JPH10189226A - セラミックヒータおよびその製造方法 - Google Patents

セラミックヒータおよびその製造方法

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JPH10189226A
JPH10189226A JP35031796A JP35031796A JPH10189226A JP H10189226 A JPH10189226 A JP H10189226A JP 35031796 A JP35031796 A JP 35031796A JP 35031796 A JP35031796 A JP 35031796A JP H10189226 A JPH10189226 A JP H10189226A
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JP
Japan
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ceramic
silicon nitride
melting point
point metal
sintered body
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JP35031796A
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English (en)
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Arihito Tanaka
有仁 田中
Chihiro Sakurai
千尋 桜井
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Jidosha Kiki Co Ltd
Original Assignee
Jidosha Kiki Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高融点金属を埋設するセラミックヒータを焼
結体で構成するにあたって、高融点金属による発熱体ま
たはリードとのタングステンシリサイドのような反応層
の生成を防ぎ、抵抗の安定性を維持する。 【解決手段】 セラミックヒータ１０を、窒化珪素質ま
たは炭化珪素質による絶縁性セラミックによる焼結体１
４中に、融点が２０００℃以上の高融点金属を発熱体１
１あるいはリード１２，１３として使用して埋設するこ
とにより形成する。窒化珪素質または炭化珪素質による
絶縁性セラミック中に、元素周期表におけるIIIA、IVA
、ＶA 族の窒化物のうちの少なくとも１種が０．０１
体積％〜１０体積％の間の割合で含有させ、１７５０℃
よりも高い温度で焼成することにより、高融点金属にお
ける反応層を２０μｍ以下で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種加熱機器や燃
焼機器の点火用およびディーゼルエンジンの始動補助用
のグロープラグ等に使用する高温発熱用としての焼結体
からなるセラミックヒータおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】たとえばディーゼルエンジンの始動時に
おける補助熱源（予熱源）としてグロープラグが用いら
れている。このようなグロープラグとして従来一般に
は、Ｎｉ−Ｃｒ（ニッケルクロム）、Ｆｅ−Ｃｒ（鉄ク
ロム）等の金属ヒータをＭｇＯ（マグネシア）等の耐熱
絶縁粉末に埋設し、それらを耐熱金属製のシースにより
被覆した構造のものが知られている。
【０００３】この種のグロープラグにあっては、昨今の
長期排ガス規制への対応のために、８００℃までの到達
時間を早くし、ピーク温度、飽和温度を高くするととも
に、アフターグロー時間を長くとる必要が生じてきた。
これらの要請を達成するためには、発熱体におけるヒー
タ部に高融点金属を採用することが必要であり、またシ
ース部を金属から高温使用が可能なセラミックとするよ
うになっている。
【０００４】たとえば特公昭６２−１９０３４号公報に
は、上述したグロープラグに用いるセラミックヒータと
して、Ｗ（タングステン）等の高融点金属を耐酸化性、
耐熱衝撃性に優れている窒化珪素による絶縁性セラミッ
クに埋設した構造のものが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したセラ
ミックヒータによれば、金属と絶縁性セラミックとの間
に（特に金属側に）タングステンシリサイドのような反
応層が生成されるため、焼成時にセラミック部に割れ、
剥離等が生じたり、ヒータ部の抵抗が不安定になったり
する。このため、上述した製造時の問題から、セラミッ
クの焼成時にあまり高温に上げられず、ホットプレス焼
成で行われているのが現状である。
【０００６】特に、このようなホットプレス焼成におい
ても、焼成温度は１７５０℃程度が限界である。この温
度以上で焼成すると、やはりタングステンシリサイドの
ような反応層が生成することが確認されている。一方、
１７５０℃以下の温度領域では窒化珪素質による絶縁性
セラミックの場合には、助剤量を増加あるいは低融点で
ある助剤を選択しなければ焼結は難しい。このように助
剤量を増加させたり、低融点である助剤を選択した場
合、窒化珪素質のセラミックにおける高温特性が劣る。
しかも、炭化珪素質による絶縁性セラミックの場合に
は、焼結は全く困難である。
【０００７】また、上述したタングステンシリサイドの
ような反応層が生成するのを防止するために、特開昭６
１−１７９０８４号公報に示すように、Ｗ（タングステ
ン）またはＭｏ（モリブデン）からなる抵抗発熱体の表
面を、非酸化物セラミックで被覆するようにした構造の
ものも提案されている。
【０００８】しかしながら、このような構造では、抵抗
発熱体の表面を非酸化物セラミックで被覆するという一
工程が増加するために製造コストの上昇につながる点、
またコイル状のタングステン線の全面に均一に被覆する
ことが難しい点等の問題があった。
【０００９】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、高融点金属との反応層、たとえばタングス
テンシリサイドのような反応層の生成を防ぎ、ヒータ部
における抵抗の安定性を維持することができる高融点金
属を埋設した絶縁性セラミックによる焼結体からなるセ
ラミックヒータおよびその製造方法を得ることを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明に係るセラミックヒータは、融点が２０
００℃以上の高融点金属を発熱体あるいはリードとして
使用し、それを窒化珪素質または炭化珪素質による絶縁
性セラミックからなる焼結体中に埋設するにあたって、
この焼結体を、元素周期表におけるIIIA、IVA 、ＶA 族
の窒化物のうちの少なくとも１種を０．０１体積％ない
し１０体積％の間の割合で含有してなる窒化珪素質また
は炭化珪素質による絶縁性セラミックにより形成したも
のである。
【００１１】また、本発明に係るセラミックヒータの製
造方法は、融点が２０００℃以上の高融点金属を発熱体
あるいはリードとして使用し、それを窒化珪素質または
炭化珪素質による絶縁性セラミックからなる焼結体中に
埋設しているセラミックヒータを製造するにあたって、
窒化珪素質または炭化珪素質による絶縁性セラミック中
に、元素周期表におけるIIIA、IVA 、ＶA 族の窒化物の
うちの少なくとも１種を０．０１体積％ないし１０体積
％の間の割合で含有させ、１７５０℃よりも高い温度で
焼成するものである。
【００１２】本発明によれば、窒化珪素質また炭化珪素
質による絶縁性セラミック中に、元素周期表におけるII
IA、IVA 、ＶA 族の窒化物を０．０１体積％ないし１０
体積％の間の割合で含有させることにより、焼成時にお
いて窒化珪素や炭化珪素の分解を防ぎ、高融点金属との
シリサイド化のような反応を防ぐと考えられ、高融点金
属における反応層を２０μｍ以下（０〜２０μｍ）とす
ることができるから、高融点金属による発熱体およびリ
ードの抵抗値を安定させ、また絶縁性セラミックに割れ
などが生じないために発熱体の寿命も長くすることがで
きる。
【００１３】また、本発明によれば、１７５０℃より高
い温度（窒化珪素では約２０００℃程度、炭化珪素では
約２１００℃程度が望ましい）で焼成できるから、たと
えば窒化珪素質による絶縁性セラミックからなる焼結体
においては、難焼結な助剤であるイットリア系やイッテ
ルビウム系を用いることができる。したがって、高温特
性および耐酸化性の良好な焼結体からなる発熱体を得る
ことができる。また、炭化珪素質による絶縁性セラミッ
クからなる焼結体においては、従来高融点金属を埋設し
て焼結させることができなかったが、本発明によれば高
融点金属との反応を防げるため、高温で炭化珪素質によ
る絶縁性セラミックを焼結させることが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るセラミックヒ
ータおよびその製造方法を適用するセラミックヒータの
一つの実施の形態を示す。図において、符号１０で示す
セラミックヒータは、融点が２０００℃以上の高融点金
属からなる発熱体１１あるいはリード１２，１３を備
え、これらを窒化珪素質また炭化珪素質による絶縁性セ
ラミックからなる焼結体１４中に埋設することにより構
成されている。この図１は、たとえば実開昭６１−１１
５８５７号公報に開示されているグロープラグにおける
セラミックヒータであり、その詳細な説明は省略する。
【００１５】本発明によれば、上述したように融点が２
０００℃以上の高融点金属を発熱体１１あるいはリード
１２，１３（この実施の形態では発熱体１１のみ）とし
て使用し、それを窒化珪素質また炭化珪素質による絶縁
性セラミックからなる焼結体１４中に埋設することによ
り焼結体によるセラミックヒータ１０を製造するにあた
って、窒化珪素質あるいは炭化珪素質による絶縁性セラ
ミック中に元素周期表におけるIIIA、IVA 、ＶA 族の窒
化物のうちの少なくとも１種を０．０１体積％ないし１
０体積％の間の割合で含有させて、たとえば１７５０℃
よりも高い温度で焼成するものである。このような条件
で焼成を行うことにより、高融点金属における反応層を
２０μｍ以下（０〜２０μｍ）とすることができる。望
ましくは０μｍ（反応層なし）であればよいが、２０μ
ｍ以下であれば実用面から問題はない。
【００１６】以下に、本発明についてその内容を詳細に
説明する。すなわち、発熱体１１およびリード（埋設さ
れた発熱体１１から外部への導通路）１２，１３の部分
としての金属は発熱体１１がヒータ発熱時において１４
００℃以上となるため、また焼成温度も１７５０℃より
高くなるために融点が２０００℃以上（望ましくは２２
００℃以上）からなる高融点金属でなければならない。
このような高融点金属としては、たとえばＷ、Ｍｏ、Ｎ
ｂ（ニオブ）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｉｒ（イリジウ
ム）等が例示できる。なお、Ｗの融点は３４００℃、Ｍ
ｏの融点は２６１７℃である。
【００１７】ここでいう窒化珪素質焼結体とは、窒化珪
素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を主成分とした絶縁性セラミックから
なる焼結体であって、いわゆる助剤成分を含んだ窒化珪
素質のセラミックのことである。窒化珪素には製造工程
等から混入する酸素のような不可避の不純物が含まれ
る。これに使用される窒化珪素は焼結性、マイグレーシ
ョン等の観点から純度の高いものが好ましく、また助剤
はイットリア−アルミナ系、イットリア系、イッテルビ
ア系等に代表されるような既知の助剤成分系が使用可能
である。高温耐酸化性、高温強度等の面からはイットリ
ア系、イッテルビア系の助剤を使用することが好まし
い。なお、このような窒化珪素は約２０００℃で分解
（昇華）するもので、上述した焼成温度は、１７５０℃
以上であって、上述した昇華する温度よりも低い温度で
あることが必要である。勿論、使用する金属の融点温度
よりも低いことが必要である。
【００１８】また、ここでいう炭化珪素質焼結体とは炭
化珪素（ＳｉＣ）を主成分とした絶縁性セラミックから
なる焼結体であって、いわゆる助剤成分を含んだ炭化珪
素質のセラミックのことである。これに使用される炭化
珪素は焼結性、マイグレーション等の観点から純度の高
いものが好ましく、また助剤はアルミナ系、ボロン−カ
ーボン系等に代表されるような既知の助剤成分系が使用
可能である。なお、このような炭化珪素は約２４００℃
で分解（昇華）することが知られており、焼成温度はこ
れよりも低い温度、たとえば２１００〜２２００℃程度
とするとよい。このときも、金属の融点温度よりも低い
ことが必要である。
【００１９】本発明は、上述した窒化珪素質あるいは炭
化珪素質による絶縁性セラミック中に、元素周期表にお
けるIIIA、IVA 、ＶA 族の窒化物を０．０１体積％ない
し１０体積％の間の割合で含有させることにより、１７
５０℃より高い温度で焼成を行っても、高融点金属にお
ける反応層を２０μｍ以下とすることができることを見
出し、これを利用して高融点金属を絶縁性セラミックに
埋設したセラミックヒータ１０を製造したものである。
上述した利点が得られる理由は、IIIA、IVA 、ＶA 族の
窒化物が窒化珪素や炭化珪素の分解（昇華）を防ぎ、高
融点金属との反応すなわちシリサイド化を防いでいるも
のと考えられる。
【００２０】ここで、上述したIIIA、IVA 、ＶA 族の窒
化物としては、ＮｄＮ、ＹＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｎｂ
Ｎ、ＴａＮ等が例示できる。この中から１種以上を任意
に選択することができる。実験によれば、ＴａＮが最も
高融点金属の反応層を薄く形成することができた。
【００２１】また、IIIA、IVA 、ＶA 族の窒化物を添加
する量として、０．０１体積％よりも少ないと、反応層
が２０μｍより厚くなる。様々な実験を重ねた結果、反
応層が２０μｍより大きくなると絶縁性セラミックから
なる焼結体側にマイクロクラックが生じ、その焼結体を
セラミックヒータとして使用した場合、耐久性が極端に
低下する。
【００２２】一方、上述した窒化物の添加量が１０体積
％よりも大きいと、焼結体自身の耐酸化性が悪くなり、
セラミックヒータとして使用した場合、耐久性が低下す
る。耐酸化性においては、大気雰囲気中において１４０
０℃で１４４時間（ｈ）の酸化試験を行った場合、１．
５ｍｇ／ｃｍ2 より酸化増量が多いとセラミックヒータ
１０の特性として好ましくないことが実験により確認さ
れた。以上のことから、添加量は０．０１体積％以上で
あって１０体積％以下でなければならないことが確認で
きた。好ましくは耐酸化性および高温強度を鑑みて１体
積％程度が望ましい。
【００２３】すなわち、窒化珪素質あるいは炭化珪素質
による絶縁性セラミック中に、元素周期表におけるIII
A、IVA 、ＶA 族の窒化物を０．０１体積％ないし１０
体積％の間の割合で含有させることにより、高融点金属
における反応層が２０μｍ以下となる。したがって、高
融点金属からなる発熱体１１およびリード１２，１３の
抵抗値が安定し、焼結体１４に割れなどが生じないため
に、セラミックヒータ１０の寿命も長くなる。これら
は、上述したIIIA、IVA 、ＶA 族の窒化物が窒化珪素や
炭化珪素の分解を防ぎ、高融点金属との反応、すなわち
シリサイド化を防いでいるものと考えられる。
【００２４】また、本発明によれば、１７５０℃よりも
高い温度で焼成できることから、窒化珪素質焼結体にお
いては、難焼結な助剤であるイットリア系やイッテルビ
ウム系を用いることができる。したがって、高温特性お
よび耐酸化性の良好な焼結によるセラミックヒータ１０
を得ることができる。また、炭化珪素質焼結体において
は、従来高融点金属を埋設して焼結させることができな
かったが、本発明では高融点金属との反応を防止できる
ため、高温で炭化珪素質を焼結させることができる。こ
のような絶縁性セラミックの焼成温度としては、１７５
０℃よりも高い温度であって、窒化珪素または炭化珪素
が分解（昇華）しない温度で、しかも高融点金属の融点
温度よりも低い温度であることが必要である。
【００２５】なお、本発明は上述した実施の形態で説明
した構造には限定されず、全体の図示は省略したがグロ
ープラグ、さらにこれに用いるセラミックヒータ１０の
各部の形状、構造等を適宜変形、変更し得ることはいう
までもない。たとえばセラミックヒータ１０の形状、構
造などとしては、従来から広く知られている形状、構造
のものを用いることができる。図２はＵ字形状を呈する
発熱体１１を先端部に埋設するとともに、その両端から
延設したリード１２，１３を絶縁性セラミックからなる
焼結体１４に埋設したセラミックヒータ１０を示す。こ
の例では、たとえばリード１２，１３を高融点金属で形
成することにより、前述した実施の形態と同等の作用効
果が得られる。
【００２６】図３はたとえば特開昭５９−２３０２８５
号公報におけるグロープラグのセラミックヒータ１０を
示す。この例では、セラミック粉体からなる半焼結体１
４ａ，１４ｂ間に高融点金属からなる発熱体１１とリー
ド１２，１３を挟み込み、全体を焼結することにより、
セラミックヒータ１０を形成している。このような構成
によるセラミックヒータ１０でも、前述した実施の形態
と同等の作用効果が得られる。
【００２７】図４はセラミックヒータ１０内に高融点金
属からなる発熱体１１と共に制御用発熱体１５，１６を
リード１２，１３との間に介在させて埋設した例を示
し、たとえば特開昭５８−１１０９１９号公報における
セラミックヒータである。そして、このような構成にお
いても、前述した実施の形態と同等の作用効果が得られ
る。
【００２８】図５は上述した図４と同等の構造のもので
あり、たとえば特開平４−２５７６１５号公報に示され
るセラミックヒータ１０を示し、これも前述した実施の
形態と同等の作用効果を奏するものである。
【００２９】
【実施例】
〔実施例１〕表１は本発明における窒化珪素質による絶
縁性セラミックをホットプレス焼成した場合の実施例を
示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】ここでは、助剤の種類、量を変化させ、元
素周期表におけるIIIA、IVA 、ＶA族の窒化物の少なく
とも１種を使用した場合を示す。その時の高融点金属の
反応層の厚み、大気雰囲気中１４００℃で１４４ｈにわ
たる酸化試験後の単位面積当たりの酸化増量を示す。ま
た、相対密度は埋設した高融点金属を取り除き、アルキ
メデス法によって測定を行った。
【００３２】〔実施例２〕表２は本発明における炭化珪
素質による絶縁性セラミックをホットプレス焼成した場
合の実施例を示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】ここでは、助剤の種類、量を変化させ、元
素周期表におけるIIIA、IVA 、ＶA族の窒化物を使用し
た。その時の高融点金属の反応層の厚み、大気雰囲気中
１４００℃で１４４ｈにわたる酸化試験後の単位面積当
たりの酸化増量を示す。
【００３５】〔実施例３〕窒化珪素２３０ｇ、イットリ
ア２０ｇ、ＴａＮ１０．５ｇおよび窒化珪素製ボールを
窒化珪素製ポットに入れ、アセトンを混練媒体として２
４時間にわたって混練した。その後、混練により作製さ
れたスラリーを常温にて２４時間乾燥し、乳鉢で粉砕
し、ＴａＮの入った窒化珪素質セラミック粉体を作製し
た。この粉体を用いて、純度９９．９５％、太さ０．２
ｍｍのＷコイル（タングステンコイル）が中心にくるよ
うに一軸プレスにて円柱状成形体を作製した。その後、
１６５０℃〜１９５０℃、５０℃ステップで０．９３Ｍ
Ｐａの圧力でガス圧焼結を行った。焼結体における密
度、Ｗコイルの反応層の厚み、大気雰囲気中１４００℃
で１４４ｈにわたる酸化試験後の単位面積当たりの酸化
増量等を表３に示す。
【００３６】
【表３】
【００３７】〔実施例４〕上述した実施例３と同様にＴ
ａＮの入った窒化珪素質のセラミック粉体を作製した。
３３体積％のＴｉＮを含み残部が窒化珪素質からなるＵ
字形状をした発熱体（焼結体）に純度９９．９５％、太
さ０．２ｍｍのＷ線をリードを取り付け、その粉体の中
に一軸プレスにて埋設し、円柱状成形体を３個作製し
た。その後、１８５０℃で常圧焼結を行った。相対密度
はそれぞれ９７．９％、９７．４％、９８．１％であっ
た。
【００３８】相対密度９７．９％の焼結体にて、１４０
０℃で１４４ｈにわたる大気中酸化試験を行った。その
時の酸化増量は０．７ｍｇ／ｃｍ2 であった。相対密度
９７．４％の焼結体を切断し、樹脂に埋め込み、反応層
の厚みをエネルギ分散型分析装置（ＥＤＸ）付き走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。このＥＤＸの分析よ
りＷとＳｉとの両方が存在する部分を反応層とした。厚
みは一定で８μｍであった。相対密度９８．１％の焼結
体をさらに加工を行い、リード部を出し、それにハウジ
ングを取り付けグロープラグとした。その特性として
は、８００℃到達時間３．３秒、最高到達温度１４３０
℃であった。
【００３９】〔実施例５〕窒化珪素２３０ｇ、イットリ
ア１５ｇ、ＴａＮ１０ｇおよび窒化珪素製ボールを窒化
珪素製ポットに入れ、イソプロピルアルコールを混練媒
体として２４時間混練した。その後、混練により作製さ
れたスラリーを常温にて２４時間乾燥し、乳鉢で粉砕
し、ＴａＮの入った窒化珪素質セラミック粉体を作製し
た。この粉体を用いて、純度９９．９５％、太さ０．２
ｍｍのＷコイルが中心にくるように一軸プレスによって
円柱状成形体を作製した。その後、１８５０℃にてホッ
トプレスを行った。そして、上述した実施例５と同様な
評価を行った。反応層の厚みは８μｍ、１４００℃で１
４４ｈにわたる大気中酸化試験後の酸化増量は０．５ｍ
ｇ／ｃｍ2であった。また、この焼結体を用いてグロー
プラグを作製した。その特性としては、８００℃到達時
間３．０秒、最高到達温度１４５０℃であった。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るセラミ
ックヒータおよびその製造方法によれば、融点が２００
０℃以上の高融点金属を発熱体あるいはリードとして使
用し、それを窒化珪素質または炭化珪素質による絶縁性
セラミックからなる焼結体中に埋設するにあたって、窒
化珪素質または炭化珪素質による絶縁性セラミック中
に、元素周期表におけるIIIA、IVA 、ＶA 族の窒化物の
うちの少なくとも１種を０．０１体積％ないし１０体積
％の間の割合で含有させて、１７５０℃よりも高い温度
（たとえば窒化珪素のときは２０００℃前後、炭化珪素
のときは２１００〜２２００℃程度）で焼成することに
より、高融点金属における反応層を２０μｍ以下（０〜
２０μｍ）で形成することができるから、以下に述べる
優れた効果を奏する。
【００４１】すなわち、本発明によれば、セラミックヒ
ータの焼成時において窒化珪素や炭化珪素の分解（昇
華）を防ぎ、高融点金属とのシリサイド化のような反応
（タングステンシリサイドのような反応層の生成）を防
ぎ、高融点金属における反応層を２０μｍ以下とするこ
とができる。したがって、高融点金属による発熱体およ
びリードの抵抗値を安定させ、また絶縁性セラミックに
割れなどが生じないために発熱体の寿命も長くすること
ができる。
【００４２】また、本発明によれば、上述したように１
７５０℃より高い温度で焼成できることから、たとえば
窒化珪素質による絶縁性セラミックからなる焼結体にお
いては、難焼結な助剤であるイットリア系やイッテルビ
ウム系を用いることができる。したがって、高温特性お
よび耐酸化性の良好な焼結体からなる発熱体を得ること
ができる。また、炭化珪素質による絶縁性セラミックか
らなる焼結体においては、従来高融点金属を埋設して焼
結させることができなかったが、本発明によれば高融点
金属との反応を防げるため、高温で炭化珪素質セラミッ
クを焼結させることが可能となる。
【００４３】特に、本発明によれば、絶縁性セラミック
からなるセラミック焼結体に関して、埋設する高融点金
属部分でのタングステンシリサイドのような反応層の生
成を防ぎ、抵抗安定性を維持し、さらに焼成温度を上げ
ることが可能なため、従来焼結が不可能であった助剤系
の使用、助剤量の低減が可能である。また、焼結温度の
高い炭化珪素質セラミック発熱体も実現でき、さらに常
圧焼成あるいは雰囲気加圧焼成も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るセラミックヒータおよびその製
造方法の一つの実施の形態を示すセラミックヒータの断
面図である。
【図２】 本発明の別の実施の形態を示す断面図であ
る。
【図３】 本発明のさらに別の実施の形態を示す分解斜
視図である。
【図４】 本発明の他の実施の形態を示す断面図であ
る。
【図５】 本発明のさらに他の実施の形態を示す断面図
である。
【符号の説明】
１０…セラミックヒータ、１１…発熱体（高融点金
属）、１２，１３…リード（高融点金属）、１４…窒化
珪素質または炭化珪素質による絶縁性セラミックからな
る焼結体、１５，１６…制御側発熱体（高融点金属）。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 融点が２０００℃以上の高融点金属を発
    熱体あるいはリードとして使用し、それを窒化珪素質ま
    たは炭化珪素質による絶縁性セラミックからなる焼結体
    中に埋設しているセラミックヒータにおいて、 前記焼結体を、元素周期表におけるIIIA、IVA 、ＶA 族
    の窒化物のうちの少なくとも１種を０．０１体積％ない
    し１０体積％の間の割合で含有してなる窒化珪素質また
    は炭化珪素質による絶縁性セラミックにより形成したこ
    とを特徴とするセラミックヒータ。
  2. 【請求項２】 融点が２０００℃以上の高融点金属を発
    熱体あるいはリードとして使用し、それを窒化珪素質ま
    たは炭化珪素質による絶縁性セラミックからなる焼結体
    中に埋設しているセラミックヒータを製造する方法であ
    って、 前記窒化珪素質または炭化珪素質による絶縁性セラミッ
    ク中に、元素周期表におけるIIIA、IVA 、ＶA 族の窒化
    物のうちの少なくとも１種を０．０１体積％ないし１０
    体積％の間の割合で含有させ、１７５０℃よりも高い温
    度で焼成することを特徴とするセラミックヒータの製造
    方法。
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