JPH11162619A - 急速昇温発熱素子 - Google Patents

急速昇温発熱素子

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JPH11162619A
JPH11162619A JP32321197A JP32321197A JPH11162619A JP H11162619 A JPH11162619 A JP H11162619A JP 32321197 A JP32321197 A JP 32321197A JP 32321197 A JP32321197 A JP 32321197A JP H11162619 A JPH11162619 A JP H11162619A
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JP
Japan
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mol
heating element
substrate layer
temperature
silicon nitride
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JP32321197A
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Kentaro Sawamura
建太郎 澤村
Tomoji Nakagawa
智司 中川
Masatada Yodogawa
正忠 淀川
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 約3秒以内で1100℃以上の急速昇温が可
能であり、かつ昇降温の繰り返しや高温での酸化に耐え
るなど、耐久性に優れ、気体燃料や液体燃料の着火など
に使用される急速昇温発熱素子を提供する。 【解決手段】 絶縁体材料基板層と導電体層との積層構
造焼結体からなる発熱素子において、前記基板層が、窒
化ケイ素100モル当り、AlをAl23換算で4〜1
0モル含むサイアロンを主成分とし、場合により、これ
に、さらにSiO2を1〜12モル又は希土類元素を酸
化物換算で0.001〜0.3モルを配合した組成物の
焼成物で構成した、急速昇温発熱素子である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は新規な急速昇温発熱
素子、さらに詳しくは、約3秒以内で1100℃以上の
急速昇温が可能であり、かつ昇降温の繰り返しや高温で
の酸化に耐えるなど、耐久性に優れ、気体燃料や液体燃
料の着火などに使用される急速昇温発熱素子に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、天然ガス、プロパンガス、灯油な
どの気体燃料や液体燃料の着火には、セラミックスを用
いた急速昇温発熱素子が一般に用いられている。この種
の着火用発熱素子は、2〜3秒間程度で1000℃以上
の温度に達するという急速昇温と、高温に耐えるため
に、優れた耐熱衝撃性及び耐酸化性を有することが要求
される。一方窒化ケイ素系焼結体は、耐熱性及び耐熱衝
撃性などに優れることが知られており、したがって、上
記要求を満たすために、従来のセラミックス発熱素子
は、通常、窒化ケイ素にタングステンや炭化タングステ
ンなどの発熱体を埋設し、焼成することによって作製さ
れていた(特許第2534847号明細書)。
【0003】しかしながら、この場合、窒化ケイ素は難
焼結性であるため、焼結助剤として希土類元素を使用
し、ち密化が図られているが、希土類元素を添加する
と、1400℃以上での耐酸化性が低下するという問題
が生じる。したがって、使用温度の上限を1300℃程
度に抑えることで、実用に供しているが、その場合、昇
温速度に限界があった。また、急速昇温させる際には、
最高到達温度を高めに設定する必要があるが、この場
合、素子温度が1300℃以上にならないようにするた
めに、制御回路が必要となり、全体として、コスト高に
なるのを免れない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、1500℃以上での使用が可能であっ
て、制御回路を設けることなく、約3秒以内で1100
℃以上に急速昇温しうるとともに、昇降温の繰り返しや
高温での酸化に耐えるなどの耐久性に優れたセラミック
スからなる、着火性能のよい急速昇温発熱素子を安いコ
ストで提供することを目的としてなされたものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の優
れた性能を有する急速昇温発熱素子を開発すべく鋭意研
究を重ねた結果、絶縁体材料基板層とその上に設けられ
るか、又はその中に埋設された導電体層との積層構造焼
結体からなる発熱素子において、前記基板層として、窒
化ケイ素と酸化ケイ素、希土類元素を含む絶縁体材料に
ついて、これまで希土類元素が酸化物換算で2〜5モル
%程度であったものを、窒化ケイ素100モル当り、酸
化アルミニウム換算で4〜10モル、希土類元素酸化物
の量を0.001〜0.3モルと少なくすることで、す
ぐれた耐酸化性を確保しうることを見出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに至った。
【0006】すなわち、本発明は、絶縁体材料基板層と
その上に設けられ、若しくはその中に埋設された高融
点、低熱膨張率及び低電気抵抗の導電体層との積層構造
焼結体からなる発熱素子において、前記基板層が、窒化
ケイ素100モル当り、アルミニウムを酸化アルミニウ
ム換算で4〜10モル含むサイアロンを主成分とし、場
合により、これに、さらに窒化ケイ素100モル当り、
酸化ケイ素1〜12モル又は希土類元素を酸化物換算で
0.001〜0.3モル配合した組成物で構成されてい
ることを特徴とする急速昇温発熱素子を提供するもので
ある。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の急速昇温発熱素子は、絶
縁体材料基板層と、その上に設けられ、若しくはその中
に埋設された導電体層との積層構造焼結体からなるもの
であって、上記絶縁体材料基板層としては、窒化ケイ素
と酸化アルミニウムを含むサイアロンを主成分とし、場
合により、さらに酸化ケイ素又は希土類元素酸化物を配
合した組成物で構成したものが用いられる。
【0008】本発明において基板層の絶縁体材料の主成
分として用いる窒化ケイ素(Si34)は、酸化される
と表面に純粋なSiO2保護膜が形成され、耐酸化性が
付与されることが知られている。しかしながら、窒化ケ
イ素は難焼結性のため、単独では焼結によるち密化が達
成されない。
【0009】本発明においては、この窒化ケイ素焼結体
のち密化を促進するために、窒化ケイ素100モル当
り、酸化アルミニウム(Al23)4〜10モルを加
え、焼成により、サイアロンを主成分とした組成物から
なる絶縁体材料を形成させる。ここで、サイアロンと
は、Si6-zAlzz8-zに相当する組成を有し、基本
的にはSi34の結晶構造をもち、その中のSiの一部
がAlで、またNの一部がOで置換された置換型固容体
のことである。アルミニウムの量が酸化アルミニウム換
算で4モル未満では得られる絶縁体材料のち密化が十分
に達せられないし、10モルを超えると絶縁体材料の耐
酸化性が低下する。
【0010】上記酸化アルミニウムの添加量は、窒化ケ
イ素が酸化されてSiO2になった場合を考えると、図
1で示されるAl23−SiO2状態図において、15
95℃以上の温度で「SiO2+液相」の領域に相当す
るが、この状態図より、SiO2量が多い方が液相が少
なくなり純粋なSiO2保護膜が期待できる。実際に、
窒化ケイ素がち密化する領域で、酸化アルミニウム添加
量の少ない方が、耐酸化性に優れている。
【0011】本発明においては、得られる絶縁体材料の
耐酸化性を向上させるために、所望により、前記酸化ア
ルミニウムと共に、酸化ケイ素(SiO2)を窒化ケイ
素100モル当り、1〜12モルの割合で配合すること
ができる。この酸化ケイ素の配合量が1モル未満では耐
酸化性の向上効果が十分に発揮されないし、12モルを
超えると、低温部では温度の上昇と共に抵抗値が増大す
るPTC特性(Positive Temperatu
re Coefficient)を示すものの、高温部
では温度上昇に対して抵抗値が減少するNTC特性(N
egativeTemperature Coeffi
cient)が現われ、不安定な抵抗温度特性を示す。
ヒータとして使用するには熱暴走のないPTC特性が好
ましく、SiO2配合量が12モル以下では、PTC特
性を示す。
【0012】また、本発明においては、焼結性を向上さ
せ、よりち密化を図るために、所望により、前記酸化ア
ルミニウムと共に、希土類元素酸化物を窒化ケイ素10
0モル当り、0.001〜0.3モルの割合で配合する
ことができる。この希土類元素酸化物の配合量が0.0
01モル未満では、それを配合した効果が十分に発揮さ
れないし、0.3モルを超えると得られる絶縁体材料の
耐酸化性が著しく低下する。ここで、希土類元素酸化物
としては、例えばイットリウム、サマリウム、ランタ
ン、セリウム、ネオジウムなどの酸化物を挙げることが
できるが、これらの中でイットリウム酸化物、ランタン
酸化物及びセリウム酸化物が好適である。これらの希土
類元素酸化物は単独で用いてもよいし、2種以上を組み
合わせて用いてもよい。
【0013】一方、本発明の発熱素子における導電体層
としては、高融点、低熱膨張率及び低電気抵抗を有する
材料が用いられ、特に融点2000℃以上、熱膨張率
6.0×10-6/℃以下及び電気抵抗10-5Ω・cm以
下のものが好適である。
【0014】このような導電性材料としては、特に制限
はなく、従来セラミックヒータにおいて用いられている
公知の各種材料、例えばタングステン、タンタル、モリ
ブデン及びその炭化物や窒化物などを使用することがで
きるが、これらの中で、特にタングステン及び炭化タン
グステンが好適である。
【0015】次に、本発明の発熱素子の製造方法につい
ては特に制限はなく、従来セラミックス系発熱素子の製
造において慣用されている方法を用いることができる。
例えば、まず所要量の平均粒径0.1〜1.5μm程度
の窒化ケイ素(α‐Si34又はβ‐Si34)粉末
と、酸化アルミニウム粉末と、所望により用いられる酸
化ケイ素粉末又は希土類元素酸化物粉末とを、エタノー
ル及びトルエンやアセトンなどの溶媒を用い、必要なら
ば、さらに公知のバインダーや分散剤などを用いて、ボ
ールミルなどにより湿式混合して、スラリーを調製す
る。次いで、ドクターブレード法、プレス成形法、押出
し成形法などにより、所望形状に成形する。
【0016】次に、このようにして得られた成形体の表
面に、導電層形成材料、例えばタングステンや炭化タン
グステンなどの微粉末を含有したペーストを用いて所定
のパターンに印刷し、それを積層又は巻き付けて所望形
状に成形したのち、この成形物を焼成する。焼成方法に
ついては特に制限はなく、公知の方法、例えばホットプ
レス焼成法、常圧焼成法、窒素ガス圧力焼成法、熱間静
水圧(HIP)焼成法などが用いられる。また、焼成温
度は、通常1900℃以下、好ましくは1700〜19
00℃の範囲で選ばれる。この焼成においては、窒素ガ
ス雰囲気下などの非酸化性雰囲気下で実施するのが有利
である。次に、このようにして得られた焼結体に、表面
研削加工や切断加工を施し、外部電源に接続するための
電極を導電層に取付けることにより、所望の発熱素子が
得られる。
【0017】
【発明の効果】本発明の急速昇温発熱素子は、1500
℃以上での使用が可能であって、制御回路を設けること
なく、約3秒以内で1100℃以上に急速昇温しうると
ともに、昇降温の繰り返しや、1500℃以上の高温で
の酸化に耐えるなどの耐久性に優れており、燃焼炎中
で、5000時間経過しても、電気抵抗値の変化が認め
られない。本発明の発熱素子は、例えば天然ガス、プロ
パンガス、灯油などの気体燃料や液体燃料の着火用とし
て好適に用いられる。
【0018】
【実施例】次に、本発明を実施例により、さらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
【0019】実施例1 α‐Si34粉末100モルに対し、Al23粉末4.
06モル及びアクリル系バインダーとエタノール及びト
ルエンをそれぞれ適量加え、ボールミルで混合すること
により、スラリーを調製したのち、このスラリーをドク
ターブレード法によりシート状に成形し、次いで乾燥処
理して厚さ500μmのシートを作成した。次いで、上
記シートを一辺が60mmの正方形に切断し、これを4
層積層したのち、この積層体を、ホットプレス法によ
り、窒素ガス1気圧下、温度1750℃、プレス圧力2
50kg/cm2、時間1時間の条件で焼成し、セラミ
ックス体を作製した。次に、このセラミックス体を平面
研削加工処理したのち、空気中にて1500℃で50時
間及び100時間酸化処理し、1cm2当りの重量増加
量(mg/cm2)を測定した。結果を表1に示す。な
お、100時間酸化処理後の重量増加量が0.5mg/
cm2以下のものを耐酸化性に優れると判定する。
【0020】実施例2,3、比較例1,2 実施例1において、Al23粉末の量を表1に示すよう
に変えた以外は、実施例1と同様にして実施した。結果
を表1に示す。
【0021】
【表1】 (注)比較例1は焼結が不十分で、ち密化していない。
【0022】実施例4 α‐Si34粉末100モルに対し、Al23粉末6.
86モル、SiO2粉末10モル及びアクリル系バイン
ダーとエタノール及びトルエンをそれぞれ適量加え、ボ
ールミルで混合することにより、スラリーを調製した。
以下実施例1と同様の操作を行った。その結果、空気
中、1500℃での酸化処理後の重量増加量は、50時
間で0.302mg/cm2、100時間で0.427
mg/cm2であった。Al23の量が同じで、かつS
iO2を添加しない実施例2では、酸化処理後の重量増
加量は、50時間で0.318mg/cm2、100時
間で0.449mg/cm2であるので、SiO2を10
モル加えることにより、耐酸化性が向上したことが分か
る。
【0023】実施例5、比較例3,4 α‐Si34粉末100モルに対し、Al23粉末及び
23粉末を表2に示す量で加え、さらにアクリル系バ
インダーとエタノール及びトルエンをそれぞれ適量加え
て、ボールミルで混合することにより、スラリーを調製
した。以下、実施例1と同様の操作を行った結果を表2
に示す。
【0024】
【表2】
【0025】実施例6 α‐Si34粉末100モルに対し、Al23粉末4.
06モルと、表3に示す希土類元素酸化物を表3に示す
割合でそれぞれ配合し、さらにアクリル系バインダーと
エタノール及びトルエンをそれぞれ適量加えて、ボール
ミルで混合することにより、スラリーを調製した。以
下、実施例1と同様の操作を行った結果を表3に示す。
【0026】
【表3】
【0027】実施例7 α‐Si34粉末100モルに対し、Al23粉末4.
06モル及びアクリル系バインダーとエタノール及びト
ルエンをそれぞれ適量加え、ボールミルで混合すること
により、スラリーを調製したのち、このスラリーをドク
ターブレード法によりシート状に成形し、次いで乾燥処
理して厚さ500μmのシートを作製した。次いで、上
記シートに炭化タングステンペーストを用いて印刷によ
りパターン形成したのち、印刷層が中心になるように5
層積層した。この積層体を、ホットプレス法により、窒
素ガス1気圧下、温度1750℃、プレス圧力250k
g/cm2、時間1時間の条件で焼成した。次に得られ
たセラミックス体を平面研削加工、切断加工し、電極を
取付け、発熱素子を作製した。図2は、このようにして
得られた発熱素子の斜視図である。図において符号1は
発熱素子、2,2′は電極であり、Aはヒーター部領
域、Bはリード部領域を示す。この発熱素子について、
以下に示す評価を行った。すなわち、発熱素子を空気中
で1500℃に発熱させ、5000時間後の電気抵抗値
変化を調べた。また、空気中で1500℃に発熱させ、
15秒間通電、15秒間通電停止の操作を1サイクルと
して、60000サイクル後の電気抵抗値の変化を調べ
た。これらの結果を表4に示す。
【0028】実施例8,9、比較例5,6 実施例6において、Al23粉末の量を表4に示すよう
に変えた以外は、実施例7と同様にして、発熱素子を作
製し、その評価を行った。結果を表4に示す。
【0029】
【表4】 (注)比較例5は焼結が不十分で、ち密化していない。 MΩ:ヒーター部で開裂
【0030】実施例10 α‐Si34粉末100モルに対し、Al23粉末6.
86モル、SiO2粉末10モル及びアクリル系バイン
ダーとエタノールをそれぞれ適量加え、ボールミルで混
合することにより、スラリーを調製した。以下、実施例
7と同様にして、発熱素子を作製し、評価を行った。そ
の結果、空気中で1500℃に発熱させ、5000時間
後の電気抵抗値の変化及び60000サイクル後の電気
抵抗値の変化は、いずれも認められなかった。また、セ
ラミックス基板層の温度とその電気抵抗値との関係、す
なわち抵抗温度特性を調べた。結果を図3にグラフで示
す。このグラフから分かるように、温度と電気抵抗値は
比例関係にあり、温度の上昇とともに、電気抵抗値は直
線的に増大している。すなわち、抵抗温度特性は、PT
C特性を示す。
【0031】比較例7 α‐Si34粉末100モルに対し、Al23粉末6.
86モル、SiO2粉末16モル及びアクリル系バイン
ダーとエタノール及びトルエンをそれぞれ適量加え、ボ
ールミルで混合することにより、スラリーを調製した。
以下、実施例7と同様にして、発熱素子を作製した。こ
の発熱素子について、セラミックス基板層の温度とその
電気抵抗値との関係、すなわち抵抗温度特性を調べた結
果を図4にグラフで示す。このグラフから分かるよう
に、室温から1500℃までの電気抵抗値は、最初はP
TC特性を示すが、高温領域でNTC特性を示し、不安
定な抵抗温度特性を示す。
【0032】実施例11、比較例8,9 α‐Si34粉末100モルに対し、Al23粉末及び
23粉末を表5に示す量で加え、さらにアクリル系バ
インダーとエタノール及びトルエンをそれぞれ適量加え
て、ボールミルで混合することにより、スラリーを調製
した。以下、実施例6と同様にして発熱素子を作製し、
その評価を行った結果を表5に示す。
【0033】
【表5】 (注)MΩ:ヒーター部で開裂
【図面の簡単な説明】
【図1】 Al23−SiO2状態図。
【図2】 実施例及び比較例で作製した発熱素子の斜視
図。
【図3】 実施例10で作製した発熱素子のセラミック
ス基板層の温度とその電気抵抗値との関係を示すグラ
フ。
【図4】 比較例7で作製した発熱素子のセラミックス
基板層の温度とその電気抵抗値との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
1 発熱素子 2,2′ 電極 A ヒーター部領域 B リード部領域

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁体材料基板層とその上に設けられ、
    若しくはその中に埋設された高融点、低熱膨張率及び低
    電気抵抗の導電体層との積層構造焼結体からなる発熱素
    子において、前記基板層が、窒化ケイ素100モル当
    り、アルミニウムを酸化アルミニウム換算で4〜10モ
    ル含むサイアロンを主成分とした組成物で構成されてい
    ることを特徴とする急速昇温発熱素子。
  2. 【請求項2】 絶縁体材料基板層とその上に設けられ、
    若しくはその中に埋設された高融点、低熱膨張率及び低
    電気抵抗の導電体層との積層構造焼結体からなる発熱素
    子において、前記基板層が、窒化ケイ素100モル当
    り、アルミニウムを酸化アルミニウム換算で4〜10モ
    ル、酸化ケイ素を1〜12モル配合した組成物を窒素雰
    囲気中で焼成したものであることを特徴とする急速昇温
    発熱素子。
  3. 【請求項3】 絶縁体材料基板層とその上に設けられ、
    若しくはその中に埋設された高融点、低熱膨張率及び低
    電気抵抗の導電体層との積層構造焼結体からなる発熱素
    子において、前記基板層が、窒化ケイ素100モル当
    り、アルミニウムを酸化アルミニウム換算で4〜10モ
    ル、希土類元素を酸化物換算で0.001〜0.3モル
    配合した組成物を窒素雰囲気中で焼成したものであるこ
    とを特徴とする急速昇温発熱素子。
  4. 【請求項4】 導電体層が融点2000℃以上、熱膨張
    率6.0×10-6/℃以下及び電気抵抗10-5Ω・cm
    以下の材料からなる請求項1、2又は3記載の急速昇温
    発熱素子。
  5. 【請求項5】 導電体層がタングステン及び炭化タング
    ステンの中から選ばれた少なくとも1種からなる請求項
    4記載の急速昇温発熱素子。
JP32321197A 1997-11-25 1997-11-25 急速昇温発熱素子 Withdrawn JPH11162619A (ja)

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Effective date: 20050201