JP2002289327A - セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ - Google Patents

セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ

Info

Publication number
JP2002289327A
JP2002289327A JP2001088350A JP2001088350A JP2002289327A JP 2002289327 A JP2002289327 A JP 2002289327A JP 2001088350 A JP2001088350 A JP 2001088350A JP 2001088350 A JP2001088350 A JP 2001088350A JP 2002289327 A JP2002289327 A JP 2002289327A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cross
sectional area
ceramic
heating resistor
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001088350A
Other languages
English (en)
Inventor
Shindo Watanabe
進道 渡邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2001088350A priority Critical patent/JP2002289327A/ja
Publication of JP2002289327A publication Critical patent/JP2002289327A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 効率よく昇温させることができ、消費電力を
低減することができるセラミックヒータ、及びこのヒー
タを備えるグロープラグを提供する。 【解決手段】 絶縁性セラミック基体11の径方向への
断面をとったときに、この基体の断面積(SA)と、基
体と発熱抵抗体12との合計断面積(S)との比(SA
/S)を0.50≦SA/S<0.99、特に0.80
≦SA/S<0.95とする。また、発熱抵抗体は方向
転換部12aと直線部12b(変径部12cは直線部に
含めるものとする。)とを有し、方向転換部の断面積を
直線部の断面積より小さくし、且つ軸線方向における方
向転換部の長さ(L1)と直線部の長さ(L2)との相関
を、0.1≦L1/(L1+L2)0.8とする。発熱抵
抗体は、WC、MoSi2、TiN等からなる導電成分
と、窒化珪素質焼結体からなる絶縁成分と、により構成
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、昇温性能に優れ、
消費電力を低減することができ、且つ十分な耐久性をも
併せ有するセラミッヒータ及びそれを備えるグロープラ
グに関する。本発明のセラミックヒータは、ディーゼル
エンジンの始動補助装置であるグロープラグ及び燃焼式
ヒータ等の着火源の他、各種の用途において用いること
ができる。
【0002】
【従来の技術】ディーゼルエンジンは、シリンダ内に吸
入した空気を圧縮し、高温になった空気に燃料を噴霧す
ることで自己着火し燃焼するものであるが、このディー
ゼルエンジンを寒冷地で、或いは冬季に始動させる場
合、外気及びエンジン本体等の温度が低いため、圧縮だ
けで燃焼室内の空気を燃料の自己着火に必要な温度まで
到達させることは容易ではない。そこで、従来より、燃
料の着火源としてグロープラグが使用されている。
【0003】そして、このディーゼルエンジンでは、グ
ロープラグへの通電開始後であり、エンジン始動後にお
けるアイドリング時に燃焼が不安定になることがあり、
それにともなって排気管から白煙が排出されることか
ら、この白煙の排出を抑えるために、グロープラグへの
通電が持続される(所謂、アフターグロー)ものであ
る。そこで、高温でのアフターグローが可能なグロープ
ラグとしてセラミックヒータを備えるグロープラグが検
討されており、例えば、特開2000−130754の
公開公報に示すような、グロープラグ(セラミックグロ
ープラグ)が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック
ヒータを備えるグロープラグでは、高温でのアフターグ
ローが可能なものの、セラミックヒータを高温に発熱さ
せるためには多くの電力を要するという問題がある。そ
して、上記公報に記載されたグロープラグに組み込まれ
ているセラミックヒータでは、抵抗値の高い第1セラミ
ック抵抗体を絶縁性セラミック基体の先端側に埋設し、
その第1セラミック抵抗体の両端に抵抗値の低い第2セ
ラミック抵抗体が接合された形態で絶縁性セラミック基
体に埋設された構造となっている。
【0005】そのため、ヒータの先端部を効率よく発熱
させることができ、ヒータ全体としての消費電力を低減
することができる。しかし、このセラミックヒータで
は、発熱体(セラミック抵抗体)が種類の異なる導電性
セラミックにより形成されており、製造工程が煩雑にな
り、コスト高になる。更に、種類の異なる導電性セラミ
ックの接合が必ずしも安定せず、信頼性が低下すること
もある。
【0006】また、セラミックヒータを構成する絶縁性
セラミック基体の内部に埋設される発熱体を、セラミッ
ク抵抗体ではなく、金属コイル、或いは導電性ペースト
の印刷法などにより形成したヒータもある。しかし、こ
のような発熱体は導電性セラミックの場合と違って破壊
起点となり易く、ヒータ自体の機械的強度が低下し、十
分な耐久性を有するヒータとすることができない場合が
ある。
【0007】本発明は、上記の従来の問題を解決するも
のであり、絶縁性セラミック基体の径方向の断面をとっ
たときに、この絶縁性セラミック基体の断面積と、基体
と発熱抵抗体の断面積との合計断面積との比を特定する
ことによって、昇温性能に優れ、発熱に要する消費電力
が低減され、且つ十分な耐久性及び信頼性を有するセラ
ミックヒータ及びそれを備えるグロープラグを提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックヒー
タは、軸線方向に延びる絶縁性セラミック基体と、該絶
縁性セラミック基体に埋設される導電性セラミックから
なる発熱抵抗体とを備えるセラミックヒータであって、
上記発熱抵抗体は、一方の基端部から延び方向転換して
他方の基端部へ至る方向転換部と、該方向転換部の各基
端部から同方向に延びる一対の直線部とを有し、上記方
向転換部が上記絶縁性セラミック基体の先端部側に向く
ように位置しており、上記絶縁性セラミック基体の径方
向への断面をとったときに、上記絶縁性セラミック基体
の断面積(SA)と、該絶縁性セラミック基体と上記発
熱抵抗体との合計断面積(S)との比(SA/S)が
0.50≦SA/S<0.99であることを特徴とす
る。
【0009】このセラミックヒータは、ディーゼルエン
ジンの始動補助装置であるグロープラグとして有用であ
り、所定の高温にまで短時間で昇温させることができ、
この所定の温度を少ない消費電力で維持することがで
き、且つ耐久性に優れ、信頼性の高いグロープラグとす
ることができる。
【0010】絶縁性セラミック基体に埋設される導電性
セラミックからなる発熱抵抗体は、一方の基端部から延
び方向転換して他方の基端部へ至る方向転換部と、その
方向転換部の両端部(各基端部)から同方向へ直線状に
延びる一対の直線部とを有し、方向転換部が絶縁性セラ
ミック基体の先端部側に向くように配置されている。そ
して、この発熱抵抗体の一対の直線部は、絶縁性セラミ
ック基体の径方向への断面をとったときに、その断面に
おいて、図5及び図6のように絶縁性セラミック基体の
中心点(中心軸線)を挟んで互いに対向する形にて配置
されることが一般的である。このようにすれば絶縁性セ
ラミック基体の表面を均一に昇温させることができるの
で好ましい。
【0011】更に、この断面において、発熱抵抗体の一
対の直線部は、各直線部の対向方向における寸法がこれ
と直交する方向における寸法よりも小となる断面形状を
有することが多い。より具体的な発熱抵抗体の一対の直
線部としては、絶縁性セラミック基体の径方向への断面
をとったときに、その断面において、図5のように各直
線部の対向方向に沿って短軸が位置する楕円状の断面形
状を有したり、或いは図6のように円弧状の外形線部分
が絶縁性セラミック基体の外形線に倣う形で配置される
半月状の断面形状を有するものが挙げられる。
【0012】そして本発明の主要な構成としては、絶縁
性セラミック基体の径方向への断面をとったときに、少
なくとも一対の直線部における絶縁性セラミック基体の
みの断面積(SA)と、絶縁性セラミック基体と発熱抵
抗体との合計断面積(S)との比(SA/S)を0.5
0以上、0.99未満とすることによって、ヒータ全体
の消費電力を低減することができる。
【0013】このように絶縁性セラミック基体の占める
面積割合が大きくなれば、それに伴って熱伝導性の高い
発熱抵抗体の体積が相対的に減少し、熱伝導性の低い絶
縁性セラミック基体の体積が相対的に増加する。そのた
め、セラミックヒータ全体としての熱伝導性が低下し、
セラミックヒータを保持するための固定筒といった部材
や当該ヒータと接続されて導通される外部端子(以下、
これらを総称して「外部部材」ともいう。)への熱引き
を小さくすることができる。この外部部材への熱引きが
小さくなったヒータでは、その先端部が効率よく加熱さ
れ、所定温度にまで昇温させるための時間を短縮するこ
とができるとともに、この温度を容易に維持することが
でき、消費電力を低減することができる。
【0014】上記断面において発熱抵抗体の占める面積
割合が大きくなれば、ヒータの昇温速度等の観点では有
利であり、消費電力を低減することもできる。しかし、
上記SA/Sが0.50未満であると、ヒータ全体の熱
伝導性が高くなり、外部部材(例えば、グロープラグの
場合ではセラミックヒータを保護するとともに保持する
金属製の固定筒)等に対して熱が移り易く、電力の低減
効果を得られないおそれがある。尚、セラミックヒータ
を備えるグロープラグにおいては、セラミックヒータか
らの熱が固定筒へ過剰に移ることがあると、固定筒は通
常ロー材を介して主体金具に固定されるがためにこのロ
ー材が溶出し、主体金具への強固な固定に支障をきたす
ことがあり、極端な場合、固定筒が主体金具から脱落す
ることもある。一方、SA/Sが0.99以上である
と、絶縁性セラミック基体の面積割合及び体積が極めて
大きくなり、昇温性能が大きく低下し、早期加熱等の観
点から実用に供することができない。
【0015】本明細書において、絶縁性セラミック基体
及び発熱抵抗体について各々の径方向の断面をとる対象
箇所としては、通常、基体に埋設される発熱抵抗体に通
電を行った際の基体の表面側の最高発熱部分を指すもの
とする。また、絶縁性セラミック基体の外径は、基体の
断面外周の全体が円弧状に形成される場合は、その円状
の外周の直径により定義され、一部のみが円弧状に形成
される場合は、その円弧状の外周部を与える円状領域の
直径として定義されるものとする。
【0016】絶縁性セラミック基体の断面積と、絶縁性
セラミック基体と発熱抵抗体との合計断面積との比は、
0.80≦SA/S<0.95であることが好ましい。
A/Sがこの範囲にあれば、ヒータから外部部材への
熱引きが十分に抑制され、ヒータの先端部が効率よく加
熱され、昇温速度を大きくすることができるとともに消
費電力を低減することもできる。また、上記SA/Sが
この範囲にあるセラミックヒータを備えるグロープラグ
においては、ヒータから固定筒への熱引きが有効に抑制
されるため、固定筒を主体金具に固定しているロー材の
溶出もなく、耐久性に優れたセラミックヒータとするこ
とができる。
【0017】本発明のセラミックヒータでは、一対の直
線部は、上記方向転換部の各基端部から同方向に延びる
とともに当該方向転換部より大きい断面積を有する一
方、上記直線部のそれぞれの基端部側には一端部が埋設
される形でリード線が接続されており、上記発熱抵抗体
のうちで、上記方向転換部の先端から基端までの上記軸
線方向における長さを(L1)、方向転換部の基端から
直線部に埋設されるリード線の先端までの上記軸線方向
における長さを(L2)とした場合に、0.1≦L1
(L1+L2)≦0.8を満たすことがより好ましい。
【0018】このように発熱抵抗体の方向転換部が直線
部より小さな断面積を有することにより、抵抗値の大き
い方向転換部と抵抗値の小さい直線部とが形成される。
従って、この抵抗値の大きい方向転換部の存在により、
セラミックヒータをその先端部側で電力を集中させて効
率よく発熱させることができ、ひいては昇温速度の大き
いヒータとすることができ、消費電力を低減することが
できる。
【0019】尚、このように発熱抵抗体の断面積が途中
で変化するような場合において、絶縁性絶縁性セラミッ
ク基体及び発熱抵抗体について各々の径方向の断面をと
る対象個所としては、図2を援用して示すように、絶縁
性セラミック基体11に埋設される発熱抵抗体12に通
電を行った際の該基体11の表面側における最高発熱部
分とすれば、発熱抵抗体12の抵抗値の大きさが上述の
ように自身の断面積の違いにより異なることから、方向
転換部12aを含む部分での断面をとり得ることとな
る。また、方向転換部12aよりも断面積が大きい直線
部12bについては、リード線13a、13bの先端と
の界面を、径方向の断面をとる対象個所とする。ここ
で、いずれの断面においても、絶縁性セラミック基体の
みの断面積(SA)と、その絶縁性セラミック基体と発
熱抵抗体(方向転換部若しくは一対の直線部)との合計
断面積(S)との比(SA/S)が0.50以上で且つ
0.99未満を満たすことはいうまでもない。
【0020】また、本発明のセラミックヒータでは、発
熱抵抗体のうちで、方向転換部の先端から基端までの軸
線方向における長さを(L1)、その方向転換部の基端
から直線部に埋設されるリード線の先端までの軸線方向
における長さを(L2)とした場合に、0.1≦L1
(L1+L2)≦0.8とすることが特に好ましい。発熱
抵抗体の軸線方向の長さをみたときに、上記(L1)と
上記(L2)との関係をこのように規定することによ
り、上述のように発熱抵抗体の断面積を途中で変化させ
たことによる作用、効果が顕著に奏される。L1/(L1
+L2)が0.1未満であると、消費電力の低減効果が
小さくなることがある。一方、L1/(L1+L2)が
0.8を越えると、発熱抵抗体の抵抗値が大きくなりが
ちで、所定温度にまで昇温させるのに長時間を要するお
それがある。尚、図2に示すように、発熱抵抗体12に
おける断面積の変化としては、直線部12bの断面積が
方向転換部12aの基端側に向けて連続的に縮径するよ
うに直線部12bに変径部12cを設けたり、或いは段
階的に変化するような変径部を設けることができ、上記
1、L2の各軸線方向における長さについては図2に示
す形になる(変径部12cは直線部12bに含めて考え
るものとする。)。
【0021】本発明では、絶縁性セラミック基体と、発
熱抵抗体の断面積の相関、更には、発熱抵抗体の前端部
側の断面積及び軸線方向における長さと、後端部側の断
面積及び軸線方向における長さとの相関、を特定するこ
とにより、昇温速度が大きく、消費電力を低減すること
ができ、且つ耐久性にも優れたセラミックヒータとする
ことができるが、これらは断面積が9.08mm2未満
(絶縁性セラミック基体の直径が略3.4mm未満)の
細径のヒータの場合に特に有用である。このような細径
のヒータでは全体の熱容量が小さいため、外部部材への
熱引きの影響が大きいが、上記の構成とすることによ
り、昇温速度の低下等が抑えられ、消費電力が低減され
るという効果が顕著になる。
【0022】発熱抵抗体は導電成分と絶縁成分により構
成される。導電成分は、W、Ta、Nb、Ti、Mo、
Zr、Hf、V、及びCrから選ばれる1種以上の金属
元素の珪化物、炭化物又は窒化物等のうちの少なくとも
1種が焼成され、形成される。また、絶縁成分は、通
常、窒化珪素質焼結体からなる。導電成分は、特に、そ
の熱膨張係数が、絶縁成分である窒化珪素質焼結体等、
もしくは絶縁性セラミック基体を構成する窒化珪素質焼
結体等と大きな差がないものが好ましい。熱膨張係数の
差が小さい導電成分であれば、ヒータ使用時に発熱抵抗
体と絶縁性セラミック基体との界面近傍における亀裂の
発生が抑えられる。そのような導電成分としては、W
C、MoSi2、TiN又はWSi2などが挙げられる。
更に、この導電成分としては、その融点がセラミックヒ
ータの使用温度を越える耐熱性の高いものが好ましい。
導電成分の融点が高ければ使用温度域におけるヒータの
耐熱性も向上する。
【0023】導電成分と絶縁成分との量比は特に限定さ
れないが、発熱抵抗体を100体積部とした場合に、導
電成分を15〜40体積部とすることができ、特に20
〜30体積部とすることが好ましい。
【0024】絶縁性セラミック基体は、通常、窒化珪素
質焼結体からなる。この焼結体は、窒化珪素のみからな
るものであってもよいし、窒化珪素を主成分とし、これ
に少量の窒化アルミニウム、アルミナ等が含有されるも
のであってもよい。また、サイアロンであってもよい。
【0025】本発明のセラミックヒータは以下のように
して製造することができる。発熱抵抗体を形成するため
の原料としては、導電成分の原料粉末、絶縁成分の原料
粉末及び焼結助剤粉末を用いる。この焼結助剤粉末とし
ては、希土類酸化物粉末が多用されるが、MgO及びA
23−Y23等の一般に窒化珪素質焼結体の焼成にお
いて用いられる酸化物等の粉末を使用することもでき
る。これらの焼結助剤粉末は1種のみを使用してもよい
が、2種以上を併用することが多い。尚、Er23等の
焼結後に粒界にて結晶相となる焼結助剤粉末を用いると
セラミックヒータの耐熱性がより高くなるため好まし
い。
【0026】これら導電成分用原料粉末、絶縁成分用原
料粉末、及び焼結助剤粉末を所定の量比で混合し、混合
粉末を調製する。この混合は、湿式等、通常の方法によ
って行うことができる。導電成分用原料粉末、絶縁成分
用原料粉末及び焼結助剤粉末は、これらの合計量を10
0体積部とした場合に、導電成分用原料粉末を15〜4
0体積部、特に20〜30体積部、絶縁成分用原料粉末
と焼結助剤粉末とで85〜60体積部、特に80〜70
体積部とすることができる。
【0027】このようにして調製した混合粉末に、適量
のバインダ等を配合して混練した後、造粒し、これを用
いて、射出成形等の方法により、焼成後、発熱抵抗体と
なる成形体とすることができる。
【0028】その後、この成形体を、窒化珪素を主体と
する絶縁性セラミック基体用原料粉末に埋入する。その
方法としては、基体用原料粉末を圧粉した半割型を2個
用意し、これらの半割型の間の所定位置に成形体を載置
した後、プレス成形する方法等が挙げられる。次いで、
これらを一体に5〜12MPa程度に加圧することによ
り、絶縁性セラミック基体の形状を有する粉末成形体
に、発熱抵抗体となる成形体が埋設されたセラミックヒ
ータ成形体が得られる。このセラミックヒータ成形体
を、黒鉛製等の加圧用ダイスに収納し、これを焼成炉に
収容し、所定の温度で所要時間、ホットプレス焼成する
ことにより、セラミックヒータを製造することができ
る。焼成温度及び焼成時間は特に限定されないが、焼成
温度は1700〜1850℃、特に1800〜1850
℃、焼成時間は30〜180分、特に60〜120分と
することができる。
【0029】尚、上述した本発明のセラミックヒータを
グロープラグに適用することで、昇温速度が大きく、低
消費電力を実現し、更には耐久性に優れるグロープラグ
を提供することができる。
【0030】とりわけ有効な構造のグロープラグとして
は、固定筒内にセラミックヒータを、そのヒータ先端部
が該固定筒の先端面から突出するように配置した構造を
有するグロープラグであって、上記セラミックヒータ
は、軸線方向に延びる絶縁性セラミック基体と、該セラ
ミック基体に埋設される導電性セラミックからなる発熱
抵抗体とを備え、上記発熱抵抗体は、一方の基端部から
延び方向転換して他方の基端部へ至る方向転換部と、該
方向転換部の各基端部から同方向に延びる一対の直線部
とを有し、上記方向転換部が上記絶縁性セラミック基体
の先端部側に向くように位置するとともに、上記直線部
のそれぞれの基端部側には一端が埋設される形でリード
線が接続されており、上記絶縁性セラミック基体の径方
向への断面をとったときに、上記絶縁性セラミック基体
のみの断面積(SA)と、該絶縁性セラミック基体と上
記発熱抵抗体との合計断面積(S)との比(SA/S)
が0.50≦SA/S<0.99を満たし、更に、上記
リード線は、前記直線部に埋設されたその先端が、上記
固定筒の先端面よりも該固定筒側に入り込むように位置
しているものが好ましい。
【0031】かかる構成のグロープラグでは、上記比
(SA/S)を0.05以上で且つ0.99未満とする
ことで、昇温速度を大きくすることができるとともに消
費電力の低減が図れる。また、ヒータからの固定筒への
熱引きが有効に抑制されるため該固定筒を主体金具に固
定しているロー材の溶出もなく、耐久性に優れる。更
に、発熱抵抗体の一対の直線部にそれぞれ埋設される形
で接続されるリード線の先端が、上記固定筒の先端面よ
りも固定筒側に入り込むように位置している。従って、
リード線と発熱抵抗体との界面が、エンジンからの高温
の排熱等を受けて膨張・収縮し易い固定筒の先端面近傍
から後方側に位置するので、固定筒からの圧縮応力が上
記界面に及び難く、ヒータにクラックが入り難くなり、
より耐久性に優れた低消費電力タイプのグロープラグを
提供することができる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、本発明のセラミックヒータ
及びそれを備えるグロープラグを実施例により更に詳し
く説明する。 (1)セラミックヒータの構成 図1は、セラミックヒータの軸線方向における断面図で
ある。セラミックヒータ1は、軸線方向に延びる絶縁性
セラミック基体11、発熱抵抗体12及びリード線13
a、13bにより構成されている。絶縁性セラミック基
体11は窒化珪素焼結体からなり、埋設される発熱抵抗
体12、及びリード線13a、13bは、この絶縁性セ
ラミック基体11によって保護されている。
【0033】発熱抵抗体12はU字形の棒状体からな
り、一方の基端部から延び方向転換して他方の基端部へ
至る方向転換部12aと、方向転換部12aの両端部か
ら同方向(軸線方向)に延びる一対の直線部12bとを
有しており、方向転換部12aが絶縁性セラミック基体
11の先端部側に向くように配置されている。この発熱
抵抗体12には、マトリックスセラミック及び導電性セ
ラミック粒子が含有されている。また、Wからなるリー
ド線13a、13bは、外部からセラミックヒータ1に
供給される電力を絶縁性セラミック基体11に埋設され
る発熱抵抗体12へ給電できるように、それぞれその一
端は基体11の表面に露出し、他端は発熱抵抗体12の
一対の直線部12bに接続される形で絶縁性セラミック
基体11に埋設されている。
【0034】図1においては、直線部12bは、方向転
換部12aの各基端部から同方向に延びるとともに該方
向転換部12aよりも大きい断面積を有するタイプのセ
ラミックヒータを示している。尚、セラミックヒータ1
は図1に示すものの他に、図3に示すように、直線部1
2bと方向転換部12aの断面積が略同等の発熱抵抗体
12を有するものでもよい。
【0035】(2)セラミックヒータを組み込んだグロ
ープラグの構成 図4は、このセラミックヒータを組み込んだグロープラ
グの軸線方向における断面図である。グロープラグ2
は、発熱する部位である先端側に発熱抵抗体12(発熱
抵抗体12の方向転換部12a)が配置される形でセラ
ミックヒータ1を備える。セラミックヒータ1は、金属
製の固定筒21に貫装、保持され、同時に絶縁性セラミ
ック基体11の表面に露出する一方のリード線13bは
ロー材により固定筒21に電気的に接続される。一方、
この固定筒21は主体金具22の先端側にロー付けによ
り固定される。また、セラミックヒータ1の他方のリー
ド線13aはリードコイル24とロー付けにより電気的
に接続され、更に中軸25に接続されて端子金具26に
接続されている。尚、主体金具22の外周には、グロー
プラグをエンジンに取り付けるための取り付けねじ部2
3が螺刻され、さらに取り付ける際にインパクトレンチ
をあてがうための六角状の工具係合部27が形成されて
いる。また、図4に示すように、リード線13a、13
bの先端が、固定筒21の先端面21aよりも該固定筒
21側に入り込むようにセラミックヒータ1は固定筒2
1に対して貫装されている。
【0036】(3)セラミックヒータの製造 窒化珪素原料粉末88質量部(以下、「部」と略記す
る。)に、焼結助剤として、Yb23粉末10部及びS
iO2粉末2部を配合して絶縁成分用原料とした。この
絶縁成分用原料40質量%と導電性セラミックであるW
C粉末60質量%とを、72時間湿式混合した後、乾燥
し、混合粉末を得た。その後、この混合粉末とバインダ
とを混練機に投入し、4時間混練した。次いで、得られ
た混練物を裁断してペレット状とした。
【0037】一方、発熱抵抗体に対応したU字形状のキ
ャビティを有した射出成形用金型に対して、断面が円形
であるW製の2本のリード線を各々その端部が上記キャ
ビティ内に入り込むように配置した。そして、その状態
で射出成形機により上記ペレット状とした混練物を射出
し、リード線とU字状の導電性セラミックからなる未焼
成発熱抵抗体とが一体化された一体射出成形体、即ち一
方の基端部から延び方向転換して他方の基端部へ至る方
向転換部と、方向転換部の両端部から同方向に延びる一
対の直線部とを有する未焼成発熱抵抗体と、この直線部
に一端が埋設される形で接続されるリード線とが一体化
された一体射出成形体を得た。
【0038】また、これとは別に、86部の窒化珪素原
料粉末に、焼結助剤として11部のYb23粉末及び3
部のSiO2粉末、並びに5部のMoSi2粉末を配合
し、40時間湿式混合したものをスプレードライヤ法に
よって造粒し、この造粒物を圧粉した2個の半割型を用
意した。なお、この2個の半割型は、完成後の絶縁性セ
ラミック基体を、その軸線と略平行な断面により2分割
したときの、その各分割部に対応する形状に形成されて
おり、各々その分割面に相当する部分に、上記一体射出
成形体に対応した形状の凹部が形成されている。そし
て、この凹部に一体射出成形体を収容し、2個の半割型
を型合わせするとともに、その状態で6.86MPaの
圧力で一体に加圧し、未焼成のセラミックヒータを得
た。
【0039】次いで、この未焼成のセラミックヒータを
窒素雰囲気下、600℃で仮焼して、射出成形による未
焼成発熱抵抗体、絶縁性セラミック基体となる未焼成体
からバインダ等を除去し、仮焼体を得た。その後、この
仮焼体を黒鉛製の加圧用ダイスにセットし、窒素雰囲気
下、29.4MPaで加圧しながら1800℃で1.5
時間ホットプレス焼成し、焼成体を得た。そして、焼成
体の表面(外面)にセンタレス研磨加工を施すことによ
り、セラミックヒータを得た。
【0040】ここで、上述の一体射出成形体を作製する
にあたり、未焼成発熱抵抗体を射出成形により得るため
の射出成形用金型を調整することによって、未焼成発熱
抵抗体における方向転換部及び直線部の断面積、方向転
換部及び直線部の軸線方向における長さを種々に変更
し、各種試験品を作製した。それに同期して、絶縁性セ
ラミック基体を形成するための2個の半割型について
も、型合わせしたときの自身の外径(即ち、焼成後の絶
縁性セラミック基体の外径)、さらには未焼成発熱抵抗
体における方向転換部及び直線部の断面積等を種々に変
更した各種試験品に対応するために、造粒物が圧粉され
た分割面における凹部の位置や深さを種々に調整するよ
うにした。そして、実験例1〜5及び11〜12として
図3に示す発熱抵抗体の断面積が概略一定のセラミック
ヒータを、実験例6〜10及び13として図1及び図2
に示す発熱抵抗体の断面積が途中で変化するセラミック
ヒータを準備した(各部寸法は表1参照)。
【0041】その後、ホットプレス焼成及び表面研磨を
行って得られた各種試験品のセラミックヒータに対し
て、絶縁性セラミック基体の表面における最高発熱部分
が1350℃になるように、リード線を介して発熱抵抗
体に通電を行い、その最高発熱部分における絶縁性セラ
ミック基体の径方向への断面をとった。尚、発熱抵抗体
の断面積が途中で変化する場合、具体的には直線部が方
向転換部よりも大きな断面積を有する場合には、発熱抵
抗体に通電を行った際の基体の表面側における最高発熱
部分の断面をとれば、発熱抵抗体の抵抗値の大きさが異
なるために、方向転換部を含む形の断面(以下、この部
分の断面を前方側の断面とする。)となる。また、方向
転換部よりも断面積が大きい直線部については、リード
線の先端との界面を、基体の径方向の断面をとる箇所と
する(以下、この部分の断面を後方側の断面とす
る。)。
【0042】そして、各種試験品において、絶縁性セラ
ミック基体の断面積(SA)と、この基体と発熱抵抗体
との合計断面積(S)との比(SA/S)(実験例1〜
5及び11〜12)、並びに発熱抵抗体と基体との合計
断面積(S)から前方側の断面及び後方側の断面の各々
における発熱抵抗体の断面積(SA1、SA2)を差し引い
た値(即ち、それぞれの位置における絶縁性セラミック
基体の断面積)と、合計断面積(S)との比[(S−S
A1)/S、(S−SA2)/S]、及び方向転換部、直線
部の各々の軸線方向における長さの関係[L1/(L1
2)](図2参照)(実験例6〜10及び13)を算
出した。これらの値を表1に示す。尚、表1において*
は本発明の範囲外であることを表わす。
【0043】(4)熱引き、消費電力及び昇温性能の評
価 表1に示す13種類の試験品(セラミックヒータ)を組
み込んだグロープラグを作製し、熱引きを評価するた
め、固定筒のヒータの後端部側の端面の温度を測定し
た。また、絶縁性セラミック基体の表面における最高発
熱部分が1350℃になるように電圧を調整して発熱抵
抗体に通電し、その時の電圧・電流値から消費電力を算
出した。尚、昇温性能は、11Vの直流電圧を5秒間印
加した場合の最高発熱部分の温度で評価した。これが9
00℃以上であれば良好な昇温性能を示し、950℃以
上であれば特に昇温性能に優れるといえる。これらの結
果を表1に併記する。この表1におけるSはヒータの断
面積であり、括弧内(即ちφ)は外径である。
【0044】
【表1】
【0045】表1の結果によれば、SA/Sが0.42
である実験例1では、固定筒端面温度が高く、固定筒及
び主体金具への熱引きが多く、消費電力は60Wを越
え、絶縁性セラミック基体の表面における最高発熱部分
を1350℃にまで昇温させるのに多くの電力を要する
ことが分かる。また、SA/Sが0.99である実験例
5では、固定筒への熱引きも電力消費も少ないが、昇温
性能に劣っている。一方、SA/Sが0.50〜0.9
5である実験例2〜4では、固定筒への熱引きも電力消
費も少なく、且つ優れた昇温性能を有するセラミックヒ
ータが得られていることが分かる。
【0046】更に、前方側の断面における発熱抵抗体
(方向転換部)の断面積(SA1)と後方側の断面におけ
る発熱抵抗体(直線部)の断面積(SA2)との関係が
(SA1)<(SA2)であって、L1/(L1+L2)が
0.9である実験例10では、実験例6〜9と比べて昇
温性能がやや劣るものの、固定筒への熱引き及び消費電
力の点では十分に優れている。また、SA1<SA2(SA2
はSA1の4.8倍である。)であり、L1/(L1
2)が0.05と小さい実験例6、及びSA1<SA2
あり、L1/(L1+L2)が0.1〜0.8である実験
例7〜9では、固定筒への熱引きも消費電力も少なく、
昇温性能にも優れていることが分かる。
【0047】また、実験例11〜13のように断面積
(外径)の小さいヒータの場合は、固定筒への熱引き及
び消費電力をより低減することができ、十分な昇温性能
を有するセラミックヒータとすることができる。尚、実
験例13においてSA2はSA1の約2.7倍であり、外径
の小さいヒータでは、このようにSA2に対するSA1の倍
率が小さくても、消費電力の低減及び昇温特性の向上の
効果が十分に奏される。
【0048】尚、本発明では、上記の具体的な実施例に
限られず、本発明の範囲内で種々変更した実施例とする
ことができる。例えば、発熱抵抗体の横断面は曲率の小
さい円弧状としてもよいし、曲率の大きい円弧状とする
ことができ、必ずしも滑らかな円弧ではなく凹凸等を有
する形状であってもよい。また、この横断面の形状は楕
円形であってもよい。
【0049】
【発明の効果】本発明によれば、セラミックヒータの特
に表面近傍を均等に、且つ効率よく発熱させることがで
き、ヒータを所定温度に速やかに昇温させることができ
る。また、要する消費電力を低減させることができる。
このセラミックヒータをグロープラグ、バーナ等の加熱
源、或いは酸素センサ等の加熱源として使用すれば、燃
料の着火、センサの活性化のための昇温などを容易に行
うことができる。
【0050】また、このセラミックヒータをグロープラ
グに使用することにより、高温でのアフターグローを消
費電力を低減して行うことができる。更に、発熱抵抗体
の組成が単一、構造が簡易であるため、その製造に煩雑
な工程を必要としないため耐久性及び信頼性の高いグロ
ープラグとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】発熱抵抗体の断面積が一対の直線部において変
化しているセラミックヒータを説明するための軸線方向
における断面図である。
【図2】図1における先端部側を拡大して示す断面図で
ある。
【図3】発熱抵抗体の断面積が略一定であるセラミック
ヒータを説明するための軸線方向における断面図であ
る。
【図4】セラミックヒータを組み込んだグロープラグの
軸線方向における断面図である。
【図5】楕円状の断面を有する発熱抵抗体が埋設された
絶縁性セラミック基体の断面を説明するための断面図で
ある。
【図6】半月状の断面を有する発熱抵抗体が埋設された
絶縁性セラミック基体の断面を説明するための断面図で
ある。
【符号の説明】
1;セラミックヒータ、11;基体、12;発熱抵抗
体、12a;方向転換部、12b;一対の直線部、13
a、13b;リード線、C;仮想円、2;グロープラ
グ、21;金属製の固定筒、22;主体金具、23;取
り付けねじ部、24;リードコイル、25;中軸、2
6;端子金具。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 3/48 H05B 3/48

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 軸線方向に延びる絶縁性セラミック基体
    と、該絶縁性セラミック基体に埋設される導電性セラミ
    ックからなる発熱抵抗体とを備えるセラミックヒータで
    あって、上記発熱抵抗体は、一方の基端部から延び方向
    転換して他方の基端部へ至る方向転換部と、該方向転換
    部の各基端部から同方向に延びる一対の直線部とを有
    し、上記方向転換部が上記絶縁性セラミック基体の先端
    部側に向くように位置しており、上記絶縁性セラミック
    基体の径方向への断面をとったときに、上記絶縁性セラ
    ミック基体の断面積(SA)と、該絶縁性セラミック基
    体と上記発熱抵抗体との合計断面積(S)との比(SA
    /S)が0.50≦SA/S<0.99であることを特
    徴とするセラミックヒータ。
  2. 【請求項2】 上記比が0.80≦SA/S<0.95
    である請求項1記載のセラミックヒータ。
  3. 【請求項3】 上記一対の直線部は、上記方向転換部の
    上記各基端部から同方向に延びるとともに該方向転換部
    より大きい断面積を有する一方、上記直線部のそれぞれ
    の上記基端部側には一端部が埋設される形でリード線が
    接続されており、上記発熱抵抗体のうちで、上記方向転
    換部の先端から基端までの上記軸線方向における長さを
    (L1)、該方向転換部の基端から上記直線部に埋設さ
    れる上記リード線の先端までの上記軸線方向における長
    さを(L2)とした場合に、0.1≦L1/(L1+L2
    ≦0.8を満たす請求項1又は2に記載のセラミックヒ
    ータ。
  4. 【請求項4】 上記合計断面積(S)が9.08mm2
    未満である請求項1乃至3のうちのいずれか1項に記載
    のセラミックヒータ。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4のうちのいずれか1項に
    記載のセラミックヒータを備えることを特徴とするグロ
    ープラグ。
JP2001088350A 2001-03-26 2001-03-26 セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ Pending JP2002289327A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001088350A JP2002289327A (ja) 2001-03-26 2001-03-26 セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001088350A JP2002289327A (ja) 2001-03-26 2001-03-26 セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002289327A true JP2002289327A (ja) 2002-10-04

Family

ID=18943458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001088350A Pending JP2002289327A (ja) 2001-03-26 2001-03-26 セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002289327A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006073468A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Ngk Spark Plug Co Ltd ヒータ用成形体及びセラミックヒータ
WO2007108490A1 (ja) 2006-03-21 2007-09-27 Ngk Spark Plug Co., Ltd. セラミックヒータ及びグロープラグ
JP2008235034A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミックヒータ及びグロープラグ
JPWO2007108491A1 (ja) * 2006-03-21 2009-08-06 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及びグロープラグ
WO2016103908A1 (ja) * 2014-12-25 2016-06-30 京セラ株式会社 ヒータおよびこれを備えたグロープラグ
CN114388400A (zh) * 2020-10-16 2022-04-22 日本碍子株式会社 晶片载置台

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006073468A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Ngk Spark Plug Co Ltd ヒータ用成形体及びセラミックヒータ
JP4555641B2 (ja) * 2004-09-06 2010-10-06 日本特殊陶業株式会社 グロープラグ
WO2007108490A1 (ja) 2006-03-21 2007-09-27 Ngk Spark Plug Co., Ltd. セラミックヒータ及びグロープラグ
JPWO2007108491A1 (ja) * 2006-03-21 2009-08-06 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及びグロープラグ
US8013278B2 (en) 2006-03-21 2011-09-06 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic heater and glow plug
JP5027800B2 (ja) * 2006-03-21 2012-09-19 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及びグロープラグ
JP2008235034A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミックヒータ及びグロープラグ
WO2016103908A1 (ja) * 2014-12-25 2016-06-30 京セラ株式会社 ヒータおよびこれを備えたグロープラグ
JP6023389B1 (ja) * 2014-12-25 2016-11-09 京セラ株式会社 ヒータおよびこれを備えたグロープラグ
CN107211492A (zh) * 2014-12-25 2017-09-26 京瓷株式会社 加热器以及具备其的电热塞
CN107211492B (zh) * 2014-12-25 2020-09-04 京瓷株式会社 加热器以及具备其的电热塞
CN114388400A (zh) * 2020-10-16 2022-04-22 日本碍子株式会社 晶片载置台

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5292317B2 (ja) セラミックヒータ及びグロープラグ
JP3411498B2 (ja) セラミックヒータ、その製造方法、及びセラミックグロープラグ
JP4851570B2 (ja) グロープラグ
JP3766786B2 (ja) セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ
JPH10300085A (ja) セラミックヒータおよびセラミックグロープラグ
JP2002299012A (ja) セラミックヒータ及びその製造方法、グロープラグ及びイオン電流検出装置
JP4092172B2 (ja) セラミックヒータの製造方法及びグロープラグの製造方法
JP5438961B2 (ja) セラミックヒータ及びグロープラグ
JP3889536B2 (ja) セラミックヒータ及びその製造方法、並びに該セラミックヒータを備えるグロープラグ
JP4699816B2 (ja) セラミックヒータの製造方法及びグロープラグ
JP4546756B2 (ja) セラミックヒータおよびグロープラグ
JP2006024394A (ja) セラミックヒータおよびグロープラグ
JP2002289327A (ja) セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ
JP3664567B2 (ja) セラミックヒータおよびセラミックグロープラグ
JP2004061041A (ja) セラミックグロープラグ
JP4803651B2 (ja) セラミックヒータの製造方法およびグロープラグの製造方法
JP3962216B2 (ja) セラミックヒータ及びこれを備えるグロープラグ
JP3807813B2 (ja) セラミックヒータ及びセラミックグロープラグ
JP3160226B2 (ja) セラミックヒータ
JP3874581B2 (ja) セラミックヒータ及びこれを用いたグロープラグ
JP3689526B2 (ja) セラミックヒータ
JP2001132947A (ja) セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ
JP4597352B2 (ja) セラミックヒータ
JP4262847B2 (ja) セラミックヒータ及びそれを備えるグロープラグ
JP2002299010A (ja) セラミックヒータ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051011

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070724

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070920

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080205