JPS6381787A - セラミツクヒ−タ - Google Patents
セラミツクヒ−タInfo
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 15
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical class N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N oxoaluminum Chemical compound O1[Al]O[Al]1 WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般家庭用、電子部品用、産業機器用及び自動
車用等の広汎に利用し得る耐熱衝撃性および高温強度に
優れたセラミックヒータに関するものである。
車用等の広汎に利用し得る耐熱衝撃性および高温強度に
優れたセラミックヒータに関するものである。
−Ｉ’ｌＨに、セラミックを基体とするヒータとしては
アルミナ（Ａ１ｚＯ３）焼結体中にタングステン（Ｗ）
やモリブデン（Ｍｏ）を主体とする抵抗体を施したヒー
タが主流である。
アルミナ（Ａ１ｚＯ３）焼結体中にタングステン（Ｗ）
やモリブデン（Ｍｏ）を主体とする抵抗体を施したヒー
タが主流である。
この様なセラミックヒータは電気絶縁性、耐薬品性およ
び耐摩耗性に優れているという利点がある。しかしなが
ら、一方アルミナは水中投下急冷の耐熱衝撃温度差が２
００℃程度であり、また８００℃までにおける高温強度
（４点曲げ抗折強度）が３０Ｋｇ／ｎ＋ｍ”程度と、耐
熱衝撃性および高温強度が劣っている。
び耐摩耗性に優れているという利点がある。しかしなが
ら、一方アルミナは水中投下急冷の耐熱衝撃温度差が２
００℃程度であり、また８００℃までにおける高温強度
（４点曲げ抗折強度）が３０Ｋｇ／ｎ＋ｍ”程度と、耐
熱衝撃性および高温強度が劣っている。
そこで、この耐熱衝撃性及び高温強度が他のセラミック
よりも著しく優れた窒化けい素質焼結体をヒータの基板
として使用することが注目された。
よりも著しく優れた窒化けい素質焼結体をヒータの基板
として使用することが注目された。
この様な窒化けい素質焼結体の耐熱衝撃温度差は６００
℃程度、８００℃までの高温強度（４点曲げ抗折強度）
は６０Ｋｇ／ｍｍ”とアルミナに比べ著しく４３位であ
る。
℃程度、８００℃までの高温強度（４点曲げ抗折強度）
は６０Ｋｇ／ｍｍ”とアルミナに比べ著しく４３位であ
る。
このような窒化けい素質焼結体を基体とするセラミック
ヒータはアルミナ基板と同様、−Ｊ’ＩＱにタングステ
ン（Ｗ）やモンブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体
中に埋設するものが既に提供され、またこれらタングス
テン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）を主体とする発熱抵抗
ペーストを窒化けい素質グリーンシート上に印刷配線し
、これを積層して一体焼成してなるものが特開昭５５−
１２６９８９号公報により提案されている。
ヒータはアルミナ基板と同様、−Ｊ’ＩＱにタングステ
ン（Ｗ）やモンブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体
中に埋設するものが既に提供され、またこれらタングス
テン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）を主体とする発熱抵抗
ペーストを窒化けい素質グリーンシート上に印刷配線し
、これを積層して一体焼成してなるものが特開昭５５−
１２６９８９号公報により提案されている。
しかしながら、発熱抵抗体としてタングステン（匈）や
モリブデン（Ｍｏ）を使用すると高温焼成時や長時間の
昇降温繰り返し使用時にこれら発熱抵抗体周囲と窒化珪
素との界面において、タングステン（Ｗ）やモリブデン
（Ｍｏ）は窒化珪素（ＳｉＪｔ）と反応してＷＳＩ Ｚ
＋ Ｍｏ５ｉｚの層を生成し易く、また酸素と反応して
ＷＯ，、、Ｍｏ０＝の層を生成し易い。このように生成
された反応層は物理的に脆弱であるため抵抗値のバラツ
キが生じたり特に高抵抗ヒータの場合反応層生成界面に
亀裂が生じ易くなり、亀裂による発熱抵抗体の断線が生
じる等の欠点のために、特に発熱抵抗ペーストを使用す
る方式については実用化に供されていないのが現状であ
る。さらに、タングステン（−）やモリブデン（Ｍｏ）
から成る発熱抵抗体はこれらの抵抗温度係数（ＴＣＲ）
が比較的高く、４〜５ Ｘｌ０−’程度（０〜８００℃
）である。
モリブデン（Ｍｏ）を使用すると高温焼成時や長時間の
昇降温繰り返し使用時にこれら発熱抵抗体周囲と窒化珪
素との界面において、タングステン（Ｗ）やモリブデン
（Ｍｏ）は窒化珪素（ＳｉＪｔ）と反応してＷＳＩ Ｚ
＋ Ｍｏ５ｉｚの層を生成し易く、また酸素と反応して
ＷＯ，、、Ｍｏ０＝の層を生成し易い。このように生成
された反応層は物理的に脆弱であるため抵抗値のバラツ
キが生じたり特に高抵抗ヒータの場合反応層生成界面に
亀裂が生じ易くなり、亀裂による発熱抵抗体の断線が生
じる等の欠点のために、特に発熱抵抗ペーストを使用す
る方式については実用化に供されていないのが現状であ
る。さらに、タングステン（−）やモリブデン（Ｍｏ）
から成る発熱抵抗体はこれらの抵抗温度係数（ＴＣＲ）
が比較的高く、４〜５ Ｘｌ０−’程度（０〜８００℃
）である。
従って、既に実用化されているタングステン（Ｗ）やモ
リブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体に埋設する方
式においても電圧印加時の突入電流が大きくなり、電流
容量の大きいヒータの通電制御装置を必要とするなどの
欠点があった。
リブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体に埋設する方
式においても電圧印加時の突入電流が大きくなり、電流
容量の大きいヒータの通電制御装置を必要とするなどの
欠点があった。
本発明においては発熱抵抗体の経時的抵抗値変化及び断
線を防止でき、また抵抗温度係数（ＴＣＰ）の比較的小
さいセラミックヒータを提供することを目的とする。
線を防止でき、また抵抗温度係数（ＴＣＰ）の比較的小
さいセラミックヒータを提供することを目的とする。
本発明者等は上記問題点に鑑み鋭意研究の結果、窒化チ
タン（ＴｉＮ）を抵抗材料とした発熱抵抗体を用いるこ
とにより前記問題点を克服し得ることを知見した。
タン（ＴｉＮ）を抵抗材料とした発熱抵抗体を用いるこ
とにより前記問題点を克服し得ることを知見した。
本発明によれば、窒化アルミニウム質焼結体中もしくは
その表面にＴｉＮを含む発熱抵抗体を形成してなるセラ
ミックヒータが提供される。
その表面にＴｉＮを含む発熱抵抗体を形成してなるセラ
ミックヒータが提供される。
本発明セラミックヒータにおいて、発熱抵抗体として用
いられる窒化チタン（ＴｉＮ）はタングステン（Ｗ）や
モリブデン（ＭＯ）と比べ、高温において熱力学的に安
定であり、上記脆弱な反応層がほとんど生成されない。
いられる窒化チタン（ＴｉＮ）はタングステン（Ｗ）や
モリブデン（ＭＯ）と比べ、高温において熱力学的に安
定であり、上記脆弱な反応層がほとんど生成されない。
したがって焼結体の焼成時や長期の昇降温繰り返し使用
後の抵抗値変化が生じない。また、ＴｉＮとＡＩＮとは
相互に強固に結合した発熱抵抗体を形成する。
後の抵抗値変化が生じない。また、ＴｉＮとＡＩＮとは
相互に強固に結合した発熱抵抗体を形成する。
したがって脆弱な反応層の存在による抵抗体の断線は略
完全に防止できる。
完全に防止できる。
さらに、ＴｉＮを含むペーストとり又はＭｏと比べ抵抗
温度係数（ＴＣＰ）が１〜２ Ｘｌ０−３（０〜８００
℃）と小さい。
温度係数（ＴＣＰ）が１〜２ Ｘｌ０−３（０〜８００
℃）と小さい。
即ち、このことは第１図（ａ） 、（ｂ）に示す如く、
ＴｉＮを抵抗体とするものＲｏ、と、タングステン（誓
）又はモリブデン（Ｍｏ）を抵抗体とするものＲｏｚと
を同一ワット数のヒータとして作った場合（例えば８０
０℃における抵抗値を各々同一とした場合−第１図（ａ
）参照）、タングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）
を抵抗体とするものは常時抵抗が小さいので、第１図（
ｂ）に示す如＜Ｖ＝ＩＲの一般式から電圧印加時の突入
電流が大きくなる。
ＴｉＮを抵抗体とするものＲｏ、と、タングステン（誓
）又はモリブデン（Ｍｏ）を抵抗体とするものＲｏｚと
を同一ワット数のヒータとして作った場合（例えば８０
０℃における抵抗値を各々同一とした場合−第１図（ａ
）参照）、タングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）
を抵抗体とするものは常時抵抗が小さいので、第１図（
ｂ）に示す如＜Ｖ＝ＩＲの一般式から電圧印加時の突入
電流が大きくなる。
一方、ＴｉＮを抵抗体とするものは常温抵抗が大きいの
で電圧印加時の突入電流を小さくすることができ、該ヒ
ータの制御装置の電流容量が小さくて済む。さらに、こ
のような抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さいことは、使用
雲囲気によりヒータの温度分布が均一になる。
で電圧印加時の突入電流を小さくすることができ、該ヒ
ータの制御装置の電流容量が小さくて済む。さらに、こ
のような抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さいことは、使用
雲囲気によりヒータの温度分布が均一になる。
即ち、オームの法則によりＷ＝Ｉ２Ｒ（Ｉは一定）から
抵抗値に比例して発熱エネルギーが大きくなることは知
られている。したがって、抵抗温度係数（ＴＣＰ）の大
きなヒータはその一部が局部的に冷却された場合、その
部分の抵抗体の抵抗値が大きく下がり、その部分の発熱
量が著しく減少する事となる。一方、抵抗温度係数（Ｔ
ＣＰ）の小さな本発明のヒータはその一部が局部的に冷
却されても、その部分の抵抗体の抵抗値があまり下がら
ずその部分の発熱量の変化が少ない。即ち、ヒータの温
度分布は外部影響を受けにくいということになる。
抵抗値に比例して発熱エネルギーが大きくなることは知
られている。したがって、抵抗温度係数（ＴＣＰ）の大
きなヒータはその一部が局部的に冷却された場合、その
部分の抵抗体の抵抗値が大きく下がり、その部分の発熱
量が著しく減少する事となる。一方、抵抗温度係数（Ｔ
ＣＰ）の小さな本発明のヒータはその一部が局部的に冷
却されても、その部分の抵抗体の抵抗値があまり下がら
ずその部分の発熱量の変化が少ない。即ち、ヒータの温
度分布は外部影響を受けにくいということになる。
前記抵抗温度係数（ＴＣＰ）を小さくするもう一つの条
件としてＴｉＮの発熱抵抗体の厚みは３ｍｍ以下である
ことが望まれる。
件としてＴｉＮの発熱抵抗体の厚みは３ｍｍ以下である
ことが望まれる。
（実施例１）
窒化チタン（ＴｉＮ）粉末にアセトン及びバインダーを
添加して振動ミルにて７２時間混合し、脱アセトン後混
練して粘度を調整してＴｉＮを主体とした発熱抵抗ペー
ストを作成した。この発熱抵抗体ペーストを夫々プレス
成形又はテープ成形された焼結体としては絶縁性となる
アルミニウム質の生成形体ｌａ上に第２図の如くスクリ
ーン印刷して抵抗回路２を形成し、これを積層して常圧
（ＰＬ）、ガス圧プレス（ＧＰＳ）又はホットプレス（
ＩＩＰ）により一体焼成した。これら焼結体１ｂは研削
又は表面処理により電極を露出させ、これに電極取出金
具３をメタライズ層を介してロウ付けして第３図に示ず
如き７０ Ｘ ５ Ｘ １．２ｍｍの板状セラミックヒ
ータを各々得た。
添加して振動ミルにて７２時間混合し、脱アセトン後混
練して粘度を調整してＴｉＮを主体とした発熱抵抗ペー
ストを作成した。この発熱抵抗体ペーストを夫々プレス
成形又はテープ成形された焼結体としては絶縁性となる
アルミニウム質の生成形体ｌａ上に第２図の如くスクリ
ーン印刷して抵抗回路２を形成し、これを積層して常圧
（ＰＬ）、ガス圧プレス（ＧＰＳ）又はホットプレス（
ＩＩＰ）により一体焼成した。これら焼結体１ｂは研削
又は表面処理により電極を露出させ、これに電極取出金
具３をメタライズ層を介してロウ付けして第３図に示ず
如き７０ Ｘ ５ Ｘ １．２ｍｍの板状セラミックヒ
ータを各々得た。
得られた各試料隘１〜３に相当する板状セラミックヒー
タを発熱体先端の温度が電圧印加５秒後に９００度にな
る電圧（１００〜１２０Ｖ）を５秒間印加し、その後１
３秒間空気にて強制冷却する。
タを発熱体先端の温度が電圧印加５秒後に９００度にな
る電圧（１００〜１２０Ｖ）を５秒間印加し、その後１
３秒間空気にて強制冷却する。
これを、１サイクルとして２０ 、０００サイクル後の
抵抗値と初期抵抗値とを測定し、その抵抗変化率を調べ
た。また、各セラミックヒータを第３図のＡ−Ａで切断
し、露出した抵抗体を電子顕微鏡にて膜１ｖを測定した
。これらの結果を第１表に示す。
抵抗値と初期抵抗値とを測定し、その抵抗変化率を調べ
た。また、各セラミックヒータを第３図のＡ−Ａで切断
し、露出した抵抗体を電子顕微鏡にて膜１ｖを測定した
。これらの結果を第１表に示す。
また、窒化けい素質成形体の表面にＷ又＆；ｔＭｏの抵
抗ペーストを印刷して抵抗体回路を形成し、これを積層
して常圧により一体焼成して第３図と同様のセラミック
ヒータを得た。これらにつき、前記と同様に２０．００
０サイクル後の抵抗値と初期抵抗とを比較しその変化率
を調べ第１表に示し比較例とした。
抗ペーストを印刷して抵抗体回路を形成し、これを積層
して常圧により一体焼成して第３図と同様のセラミック
ヒータを得た。これらにつき、前記と同様に２０．００
０サイクル後の抵抗値と初期抵抗とを比較しその変化率
を調べ第１表に示し比較例とした。
第１表から理解されるように、誓又はＭｏを使用した発
熱抵抗体は電圧印加サイクルテストの２０，０００サイ
クル後の抵抗値変化が大きく又は断線するという結果で
あったのに対し、本発明のＴｉＮを含有する発熱抵抗ペ
ーストを焼成して得られたセラミックヒータは前記２０
．０００サイクルの抵抗値変化が著しく小さい。このよ
うな結果は即ち前記したような脆弱な反応層が抵抗体と
窒化アルミニウムとの界面に形成されていない。
熱抵抗体は電圧印加サイクルテストの２０，０００サイ
クル後の抵抗値変化が大きく又は断線するという結果で
あったのに対し、本発明のＴｉＮを含有する発熱抵抗ペ
ーストを焼成して得られたセラミックヒータは前記２０
．０００サイクルの抵抗値変化が著しく小さい。このよ
うな結果は即ち前記したような脆弱な反応層が抵抗体と
窒化アルミニウムとの界面に形成されていない。
この点については第４図のヒータの断面顕微鏡写真に示
す如く、中央縦線で表われるＴｉＮ層とその左右のＡＩ
Ｎ基板との界面には何ら他の反応相がなく美しいＴｉＮ
の結合状態が得られていることが理解される。
す如く、中央縦線で表われるＴｉＮ層とその左右のＡＩ
Ｎ基板との界面には何ら他の反応相がなく美しいＴｉＮ
の結合状態が得られていることが理解される。
尚、発熱抵抗体ペースｌ−組成としてＴｉＮ０主成分に
対し、基板と同一のＡＩＮ 、その他Ｙｚ０３．ＭｇＯ
，Ａｌｚ（ｈ、Ｎｉ、Ｃｒ等の添加物を焼結助剤として
、又は抵抗値をコントロールするために連星添加するこ
ともできる。
対し、基板と同一のＡＩＮ 、その他Ｙｚ０３．ＭｇＯ
，Ａｌｚ（ｈ、Ｎｉ、Ｃｒ等の添加物を焼結助剤として
、又は抵抗値をコントロールするために連星添加するこ
ともできる。
この場合、ＴｉＮ０量が少な過ぎると（例えば４５重量
％以下）第５図に示す如く抵抗値の変化が大きくなるの
で抵抗の設定が困難となる。
％以下）第５図に示す如く抵抗値の変化が大きくなるの
で抵抗の設定が困難となる。
（実施例２）
前記第１表の試料隘２のもの（ｘ）とセラミック基板を
アルミナ（Ａｌ２Ｏ２）とし発熱抵抗体をタングステン
（Ｗ）ペーストを使用した以外は実施例１と同様に作成
されたもの（Ｙ） とを夫々ヒータの先端の温度を測定
しながら電圧を変化させ、その時の温度と抵抗値の相関
を調べた。その抵抗値を常温での抵抗値との比を縦軸に
、また温度を横軸として第６図に示した。この図から明
らかなように、抵抗温度係数（ＴＣＲ）が八ＩｚＯｆｆ
−系（Ｘ）が４．４ Ｘｌ０−”であるのに対し、本発
明のＡｌＮ−ＴｉＮ系（Ｙ）のものは２．５ ｘｌＯ−
”と小さいことが理解される。このことは前述の如く突
入電流を小さくでき、さらにヒータの温度分布は外部雰
囲気に影響を受けにくくなる。
アルミナ（Ａｌ２Ｏ２）とし発熱抵抗体をタングステン
（Ｗ）ペーストを使用した以外は実施例１と同様に作成
されたもの（Ｙ） とを夫々ヒータの先端の温度を測定
しながら電圧を変化させ、その時の温度と抵抗値の相関
を調べた。その抵抗値を常温での抵抗値との比を縦軸に
、また温度を横軸として第６図に示した。この図から明
らかなように、抵抗温度係数（ＴＣＲ）が八ＩｚＯｆｆ
−系（Ｘ）が４．４ Ｘｌ０−”であるのに対し、本発
明のＡｌＮ−ＴｉＮ系（Ｙ）のものは２．５ ｘｌＯ−
”と小さいことが理解される。このことは前述の如く突
入電流を小さくでき、さらにヒータの温度分布は外部雰
囲気に影響を受けにくくなる。
なお、上記実施例１．２においては、窒化アルミニウム
質焼結体中にＴｉＮを含有する発熱抵抗体を埋設したも
のについて述べたが、これに限らず窒化アルミニウム質
焼結体表面に上記発熱抵抗体を配設し、必要に応じてセ
ラミック等から成る被覆層を被着せしめることによって
セラミックヒータを構成することも可能である。
質焼結体中にＴｉＮを含有する発熱抵抗体を埋設したも
のについて述べたが、これに限らず窒化アルミニウム質
焼結体表面に上記発熱抵抗体を配設し、必要に応じてセ
ラミック等から成る被覆層を被着せしめることによって
セラミックヒータを構成することも可能である。
また、ＴｉＮでもって線状、板状に形成した発熱抵抗体
を窒化アルミニウム質焼結体中に埋設することによって
ヒータを構成してもよく、この場合、発熱抵抗体の抵抗
値は比較的小さいものが得られるため低電圧で発熱容量
の大きいセラミックヒータを構成することができる。
を窒化アルミニウム質焼結体中に埋設することによって
ヒータを構成してもよく、この場合、発熱抵抗体の抵抗
値は比較的小さいものが得られるため低電圧で発熱容量
の大きいセラミックヒータを構成することができる。
（発明の効果）
本発明は上述の如く窒化アルミニウム質焼結体中もしく
はその表面にＴｉＮを含有する発熱抵抗体を形成したの
で、発熱抵抗体の経時的抵抗値変化及び断線を防止でき
、また抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さい耐熱衝撃性及び
高温強度に優れたセラミックヒータを提供することがで
きる。
はその表面にＴｉＮを含有する発熱抵抗体を形成したの
で、発熱抵抗体の経時的抵抗値変化及び断線を防止でき
、また抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さい耐熱衝撃性及び
高温強度に優れたセラミックヒータを提供することがで
きる。
第１図（ａ）はＴｉＮ抵抗体とタングステン（−）やモ
リブデン（Ｍｏ）抵抗体の温度に対する抵抗値変化を示
した図、第１図（ｂ）は前記ＴｉＮ抵抗体とタングステ
ン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）抵抗体との突入電流の特
性を示した図、第２図は窒化アルミニウム質グリーンシ
ート上にＴｉＮ抵抗体ペーストを印刷した状態を示す斜
視図、第３図は完成状態のセラミックヒータを示す斜視
図、第４図は窒化アルミニウム質焼結体中のＴｉＮ層と
その界面を表わす顕微鏡写真（Ｘ５０００倍）、第５図
はＴｉＮの含有量と抵抗値との相関図及び第６図はアル
ミナ基板にタングステン抵抗体を形成した比較用ヒータ
と、本発明のヒータの抵抗温度係数（ＴＣＰ）を示した
グラフである。 １ａ・・・生成形体 １ｂ・・・絶縁性焼結体 ２・・・発熱体
リブデン（Ｍｏ）抵抗体の温度に対する抵抗値変化を示
した図、第１図（ｂ）は前記ＴｉＮ抵抗体とタングステ
ン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）抵抗体との突入電流の特
性を示した図、第２図は窒化アルミニウム質グリーンシ
ート上にＴｉＮ抵抗体ペーストを印刷した状態を示す斜
視図、第３図は完成状態のセラミックヒータを示す斜視
図、第４図は窒化アルミニウム質焼結体中のＴｉＮ層と
その界面を表わす顕微鏡写真（Ｘ５０００倍）、第５図
はＴｉＮの含有量と抵抗値との相関図及び第６図はアル
ミナ基板にタングステン抵抗体を形成した比較用ヒータ
と、本発明のヒータの抵抗温度係数（ＴＣＰ）を示した
グラフである。 １ａ・・・生成形体 １ｂ・・・絶縁性焼結体 ２・・・発熱体
Claims (1)
- 窒化アルミニウム質焼結体中もしくはその表面にＴｉＮ
を含有する発熱抵抗体を形成してなるセラミックヒータ
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227755A JP2537606B2 (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | セラミツクヒ−タ |
| US07/079,255 US4804823A (en) | 1986-07-31 | 1987-07-29 | Ceramic heater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227755A JP2537606B2 (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | セラミツクヒ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381787A true JPS6381787A (ja) | 1988-04-12 |
| JP2537606B2 JP2537606B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=16865866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61227755A Expired - Fee Related JP2537606B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-09-25 | セラミツクヒ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537606B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294384A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Kyocera Corp | 放熱フィン付きセラミックヒータ |
| DE4204288A1 (de) * | 1991-02-14 | 1992-08-20 | Ngk Spark Plug Co | Keramische heizvorrichtung |
| JPH07226290A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846590A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | 株式会社デンソー | セラミツクヒ−タ |
| JPS6049592A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | 株式会社日立製作所 | 棒状ヒ−タ |
| JPS62197377A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | イグナイタ−用基板 |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP61227755A patent/JP2537606B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| US5264681A (en) * | 1991-02-14 | 1993-11-23 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic heater |
| JPH07226290A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2537606B2 (ja) | 1996-09-25 |
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