JPH03228873A - 窒化アルミニウム質基板 - Google Patents

窒化アルミニウム質基板

Info

Publication number
JPH03228873A
JPH03228873A JP2061780A JP6178090A JPH03228873A JP H03228873 A JPH03228873 A JP H03228873A JP 2061780 A JP2061780 A JP 2061780A JP 6178090 A JP6178090 A JP 6178090A JP H03228873 A JPH03228873 A JP H03228873A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum nitride
sintered body
conductor layer
coating layer
adhesive strength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2061780A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2949296B2 (ja
Inventor
Yoshihiro Okawa
善裕 大川
Shin Ikeda
慎 池田
Kenichiro Miyahara
健一郎 宮原
Yoshiaki Ito
吉明 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=13180951&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH03228873(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2061780A priority Critical patent/JP2949296B2/ja
Publication of JPH03228873A publication Critical patent/JPH03228873A/ja
Priority to US08/597,349 priority patent/US5830570A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2949296B2 publication Critical patent/JP2949296B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、窒化アルミニウム質基板に関し、詳細には金
属導体層をその表面に有する半導体素子収納用パッケー
ジ等の電子部品に適した窒化アルミニウム質基板に関す
る。
(従来技術) 近時、情報処理装置の高性能化、高速化に伴い、それを
構成する半導体集積回路も高密度化、高集積化が急速に
進み、そのために半導体集積回路素子の大電力化により
該素子の発熱量が著しく増加し、前記半導体集積回路素
子を正常に且つ安定に作動させるためにはその発熱する
熱をいかに効率的に除去するかが大きな課題となってい
る。
そこで、従来から高熱伝導性に優れたセラミック材料と
して酸化ベリリウム質焼結体、ダイヤモンド、炭化珪素
質焼結体等が提案されているが、酸化ベリリウム質焼結
体は毒性があり使用上難点があり、ダイヤモンドは高価
であり、また炭化珪素質焼結体は電気絶縁性、誘電率等
の特性が悪いという欠点を有している。
最近に至り、従来の高熱伝導性材料に代わり、高熱伝導
性を有するとともに高い機械的強度、高電気絶縁性を有
し、且つ熱膨張係数がアルミナに比べてシリコン単結晶
に近い等の優れた特性を有する材料として窒化アルミニ
ウム質焼結体が注目されている。
この窒化アルミニウム質焼結体は、これを基板母材とし
てその表面に金属導体層を形成しようとする場合、窒化
アルミニウム自体、金属との濡れ性が小さいことから基
板母材と金属導体層との接着強度が低いという欠点を有
している。
このような問題に対し、窒化アルミニウム質焼結体をた
とえば空気中で加熱して表面に金属との濡れ性のよい酸
化アルミニウム層を形成するか、または酸化珪素等のガ
ラス質層を塗布し、その表面に導体層を被着形成するこ
とにより接着強度を高めようとする方法が提案されてい
る。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上述のように窒化アルミニウム質焼結体
表面に酸化アルミニウム層を形成することによって導体
層の接着強度は酸化アルミニウム層を設LJない場合に
比較して接着強度は向上するものの、実用的なレベルに
は至っておらず、特に金(Au)や銀(A、g)等を主
体とする導体層を形成する場合には接着強度は不1−分
であった。
よって、窒化アルミニウム質焼結体を用いた電子部品の
信頼性の点からも導体層の接着強度の高い基板が望まれ
ている。
(発明の目的) よって、本発明の目的は窒化アルミニウム質焼結体を母
材とする導体層の接着強度に優れた窒化アルミニウム質
基板およびその製造方法を提供するにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明者等は、上記問題点に対し検討を重ねた結果、母
材として特定の金属およびそれらの金属化合物を含有す
る窒化アルミニウム質焼結体の表面に酸化アルミニウム
を主体とする被覆層を形成し、さらにこの酸化アルミニ
ウム層上に金属導体層を被着形成するもので、特定の金
属あるいは金属化合物としてTi、、vSNb、Mo、
W、C。
およびNiの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、ボ
ウ化物、酸化物から選ばれる1種板」二を選択すること
により金属導体層の母材との接着強度を高めることがで
きることを見出した。
以下、本発明を詳述する。
本発明の窒化アルミニウム質基板において、用いられる
母材は、窒化アルミニウムを主体とし、少なくとも相対
密度95%の相対密度を有し、高密度、高熱伝導性であ
ることが望ましく、また、場合によっては従来から公知
の焼結助剤、例えば、Ca、Ba、Sr等のアルカリ土
類金属やY等の希土類金属の酸化物、炭化物、窒化物、
フッ化物等を20重量%以下の割合で含有する。
本発明によれば、上記窒化アルミニウム質焼結体がTi
、■、Nb、Mo、W、CoおよびNiの単体もしくは
炭化物、窒化物、ホウ化物、酸化物から選ばれる少なく
とも1種を含有することが重要である。この金属あるい
は金属化合物は窒化アルミニウム質焼結体中に0.01
〜5重量%の割合で含有され、焼結体の色相を黒色化さ
せる作用をなす。
本発明によれば、上記特定の金属あるいは金属化合物を
含有する窒化アルミニウム質焼結体の表面に酸化アルミ
ニウムを主体とする被覆層を形成する。この被覆層は基
板としての耐化学薬品性、例えばアルカリ等に対する腐
食性を低減すると同時にこの被覆層上に金属導体層を形
成した場合に母材への金属導体層の接着強度を向上する
ことができる。
また、上記被覆層はその厚みが0.05〜5μm、特に
0.2〜4μmであることが重要で、その厚みが0.0
5μmより薄いと基板の耐化学薬品性や導体層の母材と
の接着強度が不十分となり、5μmを越えると被覆層と
母材との熱膨張差等に起因しクランク等が生じてしまう
恐れがある。
一方、被覆層上に形成される導体層としては従来から周
知のものが挙げられ、例えばW、Mo、Au、Ag、M
o−Mn等を主体とする金属導体からなり、これらは0
.01〜100μmの厚みで被着形成される。
本発明の窒化アルミニウム質基板の製造方法としては、
例えば母材として窒化アルミニウムを主体とし、Ti、
■、Nb、Mo、、WSCoおよびNiの単体あるいは
これらの炭化物、窒化物、ホウ化物、酸化物から選ばれ
る1種以上の金属またはその化合物を含有する焼結体を
用意する。具体的には酸素含有量0.4〜3重量%の窒
化アルミニウム粉末に前記金属および金属化合物を0.
01〜5重量%の割合で添加する。また所望により焼結
性を高めるためにCa、Ba、Sr等のアルカリ土類金
属やY等の希土類金属の酸化物、炭化物、窒化物等を焼
結助剤として0.01〜15重量%の割合で添加混合し
た後に、公知の方法で成形し、窒素や窒素と水素との混
合雰囲気等の非酸化性雰囲気中で1550〜1950°
Cの温度で焼成することにより相対密度95%以上の焼
結体を得ることができる。
なお、例えば前記金属および金属化合物として酸化物を
選択しても焼成条件により金属単体やその他の金属化合
物に変換することができる。例えば、T i 02 、
V205 、WO3は窒素と水素との混合雰囲気中での
焼成によりTiN、VN、W 7− 金属に還元される。また焼成炉内に敷粉や匣鉢としてB
N等が存在する場合、硼化物が生成される場合もある。
次に、上記窒化アルミニウム質焼結体に対し酸化処理を
行うことによりその焼結体表面の窒化アルミニウムを酸
化アルミニウムに変換するこのにより被覆層が形成する
ことができる。この時の被覆層はそのほとんどがα−A
1□03質で、その層中には焼結体中に含まれていた焼
結助剤成分や前記金属または金属化合物も一部酸化され
た状態で含有される。この酸化処理は、例えば焼結体を
大気中で700〜1400°Cの温度で処理するか、ま
たは酸化性雰囲気中でレーザー光等を照射し部分的に酸
化処理してもよい。なお、被覆層の厚みは前述した理由
から0.05〜5μmになるように処理時間等を調整す
ることが必要である。
次に、前記被覆層上に金属導体層を形成する場合には、
例えば周知の厚膜法等の手法によりスクリーン印刷、ま
たは浸漬法等により金属ペーストを塗布した後に700
〜1600°Cの温度で焼付は処理 8− を行うか、または薄膜法の手法により蒸着法等により形
成することができる。この金属導体層の厚みは0.01
〜100μmが望ましい。
以下、本発明を次の例で説明する。
(実施例) 窒化アルミニウム原料として酸素量1.0重量%、BE
T比表面積3.8 m2/g、カーボン量280ppm
のものを用い、焼結助剤としてBET比表面積が6.0
 m”/gのEr20.粉末及びCaC0,粉末、さら
に平均粒径が0.1〜15μmの各種金属化合物を用い
て第1表に示す割合で、さらにバインダーを添加して混
合した。この混合物をスプレードライにより造粒後1t
on/cm2の圧力でプレス成形した。
この成形体を脱バインダー処理した後、タングステン炉
により窒素ガス雰囲気中で1800°Cで3時間焼成し
た。
この焼結体をバレル研磨し、第1表の条件で酸化処理し
、酸化膜を形成した。この時の外気湿度はいずれも30
〜80%であった。
次にこの酸化膜上にAuペーストを塗布し、850°C
で焼付けを行い、そのAu導体層上にAu−5i箔を乗
せ、さらにAu−5t箔上に接触面積が8.55mm2
直径1.5mmのAgメツキしたCa棒を乗せ、440
°Cの温度で接着した。
得られた各試料に対し、焼結体の組成をX線回折により
同定し、さらに熱伝導率、誘電率、誘電正接、固有抵抗
値を25°Cにおいて測定した。また、導体層の接着強
度は前記AgメツキしたCa棒を垂直に引っ張り、導体
層が剥がれる時の強度を測定した。
また、第1表中、試料番号22 、23 、24はカー
ボン炉内で焼成した。
結果は第1表に示した。
(以下余白) 特開平 3 228873 (6) 第1表によれば、酸化処理を全くせずに導体層を形成し
た試料No、 9では接着強度はO,1Kg/mm2以
下であり、殆ど実用に耐えないのに対し、母材中に前述
した金属あるいは金属化合物を含有しない試料No、 
8.18.28は酸化膜形成してもその導体層の接着強
度はせいぜい2.0Kg/mm”であり、試料N。
9に比較すると効果は認められるが、接着強度としては
不十分である。
これに対し、母材中に前述したような金属を含有する本
発明品はいずれも高い接着強度を示したが、酸化処理に
よる酸化膜の厚みが0.05μmより薄い試料No、1
0や、膜厚が5μmより厚い試料No、 19 。
20.21はいずれも接着強度が低くなった。
なお、母材中に金属化合物を含有させた場合、試料Nα
31,34に示すようにその量が多すぎると特性は劣化
する。
(発明の効果) 以上詳述したように、本発明の窒化アルミニウム質基板
によれば、母材である窒化アルミニうム質焼結体の熱伝
導率やその他の電気特性に何ら影響を及ぼすことなく、
その表面に形成される金属導体層の基板母材との接着強
度を高めることができ、これにより電子部品への適用に
おいて信頼性を高めるとともに製造歩留りをも挙げるこ
とができ、窒化アルミニウム質焼結体の基板としての応
用を大きく促進することができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窒化アルミニウムを主体とし、Ti、V、Nb、
    Mo、W、CoおよびNiの単体あるいはこれらの炭化
    物、窒化物、硼化物、酸化物から選ぼれる1種以上を含
    有する焼結体の表面に酸化アルミニウムを主体とする厚
    さ0.05〜5μmの被覆層を形成したことを特徴とす
    る窒化アルミニウム質基板。
  2. (2)窒化アルミニウムを主体とし、Ti、V、Nb、
    Mo、W、CoおよびNiの単体あるいはこれらの炭化
    物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる1種以上を含
    有する焼結体の表面に酸化アルミニウムを主体とする厚
    さ0.05〜5μmの被覆層および金属導体層を順次被
    着形成したことを特徴とする窒化アルミニウム質基板。
JP2061780A 1989-12-19 1990-03-13 窒化アルミニウム質基板 Expired - Lifetime JP2949296B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2061780A JP2949296B2 (ja) 1990-03-13 1990-03-13 窒化アルミニウム質基板
US08/597,349 US5830570A (en) 1989-12-19 1996-02-06 Aluminum nitride substrate and process for preparation thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2061780A JP2949296B2 (ja) 1990-03-13 1990-03-13 窒化アルミニウム質基板

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022979A Division JP2949294B2 (ja) 1989-12-19 1990-01-31 窒化アルミニウム質基板及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03228873A true JPH03228873A (ja) 1991-10-09
JP2949296B2 JP2949296B2 (ja) 1999-09-13

Family

ID=13180951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2061780A Expired - Lifetime JP2949296B2 (ja) 1989-12-19 1990-03-13 窒化アルミニウム質基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2949296B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11310462A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Kyocera Corp 窒化アルミニウム質焼結体及びその製造方法
JP2004131298A (ja) * 2001-08-20 2004-04-30 Ngk Insulators Ltd 低誘電正接材料および炭化珪素焼結体の誘電正接を制御する方法
JP2015020937A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11310462A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Kyocera Corp 窒化アルミニウム質焼結体及びその製造方法
JP2004131298A (ja) * 2001-08-20 2004-04-30 Ngk Insulators Ltd 低誘電正接材料および炭化珪素焼結体の誘電正接を制御する方法
JP2015020937A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2949296B2 (ja) 1999-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013241322A (ja) アルミナ焼結体、それを備える部材、および半導体製造装置
JPH03228873A (ja) 窒化アルミニウム質基板
JP2000143349A (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびそれを用いた静電チャック
JP2989975B2 (ja) 窒化アルミニウム質基板の製造方法
JP2949294B2 (ja) 窒化アルミニウム質基板及びその製造方法
JPS62216979A (ja) ガラス層を有する窒化アルミニウム焼結体並びにその製造方法
JP2563809B2 (ja) 半導体用窒化アルミニウム基板
JPH0676268B2 (ja) 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体並びにその製造方法
JP2007186382A (ja) 窒化アルミニウム焼結体
US5830570A (en) Aluminum nitride substrate and process for preparation thereof
JP2003069217A (ja) 回路基板の製造方法
JPH09237957A (ja) アルミナ質回路基板およびその製造方法
JP2720094B2 (ja) 窒化アルミニウム質基板の製造方法
JPH0798706B2 (ja) 非酸化物セラミックスの表面処理方法
JP2004289137A (ja) 半導体製造装置用ウェハ保持体及びそれを搭載した半導体製造装置
JP2006117449A (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP3470285B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2590558B2 (ja) 放熱性のすぐれた半導体装置用基板
JPH08259329A (ja) AlN連続焼成炉
JPH0881266A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP3928645B2 (ja) 絶縁ペースト及び絶縁ペーストを用いた絶縁層の形成方法
JP2007112635A (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2763516B2 (ja) 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法
JPS6381787A (ja) セラミツクヒ−タ
JPH1036173A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法