JPS6024562B2 - 抵抗薄膜 - Google Patents
抵抗薄膜Info
- Publication number
- JPS6024562B2 JPS6024562B2 JP55080581A JP8058180A JPS6024562B2 JP S6024562 B2 JPS6024562 B2 JP S6024562B2 JP 55080581 A JP55080581 A JP 55080581A JP 8058180 A JP8058180 A JP 8058180A JP S6024562 B2 JPS6024562 B2 JP S6024562B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- thin film
- resistive thin
- temperature coefficient
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子部品として使用される抵抗薄膜に関する
ものである。
ものである。
この種抵抗薄膜として具備すべき好ましい特性としては
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が４・さし、こと、抵抗温度係数が小さいこ
と、また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑
音が小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと
等の種々にわたる特性が要求される。
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が４・さし、こと、抵抗温度係数が小さいこ
と、また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑
音が小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと
等の種々にわたる特性が要求される。
さらに、近年はこの抵抗温度係数に対して中心値が０〜
２＆風／℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム燕着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に被着することにより作
られている。
２＆風／℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム燕着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に被着することにより作
られている。
そして、薄膜材料としては、窒化タンタル（ＴａＮ）、
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ‐Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ一
Ｃｒ−Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ｉｎやＴａＮは徴量のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は繊密
で耐熱性、耐薬品性とも優れてはいるが、その抵抗温度
係数は１００〜１５の血／℃と大きい。さらに、Ｎｉ−
Ｃｒ−ＡＩ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性、耐薬品
性に富み、抵抗温度係数も小さいが、山もしくはＳｉ量
が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大きく
なるため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要で
あり、小さい抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続して
作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上記の
ような点に鑑みてなされたものであり、以下その実施例
について詳細に説明する。
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ‐Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ一
Ｃｒ−Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ｉｎやＴａＮは徴量のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は繊密
で耐熱性、耐薬品性とも優れてはいるが、その抵抗温度
係数は１００〜１５の血／℃と大きい。さらに、Ｎｉ−
Ｃｒ−ＡＩ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性、耐薬品
性に富み、抵抗温度係数も小さいが、山もしくはＳｉ量
が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大きく
なるため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要で
あり、小さい抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続して
作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上記の
ような点に鑑みてなされたものであり、以下その実施例
について詳細に説明する。
まず、アルミナ円柱形の基体にＤＣマグネトロンスパツ
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
、クローム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、ユーロピウム
（Ｅｒ）をスパッタリングして着膜させた。
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
、クローム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、ユーロピウム
（Ｅｒ）をスパッタリングして着膜させた。
この時の各成分の比率は下記の表１に示す通りである。
ついで、着膜された基体を加熱炉に入れ、空気中４００
℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた着膜
済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし、試
料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各ＩＮ固
の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、表２
には参考としてニッケル、クロームを用い、上記と同一
条件で作成した試料の特性値を併せて示している。なお
、抵抗温度係数は十２５００、十７５ｑ０の２点間で測
定した。＜表 １＞ ＜表 ２＞ （注） 成分比はＮｉ−Ｃｒ（８０：２０）に対する添
加成分比を示す。
ついで、着膜された基体を加熱炉に入れ、空気中４００
℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた着膜
済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし、試
料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各ＩＮ固
の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、表２
には参考としてニッケル、クロームを用い、上記と同一
条件で作成した試料の特性値を併せて示している。なお
、抵抗温度係数は十２５００、十７５ｑ０の２点間で測
定した。＜表 １＞ ＜表 ２＞ （注） 成分比はＮｉ−Ｃｒ（８０：２０）に対する添
加成分比を示す。
上記の表のように本発明による実施例１〜４と参考例と
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
また、従来より抵抗薄膜として使用されているＮｉ−Ｃ
ｒ−Ｎの場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度変えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０跡／ｑＣ程度変動する。これ
に対して、ニッケル、クローム、シリコンおよびューピ
ロウムよりなる抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さく、また
一部の成分の比率が変わってもその抵抗温度係数の値は
安定しているため、製造時に比率の微妙な加減をしない
で、比較的楽に所望の抵抗薄膜を得ることができる。ま
た、電流雑音は完成抵抗値２０雌○で０．０４〃Ｖ／Ｖ
程度、第３高調波指数は同２０皿Ｑで１３ＭＢ程度と良
い特性を示した。さらに、温度１２５ｑｏで定格電力（
例１／４Ｗ）を１．虫時間印加し、３０分切るというこ
とを繰り返す負荷寿命試験を行ったところ、図に示すよ
うな結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｓｉ
：Ｅｒ＝８０：２０：３：０．３５）による特性ａ、従
釆品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｎ＝８０：２０：３）による特性ｂ
、同じく従釆品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）による特性
ｃを比較したものである。図より２００凪時間の加速試
験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態においても安
定であり、寿命的にも効果のあることが解る。以上のよ
うに本発明の抵抗薄膜は、各種の特性において良好な値
を示し、かつ安価にして安定的に製作することができ、
その産業性は大なるものである。
ｒ−Ｎの場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度変えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０跡／ｑＣ程度変動する。これ
に対して、ニッケル、クローム、シリコンおよびューピ
ロウムよりなる抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さく、また
一部の成分の比率が変わってもその抵抗温度係数の値は
安定しているため、製造時に比率の微妙な加減をしない
で、比較的楽に所望の抵抗薄膜を得ることができる。ま
た、電流雑音は完成抵抗値２０雌○で０．０４〃Ｖ／Ｖ
程度、第３高調波指数は同２０皿Ｑで１３ＭＢ程度と良
い特性を示した。さらに、温度１２５ｑｏで定格電力（
例１／４Ｗ）を１．虫時間印加し、３０分切るというこ
とを繰り返す負荷寿命試験を行ったところ、図に示すよ
うな結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｓｉ
：Ｅｒ＝８０：２０：３：０．３５）による特性ａ、従
釆品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｎ＝８０：２０：３）による特性ｂ
、同じく従釆品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）による特性
ｃを比較したものである。図より２００凪時間の加速試
験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態においても安
定であり、寿命的にも効果のあることが解る。以上のよ
うに本発明の抵抗薄膜は、各種の特性において良好な値
を示し、かつ安価にして安定的に製作することができ、
その産業性は大なるものである。
図は本発明品と従釆品による負荷寿命試験結果を比較し
て示す図である。
て示す図である。
Claims (1)
- １ ニツケル、クローム、シリコンおよびユーロピウム
からなることを特徴とする抵抗薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080581A JPS6024562B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080581A JPS6024562B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS575306A JPS575306A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6024562B2 true JPS6024562B2 (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=13722306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55080581A Expired JPS6024562B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024562B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0593844U (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-21 | 株式会社新興製作所 | プリンタ用リボンカセット |
-
1980
- 1980-06-13 JP JP55080581A patent/JPS6024562B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0593844U (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-21 | 株式会社新興製作所 | プリンタ用リボンカセット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS575306A (en) | 1982-01-12 |
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