JPS6016118B2 - 抵抗体付き回路基板とその製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は抵抗体付き回路基板とその製造法に関する。

従来、抵抗体を内蔵した回路基板は、一般に、電気絶縁
層、この層上に接合された抵抗体の層およびこの抵抗体
に接合された高導電体層からなる積層板の形態で提供さ
れる。また、目的とする抵抗回路パターンの作製に際し
ては、所定の回路パターンの形状にしたがって、絶縁領
域（絶縁層上の全層を除去）、抵抗領域（高導電体の層
のみ除去）、及び導体領域（各れの層も除去せず、通常
はこの高導電体上にさらに金などの貴金属の薄膜メッキ
を施す）が、サブトラクティブ法（マスクーェツチング
法）により形成されるか、あるいは該抵抗部分などを所
定のパターン形状をしたスクリーン印刷版を介して印刷
する直接形成法などにより形成される。ところで、当該
技術分野における抵抗体材料は、炭素系、酸化金属物系
、金属系及びこれらの混合体などからなっている。

かかる材料から抵抗体の層を形成する方法としては、ペ
ースト状物たとえばカーボン粒子などを種々の樹脂成分
で混合したものを印刷する方法、各種の炭化水素系化合
物を種々の条件下で炭化し蒸着する方法、金属ないし二
元系以上の合金を黍着、スパッタリングする方法などが
知られている。しかるに、ペースト状物の印刷の場合は
抵抗値自体のコントロールが困難であり、しかも回路板
全面にわたる抵抗値のバラッキが大きく特性も悪し、。

また、蒸着及びスパッタリングによる方法でも抵抗値の
管理が難しく、その上設備的に高価となる。そこで、近
年、抵抗体の層をメッキによって、安価にかつ大面積に
して効率よく安定的に製造す夕る方法が着目されている
。

例えば特開昭４８−７３７６２号公報にはニッケルーリ
ン合金からなる抵抗体を電気メッキで製造する方法が、
また特開昭５０一７１５１３号公報には上記以外の各種
の二元系合金よりなる抵抗体の層を電気メッキで形成す
る方Ｚ法がそれぞれ提案されている。しかしながら、上
記合金類は目的とする抵抗体材料としては特性上ならび
に作業性の点で多くの欠点があることが判明した。一般
に、かかる金属薄膜抵抗体からなる回路基Ｚ仮において
は、これらの膜厚を薄くすることによって目的に合った
面積抵抗値を有する抵抗体を得ることができる。

しかし、薄くするに従って金属皮膜自体のミクロ的な均
一性が得られ難く、おのずと膜厚に限度がある。たとえ
ば前述のニッケル２−リン合金での工業的に使用し得る
面積抵抗値としてはせし・ぜし・１０００／口以下であ
り、更に高い面積抵抗値を有するものは得られ難い。そ
の上、サブトラクティブ法による加工工程中でも重大な
欠陥がある。サブトラクティブ法では、まず、回路基板
の銅箔（高導電体）表面全面にフオトレジストを塗布す
る。

ついで、目的とする抵抗部分及び導体部分にレジストが
残るようなフオトマスクを介して露光後、現像する。絶
縁領域を形成するために不必要な銅及び抵抗体の層をそ
れぞれの専用エッチング液にて順次エッチング除去する
。引き続き、今度は導体部分のみが残るフオトマスクを
介して露光後、現像する。これにより露出された銅箔を
エッチング除去（抵抗領域の形成）すれば目的とする回
路板（但し、導体領域にはしジストが残存している）を
得ることができる。上記工程においては、抵抗パターン
領域に相当する部分の銅箔をエッチング除去する際、こ
のエッチング液に対して抵抗体の材質が安定で、ほとん
どエッチングされないことが必須条件である。

しかるに、上記のニッケルーリン合金からなる抵抗体は
銅箔とのエッチング選択性が悪く、銅箔のエッチング時
に抵抗体も部分的にエッチングされてしまい抵抗値が大
幅に増加してしまうことが判明した。つまり、所期の設
定値がそのまま加工後の抵抗値にならないという欠点を
有していた。また、上述の特関昭５０−７１５１３号公
報に示される各種の二元系合金は、これらが単金属のメ
ッキ膜より一般に高い面積抵抗値が得られるものとして
提案されたものであるが、下記の理由により未だ工業的
に採用されるに至っていない。すなわち、前記薄膜化に
よる抵抗値の増大とエッチング選択性などの諸特性のバ
ランスをとりにくい問題があるほか、抵抗値のバラッキ
のない一定組成の合金メッキ膜をこれらのメッキ浴から
安定に製造することが非常に難しいという問題があるた
めである。タ このような事情に鑑み、この出願人は、
前記提案に係る各合金とは異なる抵抗体材料としてすで
にスズーニッケル合金を案出した。

この合金によると、前記提案のものに比し薄膜化が可能
でこれによって約３００〜４０００／口の面積抵抗値を
得るこ０とができ、またエッチング選択性がよくなり、
さらに電気メッキで形成する場合の均一電着性にもすぐ
れたものとなることが見し、出された。この発明者らは
、上記スズーニツケル合金からなる抵抗体材料に関する
引き続く研究において、タスズーニッケル合金中にさら
に銅とィオウを含有させたときには面積低抗値が一段と
大きな回路基板が得られることを知り、この発明を完成
するに至ったものである。すなわち、この発明は、電気
絶縁層の少な〈とひも片面に抵抗体の層を介して高導電
体を接合した構造の回路基板において、上記抵抗体がス
ズーニッケル−銅−ィオウの四元合金からなることを特
徴とする抵抗体付き回路基板に係るものである。

この発明における上記の四元合金によれば、前タ記スズ
ーニツケル合金の場合と同様の良好なエッチング選択性
や電気メッキ時のすぐれた均一電着性が得られるほか、
面積抵抗値のきわめて高い回路基板を容易にかつ安定性
良好に製造することができる。４０ たとえば、前記ス
ズーニッケル合金の場合、面積抵抗値１０００／口程度
のものではその膜厚を数１００Ａ以下に、また約３００
〜４０００／口程度のものでは上記よりもさらに薄くし
なければならなかった。

これに対し、この発明の四元合金によると、合金中の銅
およびィオウ原子の含有量を適宜設定するだけで、その
膜厚をそれほど薄くしなくともたとえば２００〜３００
Ａ以上数千Ａの厚さでも５０００／口程度の面積抵抗値
を得ることが可能とな〇。一方、膜厚を薄くすれば、上
記の面積抵抗値はさらに一段と大きくなり、１びＱ／口
程度までの面積抵抗値を容易かつ安定に得ることができ
る。また、この発明の回路基板は、上記四元合金を抵抗
体材料としたことによって抵抗安定性に非常Ｚにすぐれ
たものとなり、高温ないし高温下に放置したときの抵抗
値の変化率が小さく、この点からも信頼性のきわめて高
い回路基板を提供できるという利点がある。

この発明の四元合金からなる抵抗体がいかなるＺ理由で
上述の如き効果を奏しうるのかは、現在のところ必ずし
も明らかではない。

推測では、上記合金の結晶粒子の微細化、銅および非金
属成分としてのィオウ原子の混入による結晶構造の変化
などに起因するものと思われる。 ２この
発明において適用される高導電体としては、銅箔が最も
一般的であるが、その他ニッケル箔、スズメッキ鋼箔及
び亜鉛箔など従来公知の材料を広く適用できる。また、
これら高導電体の製造法は特に限定されず、各種方法で
つくられるも２のがいずれも適用可能である。この発明
における前記四元合金からなる抵抗体の層は、上記高導
電体に対して一般に電気メッキ手法により形成されるが
、その合金組成としては、スズ、ニッケルおよび銅の合
計量中スズ３０〜３７９．９重量％、好適には３５〜７
４．５重量％、ニッケル２０〜６９．＄重量％、好適に
は２５〜６４．５重量％及び銅０．１〜３０重量％、好
適には０．５〜２８重量％を含有し、かっこの含有ニッ
ケルに対しＥＳＣＡ測定による相対強度比で３〜８０％
、好適には４〜７５％の範３囲のイオウを含むものであ
ることが望ましい。

スズ、ニッケルおよび銅の含有量が上記範囲からずれる
と回路基板の面積抵抗値が充分に高くならず、回路特性
上好結果を得にくい。とくに、銅の存在は、これとィオ
ウとの共存によって面積抵抗４値の増大に大きく寄与す
るものであるため、イオウ濃度を勘案した上で上記最適
範囲に設定すべきである。また、イオウ濃度が低すぎる
と面積抵抗値がそれ程高くならず、逆に高くなりすぎる
と回路特性上、とくに長期的な耐湿特性の面で好結果が
得られない。なお、この明細書で記述するところのＥＳ
ＣＡ測定とは、ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏ
ｐｙｆｏでＣｈｅｍｉｃａｌＡｎａｌ＄ｉｓ（イヒ学分
析のための電子分光）の頭文字を取った略称であって、
実際にｄｕＰｏｎｔ−島津製作所のＸ−線光電子分光装
置ＥＳＣＡ６５血を用いＸ線はＭｇＫＱ線にて、光電子
スペクトルを測定して実測したものである。

また、この実測に際し、回路基板の高導電体をエッチン
グにより除去して抵抗体の層を露出させ、この露出面側
から上記光電子スペクトルを測定したものである。この
種のＥＳＣＡ測定はある特定金属に対する相対強度比で
以つてその相対含有量を表わすのによく採用されている
ものである。電気メッキ手法による前記抵抗体の層の形
成は、スズ塩、ニッケル塩および銅塩と共にポリリン酸
のアルカリ金属塩、水溶性の有機ィオウ化合物またはそ
の塩および好ましくはＱーアミノ酸またはその塩を含有
するメッキ液を使用し、このメッキ液から電気メッキに
より高導電体上に抵抗体の層を亀着析出させるものであ
る。

上記のスズ塩としては、塩化第一スズ、ピロリン酸第一
スズ、硫酸第一スズなどを例示でき、おのおの単独また
は２種以上の混合系で使用できる。

使用量は金属換算で２〜４５夕／夕、好ましくは３〜４
０タ′そである。またニッケル塩としては、塩化ニッケ
ル、ピロリン酸ニッケル、硫酸ニッケル、スルフアミン
酸ニッケルなどを例示でき、おのおの単独または２種以
上の混合系で使用できる。

使用量は金属換算で２〜２５タ′Ｚ、より好ましくは３
〜２０夕／そである。さらに銅塩としては、塩化第二鋼
、ピロリン酸銅、硫酸鋼などを例示でき、おのおの単独
または２種以上の混合系で使用できる。

使用量は金属換算で０．１〜３．５の〆、好ましくは０
．冬〜３．数／そである。またポリリン酸のアルカリ金
属塩としては、そのカリウム塩、ナトリウム塩などを例
示でき、単独または２種以上の混合系で使用できる。

なお、ポリリン酸とは一般式を有する化合物の総称であ
り、この発明においてはｎは１〜３の整数のものを用い
るのが好ましい。ポリリン酸のアルカリ金属塩の添加量
としては上記スズ、ニッケルおよび銅塩の総量添加量に
鑑み１００〜４５０夕／その範囲とする。水溶性の有機
ィオウ化合物またはその塩は、メッキ皮膜合金中にィオ
ウ原子を含有させるためのものである。

有機ィオウ化合物が水溶性であるためには官能基として
アミノ基、水酸基、カルボキシル基などを有するもの、
またはそれらのカリウム塩、ナトリウム塩などであるこ
とが望ましい。また、その分子量としては、一般に４５
〜５５０の範囲、好適には６５〜４５０の範囲であるの
がよく、イオウ含有量としては通常５〜８の重量％、好
適には８〜７の重量％である。このような有機ィオウ化
合物の具体例としては、システィン、ホモシスティン、
システイン塩酸塩、チオール・ヒスチジン、グルタチオ
ン、ホモシステイン・チオラクタン塩酸塩、シスタチオ
ニン、メチオニン、ェチオニン、シスチン、ホモシスチ
ン、シスチン・ジスルホキシド、システィン酸、チオグ
リコール酸、チオグリコール酸ナトリウム、チオ乳酸、
チオ乳酸ナトリウム、チオ乳酸カルシウム、チオサリチ
ル酸ナトリウム、ジチオサリチル酸、チオリンゴ酸、チ
オ酢酸、チオ酪酸、ジェチルジチオカルバミン酸ナトリ
ウム、エチルキサントゲン酸カリウム、エチルキサント
ゲン酸ナトリウム、イソプロピルキサントゲン酸ナトリ
ウム、１ーチオソルビトール、チオグリセリン、２一メ
ルカプトエタノール、２一アミノエタンチオール、チオ
モルホリン、チオジグリコール、チオジグリコール酸、
３・３′−チオプロピオン酸、２ーチオフェンカルボン
酸、ジチオジグリコール酸、３・３ージチオジピリジン
、サッカリン、チアゾール、チオ尿素、チオセミカルバ
ジド、アリルチオ尿素、エチレンチオ尿素、チオホルム
アミドなどを例示でき、おのおの単独又は２種以上の混
合系で使用できる。その使用量は０．０５夕／そ以上飽
和濃度までとされ、好ましくは０．１〜２０夕／そであ
る。また、必要に応じて添加されるＱーアミノ酸として
は、グリシン、ヒスチジン塩酸塩、フェニルアラニン、
ロイシン、アスパラギン酸、グルタミン酸などを例示で
きる。その添加量は０〜５０夕／夕、好適には５〜３０
夕／その範囲で、おのおの単独又は２種以上の混合系で
使用できる。なおメッキ効率、特性値向上等のために、
メッキ格のｐＨ調整剤として塩酸、硫酸、スルフアミン
酸、ピロＩＪン酸、アンモニア水、水酸化カリウムなど
を適量添加することもできる。上記のメッキ液を用いた
電気メッキに当っては、そのメッキ格温度は２０〜６０
ｑｏの範囲で、メッキ電流密度としては０．０１Ａ′ｄ
で以上で、かつ３〜１０００クーロン／ｄ〆の総メッキ
電気量の範囲でメッキを行なうことが好ましい。

とくに好適には、メッキ作業性、コスト的問題を考慮し
て、第１図に示したように、メッキ電流密度は０．０５
〜５．０Ａ′ｄ〆、メッキ電気量は５〜６００クーロン
／ｄあの範囲がよい。メッキ格温度が適当でなくまた電
流密度が低すぎると、メッキ浴の安定性が損なわれ、得
られる抵抗体の抵抗値のばらつきや各種特性値の低下の
原因となる。陽極として用いられる材質としては、カー
ボン電極、白金被覆チタン電極、ステンレス電極の如き
不溶性電極や、ニッケル電極、ニッケルースズ合金電極
などの可溶性電極のいずれもが適用できる。

このようにして抵抗体の層を形成したのち、さらにこの
層上に常法により電気絶縁層を設けることにより、この
発明の目的とする抵抗体付き回路基板が得られる。

上記電気絶縁層を形成するための材料としては、ェボキ
シ樹脂その他の熱硬化性樹脂が好適に用いられ、またこ
れらの樹脂をガラスクロスその他の繊維基材に含浸させ
てなるプリプレグが用いられる。これらの材料を抵抗体
の層上に加熱圧着（硬化）させることによって電気特性
、耐熱性にすぐれた絶縁層となすことができる。このよ
うに、この発明によれば、前記工業的有用な回路基板の
製造法として、金属換算で２〜４５夕／そのスズ塩、２
〜２５夕／そのニッケル塩、０．１〜３．５夕／その銅
塩と共に、１００〜４５０夕／そのポリリン酸のアルカ
リ金属塩、０．０５夕／そ以上飽和濃度までの水溶性の
有機ィオウ化合物またはその塩および０〜５０夕／その
Ｑーアミノ酸またはその塩を含有するメッキ液を使用し
、このメッキ液から電気メッキにより高導電体上に抵抗
体の層を形成することを特徴とする抵抗体付き回路基板
の製造法を提供できるものである。

第２図は、上述の如くして得られるこの発明の回路基板
から回路板を作製するための工程図を示したもので、こ
の作製工程は従来と特に変えるところはない。

すなわち、まずの工程において、電気絶縁層３の片面に
抵抗体の層２を介して高導電体１を接合した構造の回路
基板における上記高導電体１上にフオトレジスト４を形
成し、つぎに‘Ｂ｝工程でフオトマスクを介して露光し
、現像して所定のパターンを形成する。

しかるのち、【Ｃ’工程でレジスト除去部分にニッケル
メッキ５および金メッキ６を施して一対二個の電極７を
複数形成する。ついでの工程で電極７，７間のフオトレ
ジスト４が残留するようなフオトマスクを介して再び露
光し、現像する。引き続き、【ＥＩ工程において上記■
工程でのレジスト除去部分に露出する高導電体１および
抵抗体の眉２をエッチング除去して電気絶縁層３を露出
する。さらに‘Ｆ｝工程で電極７，７間のフオトレジス
ト４を取り除き、これによって露出する高導電体１を（
Ｇ）工程においてエッチング除去する。かくして電極７
，７間にまたがる抵抗体の肩２を残して抵抗素子となし
、この上に（Ｈ）工程で保護皮膜８を形成して、回路板
を作製する。以上詳述したとおり、この発明の抵抗体付
き回路基板における大きな特色の一つは、１０００／口
以上１皿０／口程度までの高い面積抵抗値を有する抵抗
体を任意の膜厚で自由に形成でき、しかも耐熱性、耐湿
‘性などが良好で抵抗体の信頼性にすぐれる回路基板を
提供できることにある。特にこの世顔人が先に提案した
スズーニッケル合金からなる抵抗体の層では得ることが
困難であった４０００／口以上、好適には５００〜３０
０００／口の面積抵抗値を有するとともにその抵抗安定
性にすぐれる回路基板を品質安定に製造できるという利
点がある。以下に、この発明の実施例を記載してより具
体的に説明する。

なお、この発明は以下の実施例にのみ限定されるもので
はない。実施例 １ ロール状の電解鋼箔（３５山厚）を所定大（２０肌角）
に裁断した後、この銅箔製造時のドラム側の片面全面に
マスキング用の接着保護シートを圧着し、これを洗浄液
（シップレー社製ニュートラ・クリーン聡の１容量に対
して水１容量の割合で希釈した水溶液）に、室温下３分
間浸潰した。

その後、流水にて水洗し、さらにこれを脱イオン水にて
水洗した。次に、過硫酸アンモニウム２００夕／そ０お
よび濃硫酸１５の【／夕からなる水溶液（以下、単に過
硫酸アンモン処理液という）に室温下２分間浸潰し、水
洗後すみやかに電流密度０．５Ａ／ｄ〆、浴温度２５ｑ
０の一定条件、所定時間スズーニッケル−銅−ィオウ合
金のメッキを施して抵抗体の層をタ形成した。なお、メ
ッキ浴は下記の格組成を適用した。塩化第一スズ（Ｓに
１２・２日２０） ３０夕／そ塩化ニッケル（
ＮｉＣ１２・母ＬＯ） ３０夕／そピロリン酸
鋼（Ｃ均Ｐ２０７・細２０） １．５タ′〆０ピロ
リン酸カリウム（ＫＰ２０７） １７５夕／そグ
リシン（ＮＱＣＨ２ＣＯＯＨ） ２０タ′ム
シスチン（ＨＯＯＣＣＨ（Ｎ比）ＣＨ２Ｓナ２ ２．０
夕／そ上記のように抵抗体の層を形成した後、充分に水
洗し乾燥させた。

ついで、銅箔片面の前記保護タシートを剥離した後、抵
抗体の層上に、ェポキシ樹脂舎浸ガラスクロス（通称プ
レプレグ）を重ね合わせ、積層用プレス機により加熱圧
着することにより、抵抗体付き回路基板を得た。上記の
実施例１において、抵抗体形成のメッキ０時間を１５鼠
敷こ設定した回路基板を用いて、下記の方法により抵抗
体を構成する四元合金の組成を調べた。

結果は第１表に示されるとおりであった。＜合金組成の
測定＞ タ 供教基板の銅箔全面を、ニュートラ・エッチＶ１（
シップレー社製の鋼エッチング液；５０ｑｏ、班＝７．
６〜７．８）によりエッチング除去した。

充分に水洗したのち、中央部２肌角を切断し、再度充分
に水洗したのち乾燥させ、ＥＳＣＡ測定用０試料とし、
合金中に含まれるィオゥ濃度を含有ニッケル原子に対す
る相対強度比で測定した。一方、上記試料の残部を再度
充分に水洗したのち、濃硝酸３０の【および脱イオン水
７０の‘よりなる溶解液を用いて完全に溶解させ、スズ
、ニッケルおよび銅の濃度を原子吸光光度法により測定
した。第１表つぎに、上記の実施例１において、メッキ
時間を４０〜２５現砂間に設定して得た種々の基板を用
いて下記の方法で回路板を作製した。この回路板（メッ
キ時間の設定によって所定の抵抗値とされたもの）の耐
熱性および耐湿性を調べた結果は、後記の第２表に示さ
れるとおりであった。なお、耐熱性は１００℃に１０脚
時間放置したときの抵抗変化率（％）を示したものであ
り、また耐湿性とは４０℃、９０％ＲＨ下に１０畑時間
放置したときの抵抗変化率（％）を示したものである。
また、上記回路板の板面全体の平均抵抗値および抵抗値
の面分布（バラツキの範囲）と、メッキ時間との相関性
を調べた結果は、第３図に示されるとおりであった。

＜抵抗体付き回路板の作製＞ 抵抗体付き回路基板を前述の洗浄液に室温下３分間浸潰
した後、水洗し乾燥させた。

その後、ＡＺ−１１９（シップレー社製ポジ型フオトレ
ジスト）をロールコーターで塗工し、水平状態のまま５
〜１０分間自然乾燥した後、７０ｑ０で１８分間乾燥す
ることにより、銅箔表面にフオトレジスト膜を形成した
。つぎに、上記フォトレジスト膜上に雛Ｗの超高圧水銀
灯（オーク製作所社製ＨＭＷ−Ｎ６−３、照射距離６５
肌）にて積算光量値で３皿ｈｉ′の照射し、多数個の抵
抗素子の各電極部分にニッケルメッキと金メッキとを施
すための所定のパターンを焼付けた。

その後、ＡＺ−３０３（シツプレー社製のアルカリ現像
液）を用いて室温下３分間現像し、上記各電極部分のフ
オトレジスト膜を除去し、さらに流水および脱イオン水
で３０〜６頂妙間洗浄した。その後、前記の過硫酸アン
モン処理液にて室温下３晩砂闇処理した後、水洗した。
この除去部分に２Ａ／ｄ〆、５０００、５分間の条件下
でニッケルメッキを施し、さらにこのメッキ層上に０．
５Ａ／ｄ〆、４ぴ○、ＩＢ分間の条件下で金メッキを施
したのち、水洗し乾燥して一対二個の電極を複数形成し
た。ついで、各抵抗素子部分のフオトレジスト膜が残留
するようなフオトマスクを介して、前記露光器にて前記
同機の条件下で露光し、さらに前記同様の現像および水
洗処理を行なって、各抵抗素子部分以外のフオトレジス
ト膜を除去した。

しかるのち、前述のニュートラ・エッチＶＩにて、上記
除去部分に露出する電解鋼箔をエッチング除去した。水
洗後、濃硫酸３３５凧【、濃硝酸１５の‘、濃塩酸５０
処、過酸化水素水１０の‘および脱イオン水５９０風上
からなるエッチング液を用いて、銅箔除去部分に露出す
る抵抗体の層をエッチング除去した。引き続き、各抵抗
素子部分に残留するフオトレジスト膜をアセトンにて室
温下１０〜２の酸、間で除去したのち、この除去部分に
露出する銅箔を前記同様のエッチング液（ニュートラ・
エッチＶＩ）にてエッチング除去し、充分に水洗した後
乾燥した。かくして一対二個の電極間を接続する各抵抗
体の層を露出させ、この露出抵抗体を抵抗素子として、
この素子上及びこの素子に近接する電極部分の一部にソ
ルダーレジストィンキをスクリーン印刷により塗布した
。これを所定の条件下加熱硬化させることにより、目的
とする抵抗体付き回路板を作製した。‐ 第２表 比較例 １、２ 抵抗体メッキ用のメッキ液としてシスチンを添加せず、
かつピロリン酸銅の添加量を７．０夕／そ（比較例１）
およびピロリン酸銅の代わりに硫酸銅（５水塩）５．０
夕／夕（比較例２）を添加してなるメッキ液を用いた以
外は実施例１と全く同機にして抵抗体付き回路基板を作
製した。

この基板の合金組成を前記第１表に併記した。またこの
基板から前記同様にして回路板を得、メッキ時間（１２
〜１５硯砂）と得られた回路板の抵抗値との関係を求め
た結果は第４および５図に示される通りであった。これ
らの曲線形状から判断すれば、抵抗値としてはせし、ぜ
し、１００〜３０００／口程度が限界であろうことが判
る。参考までに抵抗値が２５〜１７００／口の範囲で各
２個ずつの耐熱性および耐湿性を調べた結果を前記第２
表に併記した。実施例 ２ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液中にグリシンを添加しな
かった以外は実施例１と全く同様にして抵抗体付き回路
基板を作製した。

この基板の抵抗体の合金組成を実施例１と同様にして調
べた結果は、スズ聡．虫重量％、ニッケル２８．４重量
％、銅２．７重量％で、イオウ含有量はＥＳＣＡ測定で
のニッケルに対する相対強度比で２７．５％であった。
つぎに上記基板から実施例１と同様にして回路板を作製
し、この回路板の抵抗値とメッキ時間との関係を調べた
結果は第６図に示される通りであった。また、耐熱性お
よび耐湿性を前記同様にして調べた結果は、次の第３表
に示される通りであつた。実施例 ３〜６ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として次の第４表に示さ
れる組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして
抵抗体付き回路基板を得た。

この基板の合金組成を調べた結果およびこの基板から回
路板を作製し、その抵抗値が約９０００／口のものにつ
いて特性試験を行なった結果は第４表に併記した通りで
あった。参考例 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として、前記の実施例６
のメッキ液組成にさらにピロリン酸銅を３．５タ′そ追
加添加した以外は、実施例１と同様にして抵抗体付き回
路基板を作製した。

この基板の合金組成は第４表に併記した。またこの基板
から前記同様にして回路板を得、メッキ時間（１０〜２
５の砂）と得られた回路板の抵抗値との関係を求めた結
果は第７図に示される通りであった。

抵抗値としてはせし、ぜし、１５００／口が限度である
ことが判った。参考までに抵抗値が約１０００／口のも
のについての特性試験を調べた結果は第４表に併記した
。第４表 実施例 ７〜１２ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として、次の第５表に示
される組成のものを用いた以外は、実施例１と同機にし
て抵抗体付き回路基板を得た。

この基板の合金組成を調べた結果およびこの基板から回
路板を作製し、その抵抗値が約６０００／口のものにつ
いて特性試験を行った結果は第５表に併記した通りであ
った。第５表 実施例 １３〜１６ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液としてグリシンの添加量
を１０夕／そに変更し、シスチンの添加量を０．５〜１
０夕／そ添加してなるものを用い、かつメッキ時間を１
０鼠砂の一定時間とした以外は、実施例１と全く同様に
して抵抗体付き回路基板を作製した。

この基板の合金組成を調べた結果およびこの基板から作
製した回路板の耐熱性、耐湿性を調べた結果は次の第６
表に示される通りであった。また、第８図は上記シスチ
ンの添加量と面積抵抗値との関係を図示したものである
。第６表 実施例 １７〜松 メッキ条件を次の第７表に示される如く０．１〜２．弘
′ｄの、３５〜５５ｑｏにした以外は実施例５と全く同
様にして抵抗体付き回路基板を作製した。

この基板の合金組成を調べた結果およびこの基板から回
路板を作製し、その抵抗値が約１２０００／口のものに
つき耐熱性および耐湿性を調べた結果は、第７表に併記
した通りであった。第７表

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の抵抗体付き回路基板における抵抗体
の層を形成するための好適なメッキ条件の範囲を示す説
明図、第２図Ａ〜日はこの発明の抵抗体付き回路基板か
ら所定の回路板を形成するための工程図、第３図、第６
図および第８図はこの発明の抵抗体付き回路基板の性能
を示す特性図、第４図および第５図は比較用として示し
た抵抗体付き回路基板の性能を示す特性図、第７図は参
考用として示した抵抗体付き回路基板の性能を示す特性
図である。 １・・・…高導亀体、２・・・・・・抵抗体の層、３・
・・・・・電気絶縁層。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 電気絶縁層の少なくとも片面に抵抗体の層を介して
   高導電体を接合した構造の回路基板において、上記抵抗
   体がスズ−ニツケル−銅−イオウの四元合金からなるこ
   とを特徴とする抵抗体付き回路基板。 ２ 四元合金がスズ、ニツケルおよび銅の合計量中スズ
   ３０〜７９．９重量％、ニツケル２０〜６９．９重量％
   および銅０．１〜３０重量％を含有し、かつこの含有ニ
   ツケルに対しＥＳＣＡ測定による相対強度比で３〜８０
   ％のイオウを含むものからなる特許請求の範囲第１項記
   載の抵抗体付き回路基板。 ３ 電気絶縁層の少なくとも片面に抵抗体の層を介して
   高導電体を接合した構造の回路基板を製造するにあたり
   、金属換算で２〜４５ｇ／ｌのスズ塩、２〜２５ｇ／ｌ
   のニツケル塩および０．１〜３．５ｇ／ｌの銅塩ととも
   に１００〜４５０ｇ／ｌのポリリン酸のアルカリ金属塩
   、０．０５ｇ／ｌ以上飽和濃度までの水溶性の有機イオ
   ウ化合物またはその塩および０〜５０ｇ／ｌのα−アミ
   ノ酸またはその塩を含有するメツキ液を使用し、このメ
   ツキ液から電気メツキにより高導電体上に抵抗体の層を
   形成することを特徴とする抵抗体付き回路基板の製造法
   。