JPS6089582A - スズ−ニツケル−イオウ合金のエツチング液 - Google Patents
スズ−ニツケル−イオウ合金のエツチング液Info
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- JPS6089582A JPS6089582A JP19805683A JP19805683A JPS6089582A JP S6089582 A JPS6089582 A JP S6089582A JP 19805683 A JP19805683 A JP 19805683A JP 19805683 A JP19805683 A JP 19805683A JP S6089582 A JPS6089582 A JP S6089582A
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- etching
- etching solution
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- alloy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ススーニッケルーイオウ合金のエツチング液
に関し、特に、スス−ニッケルーイオウ合金および、銅
とニッケルの１つ以上、が共存する場合に、選択的に、
スス−ニッケルーイオウ合金のみをエッチ／りすること
のできるエツチング液に関するものである。
に関し、特に、スス−ニッケルーイオウ合金および、銅
とニッケルの１つ以上、が共存する場合に、選択的に、
スス−ニッケルーイオウ合金のみをエッチ／りすること
のできるエツチング液に関するものである。
絶縁支持体の少なくとも片面に抵抗膜が形成され、その
抵抗膜の上に銅のような高導電層が接合されている偵崩
材料から、抵抗膜旬きプリント回路板を製作することは
既に知られている１、上記の抵抗膜として、ニッケル電
気メツキ膜、ニッケルーリン電気メツキ膜、ニッケルー
モリフテン電気メッキ膜、スズ−ニッケル電気メツキ膜
、スズ−ニッケルーイオウ電気メツキ膜等が用いられ、
或いは提案されているが、これらの中で、スズ−ニッケ
ルーイオウ電気メツキ膜は比抵抗が高く、抵抗膜の高抵
抗化を計る上で特に刊望視されている。
抵抗膜の上に銅のような高導電層が接合されている偵崩
材料から、抵抗膜旬きプリント回路板を製作することは
既に知られている１、上記の抵抗膜として、ニッケル電
気メツキ膜、ニッケルーリン電気メツキ膜、ニッケルー
モリフテン電気メッキ膜、スズ−ニッケル電気メツキ膜
、スズ−ニッケルーイオウ電気メツキ膜等が用いられ、
或いは提案されているが、これらの中で、スズ−ニッケ
ルーイオウ電気メツキ膜は比抵抗が高く、抵抗膜の高抵
抗化を計る上で特に刊望視されている。
しかしながら、スズ−ニッケルーイオウ電気メツキ膜は
抵抗膜としては有望である反面、耐躬食性回路形成して
プリント回路板とうるときに銅又はニッケルにニッケル
は銅表面にメツキレジスＩ・とじて設けられる場合があ
る）と共７ｆするスス−ニッケルーイオウ電気メツキ膜
のみを選択的にエツチングする場合、（ｉ）エツチング
に長時間を要する、（：）銅又はニッケルを同時に溶解
する、等の同順が生じていた。
抵抗膜としては有望である反面、耐躬食性回路形成して
プリント回路板とうるときに銅又はニッケルにニッケル
は銅表面にメツキレジスＩ・とじて設けられる場合があ
る）と共７ｆするスス−ニッケルーイオウ電気メツキ膜
のみを選択的にエツチングする場合、（ｉ）エツチング
に長時間を要する、（：）銅又はニッケルを同時に溶解
する、等の同順が生じていた。
このような実情において、電極として使用される銅およ
び／またはニッケルに対して腐食性がなく、ススーニツ
ケルーイ副つ電気メツキ膜のみをエツチングするエツチ
ング液を開発すべく検討した結果、本発明にΦつた０ 本発明は、（Ａ） ｌ ｌ中に０，０１モル以上、１２
モル以下のＨｃｌを含む水溶液、又は（Ｂ） １ ｇ中
に０．０１モル以上、１２モル未満のＨＣＩと、０．０
１モル以上、１８モル未満のＨ２ＳＯ４を含む水溶液、
よシなる、ススーニッケルーイオウ合金のエツチング液
に関するものである。
び／またはニッケルに対して腐食性がなく、ススーニツ
ケルーイ副つ電気メツキ膜のみをエツチングするエツチ
ング液を開発すべく検討した結果、本発明にΦつた０ 本発明は、（Ａ） ｌ ｌ中に０，０１モル以上、１２
モル以下のＨｃｌを含む水溶液、又は（Ｂ） １ ｇ中
に０．０１モル以上、１２モル未満のＨＣＩと、０．０
１モル以上、１８モル未満のＨ２ＳＯ４を含む水溶液、
よシなる、ススーニッケルーイオウ合金のエツチング液
に関するものである。
この発明のエツチング液はｎＯ記した如く高導電体、ス
ズーニツケノ元オウの三元合金よシなる抵抗膜絶縁基板
（カラスノボキシ板等）を順次ＩＣ１ｉ層してなる抵抗
膜付きプリント回路基板よシ、サブトラクティブ法等に
よシブリント回路後を製造する際に特に好適に用いるこ
とができる。
ズーニツケノ元オウの三元合金よシなる抵抗膜絶縁基板
（カラスノボキシ板等）を順次ＩＣ１ｉ層してなる抵抗
膜付きプリント回路基板よシ、サブトラクティブ法等に
よシブリント回路後を製造する際に特に好適に用いるこ
とができる。
抵抗膜付きプリント回路基板の断面図は第１図に示され
ている。第１図において、（１）は高導電体。
ている。第１図において、（１）は高導電体。
（２）は抵抗膜、（３）は絶縁基板である。
前記において高導電体としては、銅箔が最も一般的であ
るが、その他ニッケル箔、ススメッキ銅箔及び亜鉛箔な
ど従業公知の材料を広く適用できる。また、これら高導
電体の製造法は特に限定されず、各種方法でつくられる
ものがいずれも適用可能である。
るが、その他ニッケル箔、ススメッキ銅箔及び亜鉛箔な
ど従業公知の材料を広く適用できる。また、これら高導
電体の製造法は特に限定されず、各種方法でつくられる
ものがいずれも適用可能である。
またｎａ記三元合金からなる抵抗体の層は、上記高導電
体に対して一般に電気メツキ手法によ多形成されるが、
その合金組成としては、ススとニッケルとの合計量中ス
ス３０〜８５重量％、好適には３５〜８０重量％および
ニッケル７０〜１５重量％、好適には６５〜２０重量％
を含有し、かつこの含有ニッケルに対しＥＳＣＡ測定に
よる相対強度比で５〜７０％、好適には１０〜６０％の
範囲のイオウを含むものであることが望ましい。ニッケ
ルおよびスズの含有量が上記範囲からずれると、回路基
板の面積抵抗値が充分に高くならず、回路特性上好結果
を得にくい。また、イオウ濃度が低すぎると面積抵抗値
がそれ程高くならず、逆に多くなυすぎると回路特性上
、とくに長期的な耐湿特性の１ｍで好結果〃・ｔｓＩら
れなｕ′）０なおＲｊｌｔｆ己ＥＳＣＡ測定とは、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏ −５ｃｏＰｙｆｏｒ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ （イし学分析の
ための゛亀子分光）の頭又寸を取つ／こＩＩＩ呂称であ
って、実際にｄｕ Ｐｏｎｔ−島津製作所のｘ−ｂ＋光
↑Ｌ：３′−分光装置ＥＳＣＡ６５０Ｂを用いＸ線はＭ
ｇＫα線にて、光電子スペクトルを測定して実測し／こ
ものである。
体に対して一般に電気メツキ手法によ多形成されるが、
その合金組成としては、ススとニッケルとの合計量中ス
ス３０〜８５重量％、好適には３５〜８０重量％および
ニッケル７０〜１５重量％、好適には６５〜２０重量％
を含有し、かつこの含有ニッケルに対しＥＳＣＡ測定に
よる相対強度比で５〜７０％、好適には１０〜６０％の
範囲のイオウを含むものであることが望ましい。ニッケ
ルおよびスズの含有量が上記範囲からずれると、回路基
板の面積抵抗値が充分に高くならず、回路特性上好結果
を得にくい。また、イオウ濃度が低すぎると面積抵抗値
がそれ程高くならず、逆に多くなυすぎると回路特性上
、とくに長期的な耐湿特性の１ｍで好結果〃・ｔｓＩら
れなｕ′）０なおＲｊｌｔｆ己ＥＳＣＡ測定とは、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏ −５ｃｏＰｙｆｏｒ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ （イし学分析の
ための゛亀子分光）の頭又寸を取つ／こＩＩＩ呂称であ
って、実際にｄｕ Ｐｏｎｔ−島津製作所のｘ−ｂ＋光
↑Ｌ：３′−分光装置ＥＳＣＡ６５０Ｂを用いＸ線はＭ
ｇＫα線にて、光電子スペクトルを測定して実測し／こ
ものである。
この柚のＥＳＣＡａｔｌＪ定はある特定址１′こ対１−
る相対強度で以ってその相対含有量を表Ａフすのによく
採用されでいるものである。
る相対強度で以ってその相対含有量を表Ａフすのによく
採用されでいるものである。
電気メツキ手法による高導電層上への前Ｂ己抵抗体の層
の形成は、スス塩およびニッケル塩と共に、ピロリン酸
刀すウム、含硫アミノ酸またに、その塩および好ましく
はα−アミノ酸ｉ ′には−ｔの塩を含有するメッキ股
を使用し、このメッキ谷髪力・ら電気メッキにより高導
電体上に抵抗体の１１りを゛１１着析出程度、抵抗層の
厚みは、ｊｌｌｌ常は１００〜３ｏｏｏＡ程度（電析量
では０．７ ｍｇ／ｄ＆ 〜２５． ＯｍＪ’／ｄｍ’
）であシ、プリント回路基板は、一般的に抵抗層を形
成した高導電体の抵抗層側に絶縁基板を貼シ合せること
によシ待ることができる。
の形成は、スス塩およびニッケル塩と共に、ピロリン酸
刀すウム、含硫アミノ酸またに、その塩および好ましく
はα−アミノ酸ｉ ′には−ｔの塩を含有するメッキ股
を使用し、このメッキ谷髪力・ら電気メッキにより高導
電体上に抵抗体の１１りを゛１１着析出程度、抵抗層の
厚みは、ｊｌｌｌ常は１００〜３ｏｏｏＡ程度（電析量
では０．７ ｍｇ／ｄ＆ 〜２５． ＯｍＪ’／ｄｍ’
）であシ、プリント回路基板は、一般的に抵抗層を形
成した高導電体の抵抗層側に絶縁基板を貼シ合せること
によシ待ることができる。
プリント回路基板の詳細については、特願昭５７−１０
４５９２刊に記載されている。
４５９２刊に記載されている。
次に抵抗膜付きプリント回路基板よシ抵抗回路のパター
ン形成方法を説明する。
ン形成方法を説明する。
第２図はその一例を示すものである。
第２図法の場合には（Ａ）→（Ｂ）において高導電体（
この梠合にはｆＭ ） ｉｌｌ上にフォトレジストを形
成し、つぎにフォトマスクを介して旅先、さらに現像を
行って、所定のレジストパターン（４）を形成する。つ
ぎに（Ｂ）→（Ｃ）において、露出部の銅のエツチング
、（Ｃ）→（Ｄ）において抵抗層のエツチングを行なう
。図中（２）は抵抗層地肌面、（３）は絶縁基板地肌面
である。次に（Ｄ）→（Ｅ）においてフォトレジストの
はく離を行う。次に（Ｅ）→（Ｆ）において（Ａ）→（
Ｂｌと同じ操作を異なるフォトマスクを用いて行い、（
Ｆ）に示したレジストパターン（４）を形成する。つい
で、（Ｆ）→（Ｇ）において館山した部分の高導電体上
に、ＮｉおよびＡｕメッキを施し、（Ｇ）→（籾におい
てレジストは＜４１１．（Ｈ）→（Ｉ）において銅のエ
ツチングを行って抵抗回路パターン（２）を形成する。
この梠合にはｆＭ ） ｉｌｌ上にフォトレジストを形
成し、つぎにフォトマスクを介して旅先、さらに現像を
行って、所定のレジストパターン（４）を形成する。つ
ぎに（Ｂ）→（Ｃ）において、露出部の銅のエツチング
、（Ｃ）→（Ｄ）において抵抗層のエツチングを行なう
。図中（２）は抵抗層地肌面、（３）は絶縁基板地肌面
である。次に（Ｄ）→（Ｅ）においてフォトレジストの
はく離を行う。次に（Ｅ）→（Ｆ）において（Ａ）→（
Ｂｌと同じ操作を異なるフォトマスクを用いて行い、（
Ｆ）に示したレジストパターン（４）を形成する。つい
で、（Ｆ）→（Ｇ）において館山した部分の高導電体上
に、ＮｉおよびＡｕメッキを施し、（Ｇ）→（籾におい
てレジストは＜４１１．（Ｈ）→（Ｉ）において銅のエ
ツチングを行って抵抗回路パターン（２）を形成する。
第３図れ他の例を示すものである。第３図法の場合には
（Ａ）→（Ｉ３）において、第２図法の（Ｎ→（Ｂ）と
同様の方法による所定パターン（４）の形成を行い、つ
いで（均→（Ｃ′）において露出された銅の上にＮｉお
よびＡｕメッキを施し、（ｄ）→（Ｂ）においてフォト
マスクを介して露光現像を行って（６）に示したレジス
トパターンの形成を行う。次にｓ （Ｄ）→（ｎ＞にお
いて銅の露出部分のエツチングを行い、ついで（メ→（
杓において抵抗層のエツチングを行う。さらに（Ｆ′）
→（ｃ）においてレジストのは＜離、（ｄ）→（禎にお
いて銅のエツチングを行って抵抗回路パターンを形成す
る。
（Ａ）→（Ｉ３）において、第２図法の（Ｎ→（Ｂ）と
同様の方法による所定パターン（４）の形成を行い、つ
いで（均→（Ｃ′）において露出された銅の上にＮｉお
よびＡｕメッキを施し、（ｄ）→（Ｂ）においてフォト
マスクを介して露光現像を行って（６）に示したレジス
トパターンの形成を行う。次にｓ （Ｄ）→（ｎ＞にお
いて銅の露出部分のエツチングを行い、ついで（メ→（
杓において抵抗層のエツチングを行う。さらに（Ｆ′）
→（ｃ）においてレジストのは＜離、（ｄ）→（禎にお
いて銅のエツチングを行って抵抗回路パターンを形成す
る。
上記において第２図法では（Ｃ）→（ＤＪの工程におい
て、第３図法では（１４：） −＋ （Ｆ’）の工程に
おいて、エツチング選択性に劣るエツチング液を用いる
と抵抗層のエツチングと同時に銅の但り面よ勺のエツチ
ングが起とシ、結果としてパターン精度が出なくなシ、
目的とする抵抗回路板が精度良く得られない。
て、第３図法では（１４：） −＋ （Ｆ’）の工程に
おいて、エツチング選択性に劣るエツチング液を用いる
と抵抗層のエツチングと同時に銅の但り面よ勺のエツチ
ングが起とシ、結果としてパターン精度が出なくなシ、
目的とする抵抗回路板が精度良く得られない。
ところが本発明のエツチング液を用いると、エツチング
選択性に優れるので、エツチング時に形成される抵抗パ
ターンのパターン精度にすぐれるので所期に設定した抵
抗値を刊する回路板を得ることができる。
選択性に優れるので、エツチング時に形成される抵抗パ
ターンのパターン精度にすぐれるので所期に設定した抵
抗値を刊する回路板を得ることができる。
このように本発明のエツチング液を用いると、（ｉ）抵
抗パターン形成時にパターン精度が向上する、（１１）
パターン精度の向上によシ抵抗バターーン形成時の抵抗
バラツキが小さくなるｓ （ｌｉｉ）上記エツチング液
組成よシわかるように＊ ＨＣ７＋ ＨｚＳＯ４共に、
広い濃度範囲で使用できる、（ｉＶ）室温〜９０℃と広
い温度範囲で使用可能である等の特徴をイタする。
抗パターン形成時にパターン精度が向上する、（１１）
パターン精度の向上によシ抵抗バターーン形成時の抵抗
バラツキが小さくなるｓ （ｌｉｉ）上記エツチング液
組成よシわかるように＊ ＨＣ７＋ ＨｚＳＯ４共に、
広い濃度範囲で使用できる、（ｉＶ）室温〜９０℃と広
い温度範囲で使用可能である等の特徴をイタする。
ここで、エツチング液の濃度範囲については、高濃度側
で１、市販の製塩％ （１２’＋ｔＬ／／ｅ ＨＣｌ
） 又は、濃塩酸と濃硫酸（１８玉ルβＨ２ＳＯ４）の
みで調整したエツチング液においてもうぐれたエツチン
グ特性を示すが、低濃度側では、ＨＣｌ濃度がｏ、ｏｉ
モル／ｌ以下の場合にはエツチングにおいて、高温（６
０℃）で長時１ｆｓＩ （９０ｍｉｎ以上）を要するた
め、エツチング液濃度の範囲限定を（（転）ｌｌ中に０
．０１モル以上、１２モル以下のＨＣＩを含む水溶液、
又は、（Ｂ） １７１中に０．０１モル以上、１２モル
未満のＨＣＡと、０．０１モル以上、１８モル未満のｌ
Ｉ２ＳＯ４を含む水溶液、とした。なお本発明において
は塩化水素のみの水浴／ｌｋ又は塩化水素と硫酸の２成
分系混酸水溶液を用いるのが好ましい。
で１、市販の製塩％ （１２’＋ｔＬ／／ｅ ＨＣｌ
） 又は、濃塩酸と濃硫酸（１８玉ルβＨ２ＳＯ４）の
みで調整したエツチング液においてもうぐれたエツチン
グ特性を示すが、低濃度側では、ＨＣｌ濃度がｏ、ｏｉ
モル／ｌ以下の場合にはエツチングにおいて、高温（６
０℃）で長時１ｆｓＩ （９０ｍｉｎ以上）を要するた
め、エツチング液濃度の範囲限定を（（転）ｌｌ中に０
．０１モル以上、１２モル以下のＨＣＩを含む水溶液、
又は、（Ｂ） １７１中に０．０１モル以上、１２モル
未満のＨＣＡと、０．０１モル以上、１８モル未満のｌ
Ｉ２ＳＯ４を含む水溶液、とした。なお本発明において
は塩化水素のみの水浴／ｌｋ又は塩化水素と硫酸の２成
分系混酸水溶液を用いるのが好ましい。
以下に、この発明の実施例を記載して、よシ具体的に説
明する。
明する。
く抵抗層付回路基板のｔ！、！造〉
抵抗層付回路基板の製造方法は、特願昭５７−１０４５
９２号の方法に基づいて行った。即ち３５μｍ厚の電解
銅箔を２０ｃ、１ｒｔ Ｘ ２ ｏｃｍの大きさに裁断
した後、該銅箔（ロール状）製造時のドラム側の片面全
曲にマスキンク用接着保護シートを圧着シフ、これを洗
浄欣（シップし一社製ニュー１ラクリーン６８の１１に
対し−Ｃ水ｌ￥＋量加えたもの）に、室温下、３分向浸
ぜきした。その後、流水にて水すしし、さらにこ２１．
を脱・ｒオン水にて水洗した。次に、過硫酸アンモニウ
ム２００９７′ｌおよび、濃硫酸１０ｍ１／１３からな
る水浴液（以後、過硫酸アンモン処坤液と表現する）に
２分間浸せきし、水洗後すみやかに電流密度０．５Ａ／
ｄ＆温度２５℃の一定条件で、４０秒間下記メッキ浴中
に浸漬しスス−ニッケルなお、抵抗層形成用のメッキ浴
は下記の浴組成を適用した。
９２号の方法に基づいて行った。即ち３５μｍ厚の電解
銅箔を２０ｃ、１ｒｔ Ｘ ２ ｏｃｍの大きさに裁断
した後、該銅箔（ロール状）製造時のドラム側の片面全
曲にマスキンク用接着保護シートを圧着シフ、これを洗
浄欣（シップし一社製ニュー１ラクリーン６８の１１に
対し−Ｃ水ｌ￥＋量加えたもの）に、室温下、３分向浸
ぜきした。その後、流水にて水すしし、さらにこ２１．
を脱・ｒオン水にて水洗した。次に、過硫酸アンモニウ
ム２００９７′ｌおよび、濃硫酸１０ｍ１／１３からな
る水浴液（以後、過硫酸アンモン処坤液と表現する）に
２分間浸せきし、水洗後すみやかに電流密度０．５Ａ／
ｄ＆温度２５℃の一定条件で、４０秒間下記メッキ浴中
に浸漬しスス−ニッケルなお、抵抗層形成用のメッキ浴
は下記の浴組成を適用した。
塩化第１スズ（５ｎＣＩ２−２Ｈ２０） ３０ ｇ／ｌ
塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２０） ３０９／ＩＪ
ピロリン酸カリウム（Ｋ４Ｐ２Ｏ７） ２００９／１２
グリシン（ＮＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ） Ｉ Ｏ＆／６Ｌ
−シｘ チン（ＨＯＯＣＣＨＣＨ２Ｓ ）ｘ １．２
！９／ｌ葛Ｈ２ ついで、銅箔片面の前記保護シートをはく離した後抵抗
体の層上に、エポキシ樹脂含浸カラスクロス（通称プリ
プレグ）を重ね合わせ、積層用プレス機によシ加熱圧着
することＩｃよ凱抵抗体付き回路基板（供試基板）を得
た。
塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２０） ３０９／ＩＪ
ピロリン酸カリウム（Ｋ４Ｐ２Ｏ７） ２００９／１２
グリシン（ＮＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ） Ｉ Ｏ＆／６Ｌ
−シｘ チン（ＨＯＯＣＣＨＣＨ２Ｓ ）ｘ １．２
！９／ｌ葛Ｈ２ ついで、銅箔片面の前記保護シートをはく離した後抵抗
体の層上に、エポキシ樹脂含浸カラスクロス（通称プリ
プレグ）を重ね合わせ、積層用プレス機によシ加熱圧着
することＩｃよ凱抵抗体付き回路基板（供試基板）を得
た。
く抵抗層の合金組成の測定〉
合金組成の測定は下記方法により行った。
前記供試基板の肖箔全面を、ニュートラエッチＶ１（シ
ラプレー社製の銅エツチング液；５０℃、ＰＨ７，６〜
７．８）によシ、エツチング除去した。
ラプレー社製の銅エツチング液；５０℃、ＰＨ７，６〜
７．８）によシ、エツチング除去した。
充分に水洗したのち、中央部２ ｃｍ角を切断し、再度
充分に水洗したのち乾燥させ、 ＥＳＣＡＳＣ用試料と
し、合蛍中に含まれるイオウ濃度を含有ニッケル原子に
対する相対強度で測定した。
充分に水洗したのち乾燥させ、 ＥＳＣＡＳＣ用試料と
し、合蛍中に含まれるイオウ濃度を含有ニッケル原子に
対する相対強度で測定した。
一方、上記試料の残部を再度充分に水洗したのち、濃硝
酸３０罰、塩酸１０ｍ／’および脱イオン水！３ （ｌ
Ｍｅよりなる溶解液を用いて完全にｋｉＨさせ、スス
およびニッケルの濃度を原子吸光光度法により測定した
。
酸３０罰、塩酸１０ｍ／’および脱イオン水！３ （ｌ
Ｍｅよりなる溶解液を用いて完全にｋｉＨさせ、スス
およびニッケルの濃度を原子吸光光度法により測定した
。
・ 前記抵抗層中のスズ−ニッケルおよびイオウ濃一度
を下１己に示す〇 スズ（Ｓｎ／Ｓｎ＋Ｎｉ ） ６５重重景ニッケル（Ｎ
ｉ／Ｓｎ＋Ｎｉ ） ３５重量％く抵抗体付き回路板の
作製〉 上記により得られた抵抗体（ｑき回路基板を前述の洗浄
欣に蚕温下３′分間浸せきした後、水洗し乾燥させた。
を下１己に示す〇 スズ（Ｓｎ／Ｓｎ＋Ｎｉ ） ６５重重景ニッケル（Ｎ
ｉ／Ｓｎ＋Ｎｉ ） ３５重量％く抵抗体付き回路板の
作製〉 上記により得られた抵抗体（ｑき回路基板を前述の洗浄
欣に蚕温下３′分間浸せきした後、水洗し乾燥させた。
その後、ＡＺ−１１１（シンプレー社製ポジ型フォトレ
ジスト）を引上げ速度５〜１０ ｃｍ／分でディツピン
クコートし、８０’ｃで２０分間加熱乾燥することによ
シ銅箔表１１１１にフォトレジスト膜を形成した。つぎ
に、上記フォトレジスト膜上に３ＫＷの超高圧水銀灯（
′Ａ−り製作所社製ＨＭＷ−Ｎ６−３．照射距１１１Ｉ
６５ｃｒＩＬ）にて、積算光景値で４５０ ｎ＋シー照
射し電極部分にニッケルメッキと金メッキを施すだめの
所定パターンを焼付けた。
ジスト）を引上げ速度５〜１０ ｃｍ／分でディツピン
クコートし、８０’ｃで２０分間加熱乾燥することによ
シ銅箔表１１１１にフォトレジスト膜を形成した。つぎ
に、上記フォトレジスト膜上に３ＫＷの超高圧水銀灯（
′Ａ−り製作所社製ＨＭＷ−Ｎ６−３．照射距１１１Ｉ
６５ｃｒＩＬ）にて、積算光景値で４５０ ｎ＋シー照
射し電極部分にニッケルメッキと金メッキを施すだめの
所定パターンを焼付けた。
その後ＡＺ−３０３（シラプレー社製のアルカリ現像ｇ
、）を用いて、室温−Ｆ３分間現！’４’シ、上記各電
極部、分のフ第１・レジスト膜を除去し〔第３図の（Ｂ
′）〕、さらに、流水および脱イ刈ン水３０〜６０秒四
６〕浄した。その後、＠ｆＪ記の過硫酸アンモン処理液
にて、室温下３０秒間処理した後水洗し７た。、この除
去部分に２Ａ／ｄ７．５０℃、６分間の条件でニッケル
メッキを施し、さらにこのメッキ層上゛に０．５Ａ／ｄ
イ、４０℃、２００分間条件で狛メッキを施した〔第３
図の（ｄ）〕のち、水洗し乾燥して、一対２個の電極を
形成した。ついで、各抵抗素子部分のフォトレジスト膜
が残留するようなフォトマスクを介して、前記露光器に
て前記同様の現（ψおよび水洗処理を行なって、各抵抗
素子部分以外のフォトレジストＩＩ！Ａ綿除去し〔第３
図の（ｕｔ ） 、ついで、ニュートラエッチ■１（シ
ラプレー社製の銅エツチング液、５０℃、ＰＩｉ＝７．
６〜７．８）にて、上記除去部分に露出する電解銀箔を
エツチング除去した〔第３図の（ｉ）〕。
、）を用いて、室温−Ｆ３分間現！’４’シ、上記各電
極部、分のフ第１・レジスト膜を除去し〔第３図の（Ｂ
′）〕、さらに、流水および脱イ刈ン水３０〜６０秒四
６〕浄した。その後、＠ｆＪ記の過硫酸アンモン処理液
にて、室温下３０秒間処理した後水洗し７た。、この除
去部分に２Ａ／ｄ７．５０℃、６分間の条件でニッケル
メッキを施し、さらにこのメッキ層上゛に０．５Ａ／ｄ
イ、４０℃、２００分間条件で狛メッキを施した〔第３
図の（ｄ）〕のち、水洗し乾燥して、一対２個の電極を
形成した。ついで、各抵抗素子部分のフォトレジスト膜
が残留するようなフォトマスクを介して、前記露光器に
て前記同様の現（ψおよび水洗処理を行なって、各抵抗
素子部分以外のフォトレジストＩＩ！Ａ綿除去し〔第３
図の（ｕｔ ） 、ついで、ニュートラエッチ■１（シ
ラプレー社製の銅エツチング液、５０℃、ＰＩｉ＝７．
６〜７．８）にて、上記除去部分に露出する電解銀箔を
エツチング除去した〔第３図の（ｉ）〕。
しかるのち、本発明のエツチング液（この場合、１モル
／βＨＣＩおよび２モル／ １１ Ｈ２ＳＯ４からなる
混酸）を４０℃で用い、２０〜３０分間浸せき放置して
ｆｔｄｆｂ除去部分に露出する抵抗体の層をエツチング
除去した〔第３図のく杓〕。
／βＨＣＩおよび２モル／ １１ Ｈ２ＳＯ４からなる
混酸）を４０℃で用い、２０〜３０分間浸せき放置して
ｆｔｄｆｂ除去部分に露出する抵抗体の層をエツチング
除去した〔第３図のく杓〕。
引き続き、各抵抗素子部分に残留するフ、１ ）レジス
ト膜をアセトンにて室温下、１０〜２０秒間で除去した
〔第３肉の（ｄ）〕のち、この除去部分に露出する銅箔
を前記同様のエツチング液にュートラエッチＶｌ）にて
エツチング除去し〔第３図の（Ａ ） 、充分に水洗し
た後乾燥した。かくして、一対２個の電極間を接続する
抵抗体の層を露出させ、この露出した抵抗体を抵抗抱子
として、この集子上及びこの素子に近接する電極部分の
一部にソルタ゛−レジストインキをスクリーン印刷にょ
シ塗布した。これを所定の条件下で加熱硬化させること
によシ、抵抗休刊き回踏板を作製した。
ト膜をアセトンにて室温下、１０〜２０秒間で除去した
〔第３肉の（ｄ）〕のち、この除去部分に露出する銅箔
を前記同様のエツチング液にュートラエッチＶｌ）にて
エツチング除去し〔第３図の（Ａ ） 、充分に水洗し
た後乾燥した。かくして、一対２個の電極間を接続する
抵抗体の層を露出させ、この露出した抵抗体を抵抗抱子
として、この集子上及びこの素子に近接する電極部分の
一部にソルタ゛−レジストインキをスクリーン印刷にょ
シ塗布した。これを所定の条件下で加熱硬化させること
によシ、抵抗休刊き回踏板を作製した。
実施例１
ｈ記の抵抗層相ＩＬＩＪ路基板の銅箔全面をニュートラ
エッチでエツチング除去してなる１０；ｙ／ｄ＆の抵抗
５（Ｓｎ６５重景％１Ｎｉ３５３ｉｉ７Ｊ１％、８４５
％）付基板をたて１０ｃｎｔ、よこｌ ｃｍの大きさに
切断し試料とした。
エッチでエツチング除去してなる１０；ｙ／ｄ＆の抵抗
５（Ｓｎ６５重景％１Ｎｉ３５３ｉｉ７Ｊ１％、８４５
％）付基板をたて１０ｃｎｔ、よこｌ ｃｍの大きさに
切断し試料とした。
この試料を下記第１表に示す各温度に設定されたエツチ
ング液に浸漬し、抵抗層が完全にエツチングされるまで
の時間を測定しプ〔１、なお上記抵抗層のエツチング液
中に、３５ｐｙＪ早みの銅箔およびニッケル箔もＵ１付
させて、抵抗層が完全エツチングされるまでにエツチン
グされる銅およびニッケルの量も測定［た。
ング液に浸漬し、抵抗層が完全にエツチングされるまで
の時間を測定しプ〔１、なお上記抵抗層のエツチング液
中に、３５ｐｙＪ早みの銅箔およびニッケル箔もＵ１付
させて、抵抗層が完全エツチングされるまでにエツチン
グされる銅およびニッケルの量も測定［た。
その結呆を第１表に併記する。
実施例２
００記のく抵抗層付回路基板の製造〉において、電流密
度を２．０ Ａ／ｄｒｒｊ、メッキ時間を１０秒とする
以外は、すべて同様の要領で抵抗層イ」回路基板を製造
し、得られた基板の鉛箔全Ｆｔｒ１を実施例１と同様の
要領でエツチング除去し、１０１”Ｅｌｌｄ＆の抵抗層
（Ｓｎ４８重量％、Ｎｉ５２重量％、８１５％）何基板
を得た。
度を２．０ Ａ／ｄｒｒｊ、メッキ時間を１０秒とする
以外は、すべて同様の要領で抵抗層イ」回路基板を製造
し、得られた基板の鉛箔全Ｆｔｒ１を実施例１と同様の
要領でエツチング除去し、１０１”Ｅｌｌｄ＆の抵抗層
（Ｓｎ４８重量％、Ｎｉ５２重量％、８１５％）何基板
を得た。
この抵抗層付基板をたて１５ｃｍ、よこ２ｃｒｆＬの大
きさに切断し試料とした。
きさに切断し試料とした。
この試料を下記第２表に示す各温度に設定されたエツチ
ング液に浸漬し、実施例１と同様の要領にて評価した。
ング液に浸漬し、実施例１と同様の要領にて評価した。
第１図は本発明のエツチング液を用いて抵抗層付プリン
ト回路板を得る際に使用する抵抗層付プリント回路基板
の実例を示す断面図である。 第２図および第３図は本発明のエツチング液を用いで抵
抗膜付プリント回路基板より抵抗脇付プリント回路板を
イ１する工程の実例を示す説明図でろゐ ０ １・・・高導電体 ２・・・抵抗膜 ３・・・絶縁基板
特許出願人 日束電気工業株式会社 代表者土方三部
ト回路板を得る際に使用する抵抗層付プリント回路基板
の実例を示す断面図である。 第２図および第３図は本発明のエツチング液を用いで抵
抗膜付プリント回路基板より抵抗脇付プリント回路板を
イ１する工程の実例を示す説明図でろゐ ０ １・・・高導電体 ２・・・抵抗膜 ３・・・絶縁基板
特許出願人 日束電気工業株式会社 代表者土方三部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａ） １１中に０．０１モル以上、１２モル以下のＨ
ＣＩを含む水溶液、又は （Ｂ） １１中に０．０１モル以上、１２モル未満のＨ
ＣＩと、０，０１モル以」ユ、１８モル未満のＨ２ＳＯ
４を含む水溶液。 よりなるスズーニッケルーイオウ合凪のエツチング液０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19805683A JPS6089582A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | スズ−ニツケル−イオウ合金のエツチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19805683A JPS6089582A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | スズ−ニツケル−イオウ合金のエツチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089582A true JPS6089582A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16384792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19805683A Pending JPS6089582A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | スズ−ニツケル−イオウ合金のエツチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1575082A2 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-14 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (IMEC) | Method for formimg a self-aligned germanide structure |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19805683A patent/JPS6089582A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1575082A2 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-14 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (IMEC) | Method for formimg a self-aligned germanide structure |
| EP1575082A3 (en) * | 2004-03-08 | 2006-05-31 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (IMEC) | Method for forming a self-aligned germanide structure |
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