JP3425097B2

JP3425097B2 - 抵抗素子

Info

Publication number: JP3425097B2
Application number: JP03007299A
Authority: JP
Inventors: 建太郎澤村
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-03-31
Filing date: 1999-02-08
Publication date: 2003-07-07
Anticipated expiration: 2019-02-08
Also published as: JPH11345679A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な抵抗素子、
さらに詳しくは、コンピューター等を応用した制御回路
を設けることなく、約３秒以内で１１００℃以上の急速
昇温が可能であり、かつ、昇降温の繰り返しや、空気中
１５００〜１５５０℃程度の高温での酸化に耐える等、
耐久性に優れ、気体燃料や液体燃料の着火などに使用さ
れる通電式の抵抗素子、およびサーミスター等の抵抗素
子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、天然ガス、プロパンガス、灯油等
の気体燃料や液体燃料の着火には、セラミックスを用い
た通電式の抵抗素子が一般に用いられている。

【０００３】この種の着火用抵抗素子は、２〜３秒間程
度で１０００℃以上の温度に達する急速昇温と、空気中
で１５００〜１５５０℃程度の高温に耐えるために、優
れた耐熱衝撃性および耐酸化性を有することが要求され
る。

【０００４】このような要求に応えるために、従来のセ
ラミックス抵抗素子は、通常、窒化珪素（Ｓｉ_３N_４）
にタングステンや炭化タングステン等の発熱体を埋設
し、焼成することによって作製されていた。

【０００５】しかしながら、この場合、窒化珪素は難燒
結性であるため、燒結助剤として希土類元素を使用し、
緻密化が図られているが、希土類元素を添加すると、１
４００℃以上での耐酸化性が低下するという問題が生じ
る。したがって、使用温度の上限を１４００℃に抑える
ことで実用に供しているが、急速加熱する場合には、コ
ンピューター等を応用した制御回路が必要となり、コス
ト高を来していた。このようなコストの増大を避けるた
めには、抵抗素子の最高到達温度を高めに設定する必要
があるが、従来の抵抗素子では最高到達温度を更に高め
ることは困難であり、実際問題として、コストや耐酸化
性を考慮すると、昇温速度を犠牲にせざるを得ないのが
実状であった。

【０００６】さらに、従来の抵抗素子に用いられる導電
体層は、例えば、上記のようなタングステンや炭化タン
グステン等からなる発熱体であるが、タングステンの一
部が珪化されると、導電体層の抵抗値が増大して特性低
下を来すという問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、１４００℃以上、さらには、１５００℃
以上での使用が可能であって、制御回路を設けることな
く、約３秒以内で１１００℃以上に急速昇温することが
でき、かつ、昇降温の繰り返しや高温での酸化に耐える
等、耐久性に優れたセラミックスからなる、着火性能の
よい通電式の抵抗素子を、安いコストで提供することを
目的としてなされたものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、優れた性
能を有する抵抗素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結
果、絶縁体材料基板層と、その上に設けられ、若しくは
その中に埋設された導電体層との積層構造燒結体からな
る抵抗素子において、前記導電体層として、タングステ
ンと炭素からなり、かつ、炭素が原子比１：１よりも少
ない特定の組成を有する導電体層を用いることにより、
１５秒間の通電により素子温度を１５００℃以上まで到
達させ、その後通電を停止することにより素子を冷却す
る操作を繰り返すサイクル試験を５００００回以上行っ
ても、抵抗値の変化が１０％以下である抵抗素子が得ら
れ、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。

【０００９】すなわち、本発明は、絶縁体材料基板層
と、その上に設けられ、若しくはその中に埋設された導
電体層との積層構造燒結体からなる抵抗素子において、
前記導電体層がタングステンと炭素からなり、かつ、タ
ングステンと炭素との原子比が１：０．４ないし１：
０．９８であるような構成である。

【００１０】また、本発明は、前記導電体層が窒化珪
素、シリマナイト、ムライト、窒化アルミニウム、酸窒
化珪素およびサイアロンの少なくとも１種を体積占有率
で６％から６５％の範囲で含有しているような構成であ
る。

【００１１】さらに、本発明は、前記絶縁体材料基板層
が、窒化珪素１００モルに対して酸化珪素が５〜３０モ
ル、酸化アルミニウムが３〜１０モルの範囲で含有され
るサイアロンからなるような構成である。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の抵抗素子は、絶縁体材料
基板層と、その上に設けられ、若しくはその中に埋設さ
れた導電体層との積層構造燒結体からなるものである。

【００１３】上記の絶縁体材料基板層としては、従来、
急速昇温発熱素子において用いられる公知の材料の中か
ら、適宜選択して用いることができるが、特に窒化珪
素、酸化珪素、酸化アルミニウムを含むサイアロンで構
成されたものが好適である。

【００１４】窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）は、酸化されると
表面に純粋な酸化珪素（ＳｉＯ_２）保護膜が形成され、
耐酸化性が付与されることが知られている。しかしなが
ら、窒化珪素は難燒結性のため、単独では燒結による緻
密化が達成されない。

【００１５】したがって、本発明においては、窒化珪素
燒結体の緻密化を促進するために、窒化珪素１００モル
に対して酸化珪素が５〜３０モル、好ましくは９〜２１
モル、酸化アルミニウムが３〜１０モル、好ましくは４
〜８モルの範囲で含有されるサイアロンからなる絶縁体
材料が好ましく用いられる。

【００１６】酸化珪素の含有量が５モル未満では、得ら
れる絶縁体材料の緻密化が十分に進まず、３０モルを超
えると、絶縁体材料の機械的強度が低下し、１５秒間の
通電により素子温度を１５００℃以上まで到達させ、そ
の後通電を停止することにより素子を冷却する操作を繰
り返すサイクル試験で、絶縁体材料基板層が破損しやす
くなる。

【００１７】酸化アルミニウムの含有量が３モル未満で
は、得られる絶縁体材料の緻密化が十分に進まず、１０
モルを超えると、絶縁体材料の緻密化は進むが、耐酸化
性が低下し、１５００℃以上での使用が困難となるだけ
ではなく、機械的強度も低下する。

【００１８】また、本発明の抵抗素子における絶縁体材
料基板層として、希土類元素を含有するサイアロンから
なる絶縁体材料を用いることもできる。希土類元素酸化
物としては、例えば、イットリウム、サマリウム、ラン
タン、セリウム、ネオジウム等の酸化物を挙げることが
できる。これらの中で、イットリウム酸化物、ランタン
酸化物およびセリウム酸化物が好適である。これらの希
土類元素酸化物は単独で用いてもよいし、２種以上を組
み合わせて用いてもよい。

【００１９】一方、本発明の抵抗素子における導電体層
としては，高融点、低熱膨張率および低電気比抵抗を有
する材料が用いられ、特に融点２０００℃以上、熱膨張
率６．０×１０^−６／℃以下、および、電気比抵抗１０
^−５Ω・ｃｍ以下のものが好適である。

【００２０】本発明においては、このような材料とし
て、タングステンと炭素とからなり、かつ、タングステ
ンと炭素との原子比が１：０．４ないし１：０．９８の
範囲にある材料が用いられる。

【００２１】導電体層のタングステンは、絶縁体材料基
板層にサイアロンを主成分とするものを用いた場合、焼
成時または通電発熱時に、一部が珪化され、このタング
ステンの珪化物は熱膨張係数が６．０×１０^−６／℃を
超え、強度が脆弱になることが知られている。このた
め、通電のオン・オフ繰り返しを行うサイクル試験によ
って、抵抗値が増大する等の特性低下が起こりやすい。
しかし、本発明のように、タングステンと炭素とが特定
の原子比の範囲で共存すると、タングステンが安定し、
抵抗値が増大する等の特性低下が起こりにくくなる。

【００２２】タングステンと炭素との原子比が０．４未
満の場合、通電のオン・オフ繰り返しを行うサイクル試
験によって、抵抗値が増大する等の特性低下が起こりや
すい。一方、タングステンと炭素との原子比が１の場
合、管理された状態では、タングステンの珪化が防止さ
れ問題はないと考えられるが、実際には、以下のような
問題がある。すなわち、導電体層は、通常、ペースト状
の材料を印刷して設けられるため、ペースト化のために
用いられている有機バインダーが、焼成時に一部残留炭
素として導電体層に存在することになる。例えば、ホッ
トプレス焼成では、通常、１原子％程度の炭素が残留す
るために、タングステンと炭素との原子比１：１の組成
よりも炭素過剰となる。したがって、タングステンと炭
素との原子比１：１の組成から、炭素を２原子％程度減
らした組成に設定すれば、焼成後に炭素が過剰に存在す
ることはなくなり、良好な特性が実現できる。したがっ
て、タングステンと炭素との原子比の上限は、上記のよ
うに０．９８と設定される。

【００２３】本発明では、導電体層に、さらに、窒化珪
素、シリマナイト、ムライト、窒化アルミニウム、酸窒
化珪素およびサイアロンの少なくとも１種を体積占有率
で６％から６５％の範囲、好ましくは１０％から６０％
の範囲で含有している材料が好適に用いられる。ここ
で、本発明における体積占有率とは、物質が室温（２５
℃）で混合状態にあるとき、各々の物質の占有する体積
を百分率表示したものである。具体的には、例えば、９
０ｃｃのW_２Cと１０ｃｃの窒化アルミニウムを混合した
系では、W_２Cの体積占有率は９０％、窒化アルミニウム
の体積占有率は１０％となる。

【００２４】上記のように、窒化珪素、シリマナイト、
ムライト、窒化アルミニウム、酸窒化珪素およびサイア
ロンの少なくとも１種を体積占有率で６％から６５％の
範囲で導電体層に含有させると、上述のサイクル試験、
連続通電試験等の信頼性試験で特性が更に向上する。上
記の添加物質の含有量が６％未満では、添加による効果
が得られず、６５％を超えると、導電体層の抵抗温度特
性が不安定になり好ましくない。

【００２５】上記の添加物質は、いずれも絶縁性物質で
あるため、導電体層の抵抗温度特性には影響を与えず、
導電体層の抵抗温度特性を損なうことはない。また、上
記の窒化珪素、シリマナイト、ムライト、窒化アルミニ
ウムおよび酸窒化珪素は、いずれもサイアロンの構成化
合物であり、導体の抵抗温度特性に影響を与えにくく、
かつ、導電体層と絶縁体材料基板層との接合が良くなる
ため、良好な信頼性が期待できる。

【００２６】尚、同じくサイアロンの構成化合物である
酸化珪素は、融点が１７１３℃と低いため、添加しても
１７００〜１８００℃で焼成を行う時に流動化して導体
領域から絶縁体材料基板層に移行してしまうため添加効
果は期待できない。また、酸化アルミニウムは、添加量
が多いと導体の抵抗温度特性を低下させることがあり、
添加物質として適当ではない。

【００２７】次に、本発明の抵抗素子の製造方法につい
ては特に制限はなく、従来セラミックス系発熱素子の製
造において慣用されている方法を用いることができる。

【００２８】例えば、まず所要量の平均粒径０．１〜
１．５μm程度のα型窒化珪素粉末と、酸化アルミニウ
ム粉末、酸化珪素粉末を適当な溶媒を用い、必要なら
ば、さらに公知のバインダーや分散剤等を添加して、ボ
ールミル等により湿式混合してスラリーを調製する。次
いで、ドクターブレード法、プレス成形法、押し出し成
形法等により所望形状に成形する。

【００２９】次に、このようにして得られた成形体の表
面に、タングステンと炭素とを所定の割合で含有し、必
要に応じて上記のような窒化珪素、シリマナイト、ムラ
イト、窒化アルミニウム、酸窒化珪素およびサイアロン
の少なくとも１種を体積占有率で６％から６５％の範囲
で含有する導体ペーストを用いて所定のパターンを印刷
する。その後、パターン印刷された成形体に未印刷の成
形体を積層したり、または、パターン印刷された成形体
を巻き付けて所望形状に成形した後、この成形物を焼成
する。焼成方法については特に制限はなく、公知の方
法、例えば、ホットプレス焼成法、常圧焼成法、窒素ガ
ス圧力焼成法、熱間静水圧（HIP）焼成法等が用いられ
る。また、焼成温度は、通常、１９００℃以下、好まし
くは１７００〜１８００℃の範囲で設定される。この焼
成においては、窒素ガス雰囲気下等の非酸化性雰囲気下
で実施することが有利である。

【００３０】次に、このようにして得られた燒結体に、
表面研削加工や切断加工を施し、外部電源に接続するた
めの電極を導電体層に取り付けることにより、所望の抵
抗素子が得られる。

【００３１】

【実施例】次に、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。

【００３２】（実施例１）α‐Ｓｉ_３Ｎ_４粉末１００モ
ル、Ａｌ_２Ｏ_３粉末６．８６モル、ＳｉＯ_２粉末１０モ
ル、および、アクリル系バインダーとエタノール、トル
エンをそれぞれ適量加え、ボールミルで混合することに
より、スラリーを調製した。次いで、このスラリーをド
クターブレード法によりシート状に成形した後、乾燥処
理して厚さ５００μmのシートを作製し，一辺が６０ｍ
ｍの正方形に切断した。

【００３３】次に、タングステンと炭素との原子比を表
１に示すように変化させた導体ペーストを、上記シート
に印刷し、この印刷シートの上下に、印刷していないシ
ートを４層、合計９層となるように積層し、積層体を作
製した。

【００３４】この積層体を、１気圧の窒素ガス雰囲気
中、２５０ｋｇ／ｃｍ^２の加圧下で１７５０℃にて１時
間ホットプレス焼成して、積層構造燒結体を得た。図１
は、この積層構造燒結体の部分分解斜視図であって、サ
イアロンからなる絶縁体材料基板１″上に形成されたタ
ングステン−炭素からなる導電体層２が、サイアロンか
らなる絶縁体材料基板層１，１′に埋設されている状態
を示している。

【００３５】次に、この積層構造燒結体をダイヤモンド
砥石により切断加工し、次いで切断面における導電体層
の露出部にタングステン‐ニッケル電極を焼き付け後、
ニッケルめっき処理し，さらに銅線をはんだ付けして電
極端子を設け、素子を作製した。図２は、このようにし
て得られた抵抗素子の斜視図である。図２において、符
号３は抵抗素子、４，４′は電極であり、Aはヒーター
部領域、Bはリード部領域を示す。尚、電極部は金属性
モールドに収め、外気と遮断した。

【００３６】この抵抗素子について、以下に示す評価を
行った。すなわち、空気中、１５秒間通電させることで
１５００℃に昇温させ、１５秒間停止することで室温付
近まで冷却させることを繰り返すサイクル試験を行っ
た。初期抵抗値より１０％増大した点における回数（昇
降温の両過程で１回のカウントとする）を調べた。初期
抵抗値は、１回目の通電での１５００℃における抵抗値
とした。試料数はそれぞれ２０であり、回数は平均値を
採用した。結果を表１に示す。尚、５００００回以上を
合格とする。

【００３７】

【表１】表１に示されるように、炭素／タングステン（原子比）
が０．４〜０．９８の範囲にある抵抗素子は、いずれも
サイクル回数が５００００回以上であった。

【００３８】（実施例２）実施例１と同様の条件で作製
した抵抗素子に、１５００℃に保持されるように連続通
電した際、抵抗値の変化が初期値に対して１０％変化す
るに要した時間を調べた。初期抵抗値は、通電を開始し
て１５００℃となった直後の抵抗値とした。試料数はそ
れぞれ２０であり、平均値を採用した。結果を表２に示
す。

【００３９】

【表２】表２に示されるように、炭素／タングステン（原子比）
が０．４〜０．９８の範囲にある抵抗素子は、いずれも
通電時間が６０００時間以上であり、上記の原子比の範
囲外の抵抗素子に比べて良好であった。

【００４０】（実施例３）α‐Ｓｉ_３Ｎ_４粉末１００モ
ル、Ａｌ_２Ｏ_３粉末６．８モル、ＳｉＯ_２粉末９．３モ
ル、および、アクリル系バインダーとエタノール、トル
エンをそれぞれ適量加え、ボールミルで混合することに
より、スラリーを調製した。次いで、このスラリーをド
クターブレード法によりシート状に成形した後、乾燥処
理して厚さ５００μmのシートを作製し，一辺が６０ｍ
ｍの正方形に切断した。

【００４１】次に、タングステンと炭素との原子比を
１：０．５に定め、さらに、窒化珪素、シリマナイト、
ムライト、窒化アルミニウム、酸窒化珪素およびサイア
ロンを表３に示す添加量で添加した１９種の導体ペース
トを調製し、この導体ペーストを上記シートに印刷し
た。次に、この印刷シートの上下に、印刷していないシ
ートを２層、合計５層となるように積層し、積層体を作
製した。尚、導電体層の形成用ペーストに使用したサイ
アロン（１）、（２）の組成は、それぞれ下記に示すも
のである。

【００４２】サイアロン（１）の組成窒化珪素：８１モル酸化珪素：１６モル酸化アルミニウム：３モルサイアロン（２）の組成窒化珪素：８３モル酸化珪素：９モル・酸化アルミニウム：８モル

【００４３】この積層体を、１気圧の窒素ガス雰囲気
中、２５０ｋｇ／ｃｍ^２の加圧下で１７００℃にて１時
間ホットプレス焼成して、図１に示される積層構造燒結
体を得た。

【００４４】次に、この積層構造燒結体をダイヤモンド
砥石により切断加工し、次いで切断面における導電体層
の露出部にタングステン‐ニッケル電極を焼き付け後、
ニッケルめっき処理し，さらに銅線をはんだ付けして電
極端子を設け、図２に示される抵抗素子を作製した。
尚、電極部は金属性モールドに収め、外気と遮断した。

【００４５】この抵抗素子について、以下に示す評価を
行った。上記の実施例１よりも更に厳しい条件で、すな
わち、空気中、１５秒間通電させることで１５５０℃に
昇温させ、１５秒間停止することで室温付近まで冷却さ
せることを繰り返すサイクル試験を行った。初期抵抗値
より１０％増大した点における回数（昇降温の両過程で
１回のカウントとする）を調べた。初期抵抗値は、１回
目の通電での１５５０℃における抵抗値とした。試料数
はそれぞれ２０であり、回数は平均値を採用した。結果
を表３に示す。尚、５００００回以上を合格とする。

【００４６】

【表３】表３に示されるように、サイアロン（１）、サイアロン
（２）、窒化珪素、シリマナイト、ムライト、窒化アル
ミニウム、または、酸窒化珪素を体積占有率で６〜６５
％の範囲で導電体層に含む抵抗素子は、実施例１よりも
更に厳しい１５５０℃でのサイクル試験でも、サイクル
回数が５００００回以上であった。

【００４７】（実施例４）実施例３と同様の条件で作製
した抵抗素子に、１５５０℃に保持されるように連続通
電した際、抵抗値の変化が初期値に対して１０％変化す
るに要した時間を調べた。初期抵抗値は、通電を開始し
て１５５０℃となった直後の抵抗値とした。試料数はそ
れぞれ２０であり、平均値を採用した。結果を表４に示
す。

【００４８】

【表４】表４に示されるように、サイアロン（１）、サイアロン
（２）、窒化珪素、シリマナイト、ムライト、窒化アル
ミニウム、または、酸窒化珪素を体積占有率で６〜６５
％の範囲で導電体層に含む抵抗素子は、実施例１よりも
更に厳しい１５５０℃での連続通電試験でも、いずれも
通電時間が５０００時間以上であった。

【００４９】（実施例５）α‐Ｓｉ_３Ｎ_４粉末１００モ
ル、Ａｌ_２Ｏ_３粉末７モル、ＳｉＯ_２粉末２１モル、お
よび、アクリル系バインダーとエタノール、トルエンを
それぞれ適量加え、ボールミルで混合することにより、
スラリーを調製した。次いで、このスラリーをドクター
ブレード法によりシート状に成形した後、乾燥処理して
厚さ５００μmのシートを作製し，一辺が６０ｍｍの正
方形に切断した。

【００５０】次に、タングステンと炭素との原子比を
１：０．５に定め、さらに、実施例３において用いたサ
イアロン（１）と同組成のサイアロンを体積占有率で４
０％となるように添加した導体ペーストを調製し、この
導体ペーストを上記シートに印刷した。次に、この印刷
シートの上下に、印刷していないシートを２層、合計５
層となるように積層し、積層体を作製した。

【００５１】この積層体を、１気圧の窒素ガス雰囲気
中、２５０ｋｇ／ｃｍ^２の加圧下で１７００℃にて１時
間ホットプレス焼成して、図１に示される積層構造燒結
体を得た。

【００５２】次に、この積層構造燒結体をダイヤモンド
砥石により切断加工し、次いで切断面における導電体層
の露出部にタングステン‐ニッケル電極を焼き付け後、
ニッケルめっき処理し，さらに銅線をはんだ付けして電
極端子を設け、図２に示される抵抗素子を作製した。
尚、電極部は金属性モールドに収め、外気と遮断した。

【００５３】この抵抗素子について、実施例３と同様の
条件でサイクル試験を行い、初期抵抗値より１０％増大
した点における回数を調べた。その結果、この抵抗素子
は、実施例１よりも更に厳しい１５５０℃でのサイクル
試験において９７８３０２回であり、極めて良好なもの
であった。

【００５４】（実施例６）実施例５と同様の条件で作製
した抵抗素子に、１５５０℃に保持されるように連続通
電した際、抵抗値の変化が初期値に対して１０％変化す
るに要した時間を調べた。初期抵抗値は、通電を開始し
て１５５０℃となった直後の抵抗値とした。試料数はそ
れぞれ２０であり、平均値を採用した。その結果、この
抵抗素子は、実施例１よりも更に厳しい１５５０℃での
連続通電試験において、９７１８時間の通電時間を示
し、極めて良好なものであった。

【００５５】

【発明の効果】本発明の抵抗素子においては、導電体層
に特定の比率のタングステンと炭素とからなるものを用
いることにより，該導電体層の熱膨張率および強度が安
定し、その結果、１５秒間の通電により素子温度を１５
００℃まで到達させ、その後、１５秒間通電を停止する
ことにより素子を冷却する操作を繰り返すサイクル試験
で、５００００回以上の使用が可能となる。また、導電
体層に更に窒化珪素、シリマナイト、ムライト、窒化ア
ルミニウム、酸窒化珪素およびサイアロンの少なくとも
１種を所定の体積占有率の範囲で含有させることによ
り、該導電体層の熱膨張率および強度が安定することに
加え、導電体層と絶縁体材料基板層との接合が強固にな
る結果、１５秒間の通電により素子温度を１５５０℃ま
で到達させ、その後、１５秒間通電を停止することによ
り素子を冷却する操作を繰り返す厳しい条件のサイクル
試験で、５００００回以上の使用が可能となる。本発明
の抵抗素子は、例えば、天然ガス、プロパンガス、灯油
等の気体燃料や液体燃料の着火用として好適に用いられ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の抵抗素子における積層構造燒結体の１
例の部分分解斜視図である。

【図２】実施例で作製した抵抗素子の斜視図である。

【符号の説明】

１，１′，１″…サイアロンからなる絶縁体材料基板層２…導電体層３…抵抗素子４，４′…電極 A…ヒーター部領域 B…リード部領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05B 3/12 H05B 3/14 H05B 3/18 H05B 3/74 H05B 3/20

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁体材料基板層と、その上に設けら
れ、若しくはその中に埋設された高融点、低熱膨張率お
よび低電気比抵抗の導電体層との積層構造燒結体からな
る抵抗素子において、前記導電体層がタングステンと炭
素からなり、かつ、タングステンと炭素との原子比が
１：０．４ないし１：０．９８であることを特徴とする
抵抗素子。
【請求項２】前記導電体層は、窒化珪素、シリマナイ
ト、ムライト、窒化アルミニウム、酸窒化珪素およびサ
イアロンの少なくとも１種を体積占有率で６％から６５
％の範囲で含有していることを特徴とする請求項１に記
載の抵抗素子。
【請求項３】前記絶縁体材料基板層は、窒化珪素１０
０モルに対して酸化珪素が５〜３０モル、酸化アルミニ
ウムが３〜１０モルの範囲で含有されるサイアロンから
なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
抵抗素子。