RU2818204C1 - Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора - Google Patents
Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2818204C1 RU2818204C1 RU2022134871A RU2022134871A RU2818204C1 RU 2818204 C1 RU2818204 C1 RU 2818204C1 RU 2022134871 A RU2022134871 A RU 2022134871A RU 2022134871 A RU2022134871 A RU 2022134871A RU 2818204 C1 RU2818204 C1 RU 2818204C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- tcr
- vacuum
- thin
- film
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006093 Sitall Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
Изобретение относится к области электротехники, а именно, к способу изготовления прецизионных резисторов методом тонкопленочной технологии, работоспособных в диапазоне температур от минус 60 до 150°С, путем вакуумного напыления нано- и микроразмерных пленок с формированием слоев с отрицательным и положительным температурными коэффициентами (ТКС) в едином технологическом цикле. Улучшение эксплуатационных характеристик резисторов за счет минимизации ТКС и стабилизации параметров является техническим результатом, который обеспечивается тем, что формирование нижнего резистивного слоя проводят методом термической вакуумной возгонки исходных компонент сплава никеля Ni и хрома Сr при разряжении от 5⋅10-7 до 5⋅10-5 мм рт.ст. и вакуумного напыления первого слоя с помощью испарителя, на который подают ток величиной от 300 до 400 А, с предварительным распылением материала на заслонку в течение 30-90 сек, и регулированием величины тока до значений, обеспечивающих равномерное кипение сплава, что обеспечивает напыление слоя с положительным знаком ТКС, после чего формирование верхнего слоя проводят методом взрывного испарения с ленточного вольфрамового испарителя керметов К-20С, К-30С и К-50С, представляющих собой резистивный сплав РС-4800 / стекло С44-1 в виде диспергированного порошка, при разряжении от 5⋅10-7 до 5⋅10-5 мм рт ст., и токах в диапазоне 420…550 А, что обеспечивает формирование второго слоя с отрицательным знаком ТКС. Для стабилизации выходных параметров полученных двухслойных тонкопленочных резисторов дополнительно проводят термоциклирование в вакууме, термический отжиг в атмосфере воздуха и старение. 4 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл., 1 пр.
Description
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к производству прецизионных резисторов, изготовленных с использованием тонкопленочной технологии, работоспособных в широком диапазоне температур (минус 60…150)°С.
Известны многочисленные способы создания многослойных резистивных элементов, которые обеспечивают улучшение эксплуатационных характеристик резисторов за счет взаимной компенсации ТКС и режимов термостабилизации. Например, в патенте RU 2326460 [1] описан способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного резистора из материалов на основе никеля и хрома, заключающийся в формировании в вакууме резистивных монослоев с отрицательным и положительным ТКС, который включает послойное формирование резистивных слоев в едином технологическом цикле, где резистивный слой с отрицательным ТКС формируют электронно-лучевым испарением, а резистивный слой с положительным ТКС - термическим испарением. Зная фактические значения ТКС сплава Х20Н75Ю получаемой двухслойной структуры, возможно, рассчитать толщины этих слоев через величину удельного поверхностного сопротивления ρs и управлять значением ТКС, приближая его к нулю. Предлагаемый способ обеспечивает компенсацию ТКС. Недостаток способа состоит в высокой стоимости технологического оборудования вследствие использования установки, реализующей, как электронно-лучевое, так и термическое испарение, снижение временной стабильности резистора за счет фракционирования состава при испарении электронно-лучевым методом, при котором преимущественно испаряется хром, окислы которого имеют полупроводниковые свойства и в результате отрицательный ТКС, но более низкие показатели стабильности.
Также известен способ изготовления многослойной тонкопленочной гетероструктуры с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления RU 2750503 [2]. Заданный положительный температурный коэффициент сопротивления (ТКС) получается в результате того, что резистивный слой формируют методом магнетронного распыления в вакуумной камере, одновременно из двух раздельных источников, где магнетронное распыление проводят с использованием одного из элементов группы металлов: железо (Fe), никель (Ni), кобальт (Со) с одной мишени и одного из металлических лигандов: ванадий (V), хром (Сr), титан (Ti) с другой мишени. Изменением соотношения компонентов в гетероструктуре по процентному содержанию от 10% до 90% формируют требуемую величину удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. Процесс напыления контролируют по сопротивлению «свидетеля», расположенного на карусели подложек. Количество циклов напыления слоев и ТКС определяются согласно математическим выражениям.
К недостаткам способа относятся: сложность и дороговизна реализации метода получения слоев, низкое качество контроля удельного поверхностного сопротивления получаемых слоев по сопротивлению «свидетеля» в связи с искажением его показаний в плазме высокого разряда при магнетронном распылении, что особенно проявляется при нанометровых размерах пленок.
Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению является способ изготовления тонкопленочного резистора по патенту RU 2700592 [3]. Он заключается в том, что перед напылением резистивного слоя и контактных площадок предварительно наносят дополнительный слой (пленку) из полупроводникового материала на основе окислов переходных металлов, где величина удельного поверхностного сопротивления дополнительного слоя определяется по критерию минимизации ТКС двухслойной структуры и обеспечения защиты от локальных перегревов. Технический результат направлен на улучшение эксплуатационных характеристик по нагрузочной способности, ТКС, термостабильности. Недостаток такого технического решения заключатся в ограниченной области применения, связанной с возможностью компенсации только изначально положительного ТКС резистивной пленки, а как известно одни из самых распространенных керметных (К-20С, К-30С) резисторов имеют отрицательные ТКС [4], сложность управления сопротивлением резистора, вследствие невозможности качественного контроля по образцу «свидетеля» с учетом распыления дополнительного слоя методом реактивного магнетронного распыления с возбуждением плазмы в ВЧ-разряде, а также с учетом того, что подгонка и стабилизации сопротивления резисторов осуществляется при высоких температурах вплоть до 550°С, возможны диффузия в дополнительный слой, изменение характеристик дополнительного слоя и ухудшение операции лазерной подгонки резистора вследствие дополнительного рассеяния.
Техническим результатом заявленного изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик за счет минимизации ТКС и технологии стабилизации параметров.
Технический результат достигается тем, что на планарной стороне твердотельной диэлектрической подложки методами вакуумного распыления образуют многослойную структуру из нано- и микроразмерных пленок материалов с отрицательным ТКС 1 и положительным ТКС 2, содержащую тонкопленочные резистивные и контактные слои, после чего с использованием фотолитографии и травления формируют резистивные элементы и контактные площадки 3 к ним (фиг. 1).
Резистивный слой получают в виде двухслойной структуры в едином технологическом цикле в вакууме из двух высокостабильных материалов с положительным и отрицательным ТКС, где сопротивление двухслойного тонкопленочного резистора определяется выражением;
где ρS1 - поверхностное сопротивление нижнего слоя;
ρS2 - поверхностное сопротивление верхнего слоя;
N - число квадратов резистивного слоя;
- соотношение поверхностных сопротивлений слоев.
Соотношение поверхностных сопротивлений нижнего (положительного) и верхнего (отрицательного) слоев в зависимости от температуры при условии, что такая двухслойная структура должна иметь ТКС близкий к нулю (cir~0), определяется как:
где α1 - ТКС Х20Н75Ю нижнего слоя двухслойной структуры;
α2 - ТКС К20-С, К-30С, К-50С верхнего слоя двухслойной структуры;
d1 - толщина Х20Н75Ю нижнего слоя двухслойной структуры;
d2 - толщина К20-С, К-30С, К-50С верхнего слоя двухслойной структуры.
Исходя из представленных условий, в наиболее благоприятном варианте компенсация ТКС наступит в случае равенства ТКС верхнего и нижнего слоев по модулю и равенства удельных поверхностных сопротивлений слоев двухслойной структуры. При этом толщины слоев будут разными, т.к. пленки на основе Х20Н75Ю и керметов К-20С и К-30С имеют отличные электрофизические характеристики.
Способ осуществляется следующим образом.
На первом этапе производится предварительный расчет требуемого сопротивления двухслойного тонкопленочного резистора. Приведем пример расчета параметров для получения сопротивления такого резистора с сопротивлением 100 Ом и рассмотрим технологию его изготовления. Общее сопротивление двухслойного тонкопленочного резистора находится исходя из выражения для параллельного соединения резисторов:
Для тонкопленочной технологии, при изготовлении резисторов методами термического испарения в вакууме, где контроль удельного поверхностного сопротивления осуществляется по «образцу-свидетелю» для расчета получения заданного сопротивления наиболее удобно использовать выражение (1). Топологический рисунок двухслойного тонкопленочного резистора с сопротивлением 100 Ом имеет простую форму в виде полоскового резистора, где длина больше ширины и длина составляет два квадрата с коэффициентом формы Кф=1 (фиг. 2). Для получения сопротивления 100 Ом сопротивление квадрата двухслойной резистивной структуры должно составлять порядка 50 «Свидетель» для контроля удельного поверхностного сопротивления пленки представляет собой диэлектрическую полоску из ситалла с напыленными контактами из алюминия А1. Длина между контактами составляет 12 квадратов, и поэтому для получения сопротивления двухслойной структуры 50 сопротивление «образца-свидетеля» после напыления должно быть порядка 600 Ом.
Формирование нижнего резистивного слоя производилось методом термической вакуумной возгонки исходных компонент сплава никеля Ni и хрома Сr при разряжении от 5⋅10-7 до 5⋅10-5 мм рт.ст., при этом вакуумное напыление первого слоя производили с помощью испарителя, на который подавали ток величиной от 300 до 400 А, с предварительным распылением материала на заслонку в течение 30-90 сек и регулировали величину тока до значений, обеспечивающих равномерное кипение сплава, что обеспечивало после напыления положительный знак ТКС и сопротивление не более 330 , что согласно теоретическим и экспериментальным данным для сплавов никеля Ni и хрома Сr обеспечивает наиболее лучшие электрофизические параметры по стабильности. Средние значения ТКС тонкопленочной структуры на основе никеля Ni и хрома Сr, согласно полученным экспериментальным данным в 95% случаях лежат в диапазоне от (5…50)⋅10-6 1/°С.
Верхний слой формировали методом взрывного испарения с ленточного вольфрамового испарителя керметов К-20С, К-30С и К-50С представляющих собой резистивный сплав РС-4800 / стекло С44-1 в виде диспергированного порошка, при разряжении от 5⋅10-7 до 5⋅10-5 мм рт.ст. и токах в диапазоне 420…550 А и имеющего после напыления отрицательный знак ТКС. При этом с целью исключения диффузии материалов контактных площадок в «тело» тонкопленочного многослойного резистора и последующего его «подтрава» на этапе фотолитографии при травлении материала контактных площадок термостабилизацию в вакууме непосредственно после напыления пленок не проводили. Средние значения ТКС тонкопленочной структуры на основе керметов К-20С, К-30С и К-50С, согласно полученным экспериментальным данным в 95% случаях лежат в диапазоне от минус (15…80)⋅10-6 1/°С.
Из полученных данных видно, что добиться примерного равенства ТКС нижнего и верхнего слоев по модулю не получится. Однако в связи с обязательными длительными высокотемпературными операциями по стабилизации, подгонке и старению тонкопленочных резисторов, что влечет неизбежное смещение ТКС в положительную сторону, как у Х20Н75Ю, так и керметов К-20С, К-30С и К-50С было решено получать пленки с равными удельными поверхностными сопротивлениями. Это позволяет получить ТКС двухслойного тонкопленочного резистора до проведения всех операций по подгонке и старению порядка минус (30…15)⋅10-6 ррm.
Для обеспечения равенства значений удельного поверхностного сопротивления нижнего и верхнего слоев, сопротивление нижнего слоя из сплава никеля Ni и хрома Сr по показаниям «образца-свидетеля» должно составлять 1200 После напыления верхнего слоя из керметов К-20С, К-30С и К-50С сопротивление двухслойной структуры по «образцу-свидетелю» должно быть порядка 600
С учетом этого полученное сопротивление верхнего слоя можно выразить из формулы (1), подставив в нее полученные значения. В результате получим:
где 50 - это общее сопротивление 1-го квадрата двухслойной структуры;
100 - это сопротивление 1-го квадрата нижнего слоя на основе сплава никеля Ni и хрома Сr
X - это искомое сопротивление верхнего слоя из керметов К-20С, К-30С и К-50С.
Выполнив алгебраические преобразования получим:
Следовательно, сопротивление х верхнего слоя также будет равняться 100 Ом.
Эксперимент.
Для получения образцов резисторов и апробирования заявленных результатов были запущены 2 партии по 3 подложки. В качестве диэлектрической основы использовались пластины из ситалла СТ50-1. Перед напылением, для обеспечения необходимой адгезии подложки обезжиривались в хромовой смеси и парах изопропилового спирта с последующим отжигом в муфтельной печи в течение 3 часов.
Нижний слой с положительным знаком ТКС формировали методом термовакуумного напыления навесок из Х20Н80. Разряжение в камере перед напылением составляло порядка 5⋅10-6 мм рт.ст., ток на испарителе регулировали в пределах 300…400 А, добиваясь равномерного расплавления и отсутствия брызг испаряемого материала. Распыление на заслонку перед ее открытием проводили в течение 65-75 сек. Сопротивления на «образце свидетеля» после завершения нанесения составило 1,174 кОм.
Верхний слой с отрицательным знаком ТКС формировали методом «взрывного» испарения в вакууме с ленточного вольфрамового испарителя керметов К-20С, К-30С и К-50С представляющих собой резистивный сплав РС-4800 / стекло С44-1 в виде диспергированного порошка. Разряжение в камере перед напылением составляло порядка 5 ⋅ 10-6 мм рт.ст., ток на испарителе регулировали в пределах 400…550 А. Напыление заканчивали при достижении сопротивления на образце-свидетеле в пределах 0,63-0,67 кОм.
На следующем этапе методами фотолитографии получали рисунок тонкопленочного резистора и формировали схему (фиг. 2).
После формирования схемы выборочно проводили измерение сопротивлений полученных тонкопленочных резисторов при нормальных климатических условиях и при температуре 150°С с целью определения ТКС на каждой из подложек в трех точках по диагонали. Измеренные значения сопротивлений тонкопленочных резисторов приведены в таблице 1.
Из полученных данных видно, что рассчитанные значения сопротивлений и ТКС до высокотемпературных операций термостабилизации, подгонки и старения верны. Предварительные значения ТКС тонкопленочных резисторов лежат в диапазоне минус (30…15)⋅10-6 ррm.
Для стабилизации выходных параметров полученных тонкопленочных резисторов провели следующие технологические операции:
1. Термоциклирование в вакууме (2 цикла) с поднятием температуры до 350…450°С.
2. Термический отжиг в воздухе при температуре 220…360°С в течение 4…12 ч.
3. Высокотемпературная подгонка сопротивлений резисторов в воздухе при температурах 380…550°С.
4. Старение тонкопленочных резисторов в течение не менее 24 ч в воздухе при температурах 140…260°С.
Высокотемпературная подгонка тонкопленочных резисторов в воздухе проводится с целью получения необходимых «номиналов» резисторов и возможности дальнейшей лазерной подгонки. При этом сопротивление тонкопленочных резисторов должно быть не хуже -15% от требуемого в сторону уменьшения.
В таблице 2 приведены измерения сопротивлений тонкопленочных резисторов при нормальных климатических условиях и при температуре 150°С, определены ТКС после проведенных операций.
Из таблицы видно, что значения сопротивлений резисторов не превышают 15% от требуемого (100 Ом), а их ТКС в своей основной массе не хуже ±1,5 ррm. В результате проведенного эксперимента видно, что полученные результаты подтверждают заявленное изобретение по возможности самокомпенсации ТКС слоями из высокостабильных материалов резисторов с разными знаками ТКС.
Источники информации
1. Патент на изобретение №2326460 «Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного резистора», заявлено 23.01.2007, опубликовано 10.06.2008.
2. Патент на изобретение №2750503 «Способ изготовления многослойной тонкопленочной гетероструктуры с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления», заявлено 07.12.2020, опубликовано 29.06.2021.
3. Патент на изобретение №2700592 «Способ изготовления тонкопленочного резистора». Заявлено 02.10.2018, опубликовано 18.09.2019.
4. Лугин А.Н. Конструкторско-технологические основы проектирования тонкопленочных прецизионных резисторов // Монография. - 2009. - 287 С.
Claims (7)
1. Способ изготовления тонкопленочного резистора с заданным низким значением температурного коэффициента сопротивления (ТКС), включающий напыление многослойной структуры из нано- и микроразмерных пленок материалов на планарной стороне твердотельной диэлектрической подложки, содержащей тонкопленочные резистивные и контактные слои, отличающийся тем, что резистивный слой получают в виде двухслойной структуры в едином технологическом цикле в вакууме из двух высокостабильных материалов с положительным и отрицательным ТКС, где формирование нижнего резистивного слоя производится методом термической вакуумной возгонки исходных компонент сплава никеля Ni и хрома Сr при разряжении от 5⋅10-7 до 5⋅10-5 мм рт.ст., при этом вакуумное напыление первого слоя производят с помощью испарителя, на который подают ток величиной от 300 до 400 А, с предварительным распылением материала на заслонку в течение 30-90 сек и регулируют величину тока до значений, обеспечивающих равномерное кипение сплава, что обеспечивает после напыления положительный знак ТКС, а верхний слой формируют методом взрывного испарения с ленточного вольфрамового испарителя керметов К-20С, К-30С и К-50С, представляющих собой резистивный сплав РС-4800 / стекло С44-1 в виде диспергированного порошка, при разряжении от 5⋅10-7 до 5⋅10-5 мм рт.ст. и токах в диапазоне 420…550 А, и имеющего после напыления отрицательный знак ТКС.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью исключения диффузии материалов контактных площадок в «тело» тонкопленочного многослойного резистора и последующего его «подтрава», на этапе фотолитографии при травлении материала контактных площадок термостабилизацию в вакууме непосредственно после напыления пленок не проводят.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что величины удельного поверхностного сопротивления верхнего и нижнего слоев определяются из условия компенсации ТКС согласно, математического выражения, требуемого «номинала» и исходя из экспериментальных данных
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что величины удельного поверхностного сопротивления верхнего и нижнего слоев не равны по модулю, но принимаются и изготавливаются с равными значениями, с целью получения ТКС двухслойных тонкопленочных резисторов порядка минус (30…15)⋅10-6 ррm до операций термостабилизации, подгонки и «старения»;
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после операций термостабилизации, подгонки и «старения» происходит «уход» сопротивлений резисторов в сторону уменьшения для возможности лазерной подгонки и компенсации ТКС, приближающей его к нулю.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2818204C1 true RU2818204C1 (ru) | 2024-04-25 |
Family
ID=
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19780905C2 (de) * | 1996-08-27 | 2003-03-20 | Kamaya Electric Co | Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
| RU2326460C1 (ru) * | 2007-01-23 | 2008-06-10 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного резистора |
| EA201600585A1 (ru) * | 2014-09-30 | 2016-12-30 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" | Прецизионный чип-резистор и способ его изготовления |
| RU2700592C1 (ru) * | 2018-10-02 | 2019-09-18 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ изготовления тонкопленочного резистора |
| JP2020522612A (ja) * | 2017-05-22 | 2020-07-30 | ヴィシャイ エレクトロニック ゲーエムベーハー | Ｎｔｃｒセンサの製造方法 |
| EP2715745B1 (en) * | 2011-06-03 | 2020-08-05 | Cree, Inc. | Thin film resistor and method for its production |
| RU2750503C1 (ru) * | 2020-12-07 | 2021-06-29 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления многослойной тонкопленочной гетероструктуры с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления |
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19780905C2 (de) * | 1996-08-27 | 2003-03-20 | Kamaya Electric Co | Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
| RU2326460C1 (ru) * | 2007-01-23 | 2008-06-10 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного резистора |
| EP2715745B1 (en) * | 2011-06-03 | 2020-08-05 | Cree, Inc. | Thin film resistor and method for its production |
| EA201600585A1 (ru) * | 2014-09-30 | 2016-12-30 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" | Прецизионный чип-резистор и способ его изготовления |
| JP2020522612A (ja) * | 2017-05-22 | 2020-07-30 | ヴィシャイ エレクトロニック ゲーエムベーハー | Ｎｔｃｒセンサの製造方法 |
| RU2700592C1 (ru) * | 2018-10-02 | 2019-09-18 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ изготовления тонкопленочного резистора |
| RU2750503C1 (ru) * | 2020-12-07 | 2021-06-29 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления многослойной тонкопленочной гетероструктуры с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR830001873B1 (ko) | 저항체 조성물 | |
| KR970005081B1 (ko) | 고저항 및 고안정성 금속 필름 저항기 및 그 제조방법 | |
| US4454495A (en) | Layered ultra-thin coherent structures used as electrical resistors having low temperature coefficient of resistivity | |
| US4063211A (en) | Method for manufacturing stable metal thin film resistors comprising sputtered alloy of tantalum and silicon and product resulting therefrom | |
| RU2818204C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора | |
| US5306873A (en) | Load cell with strain gauges having low temperature dependent coefficient of resistance | |
| US8482375B2 (en) | Sputter deposition of cermet resistor films with low temperature coefficient of resistance | |
| US4338145A (en) | Chrome-tantalum alloy thin film resistor and method of producing the same | |
| JPH0553865B2 (ru) | ||
| US3585073A (en) | Electric film resistors | |
| Reddy et al. | Ta Al N thin film resistors with improved electrical properties | |
| Nahar et al. | Electrical properties of RF sputtered NiCr thin film resistors with Cu contacts | |
| RU2700592C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного резистора | |
| TWI830547B (zh) | 雙層結構薄膜電阻 | |
| TWI708856B (zh) | 薄膜電阻的製造方法 | |
| US20210305031A1 (en) | Method for manufacturing thin film resistive layer | |
| JPH09503627A (ja) | 電気的抵抗構造体 | |
| JP4042714B2 (ja) | 金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 | |
| JP4752075B2 (ja) | 抵抗器、その製造方法 | |
| JP4238689B2 (ja) | 金属抵抗体およびその製造方法 | |
| Reddy et al. | Temperature-compensated RC networks developed using Ta Al N thin films | |
| US7609144B2 (en) | High resistivity thin film composition and fabrication method | |
| RU2330342C1 (ru) | Резистивный материал | |
| JPS6024561B2 (ja) | 抵抗膜薄 | |
| JPS6024562B2 (ja) | 抵抗薄膜 |