JP3689526B2 - セラミックヒータ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミックヒータに関し、例えばセラミックグロープラグ等に使用されるセラミックヒータに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、セラミックグロープラグ等に使用されるセラミックヒータとして、絶縁性のセラミック基体に対し、セラミック導電材料で構成された抵抗発熱体を埋設した構造を有するものが知られている。セラミック発熱体の材質としては、例えばW炭化物、Mo珪化物及びTi窒化物等の導電性セラミック成分を含有するものが使用されている(例えば、特開昭63−37587号、同60−216484号、及び同63−81787号の各公報)。また、セラミック基体の材質としては、Si3N4あるいはAlNを主体とするセラミックが使用されている。
【0003】
また、上述のようなセラミックヒータの発熱を飽和温度で制御する場合、該飽和温度は、その抵抗発熱体が該飽和温度でどの程度の電気抵抗値を有しているかで決まることとなる。そこで、抵抗発熱体は一般には、例えば絶縁性セラミック成分に対し導電性セラミック成分を配合した複合セラミックで構成され、それらの配合比率により電気比抵抗を調整することが行われている。そのようなセラミックヒータをグロープラグに使用する場合、そのヒータ昇温性能に対しては、機関の始動性を向上させるためになるべく短時間で飽和温度に到達する、いわゆる速熱性が要求されることが多い。
【0004】
そして、抵抗発熱体を構成する導電性セラミック成分としては、なるべく大きい正の抵抗温度係数を有するものを用いることが、速熱性のグロープラグを実現する上で有利とされている。以下、簡単に理由を説明する。まず、図8(a)に示すように、導電性セラミック成分として、それぞれ室温でほぼ等しい電気比抵抗は値R0を有するとともに抵抗温度係数がλ1、λ2(ただしλ1>λ2:簡単のため、それぞれ温度によらず一定の値を示すものと考える)である成分1と成分2について考える。
【0005】
この場合、飽和温度TSでの両者の電気比抵抗はそれぞれ、
(成分1) R1=R0+λ1ΔT ‥‥‥(1)
(成分2) R2=R0+λ2ΔT ‥‥‥(2)
となるが、λ1>λ2であるから、飽和温度TSでは電気比抵抗は前者のほうが高くなる。すなわち、
R1>R2 ‥‥‥(3)
である。従って、図8(b)に示すように、抵抗発熱体を構成する複合セラミック中の導電性セラミック成分の配合量を、成分1を使用する材質Aにおいて、成分2を使用する材質Bよりも多くすることによって、両材質A及び材質Bは、同じ通電電圧でかつ所定の飽和温度TSにおいて、ほぼ同一の電気比抵抗を有するものとなる。
【0006】
ところが、室温T0、すなわち通電開始時の状況について考えると、材質AのほうがBよりも導電性セラミックの配合比率が多く、しかも成分1と成分2の電気比抵抗は室温T0ではほぼ等しいことから、成分1を使用する材質Aのほうが、成分2を使用する材質Bよりも複合セラミックの電気比抵抗は小さくなる。その結果、抵抗温度係数の高い成分1を使用する材質Aの方が通電初期において大電流を流すことができ、図9に示すように、飽和温度TSに到達するまでの時間を短くすることができるようになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
以上を前提として、従来のセラミックヒータが有する問題点について説明する。まず、その抵抗発熱体に使用されてきた導電性セラミック成分のうち、W炭化物とTi窒化物とは、抵抗温度係数が小さいため急速昇温が難しく、例えばこれをグロープラグ等に使用した場合の速熱性が確保できなくなる場合がある。一方、Mo珪化物は、これとは逆に比較的大きな正の抵抗温度係数を有しており、急速昇温が可能なセラミックヒータを得ることができる。しかしながら、欠点として熱膨張係数が大きいため、例えばセラミック基体を窒化珪素を主体に構成した場合に、加熱・冷却のサイクルを繰り返すと、抵抗発熱体に上記熱膨張係数の差に基づく応力集中が起こってヒータの通電耐久性に問題が生ずる場合があった。
【0008】
そこで、例えば特開昭64−61356号あるいは特開平6−251862号等の公報に開示されているように、セラミック基体中に、窒化珪素よりも熱膨張係数の大きい金属硅化物、炭化物、窒化物あるいはホウ化物等のセラミックス成分(以下、調整セラミック成分という)を添加して、上記線膨張係数の差を縮めることにより、通電耐久性を向上させる試みもなされている。ところが、これら調整セラミック成分は含有量が増すとセラミック基体の耐酸化性が低下し、グロープラグなどに使用した場合は、エンジン中での酸素や硫黄あるいはカルシウム等のアタックに対する耐食性が不足することにつながる。例えば、このような調整セラミック成分としてよく使用されるMo珪化物は、1000℃以下の比較的低温域での耐酸化性が劣ることからセラミック基体への配合量をそれほど大きくできず、通電耐久性改善の効果は不十分なものとなる。
【0009】
すなわち、速熱性確保のために抵抗発熱体の導電性セラミック成分をMo珪化物で構成すると、セラミック基体と抵抗発熱体との熱膨張係数の差に起因した通電耐久性の不足が生じ、これを改善するための調整セラミック成分の添加もセラミック基体の高温耐食性確保の観点から制限されるので、結果として速熱性と耐久性とを両立させたセラミックヒータは実現できなかった。
【0010】
本発明の課題は、速熱性に優れてしかも耐久性及び高温耐食性が良好なセラミックヒータを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段および作用・効果】
本発明は、セラミック基体中に抵抗発熱体を埋設した構造を有するセラミックヒータに関し、セラミック基体が、窒化珪素を主成分として炭化珪素を含有する窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックを主体に構成され、抵抗発熱体が、Mo珪化物と窒化珪素とを主体とするMo珪化物−窒化珪素系複合セラミックで構成されたことを特徴とする。
【0012】
上述の構成のセラミックヒータによれば、抵抗発熱体がMo珪化物−窒化珪素系セラミックで構成され、その主な導電性セラミック成分たるMo珪化物が比較的大きな正の抵抗温度係数を有することから、速熱性に優れたヒータ昇温性能が実現される。そして、本発明の重要なポイントは、セラミック基体を、窒化珪素を主成分として炭化珪素を含有する窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックにより構成した点にある。これによりセラミックヒータは、通電耐久性が向上してしかも高温耐食性が良好となり、例えば該セラミックヒータをセラミックグロープラグ等に使用した場合において、エンジン中での酸素、硫黄あるいはカルシウム等のアタックに対する耐性に優れたものとなる。
【0013】
上記効果のうち、通電耐久性が向上する理由としては、セラミック基体に含有される炭化珪素の熱膨張係数が同じくセラミック基体の主要成分である窒化珪素よりも大きく、セラミック基体と抵抗発熱体との間の熱膨張係数差を縮める調整セラミック成分の働きをなし、それにより前述の応力集中が生じにくくなるためであると考えられる。また、高温耐食性が改善される理由としては、炭化珪素は、それ自体が大気高温処理炉等の抵抗発熱材料に使用されていることから推測される通り、調整セラミック成分として従来使用されていたMo珪化物と比べて高温耐食性にはるかに優れ、通電耐久性を確保するために十分な量を配合しても、窒化珪素を主体とするセラミック基体の高温耐食性を低下させない(むしろ向上させることもありうる)ことが考えられる。
【0014】
窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、その炭化珪素の含有量を1〜30重量%の範囲で調整するのがよい。炭化珪素の含有量が1重量%未満になると、セラミック基体と抵抗発熱体との間の熱膨張係数差を縮める作用が不十分となり、セラミックヒータの通電耐久性が不足することにつながる。一方、炭化珪素は半導体セラミックであり、含有量が30重量%を超えるとセラミック基体の絶縁抵抗が不足することにつながる。炭化珪素の含有量は、より望ましくは3〜25重量%の範囲で調整するのがよい。
【0015】
なお、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミック中の炭化珪素については、直接的な定量分析が困難である場合がある。このような場合には、炭素成分が全てSiCの形で含有されていると仮定して算出されるSiCの推定含有量が1〜30重量%(望ましくは3〜25重量%)となるように、その炭素成分の含有量が調整されていればよい。例えば、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミック中の炭素含有量をガス分析あるいは化学分析等の公知の分析手法にて分析し、その分析値に基づいてSiCの推定含有量を見積もることができる。
【0016】
次に、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックには、Cr成分を含有させることができる。Cr成分を含有させることにより、セラミック基体の高温耐食性をさらに向上させることができる。Cr成分は、例えばCr2O3、Cr2N、Cr3C2、CrSi2等のCr化合物、あるいは金属CrやCr合金などの形で焼成時に配合できる。なお、上記複合セラミック焼成中でCr成分は各種化合物の形で存在すると考えられるが、CrSi2の形で存在するものが多いと推測され、例えばCrSi2以外の形で配合されたCr成分も、焼成中において窒化珪素ないし炭化珪素の珪素と反応して少なくとも部分的にCrSi2に転化することが多いと考えられる。
【0017】
この場合、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、Cr成分の含有量が0.06〜6.8重量%となるように調整されていることが望ましい。Cr成分の含有量が0.06重量%未満になると、Cr成分添加によるセラミック基体の高温耐食性向上の効果が顕在化しなくなる。一方、Cr成分の含有量が6.8重量%を超えると焼結性が悪化して、セラミックヒータの通電耐久性と高温耐食性が却って低下することにつながる。Cr成分の含有量は、望ましくは0.68〜3.4重量%となるように調整するのがよい。
【0018】
なお、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックにはCr化合物とともに、Nb、Ta、Mo及びWの中から選ばれる1種以上の成分を例えば酸化物の形で含有させることができる。この場合、次のような効果を達成することができる。
▲1▼窒化珪素を主体とするセラミック基体を、反応焼成後再焼結する二段焼結法により製造する場合、Cr酸化物は窒化促進剤として有効であり、また、Nb、Ta、Mo及びWの酸化物もこれと同様の効果がある。なお、Cr酸化物は、前述の通り焼成中に少なくとも部分的にCrSi2等に転化する場合がある。
▲2▼上記酸化物は、焼結助剤として有効であり、これを添加することにより低温で焼結を促進することができる。さらに、Cr酸化物とNb、Ta、Mo及びWの酸化物(例えば、Nb2O5、Ta2O5、MoO3、WO3あるいはそれらに近似の組成を有する非化学量論酸化物)とを複合添加することにより、その相乗効果でさらに焼結性が向上し、ホットプレスやHIP以外の焼結法、例えばガス圧焼結法等でも緻密な焼結体を容易に得ることが可能となる。
▲3▼上記焼結性の向上とともに、機械的特性(特に室温、高温強度及び高温耐久性)に優れた焼結体が得られる。Crと、Nb、Ta、Mo及びWの一種以上とを共添加することにより、これらの元素の一部が珪化物の形で粒界相として析出することが知られており、これが均一に分散することにより特性が向上するものと推測される。また、これらの珪化物は融点が1500〜2500℃と非常に高く、焼結体の高温強度を向上させるとともに、粒界すべりを抑制して耐クリープ性を向上させる効果も期待できる。
【0019】
ここで、Nb、Ta、Mo及びWの各成分は、上記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミック中でそれぞれすべてNb2O5、Ta2O5、MoO3及びWO3の酸化物の形態で存在すると仮定して算出されるそれら酸化物の推定合計含有量が0.1〜10重量%となるように、その合計含有量を調整するのがよい。0.2重量%未満の場合は、Cr酸化物との共添加による相乗作用の効果が顕在化せず、他方10重量%を超えると粒界層が過剰となり、高温強度が不足する場合がある。望ましくは、それらの含有量は1〜5重量%とするのがよい。また、Nb、Ta、Mo及びWの成分とCr成分との合量は、Nb2O5、Ta2O5、MoO3、WO3ないしCr2O3による同様の推定合計含有量が12重量%以下となるように調整するのがよい。12重量%を超えると、粒界相が過剰となり高温強度が低下することにつながる。該推定合計含有量は、望ましくは10重量%以下とするのがよい。
【0020】
次に、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックには、希土類元素酸化物を含有させることができる。該希土類元素酸化物は主に焼結を促進させる焼結助剤成分として機能する。希土類元素酸化物の合計含有量は、1〜20重量%の範囲内で調整するのがよい。また、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックが、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる1種又は2種以上の希土類元素成分を含有していて、例えばその希土類元素酸化物の含有量を直接同定することが困難である場合には、それら希土類元成分が、Ceは全てCeO2、Prは全てPr6O11、Tbは全てTb4O7、他は全てM2O3(ただしMは、Ce、Pr及びTbを除く前記希土類元素)の各組成式で表される希土類酸化物の形で存在していると仮定して算出される、上記希土類元素酸化物の推定合計含有量が1〜20重量%となるように、該希土類元素成分の含有量が調整されていればよい。
【0021】
なお、Nb、Ta、Mo、W及びCrの各成分と、上記希土類元素成分とが共添加される場合、前述の酸化物の推定含有量に換算して前者の含有量をMT、後者をMRとしてMR/MTが1/2〜5となるように調整するのがよい。MR/MTが1/2未満になると、前述の粒界相が過剰となり、高温強度及び耐クリープ性が低下する場合があり、逆に5を超えると粒界相が不足して耐クリープ性改善効果が顕著でなくなる場合がある。
【0022】
次に、セラミック基体は、上記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックを主体とする基質成分に対し、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックよりも熱膨張係数の大きい金属硅化物、金属炭化物、金属ホウ化物及び金属窒化物の一種以上からなる調整セラミック成分を主体とする調整セラミック粒子体が、調整セラミック成分の合計含有量が10重量%以下となるように混在したものとして構成できる。これにより、セラミック基体の通電耐久性をさらに向上させることができ、また、調整セラミック成分の合計含有量が10重量%以下であればセラミック基体の高温耐食性が不足することもない。この場合、調整セラミック粒子体の平均粒径は0.5〜15μmの範囲で調整するのがよい。調整セラミック粒子体の平均粒径が0.5μm未満になると、調整セラミック成分が導電性を有する場合にはセラミック基体の絶縁抵抗が確保できなくなる場合がある。一方、15μmを超えるとセラミック基体の機械的強度ひいては通電耐久性が不足する場合がある。
【0023】
なお、調整セラミック成分は、W、Ta、Nb、Ti、Mo、Zr、Hf、V、Crの各硅化物、炭化物、ホウ化物及び窒化物の中から選ばれる1種又は2種以上とすることができる。
【0024】
次に、抵抗発熱体を構成するMo珪化物−窒化珪素系複合セラミックは、Mo珪化物の含有重量M1と窒化珪素の含有重量M2との比M1/M2が、(20/80)〜(85/15)の範囲で調整されていることが望ましい。M1/M2が(20/80)未満になると、抵抗発熱体として必要な導電性を確保できなくなる。また、M1/M2が(85/15)を超えると、抵抗発熱体の熱膨張係数が大きくなりすぎ、セラミック基体側の熱膨張係数を最大限に大きくなるよう調整しても、セラミックヒータの通電耐久性を十分に確保できなくなる場合がある。M1/M2は、望ましくは(40/60)〜(85/15)の範囲で調整するのがよい。なお、Mo珪化物の含有重量M1と窒化珪素の含有重量M2とを直接的に同定することが困難である場合には、Mo珪化物−窒化珪素系複合セラミック中のMo成分が全てMoSi2の形で存在すると仮定して算出されるMoSi2の推定含有量M1と、同じくその窒素成分が全てSi3N4の形で存在すると仮定して算出されるSi3N4の推定含有量M2との比M1/M2が(20/80)〜(85/15)(望ましくは(40/60)〜(85/15))となるように、Mo成分及び窒素成分の含有量が調整されていればよい。
【0025】
なお、Mo珪化物−窒化珪素系複合セラミックには、希土類元素酸化物、炭化珪素、Cr化合物及びV酸化物の1種以上を含有させることができる。セラミック基体の場合と同様に、希土類元素酸化物は焼結を促進させる焼結助剤としての役割を果たす。また、V酸化物も焼結助剤として機能する。一方、炭化珪素は、抵抗発熱体の熱膨張係数調整用としての役割を果たす。なお、希土類酸化物、Cr化合物及びV酸化物は合計含有量が30重量%以下となるように調整するのがよい。該合計含有量が30重量%を超えると抵抗発熱体として必要な導電性を確保できなくなる場合がある。
【0026】
なお、Mo珪化物−窒化珪素系複合セラミックが、Cr成分及びV成分の1種以上を含有していて、例えば希土類酸化物、Cr化合物及びV酸化物の合計含有量を直接同定することが不可能な場合は、Cr成分は全てCr2O3の形で含有され、V成分は全てV2O5の形で含有されていると仮定して算出されるそれらCr2O3及びV2O5の推定合計含有量が30重量%以下となるように、Cr成分及びV成分の合計含有量が調整されていればよい。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に示す実施例を参照しつつ説明する。
図1は、本発明に係るセラミックヒータを使用したグロープラグを、その内部構造とともに示すものである。すなわち、グロープラグ50は、その一端側に設けられたセラミックヒータ1と、そのセラミックヒータ1の先端部2が突出するようにその外周面を覆う金属製の外筒3、さらにその外筒3を外側から覆う筒状の金属ハウジング4等を備えており、セラミックヒータ1と外筒3との間及び外筒3と金属ハウジング4との間は、それぞれろう付けにより接合されている。
【0028】
セラミックヒータ1の後端部には、金属線により両端が弦巻ばね状に形成された結合部材5の一端が外側から嵌合するとともに、その他端側は、金属ハウジング4内に挿通された金属軸6の対応する端部に嵌着されている。金属軸6の他方の端部側は金属ハウジング4の外側へ延びるとともに、その外周面に形成されたねじ部6aにナット7が螺合し、これを金属ハウジング4に向けて締めつけることにより、金属軸6が金属ハウジング4に対して固定されている。また、ナット7と金属ハウジング4との間には絶縁ブッシュ8が嵌め込まれている。そして、金属ハウジング4の外周面には、図示しないエンジンブロックにグロープラグ50を固定するためのねじ部5aが形成されている。
【0029】
セラミックヒータ1は、図2に示すように、一方の基端部から延び先端部で方向変換して他方の基端部へ至る方向変換部10aと、その方向変換部10aの各基端部から同方向に延びる2本の直線部10bとを有するU字状の抵抗発熱体(以下、単に発熱体という)10を備え、その各両端部に線状又はロッド状の電極部11及び12の先端部が埋設されるとともに、発熱体10と電極部11及び12の全体が、円形断面を有する棒状のセラミック基体13中に埋設されている。発熱体10は、方向変換部10aがセラミック基体13の末端側に位置するように配置されている。
【0030】
セラミック基体13は、窒化珪素を主成分として炭化珪素を含有する窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックを主体として構成され、発熱体10は、Mo珪化物と窒化珪素とを主体とするMo珪化物−窒化珪素系複合セラミックで構成される。なお、Mo珪化物は、例えばMoSi2、Mo5Si3ないしそれらの混合物である。なお、電極部11及び12は、W、W−Re、Mo、Pt、ニオブ、ニクロム、タンタル等の金属線で構成される。
【0031】
セラミック基体13を構成する窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、その炭化珪素の含有量が1〜30重量%(望ましくは3〜25重量%)の範囲で調整され、必要に応じてCr成分が添加される。また、Cr成分の含有量は、0.06〜6.8重量%となるように調整される。なお、上記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックを主体とする基質成分に対し、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックよりも熱膨張係数の大きい金属硅化物、金属炭化物、金属ホウ化物及び金属窒化物の一種以上(例えば、W、Ta、Nb、Ti、Mo、Zr、Hf、V、Crの各硅化物、炭化物、ホウ化物及び窒化物のなかから選ばれる1種又は2種以上)からなる調整セラミック成分を主体とする調整セラミック粒子体を、該調整セラミック成分の合計含有量が10重量%以下となるように混在させてもよい。この場合、調整セラミック粒子体の平均粒径は0.5〜15μmの範囲で調整される。
【0032】
次に、発熱体10を構成するMo珪化物−窒化珪素系複合セラミックは、Mo珪化物の含有重量M1と窒化珪素の含有重量M2との比M1/M2が、(20/80)〜(85/15)(望ましくは(40/60)〜(85/15))の範囲で調整され、必要に応じて希土類酸化物、炭化珪素、Cr化合物及びV酸化物の1種以上を含有させたものとして構成される。なお、希土類酸化物、Cr化合物及びV酸化物を含有させる場合には、それらの合計含有量は30重量%以下の範囲で調整される。
【0033】
図2において、セラミック基体13の表面には、その電極部12の露出部12aを含む領域に、ニッケル等の金属薄層(図示せず)が所定の方法(例えばメッキや気相製膜法など)により形成され、該金属薄層を介してセラミック基体13と外筒3とがろう付けにより接合されるとともに、電極部12がこれら接合部を介して外筒3と導通している。また、電極部11の露出部11aを含む領域にも同様に金属薄層が形成されており、ここに結合部材5がろう付けされている。このように構成することで、図示しない電源から、金属軸6(図1)、結合部材5及び電極部11を介して発熱体10に対して通電され、さらに電極部12、外筒3、金属ハウジング4(図1)、及び図示しないエンジンブロックを介して接地される。
【0034】
以下、セラミックヒータ1の製造方法について説明する。まず、図3(a)に示すように、発熱体10に対応したU字形状のキャビティ32を有した金型31に対し電極材30を、その一方の端部が該キャビティ32内に入り込むように配置する。そしてその状態で、発熱体10の原料粉末とバインダとを含有するコンパウンド33を射出することにより、同図(b)に示すように、電極材30とU字状の発熱体用粉末成形部34とが一体化された一体成形体35を作成する。なお、発熱体用粉末成形部34はほぼ円形の断面を有するように形成される。
【0035】
一方これとは別に、セラミック基体13を形成するための原料セラミック粉末に若干のバインダを添加・混合した後これを予め金型プレス成形することにより、図4(a)に示すような、上下別体に形成された分割予備成形体36,37を用意しておく。これら分割予備成形体36,37は、上記一体成形体35に対応した形状の凹部38がその合わせ面39aに形成されている。次いで、この凹部38に一体成形体35を収容し、分割予備成形体36,37を該型合わせ面39aにおいて型合わせする。そして、図5(a)に示すように、その状態でこれら分割予備成形体36,37及び一体成形体35を金型61のキャビティ61a内に収容し、パンチ62,63を用いてプレス・圧縮することにより、図5(b)及び図6(a)に示すように、これらが一体化された複合成形体39が形成される。ここで、そのプレス方向は、分割予備成形体36,37の合わせ面39aに対しほぼ直角に設定される。
【0036】
こうして得られた複合成形体39は、まずバインダ成分等を除去するために所定の温度(例えば約800℃)で仮焼され、図6(b)に示す仮焼体39’とされる。続いて図5(b)に示すように、この仮焼体39’が、グラファイト等で構成されたホットプレス用成形型65,66のキャビティ65a,66aにセットされる。仮焼体39’は、炉64内で両成形型65及び66の間で加圧されながら所定の温度(例えば約1800℃前後)で焼成されることにより、図6(c)に示すような焼成体70となる。このとき、図4(b)に示す発熱体用粉末成形部34が発熱体10を、分割予備成形体36,37がセラミック基体13をそれぞれ形成することとなる。また、各電極材30はそれぞれ電極部11及び12となる。
【0037】
ここで、仮焼体39’は、図6(b)に示すように、分割予備成形体36及び37の合わせ面39aに沿う方向に圧縮されながら焼成体70となる。そして、図6(c)に示すように、発熱体用粉末成形部34の直線部34bは、その円状断面が上記圧縮方向につぶれるように変形することにより、楕円状断面を有した発熱体10の直線部10bとなる。次いで、図6(d)に示すように、焼成体70の外周面に研磨等の加工を施すことにより、セラミック基体13の断面が円形に整形されて最終的なセラミックヒータ1となる。
【0038】
このようにして得られるセラミックヒータ1は、発熱体10がMo珪化物−窒化珪素系セラミックで構成され、その主な導電性セラミック成分たるMo珪化物が例えばMoSi2を主体とするものである場合、該MoSi2が比較的大きな正の抵抗温度係数を有することから、速熱性に優れたヒータ昇温性能を有するものとなる。また、セラミック基体13を、窒化珪素を主成分として炭化珪素を含有する窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックにより構成することで、通電耐久性が向上してしかも高温耐食性が良好となり、例えば該セラミックヒータをセラミックグロープラグ等に使用した場合において、エンジン中での酸素、硫黄あるいはカルシウム等のアタックに対する耐性に優れたものとなる。
【0039】
なお、図7に示すように、セラミック基体用の粉末成形体に対し、発熱体用原料粉末のペーストを用いて発熱体形状をパターン印刷し、これを焼成することによりその印刷パターンを焼結して、抵抗発熱体10とするようにしてもよい。
【0040】
なお、本発明のセラミックヒータは、グロープラグに限らず、バーナ着火用あるいは酸素センサ用の加熱素子等に使用することもできる。
【0041】
【実施例】
まず、発熱体用原料粉末を次のようにして調製した。すなわち、平均粒径1μmのMoSi2粉末に対し、窒化珪素(Si3N4)粉末と、Y2O3あるいはEr2O3等の希土類元素酸化物粉末、炭化珪素(SiC)粉末、及びCr成分原料粉末(例えばCr2O3、Cr2N、Cr3C2、CrSi2等のCr化合物、あるいは金属CrやCr合金など)及びV2O5から選ばれる少なくとも1種とを、最終的に得られる抵抗発熱体の組成が表1に示すものとなるように所定の比率で配合し、ボールミルを用いて溶媒とともに50hr湿式混合した。次に、これにより得られる泥漿を150℃で12hr乾燥後、これに所定量の有機バインダを添加してコンパウンドを作成し、ペレットにこれを造粒した。さらに、この造粒コペレットを用いて図3(a)に示すように射出成形し、同図(b)に示す一体成形体35を作成した。
【0042】
次に、セラミック基体用原料粉末は下記のようにして調製した。まず、平均粒径0.7μmの窒化珪素(Si3N4)粉末に対し、平均粒径0.8μmのY2O3あるいはEr2O3等の希土類元素酸化物粉末と、平均粒径0.3μmの炭化珪素(SiC)粉末と、必要に応じてCr成分原料粉末(例えばCr2O3、Cr2N、Cr3C2、CrSi2等のCr化合物、あるいは金属CrやCr合金など)、及び調整セラミック成分粉末などのその他の原料粉末とを、表1に示すセラミック基体組成が得られるように所定量配合し、これをボールミルにて湿式粉砕した。そして、これにさらの所定量のバインダーを添加した後、スプレードライ法により乾燥させてセラミック基体用原料粉末とした。
【0043】
次いで上記原料粉末を用いて前述の方法により、図4(a)に示す分割予備成形体36,37を作成し、さらにこれと前述の一体成形体35とを前述の方法により一体プレス成形して、図5(b)及び図6(a)に示す複合成形体39を形成した。この複合成形体39を、窒素雰囲気中で1750℃、300kgf/cm2の条件でホットプレス焼成を30分行い、得られた焼成体の外面を研磨・整形することにより、直径3.5mmのセラミックヒータとした。
【0044】
なお、得られたセラミックヒータのセラミック基体及び抵抗発熱体の組成は、炭素、窒素の含有量を化学分析により、また、各金属成分の含有量を蛍光X線分析によりそれぞれ求め、これをもとに各窒化物、炭化物、酸化物等の推定含有重量を算出した。なお、Cr成分についてはその含有比率を重量%で示している。分析結果を表1に合わせて示している。
【0045】
【表1】
【0046】
これらセラミックヒータに対し、下記の試験を行った。
(1)昇温性能試験:1150℃が飽和温度となる通電条件で、セラミックヒータが800℃に到達するまでの時間を測定。
(2)高温酸化試験▲1▼:大気中において900℃ないし1400℃でそれぞれ100hr保持したときの、セラミック基体の酸化による重量増加を測定。
(3)高温酸化試験▲2▼:CaSO4でセラミック基体を覆って1100℃で20hr保持したときの、セラミック基体の腐食による重量減少を測定。
(4)通電耐久性試験:セラミックヒータに対し一定の電圧により通電し、1400℃に温度が平衡してから5分保持した後、通電を停止して1分保持する工程を1サイクルとして、各セラミックヒータ毎にこれを10000サイクル繰り返す。なお、10000サイクル後、1回目の通電時よりも150℃以上の発熱温度の低下が見られたものを不良、そうでなかったものを良とすることにより判定する。
(5)冷熱サイクル試験:セラミックヒータを電気炉内に入れ、プログラム制御によりこれを400℃と900℃との間で加熱・冷却するサイクルを10000回繰り返し、試験後にセラミック基体部分を切断・研磨して、その表面を光学顕微鏡で観察する。結果を表2に示す。
【0047】
【表2】
【0048】
本発明の請求項に記載した内容に合致する実施例1〜13のセラミックヒータについては、昇温性能試験において優れた速熱性を示し、セラミック基体の高温耐食性、通電耐久性及び冷熱サイクルに対する耐久性のいずれにも優れていることがわかる。一方、セラミック基体に炭化珪素を含有させない比較例14のセラミックヒータは、通電耐久性が不十分なものとなっている。また、発熱体の構成成分としてMo珪化物の代わりにWCやTiNなど、他の導電性セラミックを使用したものは昇温性能において速熱性が不十分となっていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセラミックヒータを採用したグロープラグの一例を示す正面部分断面図。
【図2】そのセラミックヒータの正面断面図。
【図3】セラミックヒータの製造工程説明図。
【図4】図3に続く工程説明図。
【図5】図4に続く工程説明図。
【図6】本発明のセラミックヒータの製造方法における、複合成形体及び焼成体の断面形状変化を示す模式図。
【図7】本発明のセラミックヒータの別の実施例を示す断面図。
【図8】抵抗発熱体を構成する導電性セラミック成分の抵抗温度係数と、得られるセラミックヒータの昇温特性との関係を概念的に示す説明図。
【図9】図8に続く説明図。
【符号の説明】
1 セラミックヒータ
10 抵抗発熱体
13 セラミック基体
Claims (12)
- セラミック基体中に抵抗発熱体を埋設した構造を有するセラミックヒータにおいて、
前記セラミック基体は、窒化珪素を主成分として炭化珪素を含有する窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックを主体に構成され、
また、前記抵抗発熱体は、Mo珪化物と窒化珪素とを主体とするMo珪化物−窒化珪素系複合セラミックで構成されたことを特徴とするセラミックヒータ。 - 前記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、その炭化珪素の含有量が1〜30重量%となるように調整されている請求項1記載のセラミックヒータ。
- 前記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、炭素成分が全てSiCの形で含有されていると仮定して算出されるSiCの推定含有量が1〜30重量%となるように、前記炭素成分の含有量が調整されている請求項1又は2に記載のセラミックヒータ。
- 前記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、Cr成分を含有するものである請求項1ないし3のいずれかに記載のセラミックヒータ。
- 前記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、前記Cr成分の含有量が0.06〜6.8重量%となるように、前記Cr成分の含有量が調整されている請求項4記載のセラミックヒータ。
- 前記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、希土類元素酸化物を含有する請求項1ないし5のいずれかに記載のセラミックヒータ。
- 前記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックは、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる1種又は2種以上の希土類元素成分を含有し、
それら希土類元成分は、Ceは全てCeO2、Prは全てPr6O11、Tbは全てTb4O7、他は全てM2O3(ただしMは、Ce、Pr及びTbを除く前記希土類元素)の各組成式で表される希土類元素酸化物の形で存在していると仮定して算出される該希土類元素酸化物の推定合計含有量が1〜20重量%となるように、前記希土類元素成分の含有量が調整されている請求項1ないし6のいずれかに記載のセラミックヒータ。 - 前記セラミック基体は、前記窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックを主体とする基質成分に対し、窒化珪素−炭化珪素系複合セラミックよりも熱膨張係数の大きい金属硅化物、金属炭化物、金属ホウ化物及び金属窒化物の一種以上からなる調整セラミック成分を主体とする調整セラミック粒子体を、前記調整セラミック成分の合計含有量が10重量%以下となるように混在させたものである請求項1ないし7のいずれかに記載のセラミックヒータ。
- 前記調整セラミック粒子体の平均粒径が0.5〜15μmの範囲で調整されている請求項8記載のセラミックヒータ。
- 前記調整セラミック成分は、W、Ta、Nb、Ti、Mo、Zr、Hf、V、Crの各硅化物、炭化物、ホウ化物及び窒化物のなかから選ばれる1種又は2種以上からなるものである請求項8又は9に記載のセラミックヒータ。
- 前記Mo珪化物−窒化珪素系複合セラミックは、前記Mo珪化物の含有重量M1と前記窒化珪素の含有重量M2との比M1/M2が、(20/80)〜(85/15)の範囲で調整されている請求項1ないし10のいずれかに記載のセラミックヒータ。
- 前記Mo珪化物−窒化珪素系複合セラミックは、そのMo成分が全てMoSi2の形で存在すると仮定して算出されるMoSi2の推定含有量M1と、同じくその窒素成分が全てSi3N4の形で存在すると仮定して算出されるSi3N4の推定含有量M2との比M1/M2が(20/80)〜(85/15)となるように、前記Mo成分及び窒素成分の含有量が調整されている請求項1ないし11のいずれかに記載のセラミックヒータ。
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