JPS63147305A - 金属薄膜抵抗体 - Google Patents
金属薄膜抵抗体Info
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- JPS63147305A JPS63147305A JP61293546A JP29354686A JPS63147305A JP S63147305 A JPS63147305 A JP S63147305A JP 61293546 A JP61293546 A JP 61293546A JP 29354686 A JP29354686 A JP 29354686A JP S63147305 A JPS63147305 A JP S63147305A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明ハ二ノケルークロムーアルミニウムー珪素系薄膜
で構成された高安定性と低抵抗温度係数を有する金属薄
膜抵抗体に関するものである。
で構成された高安定性と低抵抗温度係数を有する金属薄
膜抵抗体に関するものである。
従来、Ｎｉ −Ｃｒ系の金属薄膜抵抗体は真空蒸着、ス
パッタリング、電子ビーム法などによって製造されてい
るが、数ｍΩ／口〜数にΩ／口の面積抵抗の範囲で安定
性が良好で、低抵抗温度係数を得ることは困難であった
。そのためにＣｒ／Ｎｉ 比を変化させたり、ベリリ
ウムＢｅ 。
パッタリング、電子ビーム法などによって製造されてい
るが、数ｍΩ／口〜数にΩ／口の面積抵抗の範囲で安定
性が良好で、低抵抗温度係数を得ることは困難であった
。そのためにＣｒ／Ｎｉ 比を変化させたり、ベリリ
ウムＢｅ 。
珪素Ｓ１．アルミニウムＡ１などを微量添加したりして
特性の改善を計ることが試み争れているが十分な特性を
得るに至っていない。すなわちＮｉ−Ｃｒ二元合金に関
しては例えば Ｎｉ８０ｗｔ％、Ｃｒ２０ｗｔ％からな
る組成物中のＮｉ濃度が高い場合高温安定性は良いがＴ
ＣＲ（低抵抗温度係数）が高すぎ一般に数１００ｐｐｍ
７℃である。逆にＣｒ’ｔＱ度を高めるとＴＣＰをＯ
に近づけることができるが安定性が悪化する。
特性の改善を計ることが試み争れているが十分な特性を
得るに至っていない。すなわちＮｉ−Ｃｒ二元合金に関
しては例えば Ｎｉ８０ｗｔ％、Ｃｒ２０ｗｔ％からな
る組成物中のＮｉ濃度が高い場合高温安定性は良いがＴ
ＣＲ（低抵抗温度係数）が高すぎ一般に数１００ｐｐｍ
７℃である。逆にＣｒ’ｔＱ度を高めるとＴＣＰをＯ
に近づけることができるが安定性が悪化する。
また、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂｅ、または、Ｎｉ−Ｃｒ−５ｉ系
ではＢｅ ＋ Ｓｉの添加により安定性およびＴＣＨの
改善が報告されているが薄膜抵抗を製造する場合着膜時
の基体温度を３００±ｌＯ℃に維持しなければならず、
大量生産時の製造ロフト間での再現性が悪い。
ではＢｅ ＋ Ｓｉの添加により安定性およびＴＣＨの
改善が報告されているが薄膜抵抗を製造する場合着膜時
の基体温度を３００±ｌＯ℃に維持しなければならず、
大量生産時の製造ロフト間での再現性が悪い。
また、Ｎ１−Ｃｒ−Ａ！系系膜膜抵抗Ａｎの添加により
ＴＣＲの改善が報告されているが安定性が十分でない。
ＴＣＲの改善が報告されているが安定性が十分でない。
〔発明が解決しようとする問題点］
本発明は前記の欠点を除去するために、抵抗体をＮｉ
−Ｃｒ −Ａｌ −Ｓｉ系薄膜により構成することによ
って高安定性、低抵抗温度係数を有しかつ、きわめて広
い範囲の面積抵抗値が得られると同時に製造時の再現性
が良好な金属薄膜抵抗を提供しようとするものである。
−Ｃｒ −Ａｌ −Ｓｉ系薄膜により構成することによ
って高安定性、低抵抗温度係数を有しかつ、きわめて広
い範囲の面積抵抗値が得られると同時に製造時の再現性
が良好な金属薄膜抵抗を提供しようとするものである。
本発明は、ニッケル、クロム、アルミニウムおよび珪素
、で構成される金属薄膜抵抗体において、クロム／ニッ
ケルの比が０．１５〜０，７４の範囲であって、アルミ
ニウムが０．４〜４．０重量％、珪素が０．２〜５．０
重量％の組成でアルミニウムと珪素との総量が１．５〜
８．０重１％の範囲であることを特徴とする高安定性お
よび低抵抗温度係数を有する金属薄膜抵抗体を提供する
ものである。
、で構成される金属薄膜抵抗体において、クロム／ニッ
ケルの比が０．１５〜０，７４の範囲であって、アルミ
ニウムが０．４〜４．０重量％、珪素が０．２〜５．０
重量％の組成でアルミニウムと珪素との総量が１．５〜
８．０重１％の範囲であることを特徴とする高安定性お
よび低抵抗温度係数を有する金属薄膜抵抗体を提供する
ものである。
（実施例〕
本発明者は表−１に示すようなニッケル、 Ｎｉ。
クロムＣｒ、アルミニウムＡＡおよび珪素Ｓｉの各組成
の合金を構成し、これを抵抗器とするにはセラミックや
ガラスなどの基体上にカソードスパッタ法、電子ビーム
、抵抗加熱式蒸着法などにより製作されるが、カソード
スパッタ法で薄膜を形成した。先づ基体を１００〜３０
０℃に加熱し、この状態でカソードスパッタ法により前
記組成の薄膜抵抗を形成し、これを空気中で２００〜４
００℃の温度で数時間以上熱処理をして金属薄膜抵抗の
安定性の向上を図るが、表−１には空気中２８０℃で５
時間熱処理したものの特性を示した。
の合金を構成し、これを抵抗器とするにはセラミックや
ガラスなどの基体上にカソードスパッタ法、電子ビーム
、抵抗加熱式蒸着法などにより製作されるが、カソード
スパッタ法で薄膜を形成した。先づ基体を１００〜３０
０℃に加熱し、この状態でカソードスパッタ法により前
記組成の薄膜抵抗を形成し、これを空気中で２００〜４
００℃の温度で数時間以上熱処理をして金属薄膜抵抗の
安定性の向上を図るが、表−１には空気中２８０℃で５
時間熱処理したものの特性を示した。
以下余白
高温安定性は、外装樹脂によるモールドを施した、実用
砥抗器形状のものを作成し１７５℃、２０００時間で試
験した結果を示した。
砥抗器形状のものを作成し１７５℃、２０００時間で試
験した結果を示した。
Ｃｒ／Ｎｉ比が０．１５未満ではＴＣＰが大きくなり０
．７４を超えるとＴＣＰが大きくなり高温安定性が悪く
なる。また製造上再現性が悪化する。
．７４を超えるとＴＣＰが大きくなり高温安定性が悪く
なる。また製造上再現性が悪化する。
アルミニウムＡβの量が範囲外（ｋ７．１２）であると
ＴＣＲが大きくなり高温安定性が悪い。
ＴＣＲが大きくなり高温安定性が悪い。
珪素Ｓｉの量が範囲外（ｌｔ１３．１８）であるとＴＣ
Ｐが大きくなり高温安定性が悪い。アルミニウムＡｌ＋
珪素Ｓｉの量が範囲外（１’ｈ１９．２４）であると、
ＴＣＰが大きくなり高温安定性が悪く、製造上の再現性
が悪化する。
Ｐが大きくなり高温安定性が悪い。アルミニウムＡｌ＋
珪素Ｓｉの量が範囲外（１’ｈ１９．２４）であると、
ＴＣＰが大きくなり高温安定性が悪く、製造上の再現性
が悪化する。
以上のように本発明の金属ａＩＩ２抵抗は閏安定性（±
１％以下）と低抵抗温度係数（ＴＣＲ±２５ｐｐｍ／’
Ｃ以下）を有し、広い抵抗値範囲をもち、また金属薄膜
抵抗の抵抗温度係数は熱処理条件により大きく変化する
ことがなく、さらに薄膜の着膜時の条件に対してもきわ
めて再現性が良く、均質な低抵抗温度係数のものが得ら
れることが確認された。
１％以下）と低抵抗温度係数（ＴＣＲ±２５ｐｐｍ／’
Ｃ以下）を有し、広い抵抗値範囲をもち、また金属薄膜
抵抗の抵抗温度係数は熱処理条件により大きく変化する
ことがなく、さらに薄膜の着膜時の条件に対してもきわ
めて再現性が良く、均質な低抵抗温度係数のものが得ら
れることが確認された。
したがって、本発明は工業的多量生産を安価で提供する
ことを可能にしたものである。
ことを可能にしたものである。
Claims (1)
- （１）ニッケル、クロム、アルミニウムおよび珪素、で
構成される金属薄膜抵抗体において、クロム／ニッケル
の比が０．１５〜０．７４の範囲であって、アルミニウ
ムが０．４〜４．０重量％、珪素が０．２〜５．０重量
％の組成でアルミニウムと珪素との総量が１．５〜８．
０重量％の範囲であることを特徴とする高安定性および
低抵抗温度係数を有する金属薄膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293546A JP2542504B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 金属薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293546A JP2542504B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 金属薄膜抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147305A true JPS63147305A (ja) | 1988-06-20 |
| JP2542504B2 JP2542504B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=17796151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61293546A Expired - Lifetime JP2542504B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 金属薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2542504B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420826B1 (en) * | 2000-01-03 | 2002-07-16 | The Regents Of The University Of California | Flat panel display using Ti-Cr-Al-O thin film |
| JP2006190871A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
| JP2007027299A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜抵抗体およびそれを用いた電子部品ならびにその製造方法 |
| JP2011119234A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法。 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4870895A (ja) * | 1971-12-28 | 1973-09-26 | ||
| JPS59152602A (ja) * | 1983-02-19 | 1984-08-31 | ロ−ム株式会社 | 薄膜抵抗 |
| JPS6395601A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗薄膜 |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP61293546A patent/JP2542504B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4870895A (ja) * | 1971-12-28 | 1973-09-26 | ||
| JPS59152602A (ja) * | 1983-02-19 | 1984-08-31 | ロ−ム株式会社 | 薄膜抵抗 |
| JPS6395601A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗薄膜 |
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| US6420826B1 (en) * | 2000-01-03 | 2002-07-16 | The Regents Of The University Of California | Flat panel display using Ti-Cr-Al-O thin film |
| JP2006190871A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
| JP4622522B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2011-02-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
| JP2007027299A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜抵抗体およびそれを用いた電子部品ならびにその製造方法 |
| JP2011119234A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2542504B2 (ja) | 1996-10-09 |
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