮膜を覆うよ
うに、通常はキャップ端子の部分まで、エポキシ樹脂な
どの保護膜を形成するのが好ましい。本発明は、円筒形
のみでなく角形のチップ固定抵抗器など金属皮膜を抵抗
体とする抵抗器に適用できることはいうまでもない。以
下に角形のチップ固定抵抗器に適用した例を説明する。
【００３５】［実施例７］大きさ６４ｍｍ×５０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍのアルミナ基板（Ａｌ2Ｏ3 ９６％、Ｓ
ｉＯ2 ４％）をサンプルとし、これに以下の条件でエッ
チング処理、活性化処理および下地めっきとしての無電
解ニッケルーリン合金めっき処理をした。この基板は、
複数のチップを同時に生産するため、縦方向および横方
向に分割用スリットが入っている。
厚さ０．６ｍｍのアルミナ基板（Ａｌ2Ｏ3 ９６％、Ｓ
ｉＯ2 ４％）をサンプルとし、これに以下の条件でエッ
チング処理、活性化処理および下地めっきとしての無電
解ニッケルーリン合金めっき処理をした。この基板は、
複数のチップを同時に生産するため、縦方向および横方
向に分割用スリットが入っている。
【００３６】（１） エッチング フッ酸 ２０ｃｃ／ｌ 硝酸 ２０ｃｃ／ｌ 温度；常温、処理時間；５分 （２） 活性化処理 実施例１と同じ （３） 下地めっき 実施例１と同じ
【００３７】以上の前処理をしたサンプルに下記の組成
のめっき浴を用いて、温度４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ
2で１時間めっきした。この際、サンプルと、白金めっ
きしたチタン板からなる陽極との間隔を４ｍｍとし、そ
の間を液流４ｍ／ｓｅｃの速度でめっき液を循環させ
た。使用しためっき液量は２０リットルである。
のめっき浴を用いて、温度４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ
2で１時間めっきした。この際、サンプルと、白金めっ
きしたチタン板からなる陽極との間隔を４ｍｍとし、そ
の間を液流４ｍ／ｓｅｃの速度でめっき液を循環させ
た。使用しためっき液量は２０リットルである。
【００３８】めっき浴組成 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ０．０１モル／ｌ ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ０．０９モル／ｌ Ｋ4Ｐ2Ｏ7 ０．３モル／ｌ ｐＨ ８〜９
【００３９】上記のめっきにより銅ーニッケル合金皮膜
を形成した後、水素と窒素との体積比１：９の混合ガス
雰囲気中において８００℃で２５分間熱処理をした。次
に、目的の抵抗値が得られるようめっき皮膜をレーザで
トリミングして抵抗値を修正した。次に、めっき皮膜の
特定部分に耐湿、耐熱特性に優れたエポキシ系樹脂のペ
ーストをスクリーン印刷し、大気雰囲気中において２０
０℃で３０分間加熱して樹脂を硬化させた。この後、サ
ンプルを横方向のスリットの部分で切り離して、個々の
チップが横方向につながっている状態にし、次に前記の
分割した面からめっき皮膜にまたがって樹脂に銀粉を混
合した導電性ペーストをローラー塗布機により塗布し、
大気雰囲気中において２００℃で３０分間硬化処理をし
た。次に、サンプルを縦方向のスリットの部分で分割し
て個々のチップに切り離した。そして、はんだ付け時の
信頼性を確保するため、電解めっきによりニッケルめっ
き皮膜（厚さ約５μｍ）、次いではんだめっき皮膜（厚
さ約５μｍ）を形成して角形金属皮膜抵抗器を得た。
を形成した後、水素と窒素との体積比１：９の混合ガス
雰囲気中において８００℃で２５分間熱処理をした。次
に、目的の抵抗値が得られるようめっき皮膜をレーザで
トリミングして抵抗値を修正した。次に、めっき皮膜の
特定部分に耐湿、耐熱特性に優れたエポキシ系樹脂のペ
ーストをスクリーン印刷し、大気雰囲気中において２０
０℃で３０分間加熱して樹脂を硬化させた。この後、サ
ンプルを横方向のスリットの部分で切り離して、個々の
チップが横方向につながっている状態にし、次に前記の
分割した面からめっき皮膜にまたがって樹脂に銀粉を混
合した導電性ペーストをローラー塗布機により塗布し、
大気雰囲気中において２００℃で３０分間硬化処理をし
た。次に、サンプルを縦方向のスリットの部分で分割し
て個々のチップに切り離した。そして、はんだ付け時の
信頼性を確保するため、電解めっきによりニッケルめっ
き皮膜（厚さ約５μｍ）、次いではんだめっき皮膜（厚
さ約５μｍ）を形成して角形金属皮膜抵抗器を得た。
【００４０】図１６は、上記の抵抗器の構造を示す。１
１は基板を示している。この基板は、その表面にニッケ
ルーリン合金めっき皮膜１２、および銅ーニッケル合金
めっき皮膜１３を有する。１４はめっき皮膜１３の特定
部分に被覆されたエポキシ系樹脂の硬化膜からなる保護
膜であり、めっき皮膜１３の酸化などを防止する役割を
もっている。この保護膜を形成後に、基板１１は図１６
の紙面の左右の部分で切り離され、一対の電極１５が形
成される。次いで、基板は紙面に平行な部分で個々のチ
ップに切り離され、めっき皮膜１６、１７が形成され
る。こうして抵抗器が製造される。上記のようにして得
た抵抗器（基板部分の大きさ縦４．５ｍｍ、横３．２ｍ
ｍ）は、抵抗値が銅ーニッケル合金皮膜の厚さを調製す
ることにより約１０〜４００ｍΩの範囲にあり、ＴＣＲ
は±３０ｐｐｍ／℃であった。
１は基板を示している。この基板は、その表面にニッケ
ルーリン合金めっき皮膜１２、および銅ーニッケル合金
めっき皮膜１３を有する。１４はめっき皮膜１３の特定
部分に被覆されたエポキシ系樹脂の硬化膜からなる保護
膜であり、めっき皮膜１３の酸化などを防止する役割を
もっている。この保護膜を形成後に、基板１１は図１６
の紙面の左右の部分で切り離され、一対の電極１５が形
成される。次いで、基板は紙面に平行な部分で個々のチ
ップに切り離され、めっき皮膜１６、１７が形成され
る。こうして抵抗器が製造される。上記のようにして得
た抵抗器（基板部分の大きさ縦４．５ｍｍ、横３．２ｍ
ｍ）は、抵抗値が銅ーニッケル合金皮膜の厚さを調製す
ることにより約１０〜４００ｍΩの範囲にあり、ＴＣＲ
は±３０ｐｐｍ／℃であった。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、低抵抗領域にまで適用
することができ、しかも熱処理をしないかまたは従来よ
りも低い温度の熱処理で抵抗温度係数の優れた金属皮膜
抵抗器を得られる。
することができ、しかも熱処理をしないかまたは従来よ
りも低い温度の熱処理で抵抗温度係数の優れた金属皮膜
抵抗器を得られる。
【図１】本発明の実施例における金属皮膜抵抗器の一部
を断面にした正面図である。
を断面にした正面図である。
【図２】本発明の実施例における抵抗温度係数測定用金
属皮膜抵抗器の正面図である。
属皮膜抵抗器の正面図である。
【図３】各種ｐＨのめっき浴を用いて得た金属皮膜抵抗
器の熱処理温度と抵抗温度係数との関係を示す。
器の熱処理温度と抵抗温度係数との関係を示す。
【図４】同じく熱処理温度と抵抗値との関係を示す。
【図５】実施例および比較例の金属皮膜抵抗器の熱処理
温度と抵抗温度係数との関係を示す。
温度と抵抗温度係数との関係を示す。
【図６】同じく熱処理温度と抵抗値との関係を示す。
【図７】各種めっき電流で得た金属皮膜抵抗器のめっき
時間と抵抗値との関係を示す。
時間と抵抗値との関係を示す。
【図８】めっき電流およびめっき時間と得られためっき
皮膜の膜厚との関係を示す。
皮膜の膜厚との関係を示す。
【図９】めっき浴中の金属濃度を変えた場合のめっき時
間と得られた抵抗器の抵抗値との関係を示す。
間と得られた抵抗器の抵抗値との関係を示す。
【図１０】めっき時間と得られた抵抗器の抵抗温度係数
および抵抗値との関係を示す。
および抵抗値との関係を示す。
【図１１】めっき時間と得られためっき皮膜の銅および
ニッケルの比率との関係を示す。
ニッケルの比率との関係を示す。
【図１２】めっき時間とめっき浴中の銅濃度、ニッケル
濃度、および銅含有率との関係を示す。
濃度、および銅含有率との関係を示す。
【図１３】窒素雰囲気および水素−窒素雰囲気中で熱処
理して得た抵抗器の熱処理温度と抵抗温度係数との関係
を示す。
理して得た抵抗器の熱処理温度と抵抗温度係数との関係
を示す。
【図１４】溶解性陽極を用いためっきにより得られるめ
っき皮膜のニッケルおよび銅の含有率の変化を示す。
っき皮膜のニッケルおよび銅の含有率の変化を示す。
【図１５】溶解性陽極を用いためっきにより得られる抵
抗器の抵抗温度係数および抵抗値の変化を示す。
抗器の抵抗温度係数および抵抗値の変化を示す。
【図１６】図１６は本発明の他の実施例により得た金属
皮膜抵抗器の縦断面図である。
皮膜抵抗器の縦断面図である。
１ 基体 ２ 金属皮膜 ３ キャップ ４ リード ５ 溝
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも絶縁性基材、前記基材の表面
に形成された金属皮膜抵抗体、および前記金属皮膜抵抗
体に接触する一対の電極からなる金属皮膜抵抗器の製造
方法で、前記金属皮膜抵抗体を形成する工程が、０．０
０５〜０．０３０モル／ｌの硫酸銅、０．０７〜０．３
０モル／ｌの硫酸ニッケルおよび０．２０〜０．５０モ
ル／ｌのピロリン酸カリウムを含むピロリン酸浴を電解
することにより、銅比率４０〜６５重量％の銅−ニッケ
ル二元合金めっき皮膜を形成することからなる金属皮膜
抵抗器の製造方法。 - 【請求項２】 少なくとも絶縁性基材、前記基材の表面
に形成された金属皮膜抵抗体、および前記金属皮膜抵抗
体に接触する一対の電極からなる金属皮膜抵抗器の製造
方法で、前記金属皮膜抵抗体を形成する工程が、０．０
０５〜０．０３０モル／ｌの硫酸銅、０．０７〜０．３
０モル／ｌの硫酸ニッケルおよび０．２０〜０．５０モ
ル／ｌのピロリン酸カリウムを含み、ｐＨが６〜８のピ
ロリン酸浴を浴温度２０〜４０℃で電解することによ
り、銅比率４０〜６５重量％の銅−ニッケル二元合金め
っき皮膜を形成することからなる金属皮膜抵抗器の製造
方法。 - 【請求項３】 少なくとも絶縁性基材、前記基材の表面
に形成された金属皮膜抵抗体、および前記金属皮膜抵抗
体に接触する一対の電極からなる金属皮膜抵抗器の製造
方法で、前記金属皮膜抵抗体を形成する工程が、銅塩お
よびニッケル塩を含むピロリン酸浴を電解して銅−ニッ
ケル合金めっき皮膜を形成することからなり、かつ陽極
にニッケルと銅を用い、めっき電流を陽極のニッケルと
銅とに一定の比率で分配してめっき浴中のニッケルと銅
の濃度比をほぼ一定にしてめっきすることを特徴とする
金属皮膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属皮膜抵抗体を形成するに先立っ
て、前記基材を活性化する工程および銅−ニッケル合金
の下地として無電解めっきによりニッケル層を析出させ
る工程を有する請求項１、２または３記載の金属皮膜抵
抗器の製造方法。 - 【請求項５】 少なくとも絶縁性基材、前記基材の表面
に形成された金属皮膜抵抗体、および前記金属皮膜抵抗
体に接触する一対の電極からなる金属皮膜抵 抗器の製造
方法で、前記基材を活性化処理する工程、下地として無
電解めっきによりニッケル層を析出させる工程、および
銅塩およびニッケル塩を含むピロリン酸浴を電解して銅
−ニッケル合金めっき皮膜からなる金属皮膜抵抗体を形
成することを特徴とする金属皮膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項６】 前記銅−ニッケル合金めっき皮膜を窒素
雰囲気中において５００〜６００℃の温度で熱処理する
工程を有する請求項１、２、３または５記載の金属皮膜
抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6310952A JP2863710B2 (ja) | 1993-12-16 | 1994-12-14 | 金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-317084 | 1993-12-16 | ||
| JP31708493 | 1993-12-16 | ||
| JP6310952A JP2863710B2 (ja) | 1993-12-16 | 1994-12-14 | 金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226309A JPH07226309A (ja) | 1995-08-22 |
| JP2863710B2 true JP2863710B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=26566524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6310952A Expired - Fee Related JP2863710B2 (ja) | 1993-12-16 | 1994-12-14 | 金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2863710B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012013036B4 (de) * | 2012-06-29 | 2015-04-02 | Isabellenhütte Heusler Gmbh & Co. Kg | Widerstand, insbesondere niederohmiger Strommesswiderstand, sowie Beschichtungsverfahren hierzu |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016118B2 (ja) * | 1982-12-04 | 1985-04-23 | 日東電工株式会社 | 抵抗体付き回路基板とその製造法 |
| JPS61174186A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-05 | 松下電器産業株式会社 | 磁器の表面処理方法 |
| JPH04277604A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属皮膜固定抵抗器の製造方法 |
-
1994
- 1994-12-14 JP JP6310952A patent/JP2863710B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07226309A (ja) | 1995-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4194913A (en) | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths | |
| EP0146152B1 (en) | Solderable palladium-nickel coatings | |
| US4234631A (en) | Method for immersion deposition of tin and tin-lead alloys | |
| USRE30434E (en) | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths | |
| EP0160761B1 (en) | Amorphous transition metal alloy, thin gold coated, electrical contact | |
| WO1994027302A1 (fr) | Resistance a film metallique ayant une fonction de fusion et procede de fabrication | |
| US5560812A (en) | Method for producing a metal film resistor | |
| JPH08138902A (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2863710B2 (ja) | 金属皮膜抵抗器の製造方法 | |
| JP3623864B2 (ja) | 金属皮膜抵抗器およびその製造方法 | |
| KR102295180B1 (ko) | 전기전도성, 내식성 및 내구성 향상을 위한 은-나노 합금 도금액 조성물 및 이를 이용한 도금 방법 | |
| JP2007242715A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3348705B2 (ja) | 電極形成方法 | |
| JPH0136243B2 (ja) | ||
| JP2003253454A (ja) | 電子部品のめっき方法、及び電子部品 | |
| JP4904853B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
| US4925407A (en) | Nickel-based electrical contact | |
| US4732821A (en) | Nickel-based electrical contact | |
| CA1248780A (en) | Nickel-based electrical contact | |
| US4071417A (en) | Process for decreasing the porosity of gold | |
| JPH0565659A (ja) | 無電解銅ニツケル合金めつき方法 | |
| JPH0888104A (ja) | チップ状電子部品とその製造方法 | |
| JP3763161B2 (ja) | 抵抗器とその製造方法 | |
| JPH0548601B2 (ja) | ||
| WO1986007205A1 (en) | Nickel-based electrical contact device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071211 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101211 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101211 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131211 Year of fee payment: 15 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |