JP2020522612A - Ntcrセンサの製造方法 - Google Patents
Ntcrセンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020522612A JP2020522612A JP2019564450A JP2019564450A JP2020522612A JP 2020522612 A JP2020522612 A JP 2020522612A JP 2019564450 A JP2019564450 A JP 2019564450A JP 2019564450 A JP2019564450 A JP 2019564450A JP 2020522612 A JP2020522612 A JP 2020522612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- spinel
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
- C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
- C23C24/082—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat without intermediate formation of a liquid in the layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Description
−金属酸化物成分を含んだ未焼成粉末(uncalcined powder)を備えた混合物と、キャリアガスと、をエアロゾル生成ユニットに供給し、
−前記混合物および前記キャリアガスからエアロゾルを形成し、かつ堆積チャンバ内に配置された基板に向かって前記エアロゾルを真空中で加速させ、
−前記混合物の未焼成粉末のフィルムを前記基板上に形成し、
−熱処理ステップを適用することにより、フィルムをスピネルベースの材料(spinel-based material)の層に変換する、ステップを備える。
MxMn3-xO4、MxM’yMn3-x-yO4、およびΜxM’yΜ”zΜn3-x-y-zO4
ここで、M、M’、M”は、Ni,Co,Cu,Fe,Cr,Al,Mg,Zn,Zr,Ga,Si,Ge,Liからなる要素の群から選択され、それぞれ、x+y≦3、または、x+y+z≦3であり、前記未焼成粉末は、M、M’およびM”の少なくとも1つの化合物を備える。これに関連して、スピネルベースの材料の化合物はまた、3つより多くのカチオンを含むこともできることに留意されたい。追加的または代替的に、上記化合物はドーパント材料を含むことができる。フィルムの組成として使用される正確な材料は、目的のNTCRセンサの用途に応じて選択される。
2…基板
3…混合物
4…堆積チャンバ
5…排気装置
6…エアロゾル生成ユニット
7…ノズル
8…x個の金属酸化物成分(x≧2)を有する粉末混合物
9…エアロゾル
9’…キャリアガス
9.1…金属酸化物成分1の粒子
9.2…金属酸化物成分2の粒子
9.3…金属酸化物成分3の粒子
9.x…金属酸化物成分xの粒子
10…(エアロゾルベースおよび真空ベースの冷間複合堆積からの)複合フィルム
11…導電性ペースト
12…電極/電極構造
13…スピネルベースの層
14…マスク
15…充填材粒子
16…層内の充填材料グレイン
17…インターデジタル上部電極を有するNTCRセンサ
18…インターデジタル下部電極を有するNTCRセンサ
19…サンドイッチ電極を有するNTCRセンサ
Claims (15)
- 負の温度係数抵抗器(NTCR)センサ(17,18,19)の製造方法であって
−金属酸化物成分(9.1,9.2,9.3,9.x)を含んだ未焼成粉末(8)を備えた混合物(3)と、キャリアガス(9’)と、をエアロゾル生成ユニット(6)に供給し、
−前記混合物(3)および前記キャリアガス(9’)からエアロゾル(9)を形成し、かつ、堆積チャンバ(4)内に配置された基板(2)に向かって真空中で前記エアロゾル(9)を加速させ、
−前記混合物の前記未焼成粉末(8)のフィルム(10)を前記基板上に形成し、
−熱処理ステップを適用することにより、前記フィルム(10)をスピネルベースの材料の層(13)に変換する、
ステップを備えた、製造方法。 - 前記熱処理ステップが、1000°C未満の温度、特に600°C〜1000°Cの範囲の温度、好ましくは780°C〜1000°Cの範囲の温度で実施されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記熱処理ステップが雰囲気中で行われ、前記雰囲気が好ましくは制御された酸素分圧を有することを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記キャリアガス(9’)が、酸素、窒素、希ガス、およびそれらの組み合わせからなる要素の群から選択されることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記未焼成粉末(8)が、50nm〜10μmの範囲で選択された粒径を備えることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記スピネルベースの材料の層(13)は、Mn,Ni,Co,Cu,Fe,Cr,Al,Mg,Zn,Zr,Ga,Si,GeおよびLiからなる要素の群から選択された2つ以上のカチオンから構成されたスピネルを備えるとともに、以下の化学式:
MxMn3-xO4、MxM’yMn3-x-yO4、およびΜxM’yΜ”zΜn3-x-y-zO4
のいずれかで記載され、
但し、M,M’,M”は、Ni,Co,Cu,Fe,Cr,Al,Mg,Zn,Zr,Ga,Si,GeおよびLiからなる要素の群から選択され、前記未焼成粉末が、M,M’およびM”のうち少なくとも1つの化合物を備えることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記未焼成粉末(8)が、少なくとも2つの異なる金属酸化物成分(9.1,9.2,9.3,9.x)を備えることを特徴とする請求項1〜6のうちいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記混合物(3)が、少なくとも1つの充填材料成分(15)を備えることを特徴とする請求項1〜7のうちいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記基板(2)、前記熱処理ステップを適用する前の前記フィルム(10)、および前記スピネルベースの材料の層(13)のうち少なくとも1つに、少なくとも1つの更なる層(11)または構造(12)を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項1〜8のうちいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記少なくとも1つの更なる層(11)または構造(12)を焼結するステップをさらに備え、前記熱処理ステップは、前記フィルム(10)を前記スピネルベースの材料の層(13)に変換し、かつ前記少なくとも一つの更なる層(11)または構造(12)を焼結するための単一の熱処理として適用されることを特徴とする請求項9に記載の製造方法。
- 前記少なくとも1つの更なる層(11)または構造(12)が、
電極、導電層または構造、電気絶縁層または構造、保護フィルム、熱伝導層、およびそれらの組み合わせからなる要素の群から選択されることを特徴とする請求項9または10に記載の製造方法。 - 前記少なくとも1つのさらなる層(11)または構造(12)が、厚膜技術、化学蒸着(CVD)法、物理蒸着(PVD)法、プラズマ化学気相成長(PECVD)法、ゾルゲル法、および/または亜鉛めっき法を使用して適用され、前記少なくとも1つの更なる層(11)または構造(12)は、任意選択的に、レーザービーム、電子ビーム、サンドジェット、またはフォトリソグラフィープロセスによって構造化されることを特徴とする請求項9〜11のうちいずれか一項に記載の製造方法。
- 少なくとも1つのマスク(14)を前記堆積チャンバ(4)に導入するステップをさらに備え、前記少なくとも1つのマスク(14)は、前記エアロゾル生成ユニット(6)と前記基板(2)との間に配置されることを特徴とする請求項1〜12のうちいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記基板(2)上に形成された前記フィルム(10)または前記スピネルベースの材料の層(13)のサイズを変更することにより、前記NTCRセンサ(17,18,19)の抵抗を適応させるステップをさらに備え、前記サイズの変更は任意選択的に、レーザービーム、電子ビーム、またはサンドジェットなどの機械的トリミングプロセスによって行われることを特徴とする請求項1〜13のうちいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記エアロゾル生成ユニットが、前記エアロゾルを前記基板(2)に向かって加速させるノズル(7)を備え、
前記フィルムを前記基板上に形成するステップが、前記フィルムの範囲を画定するように前記基板(2)と前記ノズル(7)を互いに関して移動させることを備えることを特徴とする請求項1〜14のうちいずれか一項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17172267.1A EP3406758A1 (en) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | Method of producing an ntcr sensor |
EP17172267.1 | 2017-05-22 | ||
PCT/EP2018/061439 WO2018215187A1 (en) | 2017-05-22 | 2018-05-03 | Method of producing a ntcr sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020522612A true JP2020522612A (ja) | 2020-07-30 |
JP7097913B2 JP7097913B2 (ja) | 2022-07-08 |
Family
ID=59014441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019564450A Active JP7097913B2 (ja) | 2017-05-22 | 2018-05-03 | Ntcrセンサの製造方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10883179B2 (ja) |
EP (2) | EP3406758A1 (ja) |
JP (1) | JP7097913B2 (ja) |
KR (1) | KR102553584B1 (ja) |
CN (1) | CN110799667B (ja) |
ES (1) | ES2870158T3 (ja) |
IL (1) | IL270699B2 (ja) |
PL (1) | PL3607109T3 (ja) |
PT (1) | PT3607109T (ja) |
TW (1) | TWI839332B (ja) |
WO (1) | WO2018215187A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2818204C1 (ru) * | 2022-12-27 | 2024-04-25 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" | Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116283231A (zh) * | 2023-01-30 | 2023-06-23 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种ntc热敏电阻材料及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07211515A (ja) * | 1994-01-14 | 1995-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ素子の製造方法 |
JP2005503001A (ja) * | 2001-03-16 | 2005-01-27 | ヴィシャイ インターテクノロジー,インコーポレイテッド | 薄膜ntcサーミスター |
JP2010251757A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Korea Inst Of Mach & Materials | 高密度及びナノ結晶粒スピネル系負温度係数サーミスタ厚膜及びその製造方法 |
JP2015115438A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ素子 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100519841C (zh) | 1999-10-12 | 2009-07-29 | Toto株式会社 | 复合构造物及其制作方法和制作装置 |
US6576972B1 (en) * | 2000-08-24 | 2003-06-10 | Heetronix | High temperature circuit structures with expansion matched SiC, AlN and/or AlxGa1-xN(x>0.69) circuit device |
FI118159B (fi) * | 2005-10-21 | 2007-07-31 | Outotec Oyj | Menetelmä elektrokatalyyttisen pinnan muodostamiseksi elektrodiin ja elektrodi |
CN100583317C (zh) * | 2007-09-12 | 2010-01-20 | 山东中厦电子科技有限公司 | 一种低电阻率/高b值负温度系数热敏电阻芯片及其制造方法 |
KR101260048B1 (ko) * | 2011-09-07 | 2013-05-06 | 한국기계연구원 | 전도성 입자가 분산된 부온도계수(ntc) 필름 및 이의 제조방법 |
KR101628066B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2016-06-09 | 한국세라믹기술원 | 스피넬 구조를 갖는 금속 산화물 박막의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-05-22 EP EP17172267.1A patent/EP3406758A1/en not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-05-03 PT PT187287982T patent/PT3607109T/pt unknown
- 2018-05-03 ES ES18728798T patent/ES2870158T3/es active Active
- 2018-05-03 US US16/615,438 patent/US10883179B2/en active Active
- 2018-05-03 EP EP18728798.2A patent/EP3607109B1/en active Active
- 2018-05-03 CN CN201880031557.8A patent/CN110799667B/zh active Active
- 2018-05-03 WO PCT/EP2018/061439 patent/WO2018215187A1/en unknown
- 2018-05-03 PL PL18728798T patent/PL3607109T3/pl unknown
- 2018-05-03 JP JP2019564450A patent/JP7097913B2/ja active Active
- 2018-05-03 KR KR1020197034603A patent/KR102553584B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-17 TW TW107116781A patent/TWI839332B/zh active
-
2019
- 2019-11-17 IL IL270699A patent/IL270699B2/en unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07211515A (ja) * | 1994-01-14 | 1995-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ素子の製造方法 |
JP2005503001A (ja) * | 2001-03-16 | 2005-01-27 | ヴィシャイ インターテクノロジー,インコーポレイテッド | 薄膜ntcサーミスター |
JP2010251757A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Korea Inst Of Mach & Materials | 高密度及びナノ結晶粒スピネル系負温度係数サーミスタ厚膜及びその製造方法 |
JP2015115438A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2818204C1 (ru) * | 2022-12-27 | 2024-04-25 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" | Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL270699B1 (en) | 2023-01-01 |
TWI839332B (zh) | 2024-04-21 |
ES2870158T3 (es) | 2021-10-26 |
EP3607109B1 (en) | 2021-03-10 |
WO2018215187A1 (en) | 2018-11-29 |
JP7097913B2 (ja) | 2022-07-08 |
CN110799667B (zh) | 2022-03-29 |
CN110799667A (zh) | 2020-02-14 |
EP3406758A1 (en) | 2018-11-28 |
PL3607109T3 (pl) | 2021-09-20 |
EP3607109A1 (en) | 2020-02-12 |
IL270699B2 (en) | 2023-05-01 |
US20200173031A1 (en) | 2020-06-04 |
PT3607109T (pt) | 2021-05-06 |
KR102553584B1 (ko) | 2023-07-10 |
US10883179B2 (en) | 2021-01-05 |
IL270699A (en) | 2020-01-30 |
KR20200010271A (ko) | 2020-01-30 |
TW201901708A (zh) | 2019-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6783528B2 (ja) | セラミック構造体、その製法及び半導体製造装置用部材 | |
TW201622998A (zh) | 陶瓷構造體、基板保持裝置用元件以及陶瓷構造體之製法 | |
JP2015065408A (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP6308436B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP4380586B2 (ja) | 薄膜抵抗体およびその製造方法 | |
JP7097913B2 (ja) | Ntcrセンサの製造方法 | |
TW202239981A (zh) | 磁性材料、積層體及積層體之製造方法、以及熱電轉換元件及磁性感應器 | |
KR101260048B1 (ko) | 전도성 입자가 분산된 부온도계수(ntc) 필름 및 이의 제조방법 | |
JP4622946B2 (ja) | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 | |
CN108893740B (zh) | 一种液气相交替沉积制备高温绝缘薄膜的方法 | |
CN111386581A (zh) | 热敏电阻烧结体及温度传感器元件 | |
JP6703428B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子及びその製法 | |
JP3331447B2 (ja) | サーミスタ用磁器組成物の製造方法 | |
JP2003238248A (ja) | 圧電磁器組成物と圧電デバイス | |
JP2000348905A (ja) | 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 | |
CN115036086A (zh) | 热敏电阻烧结体及温度传感器元件 | |
JP6996019B1 (ja) | スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2019220573A (ja) | 配向性圧電体膜、およびその製造方法、並びに、液体吐出ヘッド | |
KR101102698B1 (ko) | 써미스터 및 그 제조 방법 | |
JPH03228873A (ja) | 窒化アルミニウム質基板 | |
JP6060801B2 (ja) | 高耐熱貴金属−酸化物薄膜材料及びその製造方法 | |
JP2024030943A (ja) | サーミスタ素子及びその製造方法 | |
JP6601614B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP2005154884A (ja) | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 | |
JPH056808A (ja) | マイクロ波加熱による酸化亜鉛型バリスタの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220628 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7097913 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |