JP3839174B2 - セラミックヒータの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミックヒータに関し、例えばセラミックグロープラグ等に使用されるセラミックヒータ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、セラミックグロープラグ等に使用されるセラミックヒータとして、絶縁性のセラミック基体に対し、セラミック導電材料で構成された抵抗発熱体を埋設した構造を有するものが知られている。ここで、抵抗発熱体中に含まれる導電性セラミック成分としては、遷移金属元素の珪化物(例えば二珪化モリブデン(MoSi2))が、短時間で飽和温度に到達する速熱性を有しており、機関の始動性を向上できることから、近年広く用いられるようになってきている。
【0003】
ところで、上述のようなセラミックヒータは一般に、導電性セラミック粉末を含有するセラミック原料粉末に、有機結合剤を所定量配合してこれを所定の抵抗発熱体形状に成形した発熱体成形体を、セラミック基体の原料粉末の成形体に埋設した複合成形体を作り、その複合成形体を所定の温度で焼成することにより製造されている。ここで、セラミック抵抗発熱体中の導電性セラミック成分が例えばMoSi2である場合、焼成時にMoSi2原料粉末が変質しないよう、その焼成雰囲気を適宜調整することが重要である。例えば、特公平4−4715号公報には、基質(マトリックス)がSi3N4であり、導電性セラミック成分がMoSi2であるセラミック抵抗発熱体を、窒素を含まない非酸化雰囲気(真空雰囲気を含む)又は窒素分圧が0.3気圧以下の窒素含有非酸化雰囲気中で焼成する技術が開示されている。該公報には、焼成雰囲気を上述のようなものとする理由として、Si3N4とMoSi2との混合体を0.3気圧以上の窒素分圧下で焼成すると、MoSi2の多くがMo5Si3に変質し、得られるセラミック抵抗発熱体の昇温特性が低下することが挙げられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らが鋭意検討した結果、遷移金属珪化物を含有するセラミック抵抗発熱体の場合、焼成時の雰囲気を調整するのみでは金属珪化物の変質が必ずしも十分抑制されず、昇温特性が低下したり、電気抵抗値がばらついたりするなど、健全な抵抗発熱体が得られない場合もあることが判明した。
【0005】
本発明の課題は、抵抗発熱体中の導電性セラミック成分が主に遷移金属珪化物からなるセラミックヒータについて、含有される金属珪化物の変質を抑制して良好な特性が得られるセラミックヒータの製造方法と、それによって得られるセラミックヒータとを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用・効果】
本発明は、含有される導電性セラミック相が主に、金属元素成分がTa、Nb、Ti、Mo、Zr、Hf、V及びCrの1種又は2種以上を主体とする金属珪化物によって構成されるセラミック抵抗発熱体を、セラミック基体中に埋設した構造を有するセラミックヒータの製造方法に関するものであり、上記課題を解決するために、次のような特徴を有する。すなわち、導電性セラミック相となるべき導電性セラミック粉末を含有するセラミック原料粉末に、炭素を含有する成形助剤を所定量配合してこれを所定の抵抗発熱体形状に成形した発熱体成形体を、セラミック基体の原料粉末の成形体である基体成形体中に埋設した複合成形体を作り、その複合成形体を1700℃以上に設定される焼成温度にて焼成する。該焼成により、発熱体成形体はセラミック抵抗発熱体となり、基体成形体はセラミック基体となる。そして、本発明のセラミックヒータの製造方法の第一においては、焼成温度まで昇温する過程において複合成形体を、2×10−4〜1.0torr(3×10 −2 〜1.3×10 2 Pa)の酸素分圧を有する酸素含有雰囲気と、1200℃以上の温度で7分以上接触させる。
【0007】
また、本発明のセラミックヒータの製造方法の第二においては、2×10−4〜1.0torr(3×10 −2 〜1.3×10 2 Pa)の酸素分圧を有する酸素含有雰囲気と接触させることにより、焼成により得られるセラミック抵抗発熱体中の炭素成分含有量を3000ppm以下に減少させる。
【0008】
なお、炭素を含有する成形助剤は、例えばワックスやポリプロピレン等の有機結合剤であり、このほか必要に応じて各種有機添加剤を配合することができる。
【0009】
成形体中に有機結合剤等の成形助剤が含有される場合、焼成温度まで昇温する前に、成形助剤を分解あるいは蒸発させて炭素成分の残留をなるべく少なくすることが、得られる抵抗発熱体の特性を向上させる上で重要である。そして、従来は、導電性セラミック成分の酸化変質を抑制する観点から、焼成保持時の雰囲気と同様に昇温時の雰囲気も、高真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気など非酸化雰囲気にて行うことが望ましいと考えられていた。
【0010】
しかしながら、本発明者らが詳細に検討したところによると、成形体の昇温を上述のような非酸化雰囲気にて行った場合、成形助剤に由来する炭素成分を必ずしも十分に除去することができず、一定量の炭素が、得られる焼成体中に不可避的に残留してしまうことがわかった。そして、このように炭素成分が残留すると、セラミック抵抗発熱体中の金属硅化物が金属炭珪化物(例えば、原料となる導電性セラミック粉末がMoSi2である場合、Mo4.8Si3C0.6等の非化学量論的炭珪化物)等に転化して、セラミック抵抗発熱体の昇温特性が低下したり、電気抵抗値がばらついたりする問題を生ずる。
【0011】
そこで、上記本発明の製造方法においては、複合成形体を非酸化雰囲気ではなく、金属珪化物の極端な酸化は生じず、かつ成形助剤に由来する炭素成分は酸化されるような適度な酸化雰囲気、具体的には2×10−4〜1.0torr(3×10 −2 〜1.3×10 2 Pa)の酸素分圧を有する酸素含有雰囲気中にて昇温する点に特徴がある。このような酸化雰囲気中にて昇温することにより、成形体中の炭素成分の酸化除去を促進することができ、ひいてはセラミック抵抗発熱体中の金属珪化物の炭素との反応に基づく変質を極めて効果的に抑制することが可能となる。その結果、セラミック抵抗発熱体の昇温特性が良好で、また電気抵抗値のばらつきも少ないセラミックヒータを得ることができる。
【0012】
焼成により得られるセラミック抵抗発熱体中の炭素成分は、上記のような酸化雰囲気中での昇温により減少させることができるが、最終的に得られるセラミック抵抗発熱体中の炭素成分は、3000ppm以下となっていることがよい。セラミック抵抗発熱体中の炭素成分含有量を3000ppm以下とすることにより、金属炭珪化物等の形成を抑制できるので、セラミック抵抗発熱体の昇温特性が向上し、電気抵抗値のばらつきも生じにくくなる。なお、炭素成分含有量は望ましくは2000ppm以下とするのがよい。
【0013】
昇温時の酸素含有雰囲気中の酸素分圧が、2×10−4torr(3×10 −2 Pa)未満になると、炭素成分の酸化除去が進みにくくなり、セラミック抵抗発熱体中の炭素残留量が多くなって金属珪化物が変質することにつながる。一方、雰囲気中の酸素分圧が1.0torr(1.3×10 2 Pa)を超えると、金属珪化物の酸化が激しくなり、セラミック抵抗発熱体の昇温特性が却って低下することにつながる。従って上記酸素分圧は、2×10−4〜1.0torrとするのがよく、より望ましくは3×10−3〜5×10−2torrの範囲で調整するのがよい。
【0014】
上記酸素含有雰囲気中で複合成形体を昇温する際には、酸素含有雰囲気と接触させる温度を1200℃以上とするのがよい。酸素含有雰囲気と接触させる温度が1200℃未満になると炭素成分の除去が不十分となり、金属硅化物の変質につながる。また、酸素含有雰囲気と接触させる時間は7分以上確保されていることが望ましい。該接触時間が7分未満では、やはり炭素成分の除去が不十分となる。なお、接触時間の上限は、製造能率の低下を招かない範囲にて適宜設定すればよい。また、複合成形体は、例えば1200℃以上で酸素含有雰囲気と7分以上接触させる前提の上で、さらに1350℃以上で2分以上の接触時間が確保されていることが望ましい。
【0015】
なお、複合成形体と酸素含有雰囲気との接触は、複合成形体を所定の速度で昇温しながら行ってもよいし、一定の温度に保持しながら行ってもよいし、さらには両者が混在した所定の加熱パターンにて昇温しながら行ってもよい。例えば、ある雰囲気開始温度からそれよりも高温の雰囲気終了温度まで、複合成形体を一定の温度で加熱しつつ酸素含有雰囲気と接触させることができる。この場合、雰囲気開始温度及び終了温度と、昇温速度とは、1200℃以上における酸素含有雰囲気との接触時間が7分以上確保されるように適宜設定される。他方、1200℃から焼成温度までの温度区間で、酸素含有雰囲気と接触させつつ複合成形体を略一定の温度に所定時間キープする処理を行ってもよい。これにより、炭素成分の除去をよさらに促進できる場合がある。このキープ温度は、1200〜1500℃の範囲で設定するのがよい。キープ温度が1500℃を超えると、成形体の焼結が進行して炭素成分の除去が妨げられ、温度キープによる効果がそれほど顕著でなくなる。なお、該キープ温度は、望ましくは1350〜1500℃の範囲で設定するのがよい。
【0016】
他方、複合成形体を例えば室温から昇温する場合、その昇温開始時から上記酸素分圧となるように雰囲気を調整してもよいが、炭素成分と金属硅化物との反応がそれほど顕著に進行しない低温域(例えば800℃程度まで)を、酸素分圧が上記範囲から外れる雰囲気(例えば酸素分圧が2×10−4torr未満の雰囲気)にて昇温するようにしてもよい。
【0017】
上記のような本発明の効果は、発熱体成形体に使用するセラミック原料粉末が、前述の導電性セラミック粉末と、Si3N4粉末又はAlN粉末とを含有するものである場合に特に顕著に達成される。この場合、得られるセラミック抵抗発熱体は、Si3N4又はAlNを主体とするマトリックスセラミック相中に導電性セラミック相が分散した構造を有するものとなる。また、導電性セラミック相は、MoSi2を主体に構成することにより、耐熱性に優れたセラミック抵抗発熱体が実現される。この場合、導電性セラミック粉末として、MoSi2を主体とする粉末を使用することができる。
【0018】
次に、焼成の雰囲気は、含有される金属硅化物の酸化が過度に進行しない雰囲気であればよく、例えば酸素分圧が1torr以下の減圧雰囲気、ヘリウムやアルゴン等の不活性ガス雰囲気、さらには窒素雰囲気を採用することができる。
【0019】
例えば、複合成形体を前記焼成温度にて焼成する際には、その焼成の雰囲気として窒素分圧が0.5気圧以上の窒素雰囲気を使用することができる。前述の特公平4−4715号公報には、Si3N4とMoSi2との混合体を0.3気圧以上の窒素分圧下で焼成すると、MoSi2の多くがMo5Si3に変質する旨が記載されている。しかしながら、本発明者らは新たに検討した結果、焼成温度に到達するまでに、成形体中の炭素成分の除去を十分に行うことができれば、焼成雰囲気中の窒素分圧を0.3気圧以上としてもMoSi2のMo5Si3への変質がほとんど生じないことが判明した。そして、Si3N4又はAlNを主体とするマトリックスセラミック相中に導電性セラミック相を分散させたものとしてセラミック抵抗発熱体を形成する場合には、焼成雰囲気中の窒素分圧を0.5気圧以上とすることで、導電性セラミック相中のSi3N4又はAlNの分解が抑制され、より高強度で電気抵抗ばらつきの小さいセラミックヒータが得られることも見い出したのである。
【0020】
発熱体成形体に使用するセラミック原料粉末中の導電性セラミック粉末の含有比率は、25〜70重量%とするのがよい。この場合、導電性セラミック相のセラミック抵抗発熱体に対する含有率も、ほぼ25〜70重量%となる。導電性セラミック相の該含有率が25重量%未満になると、発熱体の電気比抵抗が大きくなり過ぎて、十分な発熱が得られなくなる。一方、70重量%を超えると焼結が不十分となり、良好な発熱体が得られなくなる。
【0021】
セラミック抵抗発熱体中の炭素含有量を低減できる本発明の方法を採用することにより、以下に述べるような本発明のセラミックヒータを得ることができる。まず、その第一の構成は、導電性セラミック相として、金属元素成分がTa、Nb、Ti、Mo、Zr、Hf、V及びCrの1種又は2種以上を主体とする金属硅化物を含有するセラミック抵抗発熱体が、セラミック基体中に埋設された構造を有し、かつセラミック抵抗発熱体中の炭素成分含有量が3000ppm以下であることを特徴とする。セラミック抵抗発熱体中の炭素成分含有量を3000ppm以下とすることの臨界的意味は、すでに説明した通りである。該炭素成分含有量は望ましくは2000ppm以下とするのがよい。
【0022】
また、導電性セラミック相は、例えばMoSi2相を主体に構成することができる。この場合、セラミック抵抗発熱体中の炭素含有量が過剰に増大すると、このMoSi2相が炭珪化モリブデン相、例えばMo4.8Si3C0.6相に転化して、セラミック抵抗発熱体の昇温特性が低下したり、電気抵抗値がばらついたりする問題を生ずる場合がある。
【0023】
そこで、本発明のセラミックヒータの第二の構成は、導電性セラミック相が主にMoSi2によって構成されるセラミック抵抗発熱体をセラミック基体中に埋設した構造を有し、かつセラミック抵抗発熱体に対して、波長1.54Åの単色X線(例えばCuのKα1線)を用いたディフラクトメータ法により室温にてX線回折測定を行ったときに、ピーク位置における回折角θが44.5度<2θ<44.9度を満たす回折線ピークの強度をI1、同じく43.4度<2θ<43.8度を満たす回折線ピークの強度をI2として、I1/(I1+I2)の値が0.98以上であることを特徴とする。
【0024】
セラミック抵抗発熱体に対して上記のようなX線回折測定を行ったときに、抵抗発熱体中にMoSi2相が存在している場合には、回折角をθとして、44.6度<2θ<45.8度となる角度位置(例えば2θ=44.68度)に、該相に基づく比較的強い回折線ピーク(例えば、MoSi2相の(103)面に基づく回折線ピーク)が現われる。また、抵抗発熱体中にMo4.8Si3C0.6相が存在している場合には、同じく43.4度<2θ<43.8度となる角度位置(例えば2θ=43.58度)に、該相に基づく比較的強い回折線ピーク(例えば、Mo4.8Si3C0.6相の(112)面に基づく回折線ピーク)が現われる。この場合、I1/(I1+I2)の値は、セラミック抵抗発熱体中の、MoSi2相とMo4.8Si3C0.6相との総量に対するMoSi2相の存在比率を反映したものとなる。そして、セラミック抵抗発熱体中のMo4.8Si3C0.6相の形成量を、I1/(I1+I2)の値が0.98以上となるように低く抑えることにより、発熱体の昇温特性が向上し、電気抵抗値のばらつきも生じにくくなる。なお、I1/(I1+I2)の値は、望ましくは実質的に1、すなわちMo4.8Si3C0.6相は極力形成されていないのがよい。
【0025】
また、本発明のセラミックヒータの第三の構成は、セラミック抵抗発熱体に対してディフラクトメータ法により室温にてX線回折を行ったときに、MoSi2相の(103)面に基づく回折線のピーク強度をI1、同じくMo4.8Si3C0.6相の(112)面に基づく回折線のピーク強度をI2として、I1/(I1+I2)の値が0.98以上となることを特徴とする。セラミック抵抗発熱体中のMo4.8Si3C0.6相の形成量を、I1/(I1+I2)の値が0.98以上となるように低く抑えることにより、発熱体の昇温特性が向上し、電気抵抗値のばらつきも生じにくくなる。なお、I1/(I1+I2)の値は、望ましくは実質的に1、すなわちMo4.8Si3C0.6相は極力形成されていないのがよい。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に示す実施例を参照しつつ説明する。
図1は、本発明に製造方法によって製造されるセラミックヒータを使用したグロープラグを、その内部構造とともに示すものである。すなわち、グロープラグ50は、その一端側に設けられたセラミックヒータ1と、そのセラミックヒータ1の先端部2が突出するようにその外周面を覆う金属製の外筒3、さらにその外筒3を外側から覆う筒状の金属ハウジング4等を備えており、セラミックヒータ1と外筒3との間及び外筒3と金属ハウジング4との間は、それぞれろう付けにより接合されている。
【0027】
セラミックヒータ1の後端部には、金属線により両端が弦巻ばね状に形成された結合部材5の一端が外側から嵌合するとともに、その他端側は、金属ハウジング4内に挿通された金属軸6の対応する端部に嵌着されている。金属軸6の他方の端部側は金属ハウジング4の外側へ延びるとともに、その外周面に形成されたねじ部6aにナット7が螺合し、これを金属ハウジング4に向けて締めつけることにより、金属軸6が金属ハウジング4に対して固定されている。また、ナット7と金属ハウジング4との間には絶縁ブッシュ8が嵌め込まれている。そして、金属ハウジング4の外周面には、図示しないエンジンブロックにグロープラグ50を固定するためのねじ部5aが形成されている。
【0028】
セラミックヒータ1は、図2に示すように、一方の基端部から延び先端部で方向変換して他方の基端部へ至る方向変換部10aと、その方向変換部10aの各基端部から同方向に延びる2本の直線部10bとを有する略U字状のセラミック抵抗発熱体(以下、単に発熱体という)10を備え、その各両端部に線状又はロッド状の電極部11及び12の先端部が埋設されるとともに、発熱体10と電極部11及び12の全体が、円形断面を有する棒状のセラミック基体13中に埋設されている。発熱体10は、方向変換部10aがセラミック基体13の末端側に位置するように配置されている。
【0029】
セラミック基体13は、例えばSi3N4粉末に、Y2O3、Er2O3、Yb2O3、CaO、MgO等の希土類酸化物あるいはアルカリ土類金属酸化物からなる焼結助剤粉末を3〜15重量%の範囲で添加・混合して焼結したものである。
【0030】
また、発熱体10は、例えば導電性セラミック粉末としてのMoSi2粉末とSi3N4粉末との混合粉末に対し、セラミック基体13に使用されたものと同様の焼結助剤成分を、0.8〜10.5重量%の範囲で添加・混合して焼結したものであり、その焼結体組織は、Si3N4系基質(マトリックスセラミック相)中にMoSi2系粒子(導電性セラミック粒子:一部Mo5Si3となっていてもよい)が分散したものとなっている。さらに、発熱体10は、そのセラミック部分の炭素成分含有量が3000ppm以下、望ましくは2000ppm以下である。一方、電極部11及び12は、W、W−Re、Mo、Pt、ニオブ、ニクロム、タンタル等の金属線で構成される。
【0031】
図2において、セラミック基体13の表面には、その電極部12の露出部12aを含む領域に、ニッケル等の金属薄層(図示せず)が所定の方法(例えばメッキや気相製膜法など)により形成され、該金属薄層を介してセラミック基体13と外筒3とがろう付けにより接合されるとともに、電極部12がこれら接合部を介して外筒3と導通している。また、電極部11の露出部11aを含む領域にも同様に金属薄層が形成されており、ここに結合部材5がろう付けされている。このように構成することで、図示しない電源から、金属軸6(図1)、結合部材5及び電極部11を介して発熱体10に対して通電され、さらに電極部12、外筒3、金属ハウジング4(図1)、及び図示しないエンジンブロックを介して接地される。
【0032】
以下、セラミックヒータ1の製造方法について説明する。まず、図3(a)に示すように、発熱体10に対応したU字形状のキャビティ32を有した金型31に対し電極材30を、その一方の端部が該キャビティ32内に入り込むように配置する。そしてその状態で、MoSi2粉末、Si3N4を主成分とする粉末及び焼結助剤粉末とからなる原料セラミック粉末と、バインダ(有機結合剤)とを含有するコンパウンド33を射出することにより、同図(b)に示すように、電極材30とU字状の発熱体成形体34とが一体化された一体成形体35を作成する。なお、発熱体成形体34はほぼ円形の軸断面を有するように形成される。
【0033】
一方これとは別に、セラミック基体13を形成するセラミック粉末を予め金型プレス成形することにより、図4(a)に示すような、上下別体に形成された分割予備成形体36,37を用意しておく。なお、セラミック粉末としては、Si3N4粉末を主体として、これに3〜15重量%の焼結助剤粉末と、プレス成形のための若干のバインダを添加・混合したものが使用される。
【0034】
これら分割予備成形体36,37は、上記一体成形体35に対応した形状の凹部38がその合わせ面39aに形成されている。次いで、この凹部38に一体成形体35を収容し、分割予備成形体36,37を該型合わせ面39aにおいて型合わせする。そして、図5(a)に示すように、その状態でこれら分割予備成形体36,37及び一体成形体35を、金型61のキャビティ61a内に収容し、パンチ62,63を用いてプレス・圧縮することにより、図5(b)及び図6(a)に示すように、これらが一体化された複合成形体39が形成される。ここで、そのプレス方向は、分割予備成形体36,37の合わせ面39aに対しほぼ直角に設定される。
【0035】
こうして得られた複合成形体39は、まずバインダ成分等を除去するために所定の温度(例えば約600℃)で仮焼され、図6(b)に示す仮焼体39’とされる(なお、仮焼体は、広義の意味において複合成形体であるとみなす)。ただし、この仮焼体39’には、除去しきれなかったバインダ成分に由来する炭素成分が一定レベル以上で残留した形になっている。
【0036】
続いて図5(b)に示すように、この仮焼体39’が、グラファイト等で構成されたホットプレス用成形型65,66のキャビティ65a,66aにセットされる。仮焼体39’は、減圧雰囲気焼成炉64(以下、単に炉64という)内で両成形型65及び66の間で加圧されながら所定の焼成保持温度(1700℃以上:例えば約1800℃前後)で焼成されることにより、図6(c)に示すような焼成体70となる。このとき、図4(b)に示す発熱体成形体34が発熱体10を、分割予備成形体36,37がセラミック基体13をそれぞれ形成することとなる。また、各電極材30はそれぞれ電極部11及び12となる。
【0037】
ここで、仮焼体39’(複合成形体39)が焼成される上記炉64内の雰囲気であるが、上記焼成温度まで昇温する過程において炉内へ酸素を導入し、仮焼体をその酸素含有雰囲気と接触させる。炉内への酸素の導入は、例えば室温付近の昇温開始時から行い、焼成温度付近まで上記酸素含有雰囲気を維持するようにしてもよいし、ある程度昇温した所定の温度にて酸素を導入するようにしてもよい。この酸素雰囲気との接触により、仮焼体39’中の炭素成分の除去が進行する。炭素成分の除去を効果的に進行させるには、2×10−4〜1.0torr(望ましくは3×10−3〜5×10−2torr)の酸素分圧を有する酸素含有雰囲気を形成し、この酸素含有雰囲気に仮焼体39’を1200℃以上で少なくとも7分以上接触させることが望ましい。また、より望ましくは、1350℃以上で2分以上の接触時間が確保するようにする。
【0038】
なお、炉内へ酸素を導入する方法としては、例えば炉内を真空ポンプにより単に所定の圧力まで減圧吸引し、リークにより炉内へ混入する大気中の酸素を利用する形で行うことができる(この場合、酸素とともに窒素や水蒸気等の大気中の気体成分も導入される形となる)。一方、より精密に酸素分圧を調整したい場合には、一旦炉内を例えば10−5torr程度以下の高真空状態に減圧吸引し、その状態で所定流量の酸素を炉内に流通する形としてもよい。一方、より簡易な方法として、窒素あるいはアルゴン等の不活性ガス中に所期の酸素分圧となるように酸素を混合し、この混合ガスを炉64内に流通するようにしてもよい。
【0039】
そして、温度が上記目標温度以上になれば、焼成保持温度に到達するまでの間に炉64内に窒素を導入し、炉内の窒素分圧を0.5torr以上として、仮焼体39’を焼結する。
【0040】
仮焼体39’は、図6(b)に示すように、分割予備成形体36及び37の合わせ面39aに沿う方向に圧縮されながら焼成体70となる。そして、図6(c)に示すように、発熱体成形体34の直線部34bは、その円状断面が上記圧縮方向につぶれるように変形することにより、楕円状断面を有した発熱体10の直線部10bとなる。次いで、図6(d)に示すように、焼成体70の外周面に研磨等の加工を施すことにより、セラミック基体13の断面が円形に整形されて最終的なセラミックヒータ1となる。
【0041】
このように、炉64内において仮焼体39’を、上記範囲の酸素分圧を有する一種の酸化雰囲気中にて昇温することにより、残留している炭素成分の酸化除去を促進することができ、ひいては発熱体10中の炭素成分含有量を3000ppm以下(望ましくは2000ppm以下)とすることができる。これにより、発熱体10中のMoSi2相の炭素との反応に基づく変質が極めて効果的に抑制され、Mo4.8Si3C0.6相等の炭珪化モリブデン相の形成が抑制されるので、昇温特性が良好で、また電気抵抗値のばらつきも少ない発熱体を得ることができる。
【0042】
例えばMoSi2と炭素とが反応してMo4.8Si3C0.6相が形成される場合を考えると、上記セラミックヒータ1中のMo4.8Si3C0.6相の形成量は、下記の条件を満足するものとされる。すなわち、セラミックヒータ1の発熱体10に対して、入射X線としてCuのKα1線(波長:約1.54Å)を用いてディフラクトメータ法によりX線回折測定を行った場合に、ピーク位置における回折角θ(単位:度)が44.5度<2θ<44.9度を満たす回折線ピーク(MoSi2相の(103)面に基づく回折線ピーク)の強度をI1、同じく43.4度<2θ<43.8度を満たす回折線ピーク(Mo4.8Si3C0.6相の(112)面に基づく回折線ピーク)の強度をI2として、I1/(I1+I2)の値が0.98以上(望ましくは実質的に1)とされる。
【0043】
なお、図7に示すように、セラミック基体粉末の成形体に対し、導電性セラミック粉末のペーストを用いて発熱体形状をパターン印刷し、これを焼成することによりその印刷パターンを焼結して、抵抗発熱体10とするようにしてもよい。
【0044】
【実施例】
まず、発熱体用原料粉末を次のようにして調製した。すなわち、平均粒径1μmのMoSi2粉末40重量部に対し、窒化珪素(Si3N4)粉末54重量部と、焼結助剤としてのEr2O3粉末を6重量部とを配合し、ボールミルを用いて溶媒とともに50hr湿式混合した。次に、これにより得られる泥漿を150℃で12hr乾燥後、その乾燥後の粉末90重量部に対し有機結合剤としてのポリプロピレン及びワックスを10重量部添加してコンパウンドを作成し、ペレットにこれを造粒した。さらに、この造粒ペレットを用いて図3(a)に示すように射出成形し、同図(b)に示す一体成形体35を作成した。
【0045】
次に、セラミック基体用原料粉末は下記のようにして調製した。まず、平均粒径0.7μmのSi3N4粉末90重量部に対し、焼結助剤としてのEr2O3粉末を10重量部配合し、これをボールミルにて湿式粉砕した。そして、これに所定量のバインダーを添加した後、スプレードライ法により乾燥させてセラミック基体用原料粉末とした。
【0046】
次いで上記原料粉末を用いて前述の方法により、図4(a)に示す分割予備成形体36,37を作成し、さらにこれと前述の一体成形体35とを前述の方法により一体プレス成形して、図5(a)及び図6(a)に示す複合成形体39を形成した。この複合成形体39を約600℃で仮焼して図6(b)に示す仮焼体39’とし、さらにこれを各種条件で焼成して外面を研磨・整形することにより、直径3.5mmのセラミックヒータとした。なおセラミックヒータは、各焼成条件につき10個ずつ作製した。
【0047】
焼成は、焼成温度を1800℃に設定するとともに、表1に示す試料番号1〜12については室温(25℃)からその焼成温度までを平均昇温速度35℃/分で昇温した。また、昇温時の炉内の雰囲気は、所定の雰囲気開始温度から雰囲気終了温度までの温度区間を、各種分圧の酸素、窒素又はアルゴン雰囲気(以下、昇温時雰囲気という)とした。他方、室温(25℃)よりも高温に雰囲気開始温度が設定されるものについては、室温からその雰囲気終了温度までの温度区間を、2×10−5torrの真空雰囲気とした。また、雰囲気終了温度に到達した後は、炉64内を、目標温度までの昇温時とは同一又は異なる各種雰囲気(以下、焼成雰囲気という)とし、さらに温度を焼成温度である1800℃まで昇温して、300kgf/cm2の条件でホットプレス焼成を30分行った後、炉冷した。なお、試料番号13においては、雰囲気終了温度である1450℃にて、表に示す昇温時雰囲気にて10分間のキープを行っている(キープ区間を除く昇温区間の平均昇温速度は35℃/分である)。なお、表中には、1200℃以上にて試料を昇温時雰囲気と接触させる時間τ1200(単位:分)と、同じく1350℃以上にて試料を昇温時雰囲気と接触させる時間τ1350(単位:分)とをそれぞれ示している。
【0048】
【表1】
【0049】
こうして得られたセラミックヒータの抵抗発熱体の組成は、炭素の含有量を化学分析により求めた。また、セラミックヒータに研磨加工を施して研磨面に抵抗発熱体の一部を露出させ、該研磨面に対して入射X線としてCuのKα1線(波長:約1.54Å)を入射させることにより、ディフラクトメータ法により室温にてX線回折測定を行い、得られたX線回折強度プロファイルから抵抗発熱体中に生成している各相を同定した。なお、得られたX線回折強度プロファイルにおいて、2θ=44.68度の回折線ピークの強度I1と、2θ=43.58度の回折線ピークの強度I2とを読み取り、I1/(I1+I2)の値を算出した。他方、各セラミックヒータの電気抵抗値を室温にて直流ブリッジ法により測定し、各焼成条件毎に10個の平均値と標準偏差とを求めた。結果を表2に示す。
【0050】
【表2】
【0051】
すなわち、昇温時雰囲気を2×10−2torrの酸素含有雰囲気とし、1200℃以上におけるその酸素含有雰囲気との接触時間を7分以上確保した試料(番号2〜4、6、8、11、13)については、発熱体の炭素含有量が少なく、発熱体中の電気抵抗値の標準偏差も小さくなっていることがわかる。また、I1/(I1+I2)の値からMoSi2相もほとんど変質を受けていないことがわかる。なお、昇温時雰囲気を酸素含有雰囲気としても、1200℃以上におけるその酸素含有雰囲気との接触時間が7分以上確保されない場合(試料番号1、12)については、発熱体の炭素含有量が多くなっている。
【0052】
他方、昇温雰囲気中の酸素分圧を変化させた場合は、酸素分圧が2×10−4torrを下回ると発熱体の炭素含有量が急増し(試料番号5)、逆に1.0torrを上回るとMoSi2が酸化分解を起こしていることがわかる(試料番号7)。前者は、電気抵抗値の標準偏差の増大を、後者は発熱体の導電性喪失を招いている。なお、昇温雰囲気を窒素雰囲気ないしアルゴン雰囲気とした場合も、発熱体の炭素含有量が多くなっていることがわかる(試料番号9、10)。
【0053】
なお、図8〜図10は、代表的な試料について得られたX線回折強度プロファイルを示している。各図中、■はSi3N4相、×はMo4.8Si3C0.6相、○はMoSi2相の各回折線ピークを示している。また、H1は2θ=44.68度の回折線ピーク(MoSi2相の(103)面での回折に基づく)であり、H2は2θ=43.58度の回折線ピーク(Mo4.8Si3C0.6相の(112)面での回折に基づく)である。まず、図8は、1200℃以上における酸素含有雰囲気との接触時間が7分に満たない試料番号1の試料のプロファイルを示している。MoSi2相とMo4.8Si3C0.6相とが混在していることがわかる。発熱体中の炭素含有量が増大したために、MoSi2相と炭素成分とが反応してMo4.8Si3C0.6相を生成したものと思われる。また、図9は、上記接触時間を8分以上確保した試料番号3の試料のプロファイルを示している。MoSi2相とSi3N4相との回折線ピークのみが見られ、Mo4.8Si3C0.6相はほとんど生成していないことがわかる。他方、図10は、昇温をアルゴン雰囲気で行った試料番号10(本発明の範囲外)のプロファイルを示している。試料1と同様に、MoSi2相とMo4.8Si3C0.6相とが混在していることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセラミックヒータを採用したグロープラグの一例を示す正面部分断面図。
【図2】そのセラミックヒータの正面断面図。
【図3】セラミックヒータの製造工程説明図。
【図4】図3に続く工程説明図。
【図5】図4に続く工程説明図。
【図6】本発明のセラミックヒータの製造方法における、複合成形体及び焼成体の断面形状変化を示す模式図。
【図7】本発明のセラミックヒータの別の実施例を示す断面図。
【図8】実施例の試料番号1の試料について得られたX線回折強度プロファイル。
【図9】同じく試料番号3の試料について得られたX線回折強度プロファイル。
【図10】同じく試料番号10の試料について得られたX線回折強度プロファイル。
【符号の説明】
1 セラミックヒータ
10 セラミック抵抗発熱体
13 セラミック基体
Claims (7)
- 含有される導電性セラミック相が主に、金属元素成分がTa、Nb、Ti、Mo、Zr、Hf、V及びCrの1種又は2種以上を主体とする金属珪化物によって構成されるセラミック抵抗発熱体を、セラミック基体中に埋設した構造を有するセラミックヒータの製造方法であって、
前記導電性セラミック相となるべき導電性セラミック粉末を含有するセラミック原料粉末に、炭素成分を含有する成形助剤を所定量配合してこれを所定の抵抗発熱体形状に成形した発熱体成形体を、前記セラミック基体の原料粉末の成形体である基体成形体中に埋設した複合成形体を作り、その複合成形体を1700℃以上に設定される焼成温度にて焼成するとともに、
前記焼成温度まで昇温する過程において前記複合成形体を、3×10−2〜1.3×102Paの酸素分圧を有する酸素含有雰囲気と接触させることにより、焼成により得られる前記セラミック抵抗発熱体中の炭素成分含有量を3000ppm以下に減少させることを特徴とするセラミックヒータの製造方法。 - 前記焼成温度まで昇温する過程において前記複合成形体を、3×10−2〜1.3×102Paの酸素分圧を有する前記酸素含有雰囲気と、1200℃以上の温度で7分以上接触させる請求項1記載のセラミックヒータの製造方法。
- 前記焼成温度まで昇温する過程において前記複合成形体を、3×10−2〜1.3×102Paの酸素分圧を有する前記酸素含有雰囲気と、1350℃以上の温度で2分以上接触させる請求項2記載のセラミックヒータの製造方法。
- 前記セラミックヒータの前記セラミック発熱体は、Si3N4又はAlNを主体とするマトリックスセラミック相中に前記導電性セラミック相が分散した構造を有するものであり、前記発熱体成形体に使用する前記セラミック原料粉末は前記導電性セラミック粉末と、Si3N4粉末又はAlN粉末とを含有する請求項1ないし3のいずれかに記載のセラミックヒータの製造方法。
- 前記複合成形体を前記焼成温度にて焼成する際に、その焼成の雰囲気として窒素分圧が0.5気圧以上の窒素雰囲気が使用される請求項4記載のセラミックヒータの製造方法。
- 前記導電性セラミック粉末は、MoSi2を主体とするものである請求項1ないし5のいずれかに記載のセラミックヒータの製造方法。
- 前記発熱体成形体に使用するセラミック原料粉末中の導電性セラミック粉末の含有比率が25〜70重量%である請求項1ないし6のいずれかに記載のセラミックヒータの製造方法。
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